Artículos de revistas sobre el tema "InGaN/Si"
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Gridchin V. O., Reznik R. R., Kotlyar K. P., Dragunova A. S., Kryzhanovskaya N. V., Serov A. Yu., Kukushkin S. A. y Cirlin G. E. "MBE growth of InGaN nanowires on SiC/Si(111) and Si(111) substrates: comparative analysis". Technical Physics Letters 48, n.º 14 (2022): 24. http://dx.doi.org/10.21883/tpl.2022.14.52105.18894.
Texto completoBuryi, M., T. Hubáček, F. Hájek, V. Jarý, V. Babin, K. Kuldová y T. Vaněk. "Luminescence and scintillation properties of the Si doped InGaN/GaN multiple quantum wells". Journal of Physics: Conference Series 2413, n.º 1 (1 de diciembre de 2022): 012001. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/2413/1/012001.
Texto completoNoh, Siyun, Jaehyeok Shin, Yeon-Tae Yu, Mee-Yi Ryu y Jin Soo Kim. "Manipulation of Photoelectrochemical Water Splitting by Controlling Direction of Carrier Movement Using InGaN/GaN Hetero-Structure Nanowires". Nanomaterials 13, n.º 2 (16 de enero de 2023): 358. http://dx.doi.org/10.3390/nano13020358.
Texto completoTuan, Thi Tran Anh, Dong-Hau Kuo, Phuong Thao Cao, Van Sau Nguyen, Quoc-Phong Pham, Vinh Khanh Nghi y Nguyen Phuong Lan Tran. "Electrical Characterization of RF Reactive Sputtered p–Mg-InxGa1−xN/n–Si Hetero-Junction Diodes without Using Buffer Layer". Coatings 9, n.º 11 (25 de octubre de 2019): 699. http://dx.doi.org/10.3390/coatings9110699.
Texto completoHan, Ji Sheng, Sima Dimitrjiev, Li Wang, Alan Iacopi, Qu Shuang y Xian Gang Xu. "InGaN/GaN Multiple Quantum Well Blue LEDs on 3C-SiC/Si Substrate". Materials Science Forum 679-680 (marzo de 2011): 801–3. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.679-680.801.
Texto completoWang, Xingyu, Peng Wang, Hongjie Yin, Guofu Zhou y Richard Nötzel. "An InGaN/SiNx/Si Uniband Diode". Journal of Electronic Materials 49, n.º 6 (13 de marzo de 2020): 3577–82. http://dx.doi.org/10.1007/s11664-020-08038-5.
Texto completoAger, Joel W., Lothar A. Reichertz, Yi Cui, Yaroslav E. Romanyuk, Daniel Kreier, Stephen R. Leone, Kin Man Yu, William J. Schaff y Wladyslaw Walukiewicz. "Electrical properties of InGaN-Si heterojunctions". physica status solidi (c) 6, S2 (26 de enero de 2009): S413—S416. http://dx.doi.org/10.1002/pssc.200880967.
Texto completoALBERT, S., A. BENGOECHEA-ENCABO, M. A. SANCHEZ-GARCÍA, F. BARBAGINI, E. CALLEJA, E. LUNA, A. TRAMPERT et al. "ORDERED GAN/INGAN NANORODS ARRAYS GROWN BY MOLECULAR BEAM EPITAXY FOR PHOSPHOR-FREE WHITE LIGHT EMISSION". International Journal of High Speed Electronics and Systems 21, n.º 01 (marzo de 2012): 1250010. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156412500103.
Texto completoYamamoto, Akio, Kazuki Kodama, Md Tanvir Hasan, Naoteru Shigekawa y Masaaki Kuzuhara. "MOVPE growth of thick (∼1 µm) InGaN on AlN/Si substrates for InGaN/Si tandem solar cells". Japanese Journal of Applied Physics 54, n.º 8S1 (21 de julio de 2015): 08KA12. http://dx.doi.org/10.7567/jjap.54.08ka12.
