Artículos de revistas sobre el tema "InGaAs photodiodes"
Crea una cita precisa en los estilos APA, MLA, Chicago, Harvard y otros
Consulte los 50 mejores artículos de revistas para su investigación sobre el tema "InGaAs photodiodes".
Junto a cada fuente en la lista de referencias hay un botón "Agregar a la bibliografía". Pulsa este botón, y generaremos automáticamente la referencia bibliográfica para la obra elegida en el estilo de cita que necesites: APA, MLA, Harvard, Vancouver, Chicago, etc.
También puede descargar el texto completo de la publicación académica en formato pdf y leer en línea su resumen siempre que esté disponible en los metadatos.
Explore artículos de revistas sobre una amplia variedad de disciplinas y organice su bibliografía correctamente.
Maleev N.A., Kuzmenkov A.G., Kulagina M.M., Vasyl’ev A. P., Blokhin S. A., Troshkov S.I., Nashchekin A.V. et al. "Mushroom mesa structure for InAlAs-InGaAs avalanche photodiodes". Technical Physics Letters 48, n.º 14 (2022): 28. http://dx.doi.org/10.21883/tpl.2022.14.52106.18939.
Texto completoBAPTISTA, B. J. y S. L. MUFSON. "RADIATION HARDNESS STUDIES OF InGaAs AND Si PHOTODIODES AT 30, 52, & 98 MeV AND FLUENCES TO 5 × 1011 PROTONS/CM2". Journal of Astronomical Instrumentation 02, n.º 01 (septiembre de 2013): 1250008. http://dx.doi.org/10.1142/s2251171712500080.
Texto completoZhuravlev, K. S., A. L. Chizh, K. B. Mikitchuk, A. M. Gilinsky, I. B. Chistokhin, N. A. Valisheva, D. V. Dmitriev, A. I. Toropov y M. S. Aksenov. "High-power InAlAs/InGaAs Schottky barrier photodiodes for analog microwave signal transmission". Journal of Semiconductors 43, n.º 1 (1 de enero de 2022): 012302. http://dx.doi.org/10.1088/1674-4926/43/1/012302.
Texto completoSun, H., X. Huang, C. P. Chao, S. W. Chen, B. Deng, D. Gong, S. Hou et al. "QTIA, a 2.5 or 10 Gbps 4-channel array optical receiver ASIC in a 65 nm CMOS technology". Journal of Instrumentation 17, n.º 05 (1 de mayo de 2022): C05017. http://dx.doi.org/10.1088/1748-0221/17/05/c05017.
Texto completoCampbell, J. C., B. C. Johnson, G. J. Qua y W. T. Tsang. "Frequency response of InP/InGaAsP/InGaAs avalanche photodiodes". Journal of Lightwave Technology 7, n.º 5 (mayo de 1989): 778–84. http://dx.doi.org/10.1109/50.19113.
Texto completoMartinelli, Ramon U., Thomas J. Zamerowski y Paul A. Longeway. "2.6 μm InGaAs photodiodes". Applied Physics Letters 53, n.º 11 (12 de septiembre de 1988): 989–91. http://dx.doi.org/10.1063/1.100050.
Texto completoYoon, H. W., J. J. Butler, T. C. Larason y G. P. Eppeldauer. "Linearity of InGaAs photodiodes". Metrologia 40, n.º 1 (febrero de 2003): S154—S158. http://dx.doi.org/10.1088/0026-1394/40/1/335.
Texto completoZhukov A. E., Kryzhanovskaya N. V., Makhov I. S., Moiseev E. I., Nadtochiy A. M., Fominykh N. A., Mintairov S. A., Kalyuzhyy N. A., Zubov F. I. y Maximov M. V. "Model for speed performance of quantum-dot waveguide photodiode". Semiconductors 57, n.º 3 (2023): 211. http://dx.doi.org/10.21883/sc.2023.03.56238.4783.
Texto completoWon-Tien Tsang, J. C. Campbell y G. J. Qua. "InP/InGaAsP/InGaAs avalanche photodiodes grown by chemical beam epitaxy". IEEE Electron Device Letters 8, n.º 7 (julio de 1987): 294–96. http://dx.doi.org/10.1109/edl.1987.26636.
Texto completoCampbell, J. C., S. Chandrasekhar, W. T. Tsang, G. J. Qua y B. C. Johnson. "Multiplication noise of wide-bandwidth InP/InGaAsP/InGaAs avalanche photodiodes". Journal of Lightwave Technology 7, n.º 3 (marzo de 1989): 473–78. http://dx.doi.org/10.1109/50.16883.
Texto completoKhomiakova, K. I., A. P. Kokhanenko y A. V. Losev. "Investigation of the parameters of a single photon detector for quantum communication". Journal of Physics: Conference Series 2140, n.º 1 (1 de diciembre de 2021): 012030. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/2140/1/012030.
