Artículos de revistas sobre el tema "LED APPLICATIONS"
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Shintaku, Fumihiro. "LED - Applications in Marine Equipments". Journal of The Japan Institute of Marine Engineering 49, n.º 5 (2014): 603–6. http://dx.doi.org/10.5988/jime.49.603.
Texto completoChervinsky, M. "New NX LEDS from CREE. NX LED assemblies applications". ELECTRONICS: Science, Technology, Business 170, n.º 9 (2017): 86–90. http://dx.doi.org/10.22184/1992-4178.2017.170.9.86.90.
Texto completoWood, Jonathan. "Ultraviolet LED promises new applications". Materials Today 9, n.º 7-8 (julio de 2006): 16. http://dx.doi.org/10.1016/s1369-7021(06)71568-1.
Texto completoLee, Vincent W., Nancy Twu y Ioannis Kymissis. "Micro-LED Technologies and Applications". Information Display 32, n.º 6 (noviembre de 2016): 16–23. http://dx.doi.org/10.1002/j.2637-496x.2016.tb00949.x.
Texto completoHatakoshi, Gen-ichi. "LED and LED Lighting". Journal of The Institute of Image Information and Television Engineers 66, n.º 4 (2012): 281–86. http://dx.doi.org/10.3169/itej.66.281.
Texto completoLee, Tsung-Wen y Janice H. Nickel. "Memristor Resistance Modulation for Analog Applications". IEEE Electron Device Letters 33, n.º 10 (octubre de 2012): 1456–58. http://dx.doi.org/10.1109/led.2012.2207429.
Texto completoShih, Ju Yi, Shu Ling Lai y Huai Tzu Cheng. "Design and Applications of LED Textiles". Advanced Materials Research 821-822 (septiembre de 2013): 453–58. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.821-822.453.
Texto completoTitkov, I. E., L. A. Delimova, A. S. Zubrilov, N. V. Seredova, I. A. Liniichuk y I. V. Grekhov. "ZnO/GaN heterostructure for LED applications". Journal of Modern Optics 56, n.º 5 (10 de marzo de 2009): 653–60. http://dx.doi.org/10.1080/09500340902737051.
Texto completoTan, Siew Li, Shiyong Zhang, Wai Mun Soong, Yu Ling Goh, Lionel J. J. Tan, Jo Shien Ng, John P. R. David et al. "GaInNAsSb/GaAs Photodiodes for Long-Wavelength Applications". IEEE Electron Device Letters 32, n.º 7 (julio de 2011): 919–21. http://dx.doi.org/10.1109/led.2011.2145351.
Texto completoWang, Han, Thiti Taychatanapat, Allen Hsu, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Pablo Jarillo-Herrero y Tomas Palacios. "BN/Graphene/BN Transistors for RF Applications". IEEE Electron Device Letters 32, n.º 9 (septiembre de 2011): 1209–11. http://dx.doi.org/10.1109/led.2011.2160611.
Texto completoLiao, Yu-An, Wei-Hsun Lin, Yi-Kai Chao, Wen-Hao Chang, Jen-Inn Chyi y Shih-Yen Lin. "In-Plane Gate Transistors for Photodetector Applications". IEEE Electron Device Letters 34, n.º 6 (junio de 2013): 780–82. http://dx.doi.org/10.1109/led.2013.2258456.
Texto completoPark, Bong-Ryeol y Ho-Young Cha. "Thermal consideration in LED array design for LCD backlight unit applications". IEICE Electronics Express 7, n.º 1 (2010): 40–46. http://dx.doi.org/10.1587/elex.7.40.
Texto completoWang, Chih-Lin, Yuan-Jung Yao, Ruei-Teng Lin, Ming-Lun Chen y Sheng-Lung Su. "P-77: Some Requirements on LED Characteristics for LCD TV Applications". SID Symposium Digest of Technical Papers 41, n.º 1 (2010): 1536. http://dx.doi.org/10.1889/1.3500003.
Texto completoJaeseok Jeon, V. Pott, Hei Kam, R. Nathanael, E. Alon y Tsu-Jae King Liu. "Perfectly Complementary Relay Design for Digital Logic Applications". IEEE Electron Device Letters 31, n.º 4 (abril de 2010): 371–73. http://dx.doi.org/10.1109/led.2009.2039916.
