Literatura académica sobre el tema "Low effective mass channel material transistors"
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Artículos de revistas sobre el tema "Low effective mass channel material transistors"
van Fraassen, Niels C. A., Sanggil Han, Kham Niang y Andrew J. John Flewitt. "(Invited) Achieving Lower Power Logic Using P-Type Metal Oxide Thin Film Transistors". ECS Meeting Abstracts MA2022-02, n.º 35 (9 de octubre de 2022): 1267. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-02351267mtgabs.
Texto completoYen, Te Jui, Albert Chin, Weng Kent Chan, Hsin-Yi Tiffany Chen y Vladimir Gritsenko. "Remarkably High-Performance Nanosheet GeSn Thin-Film Transistor". Nanomaterials 12, n.º 2 (14 de enero de 2022): 261. http://dx.doi.org/10.3390/nano12020261.
Texto completoPooja, Pheiroijam, Chun Che Chien y Albert Chin. "Superior High Transistor’s Effective Mobility of 325 cm2/V-s by 5 nm Quasi-Two-Dimensional SnON nFET". Nanomaterials 13, n.º 12 (20 de junio de 2023): 1892. http://dx.doi.org/10.3390/nano13121892.
Texto completoLee, Dong Hun, Yuxuan Zhang, Kwangsoo No, Han Wook Song y Sunghwan Lee. "(Digital Presentation) Multimodal Encapsulation of p-SnOx to Engineer the Carrier Density for Thin Film Transistor Applications". ECS Meeting Abstracts MA2022-02, n.º 15 (9 de octubre de 2022): 821. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-0215821mtgabs.
Texto completoTong, Shi Wun y Man-Fai Ng. "(Digital Presentation) Scalable Growth of Transition Metal Dichalcogenides for Next-Generation Nanoelectronics". ECS Meeting Abstracts MA2022-02, n.º 36 (9 de octubre de 2022): 1343. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-02361343mtgabs.
Texto completoChoy, JUN-HO, Valeriy Sukharev, Armen Kteyan, Stephane Moreau y Catherine Brunet-Manquat. "(Invited, Digital Presentation) Advanced Methodology for Assessing Chip Package Interaction Induced Stress Effects on Chip Performance and Reliability". ECS Meeting Abstracts MA2022-02, n.º 17 (9 de octubre de 2022): 846. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-0217846mtgabs.
Texto completoWulf, Ulrich y Hans Richter. "Scaling in Quantum Transport in Silicon Nano-Transistors". Solid State Phenomena 156-158 (octubre de 2009): 517–21. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.156-158.517.
Texto completoZhu, Yan y Mantu K. Hudait. "Low-power tunnel field effect transistors using mixed As and Sb based heterostructures". Nanotechnology Reviews 2, n.º 6 (1 de diciembre de 2013): 637–78. http://dx.doi.org/10.1515/ntrev-2012-0082.
Texto completoPakmehr, Mehdi, B. D. McCombe, Olivio Chiatti, S. F. Fischer, Ch Heyn y W. Hansen. "Characterization of High Mobility InAs/InGaAs/InAlAs Composite Channels by THz Magneto-Photoresponse Spectroscopy". International Journal of High Speed Electronics and Systems 24, n.º 01n02 (marzo de 2015): 1520004. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156415200049.
Texto completoJohn Chelliah, Cyril R. A. y Rajesh Swaminathan. "Current trends in changing the channel in MOSFETs by III–V semiconducting nanostructures". Nanotechnology Reviews 6, n.º 6 (27 de noviembre de 2017): 613–23. http://dx.doi.org/10.1515/ntrev-2017-0155.
Texto completoTesis sobre el tema "Low effective mass channel material transistors"
Chakraborty, Ananda Sankar. "Quantum-Drift-Diffusion Formalism Based Compact Model For Low Effective Mass Channel MOSFET". Thesis, 2018. http://etd.iisc.ac.in/handle/2005/4338.
Texto completoActas de conferencias sobre el tema "Low effective mass channel material transistors"
Gupta, Amratansh, Mohit Ganeriwala y Nihar Ranjan Mohapatra. "An Unified Charge Centroid Model for Silicon and Low Effective Mass III-V Channel Double Gate MOS Transistors". En 2019 32nd International Conference on VLSI Design and 2019 18th International Conference on Embedded Systems (VLSID). IEEE, 2019. http://dx.doi.org/10.1109/vlsid.2019.00047.
Texto completoHerschbein, Steven B., Kyle M. Winter, Carmelo F. Scrudato, Brian L. Yates, Edward S. Hermann y John Carulli. "FinFET Transistor Output Drive Performance Modification by Focused Ion Beam (FIB) Chip Circuit Editing". En ISTFA 2020. ASM International, 2020. http://dx.doi.org/10.31399/asm.cp.istfa2020p0122.
Texto completoDattoli, Eric N., Kevin Baler y Wei Lu. "Nanowire-Based High Speed Transparent and Flexible Thin-Film Transistor Devices". En 2008 Second International Conference on Integration and Commercialization of Micro and Nanosystems. ASMEDC, 2008. http://dx.doi.org/10.1115/micronano2008-70328.
Texto completoEason, Cormac, Tara Dalton, Cian O’Mathu´na, Mark Davies y Orla Slattery. "Direct Comparison Between a Variety of Microchannels: Part 1 — Channel Manufacture and Measurement". En ASME 2004 2nd International Conference on Microchannels and Minichannels. ASMEDC, 2004. http://dx.doi.org/10.1115/icmm2004-2329.
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