Texto completoЖуков, А. Е., Н. В. Крыжановская, И. С. Махов, Е. И. Моисеев, А. М. Надточий, Н. А. Фоминых, С. А. Минтаиров, Н. А. Калюжный, Ф. И. Зубов y М. В. Максимов. "Модель быстродействия волноводного фотодиода с квантовыми точками". Физика и техника полупроводников 57, n.º 3 (2023): 215. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2023.03.55632.4783.
Texto completoFedorenko, A. V. "Spectral photosensitivity of diffused Ge-p–i–n photodiods". Технология и конструирование в электронной аппаратуре, n.º 3-4 (2020): 17–23. http://dx.doi.org/10.15222/tkea2020.3-4.17.
Texto completoCampbell, J. C., W. T. Tsang, G. J. Qua y J. E. Bowers. "InP/InGaAsP/InGaAs avalanche photodiodes with 70 GHz gain‐bandwidth product". Applied Physics Letters 51, n.º 18 (2 de noviembre de 1987): 1454–56. http://dx.doi.org/10.1063/1.98655.
Texto completoЧиж, А. Л., К. Б. Микитчук, К. С. Журавлев, Д. В. Дмитриев, А. И. Торопов, Н. А. Валишева, М. С. Аксенов, A. M. Гилинский y И. Б. Чистохин. "Мощные высокоскоростные фотодиоды Шоттки для аналоговых волоконно-оптических линий передачи СВЧ-сигналов". Письма в журнал технической физики 45, n.º 14 (2019): 52. http://dx.doi.org/10.21883/pjtf.2019.14.48026.17764.
Texto completoZhang, Hewei, Yang Tian, Qian Li, Wenqiang Ding, Xuzhen Yu, Zebiao Lin, Xuyang Feng y Yanli Zhao. "Photon-Trapping Microstructure for InGaAs/Si Avalanche Photodiodes Operating at 1.31 μm". Sensors 22, n.º 20 (12 de octubre de 2022): 7724. http://dx.doi.org/10.3390/s22207724.
Texto completoAndryushkin, V. V., A. G. Gladyshev, A. V. Babichev, E. S. Kolodeznyi, I. I. Novikov, L. Ya Karachinsky, N. A. Maleev et al. "Zn diffusion technology for InP-InGaAs avalanche photodiodes". Journal of Physics: Conference Series 2103, n.º 1 (1 de noviembre de 2021): 012184. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/2103/1/012184.
Texto completoLiu, Hezhuang, Jingyi Wang, Daqian Guo, Kai Shen, Baile Chen y Jiang Wu. "Design and Fabrication of High Performance InGaAs near Infrared Photodetector". Nanomaterials 13, n.º 21 (1 de noviembre de 2023): 2895. http://dx.doi.org/10.3390/nano13212895.
Texto completoCAMPBELL, J. C., H. NIE, C. LENOX, G. KINSEY, P. YUAN, A. L. HOLMES y B. G. STREETMAN. "HIGH SPEED RESONANT-CAVITY InGaAs/InAlAs AVALANCHE PHOTODIODES". International Journal of High Speed Electronics and Systems 10, n.º 01 (marzo de 2000): 327–37. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156400000350.
Texto completoZhou, Qiugui, Allen S. Cross, Andreas Beling, Yang Fu, Zhiwen Lu y Joe C. Campbell. "High-Power V-Band InGaAs/InP Photodiodes". IEEE Photonics Technology Letters 25, n.º 10 (mayo de 2013): 907–9. http://dx.doi.org/10.1109/lpt.2013.2253766.
Texto completoOlantera, Lauri, Freya Bottom, Andrea Kraxner, Stephane Detraz, Mohsine Menouni, Paulo Moreira, Carmelo Scarcella et al. "Radiation Effects on High-Speed InGaAs Photodiodes". IEEE Transactions on Nuclear Science 66, n.º 7 (julio de 2019): 1663–70. http://dx.doi.org/10.1109/tns.2019.2902624.
Texto completoBeling, Andreas, Huapu Pan y Joe C. Campbell. "High-Power High-Linearity InGaAs/InP Photodiodes". ECS Transactions 16, n.º 41 (18 de diciembre de 2019): 39–48. http://dx.doi.org/10.1149/1.3104708.
Texto completoEkholm, D. T., J. M. Geary, J. N. Hollenhorst, V. D. Mattera y R. Pawelek. "High bandwidth planar InP/InGaAs avalanche photodiodes". IEEE Transactions on Electron Devices 35, n.º 12 (1988): 2434. http://dx.doi.org/10.1109/16.8843.
