Artículos de revistas sobre el tema "InxGa1-xN"
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Jeong, Myoungho, Hyo Sung Lee, Seok Kyu Han, Eun-Jung-Shin, Soon-Ku Hong, Jeong Yong Lee, Yun Chang Park, Jun-Mo Yang y Takafumi Yao. "Microstructural Characterization of High Indium-Composition InXGa1−XN Epilayers Grown on c-Plane Sapphire Substrates". Microscopy and Microanalysis 19, S5 (agosto de 2013): 145–48. http://dx.doi.org/10.1017/s143192761301252x.
Texto completoManzoor, Habib Ullah, Aik Kwan Tan, Sha Shiong Ng y Zainuriah Hassan. "Carrier Density and Thickness Optimization of InxGa1-xN Layer by Scaps-1D Simulation for High Efficiency III-V Solar CelL". Sains Malaysiana 51, n.º 5 (31 de mayo de 2022): 1567–76. http://dx.doi.org/10.17576/jsm-2022-5105-24.
Texto completoSong, Juan, Zijiang Luo, Xuefei Liu, Ershi Li, Chong Jiang, Zechen Huang, Jiawei Li, Xiang Guo, Zhao Ding y Jihong Wang. "The Study on Structural and Photoelectric Properties of Zincblende InGaN via First Principles Calculation". Crystals 10, n.º 12 (19 de diciembre de 2020): 1159. http://dx.doi.org/10.3390/cryst10121159.
Texto completoLin, Yu-Chung, Ikai Lo, Cheng-Da Tsai, Ying-Chieh Wang, Hui-Chun Huang, Chu-An Li, Mitch M. C. Chou y Ting-Chang Chang. "Optimization of Ternary InxGa1-xN Quantum Wells on GaN Microdisks for Full-Color GaN Micro-LEDs". Nanomaterials 13, n.º 13 (23 de junio de 2023): 1922. http://dx.doi.org/10.3390/nano13131922.
Texto completoHan, Li Jun, Bin Feng Ding y Guo Man Lin. "The Optical and Structural Properties of InxGa1-XN/GaN Multiple Quantum Wells by Metal Organic Chemical Vapor Deposition". Advanced Materials Research 535-537 (junio de 2012): 1270–74. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.535-537.1270.
Texto completoWu, Ren Tu Ya y Qi Zhao Feng. "Polaronic Effects in Wurtzite InxGa1-xN/GaN Parabolic Quantum Well". Advanced Materials Research 629 (diciembre de 2012): 145–51. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.629.145.
Texto completoKaysir, Md Rejvi y Rafiqul Islam. "Theoretical Charge Control Investigations in InN-Based Quantum Well Double Heterostructure High Electron Mobility Transistors (QW-DHEMTs)". Advanced Materials Research 403-408 (noviembre de 2011): 52–58. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.403-408.52.
Texto completoTsai, ChengDa, Ikai Lo, YingChieh Wang, ChenChi Yang, HongYi Yang, HueiJyun Shih, HuiChun Huang, Mitch M. C. Chou, Louie Huang y Binson Tseng. "Indium-Incorporation with InxGa1-xN Layers on GaN-Microdisks by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy". Crystals 9, n.º 6 (14 de junio de 2019): 308. http://dx.doi.org/10.3390/cryst9060308.
Texto completoHumayun, M. A., M. A. Rashid, F. Malek, A. Yusof, F. S. Abdullah y N. B. Ahmad. "A Comparative Study of Confined Carrier Concentration of Laser Using Quantum well and Quantum Dot in Active Layer". Advanced Materials Research 701 (mayo de 2013): 188–91. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.701.188.
Texto completoHu, Yan-Ling, Yuqin Zhu, Huayu Ji, Qingyuan Luo, Ao Fu, Xin Wang, Guiyan Xu et al. "Fabrication of InxGa1−xN Nanowires on Tantalum Substrates by Vapor-Liquid-Solid Chemical Vapor Deposition". Nanomaterials 8, n.º 12 (29 de noviembre de 2018): 990. http://dx.doi.org/10.3390/nano8120990.
Texto completoShih, Huei-Jyun, Ikai Lo, Ying-Chieh Wang, Cheng-Da Tsai, Yu-Chung Lin, Yi-Ying Lu y Hui-Chun Huang. "Growth and Characterization of GaN/InxGa1−xN/InyAl1−yN Quantum Wells by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy". Crystals 12, n.º 3 (17 de marzo de 2022): 417. http://dx.doi.org/10.3390/cryst12030417.
