Artículos de revistas sobre el tema "Molecular beam epitaxy"
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Yong, T. Y. "Molecular beam epitaxy". IEEE Potentials 8, n.º 3 (octubre de 1989): 18–22. http://dx.doi.org/10.1109/45.41532.
Texto completoJoyce, B. A. "Molecular beam epitaxy". Reports on Progress in Physics 48, n.º 12 (1 de diciembre de 1985): 1637–97. http://dx.doi.org/10.1088/0034-4885/48/12/002.
Texto completoArthur, John R. "Molecular beam epitaxy". Surface Science 500, n.º 1-3 (marzo de 2002): 189–217. http://dx.doi.org/10.1016/s0039-6028(01)01525-4.
Texto completoKAMOHARA, Hideaki y Kazue TAKAHASHI. "Molecular Beam Epitaxy". Journal of the Society of Mechanical Engineers 92, n.º 848 (1989): 625–28. http://dx.doi.org/10.1299/jsmemag.92.848_625.
Texto completoPanish, Morton B. "Molecular-Beam Epitaxy". AT&T Technical Journal 68, n.º 1 (2 de enero de 1989): 43–52. http://dx.doi.org/10.1002/j.1538-7305.1989.tb00645.x.
Texto completoKulchitsky, N. A. "Atomic and Molecular Beams Control in Molecular Beam Epitaxy". Nano- i Mikrosistemnaya Tehnika 23, n.º 1 (24 de febrero de 2021): 47–56. http://dx.doi.org/10.17587/nmst.23.47-56.
Texto completoShiraki, Yasuhiro. "Silicon molecular beam epitaxy". Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures 3, n.º 2 (marzo de 1985): 725. http://dx.doi.org/10.1116/1.583126.
Texto completoShiraki, Yasuhiro. "Silicon molecular beam epitaxy". Progress in Crystal Growth and Characterization 12, n.º 1-4 (enero de 1986): 45–66. http://dx.doi.org/10.1016/0146-3535(86)90006-7.
Texto completoGravesteijn, Dirk J., Gerjan F. A. van De Walle y Aart A. van Gorkum. "Silicon molecular beam epitaxy". Advanced Materials 3, n.º 7-8 (julio de 1991): 351–55. http://dx.doi.org/10.1002/adma.19910030705.
Texto completoCurless, Jay A. "Molecular beam epitaxy beam flux modeling". Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures 3, n.º 2 (marzo de 1985): 531. http://dx.doi.org/10.1116/1.583169.
Texto completoLi, N. Y., H. K. Dong, C. W. Tu y M. Geva. "p-Type GaAs doped by diiodomethane (CI2H2) in molecular beam epitaxy, metalorganic molecular beam epitaxy, and chemical beam epitaxy". Journal of Crystal Growth 150 (mayo de 1995): 246–50. http://dx.doi.org/10.1016/0022-0248(95)80215-x.
Texto completoBarnett, S. A., J. E. Greene y J. E. Sundgren. "Ion-beam doping during molecular beam epitaxy". JOM 41, n.º 4 (abril de 1989): 16–19. http://dx.doi.org/10.1007/bf03220192.
Texto completoMorishita, Y., A. Tsuboi, H. Suzuki y K. Sato. "Molecular-Beam Epitaxy of AlGaMnAs". Journal of the Magnetics Society of Japan 23, n.º 1_2 (1999): 93–95. http://dx.doi.org/10.3379/jmsjmag.23.93.
Texto completoPanish, M. B. y H. Temkin. "Gas-Source Molecular Beam Epitaxy". Annual Review of Materials Science 19, n.º 1 (agosto de 1989): 209–29. http://dx.doi.org/10.1146/annurev.ms.19.080189.001233.
Texto completoLongenbach, K. F. y W. I. Wang. "Molecular beam epitaxy of GaSb". Applied Physics Letters 59, n.º 19 (4 de noviembre de 1991): 2427–29. http://dx.doi.org/10.1063/1.106037.
Texto completoMicovic, M., D. Lubyshev, W. Z. Cai, F. Flack, R. W. Streater, A. J. SpringThorpe y D. L. Miller. "Iodine-assisted molecular beam epitaxy". Journal of Crystal Growth 175-176 (mayo de 1997): 428–34. http://dx.doi.org/10.1016/s0022-0248(96)00818-4.
Texto completoLange, M. D., D. F. Storm y Teresa Cole. "Molecular-beam epitaxy of InTlAs". Journal of Electronic Materials 27, n.º 6 (junio de 1998): 536–41. http://dx.doi.org/10.1007/s11664-998-0011-9.