Texto completoLee, Yi-Chia, Ming-Huang Li, Y. T. Cheng, Wensyang Hsu y Sheng-Shian Li. "Electroplated Ni-CNT Nanocomposite for Micromechanical Resonator Applications". IEEE Electron Device Letters 33, n.º 6 (junio de 2012): 872–74. http://dx.doi.org/10.1109/led.2012.2190131.
Texto completoSalcedo, Javier A., Jean-Jacques Hajjar, Slavica Malobabic y Juin J. Liou. "Bidirectional Devices for Automotive-Grade Electrostatic Discharge Applications". IEEE Electron Device Letters 33, n.º 6 (junio de 2012): 860–62. http://dx.doi.org/10.1109/led.2012.2190261.
Texto completoYun, Yang-Hun, Te-Yu J. Kao y Kenneth K. O. "Variable Inductors in CMOS for Millimeter-Wave Applications". IEEE Electron Device Letters 33, n.º 7 (julio de 2012): 1081–83. http://dx.doi.org/10.1109/led.2012.2196966.
Texto completoSun Jung Kim, Byung Jin Cho, Ming Fu Li, Xiongfei Yu, Chunxiang Zhu, A. Chin y Dim-Lee Kwong. "PVD HfO2 for high-precision MIM capacitor applications". IEEE Electron Device Letters 24, n.º 6 (junio de 2003): 387–89. http://dx.doi.org/10.1109/led.2003.813381.
Texto completoBonderover, E. y S. Wagner. "A Woven Inverter Circuit for e-Textile Applications". IEEE Electron Device Letters 25, n.º 5 (mayo de 2004): 295–97. http://dx.doi.org/10.1109/led.2004.826537.
Texto completoPasslack, M., R. Droopad, Z. Yu, N. Medendorp, D. Braddock, X. W. Wang, T. P. Ma y T. Buyuklimanli. "Screening of Oxide/GaAs Interfaces for MOSFET Applications". IEEE Electron Device Letters 29, n.º 11 (noviembre de 2008): 1181–83. http://dx.doi.org/10.1109/led.2008.2004569.
Texto completoYagi, Takaaki. "High Power LED products and its applications". JOURNAL OF THE ILLUMINATING ENGINEERING INSTITUTE OF JAPAN 85, Appendix (2001): 289–90. http://dx.doi.org/10.2150/jieij1980.85.appendix_289.
Texto completoPark, Seo-Jun, Sung-Hwan Byeon, Sun-Jae Kim, Kyoung-Soo Park y Gyung-Suk Kil. "Economic analysis on the applications of shipboard LED luminaires". Journal of the Korean Society of Marine Engineering 40, n.º 4 (31 de mayo de 2016): 342–47. http://dx.doi.org/10.5916/jkosme.2016.40.4.342.
Texto completoSHATALOV, M., A. LUNEV, X. HU, O. BILENKO, I. GASKA, W. SUN, J. YANG et al. "PERFORMANCE AND APPLICATIONS OF DEEP UV LED". International Journal of High Speed Electronics and Systems 21, n.º 01 (marzo de 2012): 1250011. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156412500115.
Texto completoLiu, W. F., J. I. Oh y W. Z. Shen. "Light Trapping in Single Coaxial Nanowires for Photovoltaic Applications". IEEE Electron Device Letters 32, n.º 1 (enero de 2011): 45–47. http://dx.doi.org/10.1109/led.2010.2086428.
Texto completoMoon, J. S., D. Curtis, D. Zehnder, S. Kim, D. K. Gaskill, G. G. Jernigan, R. L. Myers-Ward et al. "Low-Phase-Noise Graphene FETs in Ambipolar RF Applications". IEEE Electron Device Letters 32, n.º 3 (marzo de 2011): 270–72. http://dx.doi.org/10.1109/led.2010.2100074.
Texto completoDong, Shurong, Jian Wu, Meng Miao, Jie Zeng, Yan Han y Juin J. Liou. "High-Holding-Voltage Silicon-Controlled Rectifier for ESD Applications". IEEE Electron Device Letters 33, n.º 10 (octubre de 2012): 1345–47. http://dx.doi.org/10.1109/led.2012.2208934.
Texto completoSingh, Pushpapraj, Chua Geng Li, Prakash Pitchappa y Chengkuo Lee. "Tantalum-Nitride Antifuse Electromechanical OTP for Embedded Memory Applications". IEEE Electron Device Letters 34, n.º 8 (agosto de 2013): 987–89. http://dx.doi.org/10.1109/led.2013.2262918.