Texto completoJun, Yong-Ki y Sang-Jo Chung. "Optical properties of InxGa1-xN/GaN epilayers". Korean Journal of Materials Research 12, n.º 1 (1 de enero de 2002): 54–57. http://dx.doi.org/10.3740/mrsk.2002.12.1.054.
Texto completoBiswas, Dipankar, Tapas Das, Sanjib Kabi y Subindu Kumar. "Conspicuous Presence of Higher Order Transitions in the Photoluminescence of InxGa1-xN/GaN Quantum Wells". Advanced Materials Research 31 (noviembre de 2007): 62–64. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.31.62.
Texto completoB. Kashyout, Fathy, Gad, Badr y A. Bishara. "Synthesis of Nanostructure InxGa1-xN Bulk Alloys and Thin Films for LED Devices". Photonics 6, n.º 2 (24 de abril de 2019): 44. http://dx.doi.org/10.3390/photonics6020044.
Texto completoVartuli, C. B. "Implant isolation of InxAl1−xN and InxGa1−xN". Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures 13, n.º 6 (noviembre de 1995): 2293. http://dx.doi.org/10.1116/1.588065.
Texto completoZhao, Xiaofang, Tao Wang, Bowen Sheng, Xiantong Zheng, Li Chen, Haihui Liu, Chao He, Jun Xu, Rui Zhu y Xinqiang Wang. "Cathodoluminescence Spectroscopy in Graded InxGa1−xN". Nanomaterials 12, n.º 21 (23 de octubre de 2022): 3719. http://dx.doi.org/10.3390/nano12213719.
Texto completoCho, Hyun, S. M. Donovan, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, F. Ren, J. Han y R. J. Shul. "Photoelectrochemical Etching of InxGa1−xN". MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research 4, S1 (1999): 691–96. http://dx.doi.org/10.1557/s1092578300003264.
Texto completoBartel, T. P., P. Specht, J. C. Ho y C. Kisielowski. "Phase separation in InxGa1−xN". Philosophical Magazine 87, n.º 13 (mayo de 2007): 1983–98. http://dx.doi.org/10.1080/14786430601146905.
Texto completoAnani, M., H. Abid, Z. Chama, C. Mathieu, A. Sayede y B. Khelifa. "InxGa1−xN refractive index calculations". Microelectronics Journal 38, n.º 2 (febrero de 2007): 262–66. http://dx.doi.org/10.1016/j.mejo.2006.11.001.
Texto completoHwang, J. M., J. T. Hsieh, C. Y. Ko, H. L. Hwang y W. H. Hung. "Photoelectrochemical etching of InxGa1−xN". Applied Physics Letters 76, n.º 26 (26 de junio de 2000): 3917–19. http://dx.doi.org/10.1063/1.126820.
Texto completoSztein, Alexander, John Haberstroh, John E. Bowers, Steven P. DenBaars y Shuji Nakamura. "Calculated thermoelectric properties of InxGa1−xN, InxAl1−xN, and AlxGa1−xN". Journal of Applied Physics 113, n.º 18 (14 de mayo de 2013): 183707. http://dx.doi.org/10.1063/1.4804174.
Texto completoКукушкин, С. А. y А. В. Осипов. "Термодинамическая стабильность твердых растворов In-=SUB=-x-=/SUB=-Ga-=SUB=-1-x-=/SUB=-N". Письма в журнал технической физики 47, n.º 19 (2021): 51. http://dx.doi.org/10.21883/pjtf.2021.19.51516.18879.
Texto completoWANG, Xuewen, Wenwen LIU, Chunxue ZHAI, Jiangni YUN y Zhiyong ZHANG. "DFT Calculation on the Electronic Structure and Optical Properties of InxGa1-xN Alloy Semiconductors". Materials Science 26, n.º 2 (18 de diciembre de 2019): 127–32. http://dx.doi.org/10.5755/j01.ms.26.2.21569.
Texto completoAnnab, N., T. Baghdadli, S. Mamoun y A. E. Merad. "Numerical simulation of highly photovoltaic efficiency of InGaN based solar cells with ZnO as window layer". Journal of Ovonic Research 19, n.º 4 (agosto de 2023): 421–31. http://dx.doi.org/10.15251/jor.2023.194.421.
Texto completoPantha, B. N., R. Dahal, J. Li, J. Y. Lin, H. X. Jiang y G. Pomrenke. "Thermoelectric properties of InxGa1−xN alloys". Applied Physics Letters 92, n.º 4 (28 de enero de 2008): 042112. http://dx.doi.org/10.1063/1.2839309.