Texto completoCho, ll-Wook, Bom Lee, Kwanjae Lee, Jin Soo Kim y Mee-Yi Ryu. "Luminescence Properties of InGaN/GaN Green Light-Emitting Diodes with Si-Doped Graded Short-Period Superlattice". Journal of Nanoscience and Nanotechnology 21, n.º 11 (1 de noviembre de 2021): 5648–52. http://dx.doi.org/10.1166/jnn.2021.19460.
Texto completoMi, Zetian. "(Invited) Artificial Photosynthesis on III-Nitride Nanowire Arrays". ECS Meeting Abstracts MA2018-01, n.º 31 (13 de abril de 2018): 1850. http://dx.doi.org/10.1149/ma2018-01/31/1850.
Texto completoRAZEGHI, MANIJEH. "GaN-BASED LASER DIODES". International Journal of High Speed Electronics and Systems 09, n.º 04 (diciembre de 1998): 1007–80. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156498000415.
Texto completoРезник, Р. Р., К. П. Котляр, Н. В. Крыжановская, С. В. Морозов y Г. Э. Цырлин. "Синтез методом молекулярно-пучковой эпитаксии и свойства наноструктур InGaN разветвленной морфологии на кремниевой подложке". Письма в журнал технической физики 45, n.º 21 (2019): 48. http://dx.doi.org/10.21883/pjtf.2019.21.48475.17975.
Texto completoKukushkin S. A., Osipov A. V., Redkov A. V., Stozharov V. M., Ubiyvovk E. V. y Sharofidinov Sh. Sh. "Peculiarities of nucleation and growth of InGaN nanowires on SiC/Si substrates by HVPE". Technical Physics Letters 48, n.º 2 (2022): 66. http://dx.doi.org/10.21883/tpl.2022.02.53584.19056.
Texto completoCho, Yong-Hoon, T. J. Schmidt, S. Bidnyk, J. J. Song, S. Keller, U. K. Mishra y S. P. DenBaars. "Influence of Si-Doping on Carrier Localization of Mocvd-grown InGaN/GaN Multiple Quantum Wells". MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research 4, S1 (1999): 715–20. http://dx.doi.org/10.1557/s1092578300003306.
Texto completoRabinovich, O. I. y V. P. Sushkov. "Quantum efficiency simulation of InGaN/Si LED". Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering, n.º 3 (15 de marzo de 2015): 50. http://dx.doi.org/10.17073/1609-3577-2012-3-50-53.
Texto completoHsu, L. y W. Walukiewicz. "Modeling of InGaN/Si tandem solar cells". Journal of Applied Physics 104, n.º 2 (15 de julio de 2008): 024507. http://dx.doi.org/10.1063/1.2952031.
Texto completoHsu, Y. P., S. J. Chang, Y. K. Su, S. C. Chen, J. M. Tsai, W. C. Lai, C. H. Kuo y C. S. Chang. "InGaN-GaN MQW LEDs with Si treatment". IEEE Photonics Technology Letters 17, n.º 8 (agosto de 2005): 1620–22. http://dx.doi.org/10.1109/lpt.2005.851989.
Texto completoMatsuura, Haruka, Takeyoshi Onuma, Masatomo Sumiya, Tomohiro Yamaguchi, Bing Ren, Meiyong Liao, Tohru Honda y Liwen Sang. "MOCVD Growth and Investigation of InGaN/GaN Heterostructure Grown on AlGaN/GaN-on-Si Template". Applied Sciences 9, n.º 9 (27 de abril de 2019): 1746. http://dx.doi.org/10.3390/app9091746.
Texto completoDvoretckaia, Liliia, Vladislav Gridchin, Alexey Mozharov, Alina Maksimova, Anna Dragunova, Ivan Melnichenko, Dmitry Mitin, Alexandr Vinogradov, Ivan Mukhin y Georgy Cirlin. "Light-Emitting Diodes Based on InGaN/GaN Nanowires on Microsphere-Lithography-Patterned Si Substrates". Nanomaterials 12, n.º 12 (10 de junio de 2022): 1993. http://dx.doi.org/10.3390/nano12121993.