Texto completoNovák, V., M. Cukr, Z. Šobáň, T. Jungwirth, X. Martí, V. Holý, P. Horodyská y P. Němec. "Molecular beam epitaxy of LiMnAs". Journal of Crystal Growth 323, n.º 1 (mayo de 2011): 348–50. http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2010.11.077.
Texto completoZhdanov, V. P. y P. R. Norton. "Nucleation during molecular beam epitaxy". Applied Surface Science 81, n.º 2 (octubre de 1994): 109–17. http://dx.doi.org/10.1016/0169-4332(94)90040-x.
Texto completoDavies, G. J., P. J. Skevington, E. G. Scott, C. L. French y J. S. Foord. "Some comparisons of chemical beam epitaxy with gas source molecular beam epitaxy". Journal of Crystal Growth 107, n.º 1-4 (enero de 1991): 999–1008. http://dx.doi.org/10.1016/0022-0248(91)90593-t.
Texto completoMiner, C. J. "Wafer-scale temperature mapping for molecular beam epitaxy and chemical beam epitaxy". Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures 11, n.º 3 (mayo de 1993): 998. http://dx.doi.org/10.1116/1.586910.
Texto completoTsang, W. T., T. H. Chiu y R. M. Kapre. "Monolayer chemical beam etching: Reverse molecular beam epitaxy". Applied Physics Letters 63, n.º 25 (20 de diciembre de 1993): 3500–3502. http://dx.doi.org/10.1063/1.110132.
Texto completoKugiyama, Koichi, Yuichi Hirofuji y Naoto Matsuo. "Si-Beam Radiation Cleaning in Molecular-Beam Epitaxy". Japanese Journal of Applied Physics 24, Part 1, No. 5 (20 de mayo de 1985): 564–67. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.24.564.
Texto completoSARMA, S. DAS. "KINETIC SURFACE ROUGHENING AND MOLECULAR BEAM EPITAXY". Fractals 01, n.º 04 (diciembre de 1993): 784–94. http://dx.doi.org/10.1142/s0218348x93000812.
Texto completoChatillon, Christian y J. Massies. "Practical Aspects of Molecular Beam Epitaxy". Materials Science Forum 59-60 (enero de 1991): 229–86. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.59-60.229.
Texto completoFranchi, S. "Molecular Beam Epitaxy and Electronic Materials". Key Engineering Materials 58 (enero de 1991): 149–68. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/kem.58.149.
Texto completoTang, Lei-Han y Thomas Nattermann. "Kinetic roughening in molecular-beam epitaxy". Physical Review Letters 66, n.º 22 (3 de junio de 1991): 2899–902. http://dx.doi.org/10.1103/physrevlett.66.2899.
Texto completoPchelyakov, Oleg P. "Molecular beam epitaxy: equipment, devices, technology". Physics-Uspekhi 43, n.º 9 (30 de septiembre de 2000): 923–25. http://dx.doi.org/10.1070/pu2000v043n09abeh000790.
Texto completoBrahlek, Matthew, Jason Lapano y Joon Sue Lee. "Topological materials by molecular beam epitaxy". Journal of Applied Physics 128, n.º 21 (7 de diciembre de 2020): 210902. http://dx.doi.org/10.1063/5.0022948.
Texto completoTsui, Frank y Liang He. "Techniques for combinatorial molecular beam epitaxy". Review of Scientific Instruments 76, n.º 6 (junio de 2005): 062206. http://dx.doi.org/10.1063/1.1905967.
Texto completoBLÖMKER, DIRK, STANISLAUS MAIER-PAAPE y THOMAS WANNER. "SURFACE ROUGHNESS IN MOLECULAR BEAM EPITAXY". Stochastics and Dynamics 01, n.º 02 (junio de 2001): 239–60. http://dx.doi.org/10.1142/s0219493701000126.
Texto completoPchelyakov, Oleg P. "Molecular beam epitaxy: equipment, devices, technology". Uspekhi Fizicheskih Nauk 170, n.º 9 (2000): 993. http://dx.doi.org/10.3367/ufnr.0170.200009d.0993.
Texto completoSchlom, Darrell G. "Perspective: Oxide molecular-beam epitaxy rocks!" APL Materials 3, n.º 6 (junio de 2015): 062403. http://dx.doi.org/10.1063/1.4919763.
Texto completoTsao, Jeffrey Y. y James P. Harbison. "Materials Fundamentals of Molecular Beam Epitaxy". Physics Today 46, n.º 10 (octubre de 1993): 125–26. http://dx.doi.org/10.1063/1.2809075.