Texto completoKuo, Yen-Kuang, Han-Yi Chu, Sheng-Horng Yen, Bo-Ting Liou y Mei-Ling Chen. "Bowing parameter of zincblende InxGa1−xN". Optics Communications 280, n.º 1 (diciembre de 2007): 153–56. http://dx.doi.org/10.1016/j.optcom.2007.07.058.
Texto completoLi, S. X., K. M. Yu, J. Wu, R. E. Jones, W. Walukiewicz, J. W. Ager, W. Shan, E. E. Haller, Hai Lu y William J. Schaff. "Native defects in InxGa1−xN alloys". Physica B: Condensed Matter 376-377 (abril de 2006): 432–35. http://dx.doi.org/10.1016/j.physb.2005.12.111.
Texto completoGartner, M., C. Kruse, M. Modreanu, A. Tausendfreund, C. Roder y D. Hommel. "Optical characterization of InxGa1−xN alloys". Applied Surface Science 253, n.º 1 (octubre de 2006): 254–57. http://dx.doi.org/10.1016/j.apsusc.2006.05.077.
Texto completoJenkins, David W. y John D. Dow. "Electronic structures and doping of InN,InxGa1−xN, andInxAl1−xN". Physical Review B 39, n.º 5 (15 de febrero de 1989): 3317–29. http://dx.doi.org/10.1103/physrevb.39.3317.
Texto completoHuq, Md Fazlul, Zamshed Iqbal Chowdhury, Mehedhi Hasan y Zahid Hasan Mahmood. "The efficiency of the single junction and multijunction InxGa1-xN solar cell using AMPS-1D simulator". Journal of Bangladesh Academy of Sciences 37, n.º 1 (13 de julio de 2013): 65–72. http://dx.doi.org/10.3329/jbas.v37i1.15682.
Texto completoKim, Ki-Hong, In-Su Kim, Hun-Bo Park, In-Ho Bae, jae-In Yu y Yoon-Seok Jang. "Study of Optical Properties of InxGa1-xN/GaN Multi-Quantum-Well". Journal of the Korean Vacuum Society 18, n.º 1 (30 de enero de 2009): 37–43. http://dx.doi.org/10.5757/jkvs.2009.18.1.037.
Texto completoManz, Ch, M. Kunzer, H. Obloh, A. Ramakrishnan y U. Kaufmann. "InxGa1−xN/GaN band offsets as inferred from the deep, yellow-red emission band in InxGa1−xN". Applied Physics Letters 74, n.º 26 (28 de junio de 1999): 3993–95. http://dx.doi.org/10.1063/1.124247.
Texto completoHadjaj, F., M. Belhadj, K. Laoufi y A. Missoum. "Optimized design of strain-compensated InxGa1-xN/GaN and InxGa1-xN/InYGa1-YN multiple-quantum-well laser diodes". Journal of Ovonic Research 17, n.º 2 (marzo de 2021): 107–15. http://dx.doi.org/10.15251/jor.2021.172.107.
Texto completoDridi, Z., B. Bouhafs y P. Ruterana. "Pressure dependence of energy band gaps for AlxGa1 -xN, InxGa1 -xN and InxAl1 -xN". New Journal of Physics 4 (15 de noviembre de 2002): 94. http://dx.doi.org/10.1088/1367-2630/4/1/394.
Texto completoMasyukov, N. A. y A. V. Dmitriev. "Hot Electrons in InxGa1–xN and InxAl1–xN Binary Solid Solutions". Moscow University Physics Bulletin 73, n.º 3 (mayo de 2018): 325–28. http://dx.doi.org/10.3103/s0027134918030116.
Texto completoSantos, A. M., E. C. F. Silva, O. C. Noriega, H. W. L. Alves, J. L. A. Alves y J. R. Leite. "Vibrational Properties of Cubic AlxGa1?xN and InxGa1?xN Ternary Alloys". physica status solidi (b) 232, n.º 1 (julio de 2002): 182–87. http://dx.doi.org/10.1002/1521-3951(200207)232:1<182::aid-pssb182>3.0.co;2-q.
Texto completoWang, Shuo, Hongen Xie, Hanxiao Liu, Alec M. Fischer, Heather McFavilen y Fernando A. Ponce. "Dislocation baskets in thick InxGa1−xN epilayers". Journal of Applied Physics 124, n.º 10 (14 de septiembre de 2018): 105701. http://dx.doi.org/10.1063/1.5042079.
