Artículos de revistas sobre el tema "Low effective mass channel material transistors"
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van Fraassen, Niels C. A., Sanggil Han, Kham Niang y Andrew J. John Flewitt. "(Invited) Achieving Lower Power Logic Using P-Type Metal Oxide Thin Film Transistors". ECS Meeting Abstracts MA2022-02, n.º 35 (9 de octubre de 2022): 1267. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-02351267mtgabs.
Texto completoYen, Te Jui, Albert Chin, Weng Kent Chan, Hsin-Yi Tiffany Chen y Vladimir Gritsenko. "Remarkably High-Performance Nanosheet GeSn Thin-Film Transistor". Nanomaterials 12, n.º 2 (14 de enero de 2022): 261. http://dx.doi.org/10.3390/nano12020261.
Texto completoPooja, Pheiroijam, Chun Che Chien y Albert Chin. "Superior High Transistor’s Effective Mobility of 325 cm2/V-s by 5 nm Quasi-Two-Dimensional SnON nFET". Nanomaterials 13, n.º 12 (20 de junio de 2023): 1892. http://dx.doi.org/10.3390/nano13121892.
Texto completoLee, Dong Hun, Yuxuan Zhang, Kwangsoo No, Han Wook Song y Sunghwan Lee. "(Digital Presentation) Multimodal Encapsulation of p-SnOx to Engineer the Carrier Density for Thin Film Transistor Applications". ECS Meeting Abstracts MA2022-02, n.º 15 (9 de octubre de 2022): 821. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-0215821mtgabs.
Texto completoTong, Shi Wun y Man-Fai Ng. "(Digital Presentation) Scalable Growth of Transition Metal Dichalcogenides for Next-Generation Nanoelectronics". ECS Meeting Abstracts MA2022-02, n.º 36 (9 de octubre de 2022): 1343. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-02361343mtgabs.
Texto completoChoy, JUN-HO, Valeriy Sukharev, Armen Kteyan, Stephane Moreau y Catherine Brunet-Manquat. "(Invited, Digital Presentation) Advanced Methodology for Assessing Chip Package Interaction Induced Stress Effects on Chip Performance and Reliability". ECS Meeting Abstracts MA2022-02, n.º 17 (9 de octubre de 2022): 846. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-0217846mtgabs.
Texto completoWulf, Ulrich y Hans Richter. "Scaling in Quantum Transport in Silicon Nano-Transistors". Solid State Phenomena 156-158 (octubre de 2009): 517–21. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.156-158.517.
Texto completoZhu, Yan y Mantu K. Hudait. "Low-power tunnel field effect transistors using mixed As and Sb based heterostructures". Nanotechnology Reviews 2, n.º 6 (1 de diciembre de 2013): 637–78. http://dx.doi.org/10.1515/ntrev-2012-0082.
Texto completoPakmehr, Mehdi, B. D. McCombe, Olivio Chiatti, S. F. Fischer, Ch Heyn y W. Hansen. "Characterization of High Mobility InAs/InGaAs/InAlAs Composite Channels by THz Magneto-Photoresponse Spectroscopy". International Journal of High Speed Electronics and Systems 24, n.º 01n02 (marzo de 2015): 1520004. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156415200049.
Texto completoJohn Chelliah, Cyril R. A. y Rajesh Swaminathan. "Current trends in changing the channel in MOSFETs by III–V semiconducting nanostructures". Nanotechnology Reviews 6, n.º 6 (27 de noviembre de 2017): 613–23. http://dx.doi.org/10.1515/ntrev-2017-0155.
Texto completoShikoh, Ali Sehpar, Gi Sang Choi, Sungmin Hong, Kwang Seob Jeong y Jaekyun Kim. "High-sensitivity hybrid PbSe/ITZO thin film-based phototransistor detecting from 2100 to 2500 nm near-infrared illumination". Nanotechnology 33, n.º 16 (24 de enero de 2022): 165501. http://dx.doi.org/10.1088/1361-6528/ac47d3.