Texto completoBosch, A. J., R. G. van Welzenis y O. F. Z. Schannen. "Molecular beam epitaxy of InSb (110)". Journal of Applied Physics 58, n.º 9 (noviembre de 1985): 3434–39. http://dx.doi.org/10.1063/1.335763.
Texto completoDelorme, O., L. Cerutti, E. Luna, A. Trampert, E. Tournié y J. B. Rodriguez. "Molecular-beam epitaxy of GaInSbBi alloys". Journal of Applied Physics 126, n.º 15 (21 de octubre de 2019): 155304. http://dx.doi.org/10.1063/1.5096226.
Texto completoOzasa, Kazunari, Masaaki Yuri, Shigehisa Tanaka y Hiroyuki Matsunami. "Metalorganic molecular‐beam epitaxy of InGaP". Journal of Applied Physics 65, n.º 7 (abril de 1989): 2711–16. http://dx.doi.org/10.1063/1.342757.
Texto completoVillain, Jacques, Alberto Pimpinelli, Leihan Tang y Dietrich Wolf. "Terrace sizes in molecular beam epitaxy". Journal de Physique I 2, n.º 11 (noviembre de 1992): 2107–21. http://dx.doi.org/10.1051/jp1:1992271.
Texto completoNishinaga, Tatau. "Atomistic aspects of molecular beam epitaxy". Progress in Crystal Growth and Characterization of Materials 48-49 (enero de 2004): 104–22. http://dx.doi.org/10.1016/j.pcrysgrow.2005.06.002.
Texto completoFoxon, C. T. "Three decades of molecular beam epitaxy". Journal of Crystal Growth 251, n.º 1-4 (abril de 2003): 1–8. http://dx.doi.org/10.1016/s0022-0248(02)02396-5.
Texto completoFarrow, R. F. C. "Recent developments in molecular beam epitaxy". Journal of Crystal Growth 104, n.º 2 (julio de 1990): 556–77. http://dx.doi.org/10.1016/0022-0248(90)90158-h.
Texto completoMichalak, Leszek y Bogdan Adamczyk. "Light simulation of molecular beam epitaxy". Vacuum 42, n.º 12 (enero de 1991): 735–39. http://dx.doi.org/10.1016/0042-207x(91)90169-j.
Texto completoBauer, Günther y Gunther Springholz. "Molecular beam epitaxy—aspects and applications". Vacuum 43, n.º 5-7 (mayo de 1992): 357–65. http://dx.doi.org/10.1016/0042-207x(92)90038-x.
Texto completoArthur, John R. "Molecular beam epitaxy of compound semiconductors". Surface Science 299-300 (enero de 1994): 818–23. http://dx.doi.org/10.1016/0039-6028(94)90699-8.
Texto completoKrishnamurthy, Srinivasan, M. A. Berding, A. Sher y A. ‐B Chen. "Energetics of molecular‐beam epitaxy models". Journal of Applied Physics 68, n.º 8 (15 de octubre de 1990): 4020–28. http://dx.doi.org/10.1063/1.346238.
Texto completoMoktadir, Z. "Scale decomposition of molecular beam epitaxy". Journal of Physics: Condensed Matter 20, n.º 23 (13 de mayo de 2008): 235240. http://dx.doi.org/10.1088/0953-8984/20/23/235240.
Texto completoWang, G., S. K. Lok, G. K. L. Wong y I. K. Sou. "Molecular beam epitaxy-grown Bi4Te3 nanowires". Applied Physics Letters 95, n.º 26 (28 de diciembre de 2009): 263102. http://dx.doi.org/10.1063/1.3276071.
Texto completoDuport, Christophe, Philippe Nozières y Jacques Villain. "New Instability in Molecular Beam Epitaxy". Physical Review Letters 74, n.º 1 (2 de enero de 1995): 134–37. http://dx.doi.org/10.1103/physrevlett.74.134.
Texto completoBean, John C. "Silicon molecular beam epitaxy: 1984–1986". Journal of Crystal Growth 81, n.º 1-4 (febrero de 1987): 411–20. http://dx.doi.org/10.1016/0022-0248(87)90426-x.
Texto completoChan, S. K., N. Liu, Y. Cai, N. Wang, G. K. L. Wong y I. K. Sou. "Molecular beam epitaxy—Grown ZnSe nanowires". Journal of Electronic Materials 35, n.º 6 (junio de 2006): 1246–50. http://dx.doi.org/10.1007/s11664-006-0249-z.
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