Texto completoShan, W., J. J. Song, Z. C. Feng, M. Schurman y R. A. Stall. "Pressure-dependent photoluminescence study of InxGa1−xN". Applied Physics Letters 71, n.º 17 (27 de octubre de 1997): 2433–35. http://dx.doi.org/10.1063/1.120083.
Texto completoKucheyev, S. O., J. S. Williams, J. Zou, S. J. Pearton y Y. Nakagawa. "Implantation-produced structural damage in InxGa1−xN". Applied Physics Letters 79, n.º 5 (30 de julio de 2001): 602–4. http://dx.doi.org/10.1063/1.1388881.
Texto completoProzheeva, V., I. Makkonen, R. Cuscó, L. Artús, A. Dadgar, F. Plazaola y F. Tuomisto. "Radiation-induced alloy rearrangement in InxGa1−xN". Applied Physics Letters 110, n.º 13 (27 de marzo de 2017): 132104. http://dx.doi.org/10.1063/1.4979410.
Texto completoKatsikini, M., E. C. Paloura, F. Boscherini, F. D’Acapito, C. B. Lioutas y D. Doppalapudi. "Microstructural characterization of InxGa1−xN MBE samples". Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms 200 (enero de 2003): 114–19. http://dx.doi.org/10.1016/s0168-583x(02)01706-8.
Texto completoElyukhin, V. A. "Order–disorder transition in wurtzite InxGa1−xN". Journal of Crystal Growth 356 (octubre de 2012): 53–57. http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2012.07.011.
Texto completoOh, Eunsoon, Myoung Hee Lee, Kwang Joo Kim, M. Y. Ryu, J. H. Song, S. W. Park, P. W. Yu, H. Park y Y. Park. "Cathodoluminescence study of InxGa1−xN quantum wells". Journal of Applied Physics 89, n.º 5 (marzo de 2001): 2839–42. http://dx.doi.org/10.1063/1.1345849.
Texto completoTeles, L. K., L. G. Ferreira, J. R. Leite, L. M. R. Scolfaro, A. Kharchenko, O. Husberg, D. J. As, D. Schikora y K. Lischka. "Strain-induced ordering in InxGa1−xN alloys". Applied Physics Letters 82, n.º 24 (16 de junio de 2003): 4274–76. http://dx.doi.org/10.1063/1.1583854.
Texto completoAlshehri, Bandar, Karim Dogheche, Sofiane Belahsene, Bilal Janjua, Abderrahim Ramdane, Gilles Patriarche, Tien-Khee Ng, Boon S-Ooi, Didier Decoster y Elhadj Dogheche. "Synthesis of In0.1Ga0.9N/GaN structures grown by MOCVD and MBE for high speed optoelectronics". MRS Advances 1, n.º 23 (2016): 1735–42. http://dx.doi.org/10.1557/adv.2016.417.
Texto completoSuzuki, Toshimasa, Ruichi Katayama, Shun Hibino, Yoshinori Kato, Fumitaka Ohashi, Takashi Itoh y Shuichi Nonomura. "Effect of thermal annealing in a-InxGa1–xN films prepared by reactive RF-sputtering". Canadian Journal of Physics 92, n.º 7/8 (julio de 2014): 943–46. http://dx.doi.org/10.1139/cjp-2013-0565.
Texto completoGorczyca, I., N. E. Christensen, A. Svane, K. Laaksonen y R. M. Nieminen. "Electronic Band Structure of InxGa1-xN under Pressure". Acta Physica Polonica A 112, n.º 2 (agosto de 2007): 203–8. http://dx.doi.org/10.12693/aphyspola.112.203.
Texto completoGauthier-Brun, A., J. H. Teng, E. Dogheche, W. Liu, A. Gokarna, M. Tonouchi, S. J. Chua y D. Decoster. "Properties of InxGa1−xN films in terahertz range". Applied Physics Letters 100, n.º 7 (13 de febrero de 2012): 071913. http://dx.doi.org/10.1063/1.3684836.
Texto completoMcCluskey, M. D., C. G. Van de Walle, C. P. Master, L. T. Romano y N. M. Johnson. "Large band gap bowing of InxGa1−xN alloys". Applied Physics Letters 72, n.º 21 (25 de mayo de 1998): 2725–26. http://dx.doi.org/10.1063/1.121072.
Texto completoDurbha, A. "Microstructural stability of ohmic contacts to InxGa1−xN". Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures 14, n.º 4 (julio de 1996): 2582. http://dx.doi.org/10.1116/1.588771.
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