Texto completoBermundo, Juan Paolo, Dianne Corsino, Umu Hanifah y Yukiharu Uraoka. "(Invited) High Performance Fully Solution Processed Transistors Towards Flexible Sustainable Electronics". ECS Meeting Abstracts MA2022-02, n.º 35 (9 de octubre de 2022): 1279. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-02351279mtgabs.
Texto completoKuo, Chil-Chyuan y Yi-Jun Zhu. "Characterization of Epoxy-Based Rapid Mold with Profiled Conformal Cooling Channel". Polymers 14, n.º 15 (26 de julio de 2022): 3017. http://dx.doi.org/10.3390/polym14153017.
Texto completoGadzhiev, M. Kh, A. S. Tyuftyaev, Yu M. Kulikov, M. A. Sargsyan, D. I. Yusupov, N. A. Demirov y E. E. Son. "Lowtemperature plasma generator for effective processing of materials". Ferrous Metallurgy. Bulletin of Scientific , Technical and Economic Information 77, n.º 5 (26 de mayo de 2021): 587–92. http://dx.doi.org/10.32339/0135-5910-2021-5-587-592.
Texto completoIto, Kosuke, Noah Utsumi y Masashi Yoshida. "Development of Forming Method for Aluminum Alloy Channel with Curvature and Modified Cross-Section Shape in Rotary Draw Bending". Advanced Materials Research 1110 (junio de 2015): 130–35. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.1110.130.
Texto completoHamlin, Andrew Bradford, Youxiong Ye, Julia Elizabeth Huddy y William Joseph Scheideler. "Modulation Doped 2D InOx/GaOx Heterostructure Tfts Via Liquid Metal Printing". ECS Meeting Abstracts MA2022-01, n.º 31 (7 de julio de 2022): 1326. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-01311326mtgabs.
Texto completoLiao, Chun-Da, Andrea Capasso, Tiago Queirós, Telma Domingues, Fatima Cerqueira, Nicoleta Nicoara, Jérôme Borme, Paulo Freitas y Pedro Alpuim. "Optimizing PMMA solutions to suppress contamination in the transfer of CVD graphene for batch production". Beilstein Journal of Nanotechnology 13 (18 de agosto de 2022): 796–806. http://dx.doi.org/10.3762/bjnano.13.70.
Texto completoLiu, Cheewee, Chien-Te Tu, Bo-Wei Huang y Chun-Yi Cheng. "(Digital Presentation) Stacked Nanosheet FETs and Beyond". ECS Meeting Abstracts MA2022-02, n.º 32 (9 de octubre de 2022): 1193. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-02321193mtgabs.
Texto completoAndricek, Ladislav. "All-silicon multi-chip modules based on ultra-thin active pixel radiation sensors". Additional Conferences (Device Packaging, HiTEC, HiTEN, and CICMT) 2014, DPC (1 de enero de 2014): 000960–83. http://dx.doi.org/10.4071/2014dpc-tp31.
Texto completoGlasser, Neil F. y Matthew R. Bennett. "Glacial erosional landforms: origins and significance for palaeoglaciology". Progress in Physical Geography: Earth and Environment 28, n.º 1 (marzo de 2004): 43–75. http://dx.doi.org/10.1191/0309133304pp401ra.
Texto completoQuino, Candell Grace Paredes, Juan Paolo Bermundo, Mutsunori Uenuma y Yukiharu Uraoka. "Performance Enhancement of Solution-Processed SixSnyO TFTs using Solution Combustion Synthesis". ECS Meeting Abstracts MA2022-02, n.º 35 (9 de octubre de 2022): 1280. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-02351280mtgabs.
Texto completoAkkili, Viswanath G. y Viranjay M. Srivastava. "Design and Performance Analysis of Low Sub-Threshold Swing p-Channel Cylindrical Thin-Film Transistors". Micro and Nanosystems 14 (18 de mayo de 2022). http://dx.doi.org/10.2174/1876402914666220518141705.