Texto completoCan Zheng, R. Coffie, D. Buttari, J. Champlain y U. K. Mishra. "Oxidation control of GaAs pHEMTs for high efficiency applications". IEEE Electron Device Letters 23, n.º 7 (julio de 2002): 380–82. http://dx.doi.org/10.1109/led.2002.1015203.
Texto completoLevenets, V. V., R. E. Amaya, N. G. Tarr, T. J. Smy y J. W. M. Rogers. "Characterization of silver CPWs for applications in silicon MMICs". IEEE Electron Device Letters 26, n.º 6 (junio de 2005): 357–59. http://dx.doi.org/10.1109/led.2005.848120.
Texto completoPalacios, T., A. Chakraborty, S. Rajan, C. Poblenz, S. Keller, S. P. DenBaars, J. S. Speck y U. K. Mishra. "High-power AlGaN/GaN HEMTs for Ka-band applications". IEEE Electron Device Letters 26, n.º 11 (noviembre de 2005): 781–83. http://dx.doi.org/10.1109/led.2005.857701.
Texto completoQuoc Ngo, A. M. Cassell, A. J. Austin, Jun Li, S. Krishnan, M. Meyyappan y C. Y. Yang. "Characteristics of aligned carbon nanofibers for interconnect via applications". IEEE Electron Device Letters 27, n.º 4 (abril de 2006): 221–24. http://dx.doi.org/10.1109/led.2006.870865.
Texto completoVentrice, D., P. Fantini, Andrea Redaelli, A. Pirovano, A. Benvenuti y F. Pellizzer. "A Phase Change Memory Compact Model for Multilevel Applications". IEEE Electron Device Letters 28, n.º 11 (noviembre de 2007): 973–75. http://dx.doi.org/10.1109/led.2007.907288.
Texto completoChu, Rongming, Likun Shen, Nicholas Fichtenbaum, David Brown, Zhen Chen, Stacia Keller, Steven P. DenBaars y Umesh K. Mishra. "V-Gate GaN HEMTs for X-Band Power Applications". IEEE Electron Device Letters 29, n.º 9 (septiembre de 2008): 974–76. http://dx.doi.org/10.1109/led.2008.2001639.
Texto completoSung-Min Yoon, Soon-Won Jung, Seung-Yun Lee, Young-Sam Park y Byoung-Gon Yu. "Phase-Change-Driven Programmable Switch for Nonvolatile Logic Applications". IEEE Electron Device Letters 30, n.º 4 (abril de 2009): 371–73. http://dx.doi.org/10.1109/led.2009.2013879.
Texto completoChowdhury, Sk F., Maruthi N. Yogeesh, Sanjay K. Banerjee y Deji Akinwande. "Black Phosphorous Thin-Film Transistor and RF Circuit Applications". IEEE Electron Device Letters 37, n.º 4 (abril de 2016): 449–51. http://dx.doi.org/10.1109/led.2016.2536102.
Texto completoZhang, Kai, Yuechan Kong, Guangrun Zhu, Jianjun Zhou, Xinxin Yu, Cen Kong, Zhonghui Li y Tangsheng Chen. "High-Linearity AlGaN/GaN FinFETs for Microwave Power Applications". IEEE Electron Device Letters 38, n.º 5 (mayo de 2017): 615–18. http://dx.doi.org/10.1109/led.2017.2687440.
Texto completoSyamsul, Mohd, Nobutaka Oi, Satoshi Okubo, Taisuke Kageura y Hiroshi Kawarada. "Heteroepitaxial Diamond Field-Effect Transistor for High Voltage Applications". IEEE Electron Device Letters 39, n.º 1 (enero de 2018): 51–54. http://dx.doi.org/10.1109/led.2017.2774290.
Texto completoLuo, Shijiang, Nuo Xu, Zhe Guo, Yue Zhang, Jeongmin Hong y Long You. "Voltage-Controlled Skyrmion Memristor for Energy-Efficient Synapse Applications". IEEE Electron Device Letters 40, n.º 4 (abril de 2019): 635–38. http://dx.doi.org/10.1109/led.2019.2898275.
