Artículos de revistas sobre el tema "Infrared optoelectronics"
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Zhuravlyova, L. M., M. R. Ivashevsky y I. F. Muzafarov. "NEW MATERIALS IN OPTOELECTRONICS". World of Transport and Transportation 16, n.º 2 (28 de abril de 2018): 74–83. http://dx.doi.org/10.30932/1992-3252-2018-16-2-7.
Texto completoJOHNSTONE, DANIEL K. "THERMAL MANAGEMENT IN OPTOELECTRONICS". International Journal of High Speed Electronics and Systems 12, n.º 02 (junio de 2002): 501–10. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156402001411.
Texto completoGubbin, Christopher R., Simone De Liberato y Thomas G. Folland. "Surface phonon polaritons for infrared optoelectronics". Journal of Applied Physics 131, n.º 3 (21 de enero de 2022): 030901. http://dx.doi.org/10.1063/5.0064234.
Texto completoMonroy, E., F. Guillot, S. Leconte, E. Bellet-Amalric, L. Nevou, L. Doyennette, M. Tchernycheva et al. "III-Nitride Nanostructures for Infrared Optoelectronics". Acta Physica Polonica A 110, n.º 3 (septiembre de 2006): 295–301. http://dx.doi.org/10.12693/aphyspola.110.295.
Texto completoKrier, A. "Mid-infrared optoelectronics materials and devices". III-Vs Review 9, n.º 2 (abril de 1996): 77. http://dx.doi.org/10.1016/s0961-1290(96)80025-1.
Texto completoJoullié, A. "Editorial: Mid-infrared optoelectronics: materials and devices". IEE Proceedings - Optoelectronics 149, n.º 1 (1 de febrero de 2002): 21. http://dx.doi.org/10.1049/ip-opt:20020166.
Texto completoHaywood, S. "Editorial: Mid-infrared optoelectronics materials and devices". IEE Proceedings - Optoelectronics 150, n.º 4 (2003): 281. http://dx.doi.org/10.1049/ip-opt:20030871.
Texto completoLhuillier, Emmanuel y Philippe Guyot-Sionnest. "Recent Progresses in Mid Infrared Nanocrystal Optoelectronics". IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics 23, n.º 5 (septiembre de 2017): 1–8. http://dx.doi.org/10.1109/jstqe.2017.2690838.
Texto completoSchöler, Michael, Maximilian W. Lederer y Peter J. Wellmann. "Deep Electronic Levels in n-Type and p-Type 3C-SiC". Materials Science Forum 963 (julio de 2019): 297–300. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.963.297.
Texto completoAssali, S., A. Attiaoui, S. Koelling, M. R. M. Atalla, A. Kumar, J. Nicolas, F. A. Chowdhury, C. Lemieux-Leduc y O. Moutanabbir. "Micrometer-thick, atomically random Si0.06Ge0.90Sn0.04 for silicon-integrated infrared optoelectronics". Journal of Applied Physics 132, n.º 19 (21 de noviembre de 2022): 195305. http://dx.doi.org/10.1063/5.0120505.
Texto completoLiang, Guozhen, Xuechao Yu, Xiaonan Hu, Bo Qiang, Chongwu Wang y Qi Jie Wang. "Mid-infrared photonics and optoelectronics in 2D materials". Materials Today 51 (diciembre de 2021): 294–316. http://dx.doi.org/10.1016/j.mattod.2021.09.021.
Texto completoSargent, E. H. "Solution-Processed Infrared Optoelectronics: Photovoltaics, Sensors, and Sources". IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics 14, n.º 4 (julio de 2008): 1223–29. http://dx.doi.org/10.1109/jstqe.2008.925766.
Texto completoBauer, M. R., C. S. Cook, P. Aella, J. Tolle, J. Kouvetakis, P. A. Crozier, A. V. G. Chizmeshya, David J. Smith y S. Zollner. "SnGe superstructure materials for Si-based infrared optoelectronics". Applied Physics Letters 83, n.º 17 (27 de octubre de 2003): 3489–91. http://dx.doi.org/10.1063/1.1622435.
Texto completoSizov, F. F. y A. Rogalski. "Semiconductor superlattices and quantum wells for infrared optoelectronics". Progress in Quantum Electronics 17, n.º 2 (enero de 1993): 93–164. http://dx.doi.org/10.1016/0079-6727(93)90005-t.
Texto completoGámez-Valenzuela, Sergio, David Neusser, Carlos Benitez-Martin, Francisco Najera, Juan A. Guadix, Carlos Moreno-Yruela, Belén Villacampa et al. "V-shaped pyranylidene/triphenylamine-based chromophores with enhanced photophysical, electrochemical and nonlinear optical properties". Materials Advances 2, n.º 13 (2021): 4255–63. http://dx.doi.org/10.1039/d1ma00415h.
Texto completoLhuillier, Emmanuel. "Narrow band gap nanocrystals for infrared cost-effective optoelectronics". Photoniques, n.º 116 (2022): 54–57. http://dx.doi.org/10.1051/photon/202211654.