Texto completoChiba, Kohei, Akinobu Yoshida, Katsuhiro Tomioka y Junichi Motohisa. "Vertical InGaAs Nanowire Array Photodiodes on Si". ACS Photonics 6, n.º 2 (febrero de 2019): 260–64. http://dx.doi.org/10.1021/acsphotonics.8b01089.
Texto completoBudtolaev, A. K., P. E. Khakuashev, I. V. Chinareva, P. V. Gorlachuk, M. A. Ladugin, A. A. Marmaluk, Yu L. Ryaboshtan y I. V. Yarotskaya. "Epitaxial structures for InGaAs/InP avalanche photodiodes". Journal of Communications Technology and Electronics 62, n.º 3 (marzo de 2017): 304–8. http://dx.doi.org/10.1134/s1064226917030056.
Texto completoPoulain, P., M. Razeghi, K. Kazmierski, R. Blondeau y P. Philippe. "InGaAs photodiodes prepared by low-pressure MOCVD". Electronics Letters 21, n.º 10 (9 de mayo de 1985): 441–42. http://dx.doi.org/10.1049/el:19850314.
Texto completoJin, Chuan, Fangfang Wang, Qingqing Xu, Chengzhang Yu, Jianxin Chen y Li He. "Beryllium compensation doped InGaAs/GaAsSb superlattice photodiodes". Journal of Crystal Growth 477 (noviembre de 2017): 100–103. http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2017.01.050.
Texto completoSaul, R. H., F. S. Chen y P. W. Shumate. "Reliability of InGaAs Photodiodes for SL Applications". AT&T Technical Journal 64, n.º 3 (marzo de 1985): 861–82. http://dx.doi.org/10.1002/j.1538-7305.1985.tb00450.x.
Texto completoCampbell, J. C., W. T. Tsang, G. J. Qua y B. C. Johnson. "VB-7 InP/InGaAsP/InGaAs avalanche photodiodes grown by chemical-beam epitaxy". IEEE Transactions on Electron Devices 34, n.º 11 (noviembre de 1987): 2380. http://dx.doi.org/10.1109/t-ed.1987.23305.
Texto completoCampbell, J. C., W. T. Tsang, G. J. Qua y B. C. Johnson. "High-speed InP/InGaAsP/InGaAs avalanche photodiodes grown by chemical beam epitaxy". IEEE Journal of Quantum Electronics 24, n.º 3 (marzo de 1988): 496–500. http://dx.doi.org/10.1109/3.151.
Texto completoABEDIN, M. NURUL, TAMER F. REFAAT y UPENDRA N. SINGH. "NOISE MEASUREMENT OF III-V COMPOUND DETECTORS FOR 2 μm LIDAR/DIAL REMOTE SENSING APPLICATIONS". International Journal of High Speed Electronics and Systems 12, n.º 02 (junio de 2002): 531–40. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156402001447.
Texto completoCao, Ye, Tarick Blain, Jonathan D. Taylor-Mew, Longyan Li, Jo Shien Ng y Chee Hing Tan. "Extremely low excess noise avalanche photodiode with GaAsSb absorption region and AlGaAsSb avalanche region". Applied Physics Letters 122, n.º 5 (30 de enero de 2023): 051103. http://dx.doi.org/10.1063/5.0139495.
Texto completoDas, Utpal, Yousef Zebda, Pallab Bhattacharya y Albert Chin. "Performance characteristics of InGaAs/GaAs and GaAs/InGaAlAs coherently strained superlattice photodiodes". Applied Physics Letters 51, n.º 15 (12 de octubre de 1987): 1164–66. http://dx.doi.org/10.1063/1.98720.
Texto completoŻak, Dariusz, Jarosław Jureńczyk y Janusz Kaniewski. "Zener Phenomena in InGaAs/InAlAs/InP Avalanche Photodiodes". Detection 02, n.º 02 (2014): 10–15. http://dx.doi.org/10.4236/detection.2014.22003.
Texto completoOhyama, H., K. Takakura, K. Hayama, Toshio Hirao, Shinobu Onoda, Eddy Simoen y Cor Claeys. "High Temperature Electron Irradiation Effects in InGaAs Photodiodes". Solid State Phenomena 95-96 (septiembre de 2003): 381–86. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.95-96.381.
Texto completoZappa, F., P. Webb, A. Lacaita y S. Cova. "Nanosecond single-photon timing with InGaAs/InP photodiodes". Optics Letters 19, n.º 11 (1 de junio de 1994): 846. http://dx.doi.org/10.1364/ol.19.000846.
Texto completoTulchinsky, D. A., K. J. Williams, A. Pauchard, M. Bitter, Z. Pan, L. Hodge, S. G. Hummel y Y. H. Lo. "High-power InGaAs-on-Si pin RF photodiodes". Electronics Letters 39, n.º 14 (2003): 1084. http://dx.doi.org/10.1049/el:20030693.