Texto completoLendyashova, V. V., K. P. Kotlyar, V. O. Gridchin, R. R. Reznik, A. I. Lihachev, K. Yu Shubina, T. N. Berezovskaya, E. V. Nikitina, I. P. Soshnikov y G. E. Cirlin. "Separation of III-N partially-coalesced nanowire arrays from Si substrate". Journal of Physics: Conference Series 2086, n.º 1 (1 de diciembre de 2021): 012191. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/2086/1/012191.
Texto completoKim, Sung-Un y Yong-Ho Ra. "Modeling and Epitaxial Growth of Homogeneous Long-InGaN Nanowire Structures". Nanomaterials 11, n.º 1 (23 de diciembre de 2020): 9. http://dx.doi.org/10.3390/nano11010009.
Texto completoTong, Y. Z., F. Li, G. Y. Zhang, Z. J. Yang, S. X. Jin, X. M. Ding y Z. Z. Gan. "Silicon and Zinc Co-Doped InGaN Films with High Luminuous Efficiency Grown by LP-MOVCD at High Growth Temperature". Modern Physics Letters B 12, n.º 28 (10 de diciembre de 1998): 1185–90. http://dx.doi.org/10.1142/s0217984998001396.
Texto completoРезник, Р. Р., В. О. Гридчин, К. П. Котляр, Н. В. Крыжановская, С. В. Морозов y Г. Э. Цырлин. "Синтез InGaN-наноструктур развитой морфологии на кремнии: влияние температуры подложки на морфологические и оптические свойства". Физика и техника полупроводников 54, n.º 9 (2020): 884. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2020.09.49826.18.
Texto completoEbaid, Mohamed, Jung-Wook Min, Chao Zhao, Tien Khee Ng, Hicham Idriss y Boon S. Ooi. "Water splitting to hydrogen over epitaxially grown InGaN nanowires on a metallic titanium/silicon template: reduced interfacial transfer resistance and improved stability to hydrogen". Journal of Materials Chemistry A 6, n.º 16 (2018): 6922–30. http://dx.doi.org/10.1039/c7ta11338b.
Texto completoNakamura, Shuji, Takashi Mukai y Masayuki Senoh. "Si-Doped InGaN Films Grown on GaN Films". Japanese Journal of Applied Physics 32, Part 2, No.1A/B (15 de enero de 1993): L16—L19. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.32.l16.
Texto completoWang, Peng, Hedong Chen, Hao Wang, Xingyu Wang, Hongjie Yin, Lujia Rao, Guofu Zhou y Richard Nötzel. "Multi-wavelength light emission from InGaN nanowires on pyramid-textured Si(100) substrate grown by stationary plasma-assisted molecular beam epitaxy". Nanoscale 12, n.º 16 (2020): 8836–46. http://dx.doi.org/10.1039/d0nr00071j.
Texto completoLee, Moonsang, Hyunkyu Lee, Keun Song y Jaekyun Kim. "Investigation of Forward Tunneling Characteristics of InGaN/GaN Blue Light-Emitting Diodes on Freestanding GaN Detached from a Si Substrate". Nanomaterials 8, n.º 7 (18 de julio de 2018): 543. http://dx.doi.org/10.3390/nano8070543.
Texto completoChristian, George, Menno Kappers, Fabien Massabuau, Colin Humphreys, Rachel Oliver y Philip Dawson. "Effects of a Si-doped InGaN Underlayer on the Optical Properties of InGaN/GaN Quantum Well Structures with Different Numbers of Quantum Wells". Materials 11, n.º 9 (15 de septiembre de 2018): 1736. http://dx.doi.org/10.3390/ma11091736.
Texto completoZheng, Changda, Li Wang, Chunlan Mo, Wenqing Fang y Fengyi Jiang. "Effect of Same-Temperature GaN Cap Layer on the InGaN/GaN Multiquantum Well of Green Light-Emitting Diode on Silicon Substrate". Scientific World Journal 2013 (2013): 1–4. http://dx.doi.org/10.1155/2013/538297.