Texto completoWager, John F. "Single‐layer thin‐film transistor analysis and design". Journal of the Society for Information Display, 24 de agosto de 2023. http://dx.doi.org/10.1002/jsid.1257.
Texto completoAlam, Khairul. "Transport and performance study of double-walled black phosphorus nanotube transistors". Semiconductor Science and Technology, 9 de junio de 2022. http://dx.doi.org/10.1088/1361-6641/ac773e.
Texto completoNupur Navlakha, Leonard F. Register y Sanjay K. Banerjee. "Emerging 2D materials for tunneling field effect transistors". Revista Tecnología en Marcha, 29 de junio de 2023. http://dx.doi.org/10.18845/tm.v36i6.6768.
Texto completo"Germanane: A Low Effective Mass and High Bandgap 2-D Channel Material for Future FETs". IEEE Transactions on Electron Devices 61, n.º 7 (julio de 2014): 2309–15. http://dx.doi.org/10.1109/ted.2014.2325136.
Texto completoHuang, Chunhui, Zeyi Yan, Chengwei Hu, Xiong Xiong y Yanqing Wu. "Performance and stability improvement of CVD monolayer MoS2 transistors through HfO2 dielectrics engineering". Applied Physics Letters 123, n.º 7 (14 de agosto de 2023). http://dx.doi.org/10.1063/5.0157416.
Texto completozhang, wei, Ruohao Hong, Wenjing Qin, Yawei Lv, Jianmin Ma, Lei Liao, Kenli Li y Changzhong Jiang. "Enhanced performance of p-type SnOx thin film transistors through defect compensation". Journal of Physics: Condensed Matter, 26 de julio de 2022. http://dx.doi.org/10.1088/1361-648x/ac8464.
Texto completoJiang, Guanggang, Wei Dou, Xiaomin Gan, Liuhui Lei, Xing Yuan, Wei Hou, Jia Yang, Weichang Zhou y Dongsheng Tang. "Low-voltage solution-processed P-type Mg-doped CuI thin film transistors with NAND logic function". Applied Physics Letters 122, n.º 21 (22 de mayo de 2023). http://dx.doi.org/10.1063/5.0152445.
Texto completoSong, Okin, Dongjoon Rhee, Jihyun Kim, Youngseo Jeon, Vlastimil Mazánek, Aljoscha Söll, Yonghyun Albert Kwon et al. "All inkjet-printed electronics based on electrochemically exfoliated two-dimensional metal, semiconductor, and dielectric". npj 2D Materials and Applications 6, n.º 1 (9 de septiembre de 2022). http://dx.doi.org/10.1038/s41699-022-00337-1.
Texto completoProano, R. E. y R. J. Soave. "Fabrication and Properties of Single, Double, and Triple Gate Polycrystalline-Silicon Thin Film Transistors". MRS Proceedings 106 (1987). http://dx.doi.org/10.1557/proc-106-317.
Texto completoLee, Hyun Jung, Andrei Sazonov y Arokia Nathan. "Evolution of Structural and Electronic Properties in Boron-doped Nanocrystalline Silicon Thin Films". MRS Proceedings 989 (2007). http://dx.doi.org/10.1557/proc-0989-a21-07.
Texto completoBirkhahn, Ronald, David Gotthold, Nathan Cauffman, Boris Peres y Seikoh Yoshida. "AlGaN/GaN HFETs for Automotive Applications". MRS Proceedings 743 (2002). http://dx.doi.org/10.1557/proc-743-l11.45.
Texto completoLi, Jiangdan, Christopher A. Onken, Christian Wolf, Péter Németh, Mike Bessell, Zhenwei Li, Xiaobin Zhang et al. "A Roche Lobe-filling hot Subdwarf and White Dwarf Binary: Possible detection of an ejected common envelope?" Monthly Notices of the Royal Astronomical Society, 7 de julio de 2022. http://dx.doi.org/10.1093/mnras/stac1768.
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