Texto completoDu, Feibo, Shiyu Song, Fei Hou, Wenqiang Song, Long Chen, Jizhi Liu, Zhiwei Liu y Juin J. Liou. "An Enhanced Gate-Grounded NMOSFET for Robust ESD Applications". IEEE Electron Device Letters 40, n.º 9 (septiembre de 2019): 1491–94. http://dx.doi.org/10.1109/led.2019.2926103.
Texto completoJaveed, Patan, Lochan Krishna Yadav, P. Venkatesh Kumar, Ranjit Kumar y Shakti Swaroop. "SEPIC Converter for Low Power LED Applications". Journal of Physics: Conference Series 1818, n.º 1 (1 de marzo de 2021): 012220. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/1818/1/012220.
Texto completoKirm, M., E. Feldbach, H. Mägi, V. Nagirnyi, E. Tõldsepp, S. Vielhauer, T. Jüstel, T. Jansen, N. M. Khaidukov y V. N. Makhov. "Silicate apatite phosphors for pc-LED applications". Proceedings of the Estonian Academy of Sciences 66, n.º 4 (2017): 383. http://dx.doi.org/10.3176/proc.2017.4.14.
Texto completoLuo, Xiaobing y Run Hu. "THERMAL MANAGEMENT IN LED PACKAGING AND APPLICATIONS". Annual Review of Heat Transfer 18 (2015): 371–414. http://dx.doi.org/10.1615/annualrevheattransfer.2015011154.
Texto completoHaladejová, K., A. Prnová, R. Klement, W. H. Tuan, S. J. Shih y D. Galusek. "Aluminate glass based phosphors for LED applications". Journal of the European Ceramic Society 36, n.º 12 (septiembre de 2016): 2969–73. http://dx.doi.org/10.1016/j.jeurceramsoc.2015.11.027.
Texto completoBreidenassel, Nicole, Stefan Grötsch y Wolfgang Schnabel. "61.3: LED Light Source for RPTV Applications". SID Symposium Digest of Technical Papers 37, n.º 1 (2006): 1816. http://dx.doi.org/10.1889/1.2433393.
Texto completoNakane, Hiroki, Mio Kumai, Masayoshi Hagi y Kiyofumi Nagai. "Advanced LED UV inks for industrial applications". NIP & Digital Fabrication Conference 31, n.º 1 (1 de enero de 2015): 448–51. http://dx.doi.org/10.2352/issn.2169-4451.2015.31.1.art00099_1.
Texto completoYang, Guomao, Sheng Peng, Andrew Ridyard y John Kuta. "UV LED Curing in Inkjet Printing Applications". NIP & Digital Fabrication Conference 24, n.º 1 (1 de enero de 2008): 535–37. http://dx.doi.org/10.2352/issn.2169-4451.2008.24.1.art00020_2.
Texto completoKo, Young-Seok y Shi-Hong Park. "A Study of White-LED Driver IC for Mobile Applications". Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers 22, n.º 7 (1 de julio de 2009): 572–75. http://dx.doi.org/10.4313/jkem.2009.22.7.572.
Texto completoChang, S. Z., H. Y. Yu, A. Veloso, A. Lauwers, A. Delabie, J.-L. Everaert, C. Kerner, P. Absil, T. Hoffmann y S. Biesemans. "The Application of an Ultrathin ALD HfSiON Cap Layer on SiON Dielectrics for Ni-FUSI CMOS Technology Targeting at Low-Power Applications". IEEE Electron Device Letters 28, n.º 7 (julio de 2007): 634–36. http://dx.doi.org/10.1109/led.2007.899331.
Texto completoJeong, Duk Young, Mohammad Masum Billah y Jin Jang. "Amorphous InGaZnO/Poly-Si Coplanar Heterojunction TFT for Memory Applications". IEEE Electron Device Letters 42, n.º 8 (agosto de 2021): 1172–75. http://dx.doi.org/10.1109/led.2021.3090785.
Texto completoXue, Mei, Sanaz Kabehie, Adam Z. Stieg, Ekaterina Tkatchouk, Diego Benitez, William A. Goddard, Jeffrey I. Zink y Kang L. Wang. "A Molecular-Rotor Device for Nonvolatile High-Density Memory Applications". IEEE Electron Device Letters 31, n.º 9 (septiembre de 2010): 1047–49. http://dx.doi.org/10.1109/led.2010.2052018.
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