Texto completoHirayama, H. y Y. Aoyagi. "Optical Properties of Si-DOPED AlxGa1−xN/AlyGa1−yN (x=0.24−0.53, y=0.11) Multi-Quantum-Well Structures". MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research 4, S1 (1999): 405–10. http://dx.doi.org/10.1557/s1092578300002805.
Texto completoNötzel, Richard. "InN/InGaN quantum dot electrochemical devices: new solutions for energy and health". National Science Review 4, n.º 2 (7 de enero de 2017): 184–95. http://dx.doi.org/10.1093/nsr/nww101.
Texto completoUchida, Kenji, Tao Tang, Shigeo Goto, Tomoyoshi Mishima, Atsuko Niwa y Jun Gotoh. "Spiral growth of InGaN/InGaN quantum wells due to Si doping in the barrier layers". Applied Physics Letters 74, n.º 8 (22 de febrero de 1999): 1153–55. http://dx.doi.org/10.1063/1.123471.
Texto completoNi, X., J. Lee, M. Wu, X. Li, R. Shimada, Ü. Özgür, A. A. Baski et al. "Internal quantum efficiency of c-plane InGaN and m-plane InGaN on Si and GaN". Applied Physics Letters 95, n.º 10 (7 de septiembre de 2009): 101106. http://dx.doi.org/10.1063/1.3224192.
Texto completoJung, Soon Il, Ilgu Yun, Chang Myung Lee y Joo In Lee. "Photoluminescence study of InGaN/GaN multiple-quantum-well with Si-doped InGaN electron-emitting Layer". Current Applied Physics 9, n.º 5 (septiembre de 2009): 943–45. http://dx.doi.org/10.1016/j.cap.2008.08.055.
Texto completoWu, L. W., S. J. Chang, Y. K. Su, T. Y. Tsai, T. C. Wen, C. H. Kuo, W. C. Lai et al. "InGaN/GaN LEDs with a Si-doped InGaN/GaN short-period superlattice tunneling contact layer". Journal of Electronic Materials 32, n.º 5 (mayo de 2003): 411–14. http://dx.doi.org/10.1007/s11664-003-0168-1.
Texto completoJohar, Muhammad Ali, Hyun-Gyu Song, Aadil Waseem, Jin-Ho Kang, Jun-Seok Ha, Yong-Hoon Cho y Sang-Wan Ryu. "Ultrafast carrier dynamics of conformally grown semi-polar (112̄2) GaN/InGaN multiple quantum well co-axial nanowires on m-axial GaN core nanowires". Nanoscale 11, n.º 22 (2019): 10932–43. http://dx.doi.org/10.1039/c9nr02823d.
Texto completoJohar, Muhammad Ali, Taeyun Kim, Hyun-Gyu Song, Aadil Waseem, Jin-Ho Kang, Mostafa Afifi Hassan, Indrajit V. Bagal, Yong-Hoon Cho y Sang-Wan Ryu. "Three-dimensional hierarchical semi-polar GaN/InGaN MQW coaxial nanowires on a patterned Si nanowire template". Nanoscale Advances 2, n.º 4 (2020): 1654–65. http://dx.doi.org/10.1039/d0na00115e.
Texto completoBouzid, F. y L. Hamlaoui. "Investigation of InGaN/Si double junction tandem solar cells". Journal of Fundamental and Applied Sciences 4, n.º 2 (3 de septiembre de 2015): 108. http://dx.doi.org/10.4314/jfas.v4i2.1.
Texto completoSoto Rodriguez, P. E. D., Praveen Kumar, V. J. Gómez, N. H. Alvi, J. M. Mánuel, F. M. Morales, J. J. Jiménez, R. García, E. Calleja y R. Nötzel. "Spontaneous formation of InGaN nanowall network directly on Si". Applied Physics Letters 102, n.º 17 (29 de abril de 2013): 173105. http://dx.doi.org/10.1063/1.4803017.