Texto completoKimukin, I., N. Biyikli, B. Butun, O. Aytur, S. M. Unlu y E. Ozbay. "InGaAs-based high-performance p-i-n photodiodes". IEEE Photonics Technology Letters 14, n.º 3 (marzo de 2002): 366–68. http://dx.doi.org/10.1109/68.986815.
Texto completoSkrimshire, C. P., J. R. Farr, D. F. Sloan, M. J. Robertson, P. A. Putland, J. C. D. Stokoe y R. R. Sutherland. "Reliability of mesa and planar InGaAs PIN photodiodes". IEE Proceedings J Optoelectronics 137, n.º 1 (1990): 74. http://dx.doi.org/10.1049/ip-j.1990.0015.
Texto completoDuan, Ning, Xin Wang, Ning Li, Han-Din Liu y Joe C. Campbell. "Thermal Analysis of High-Power InGaAs–InP Photodiodes". IEEE Journal of Quantum Electronics 42, n.º 12 (diciembre de 2006): 1255–58. http://dx.doi.org/10.1109/jqe.2006.883498.
Texto completoYuan, Z. L., A. R. Dixon, J. F. Dynes, A. W. Sharpe y A. J. Shields. "Gigahertz quantum key distribution with InGaAs avalanche photodiodes". Applied Physics Letters 92, n.º 20 (19 de mayo de 2008): 201104. http://dx.doi.org/10.1063/1.2931070.
Texto completoOhyama, H., J. Vanhellemont, Y. Takami, K. Hayama, T. Kudou, S. Kohiki, H. Sunaga y T. Hakata. "Degradation of InGaAs pin photodiodes by neutron irradiation". Semiconductor Science and Technology 11, n.º 10 (1 de octubre de 1996): 1461–63. http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/11/10/001.
Texto completoWada, Morio, Shoujiro Araki, Takahiro Kudou, Toshimasa Umezawa, Shinichi Nakajima y Toshitsugu Ueda. "Development of InGaAs photodiodes for near-infrared spectroscopy". IEEJ Transactions on Sensors and Micromachines 122, n.º 1 (2002): 29–34. http://dx.doi.org/10.1541/ieejsmas.122.29.
Texto completoPatel, K. A., J. F. Dynes, A. W. Sharpe, Z. L. Yuan, R. V. Penty y A. J. Shields. "Gigacount/second photon detection with InGaAs avalanche photodiodes". Electronics Letters 48, n.º 2 (2012): 111. http://dx.doi.org/10.1049/el.2011.3265.
Texto completoFinkelstein, Hod, Sanja Zlatanovic, Yu-Hwa Lo, Sadik C. Esener y Kai Zhao. "External electroluminescence measurements of InGaAs∕InAlAs avalanche photodiodes". Applied Physics Letters 91, n.º 24 (10 de diciembre de 2007): 243510. http://dx.doi.org/10.1063/1.2824463.
Texto completoMaleev, N. A., A. G. Kuzmenkov, M. M. Kulagina, A. P. Vasyl’ev, S. A. Blokhin, S. I. Troshkov, A. V. Nashchekin et al. "Mushroom Mesa Structure for InAlAs–InGaAs Avalanche Photodiodes". Technical Physics Letters 49, S3 (diciembre de 2023): S215—S218. http://dx.doi.org/10.1134/s1063785023900819.
Texto completoREFAAT, TAMER F., M. NURUL ABEDIN y UPENDRA N. SINGH. "SPECTRAL RESPONSE MEASUREMENTS OF SHORT WAVE INFRARED DETECTORS (SWIR)". International Journal of High Speed Electronics and Systems 12, n.º 02 (junio de 2002): 541–50. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156402001459.
Texto completoAkano, U. G., I. V. Mitchell, F. R. Shepherd, C. J. Miner, A. Margittai y M. Svilans. "Electrical isolation of pin photodiode devices by oxygen ion bombardment". Canadian Journal of Physics 74, S1 (1 de diciembre de 1996): 59–63. http://dx.doi.org/10.1139/p96-833.
Texto completoParks, Joseph W., Kevin F. Brennan y Larry E. Tarof. "Macroscopic Device Simulation of InGaAs/InP Based Avalanche Photodiodes". VLSI Design 6, n.º 1-4 (1 de enero de 1998): 79–82. http://dx.doi.org/10.1155/1998/73839.
Texto completoJae-Hyung Jang, G. Cueva, W. E. Hoke, P. J. Lemonias, P. Fay y I. Adesida. "Metamorphic graded bandgap InGaAs-InGaAlAs-InAlAs double heterojunction p-i-I-n photodiodes". Journal of Lightwave Technology 20, n.º 3 (marzo de 2002): 507–14. http://dx.doi.org/10.1109/50.989001.
Texto completo