Texto completoLi, Da-Bing, Yu-Huai Liu, Takuya Katsuno, Keisuke Nakao, Kazuya Nakamura, Masakazu Aoki, Hideto Miyake y Kazumasa Hiramatsu. "Enhanced emission efficiency of InGaN films with Si doping". physica status solidi (c) 3, n.º 6 (junio de 2006): 1944–48. http://dx.doi.org/10.1002/pssc.200565286.
Texto completoHonda, Y., Y. Yanase, M. Yamaguchi y N. Sawaki. "Cathodoluminescence properties of InGaN codoped with Zn and Si". physica status solidi (c) 3, n.º 6 (junio de 2006): 1915–18. http://dx.doi.org/10.1002/pssc.200565326.
Texto completoDadgar, A., A. Alam, T. Riemann, J. Bl�sing, A. Diez, M. Poschenrieder, M. Strassburg, M. Heuken, J. Christen y A. Krost. "Crack-Free InGaN/GaN Light Emitters on Si(111)". physica status solidi (a) 188, n.º 1 (noviembre de 2001): 155–58. http://dx.doi.org/10.1002/1521-396x(200111)188:1<155::aid-pssa155>3.0.co;2-p.
Texto completoPoschenrieder, M., K. Fehse, F. Schulz, J. Bläsing, H. Witte, A. Krtschil, A. Dadgar, A. Diez, J. Christen y A. Krost. "MOCVD-Grown InGaN/GaN MQW LEDs on Si(111)". physica status solidi (c), n.º 1 (2003): 267–71. http://dx.doi.org/10.1002/pssc.200390040.
Texto completoCho, Sung Nae y Kyu Sang Kim. "Characteristics of InGaN light emitting diode depending on Si-doping on InGaN layers below quantum wells". Current Applied Physics 13, n.º 7 (septiembre de 2013): 1321–24. http://dx.doi.org/10.1016/j.cap.2013.04.008.
Texto completoWang, Cheng-Jie, Ying Ke, Guo-Yi Shiu, Yi-Yun Chen, Yung-Sen Lin, Hsiang Chen y Chia-Feng Lin. "InGaN Resonant-Cavity Light-Emitting Diodes with Porous and Dielectric Reflectors". Applied Sciences 11, n.º 1 (22 de diciembre de 2020): 8. http://dx.doi.org/10.3390/app11010008.
Texto completoJiménez, J. J., J. M. Mánuel, P. Aseev, P. E. D. Soto Rodríguez, R. Nötzel, Ž. Gačević, E. Calleja, R. García y F. M. Morales. "(S)TEM methods contributions to improve the fabrication of InGaN thin films on Si, and InN nanostructures on flat Si and rough InGaN". Journal of Alloys and Compounds 783 (abril de 2019): 697–708. http://dx.doi.org/10.1016/j.jallcom.2018.12.319.
Texto completoLiu Zhan-Hui, Zhang Li-Li, Li Qing-Fang, Zhang Rong, Xiu Xiang-Qian, Xie Zi-Li y Shan Yun. "InGaN/GaN blue light emitting diodes grown on Si(110) and Si(111) substrates". Acta Physica Sinica 63, n.º 20 (2014): 207304. http://dx.doi.org/10.7498/aps.63.207304.
Texto completoСередин, П. В., А. С. Леньшин, Д. С. Золотухин, Д. Л. Голощапов, А. М. Мизеров, И. Н. Арсентьев y А. Н. Бельтюков. "Исследование влияния переходного слоя нанопористого кремния на атомное и электронное строение, а также оптические свойства гетероструктур A-=SUP=-III-=/SUP=-N/por-Si, выращенных методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии". Физика и техника полупроводников 53, n.º 7 (2019): 1010. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2019.07.47882.9084.
Texto completoXie, Lingyun, Peng Wang, Hongjie Yin, Guofu Zhou y Richard Nötzel. "All InN/InGaN solid-state potentiometric chloride sensor with super Nernstian sensitivity". Applied Physics Express 13, n.º 2 (21 de enero de 2020): 027003. http://dx.doi.org/10.35848/1882-0786/ab67d3.
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