Texto completoSolov’ev, V. A., A. A. Toropov, B. Ya Meltser, Ya A. Terent’ev, R. N. Kyutt, A. A. Sitnikova, A. N. Semenov et al. "GaAs in GaSb: Strained nanostructures for mid-infrared optoelectronics". Semiconductors 36, n.º 7 (julio de 2002): 816–20. http://dx.doi.org/10.1134/1.1493755.
Texto completoClark, Samuel M. y Sang Eon Han. "Two-dimensional metamaterial transparent metal electrodes for infrared optoelectronics". Optics Letters 39, n.º 12 (13 de junio de 2014): 3666. http://dx.doi.org/10.1364/ol.39.003666.
Texto completoGuillot, F., E. Monroy, B. Gayral, E. Bellet-Amalric, D. Jalabert, J. M. Gérard, Le Si Dang et al. "GaN/AlGaN superlattices for optoelectronics in the mid-infrared". physica status solidi (b) 243, n.º 7 (junio de 2006): 1669–73. http://dx.doi.org/10.1002/pssb.200565328.
Texto completoChoi, Jongmin, Jea Woong Jo, F. Pelayo García de Arquer, Yong-Biao Zhao, Bin Sun, Junghwan Kim, Min-Jae Choi et al. "Activated Electron-Transport Layers for Infrared Quantum Dot Optoelectronics". Advanced Materials 30, n.º 29 (28 de mayo de 2018): 1801720. http://dx.doi.org/10.1002/adma.201801720.
Texto completoJia, Jinmei, Huan Liu, Jijie Zhao, Yuxuan Du y Shuai Wen. "Si:HgTe Colloidal Quantum Dots Heterojunction-Based Infrared Photodiode". Journal of Nanomaterials 2023 (9 de febrero de 2023): 1–9. http://dx.doi.org/10.1155/2023/4595819.
Texto completoWang, Lin, Li Huang, Wee Chong Tan, Xuewei Feng, Li Chen y Kah-Wee Ang. "Tunable black phosphorus heterojunction transistors for multifunctional optoelectronics". Nanoscale 10, n.º 29 (2018): 14359–67. http://dx.doi.org/10.1039/c8nr03207f.
Texto completoKim, Suk Hyun, Kyeong Ho Park, Young Gie Lee, Seong Jun Kang, Yongsup Park y Young Duck Kim. "Color Centers in Hexagonal Boron Nitride". Nanomaterials 13, n.º 16 (15 de agosto de 2023): 2344. http://dx.doi.org/10.3390/nano13162344.
Texto completoLi, Yuyu, Khwanchai Tantiwanichapan, Anna K. Swan y Roberto Paiella. "Graphene plasmonic devices for terahertz optoelectronics". Nanophotonics 9, n.º 7 (14 de mayo de 2020): 1901–20. http://dx.doi.org/10.1515/nanoph-2020-0211.
Texto completoLuo, Lu, Simone Assali, Mahmoud Atalla, Sebastian Koelling y Oussama Moutanabbir. "Tunable Shortwave Infrared and Midwave Infrared Optoelectronics in Germanium/Germanium Tin Core/Shell Nanowires". ECS Meeting Abstracts MA2020-01, n.º 22 (1 de mayo de 2020): 1321. http://dx.doi.org/10.1149/ma2020-01221321mtgabs.
Texto completoDong, Zhengang, Jiaying Shen, Fan Zhang, Yaping Qi, Yang Zhang, Gongxun Bai, Zhenping Wu y Danfeng Li. "Tunable-wavelength photoluminescence of a flexible transition metal doped oxide phosphor thin film". Applied Physics Letters 122, n.º 13 (27 de marzo de 2023): 132908. http://dx.doi.org/10.1063/5.0147266.
Texto completoSturm, James C. "Advanced Column-IV Epitaxial Materials for Silicon-Based Optoelectronics". MRS Bulletin 23, n.º 4 (abril de 1998): 60–64. http://dx.doi.org/10.1557/s0883769400030281.
Texto completoYang, Li-Ming, Guo-Yong Fang, Jing Ma, Raghani Pushpa y Eric Ganz. "Halogenated MOF-5 variants show new configuration, tunable band gaps and enhanced optical response in the visible and near infrared". Physical Chemistry Chemical Physics 18, n.º 47 (2016): 32319–30. http://dx.doi.org/10.1039/c6cp06981a.
Texto completoFang, Cizhe, Yan Liu, Qingfang Zhang, Genquan Han, Xi Gao, Yao Shao, Jincheng Zhang y Yue Hao. "Germanium-tin alloys: applications for optoelectronics in mid-infrared spectra". Opto-Electronic Advances 1, n.º 3 (2018): 18000401–10. http://dx.doi.org/10.29026/oea.2018.180004.
Texto completoBaek, Se-Woong. "(Invited) Building Colloidal Quantum Dot Solids for Efficient Infrared Optoelectronics". ECS Meeting Abstracts MA2021-01, n.º 23 (30 de mayo de 2021): 900. http://dx.doi.org/10.1149/ma2021-0123900mtgabs.
Texto completoAidaraliev, M., N. V. Zotova, S. A. Karandashev, B. A. Matveev, M. A. Remennyi, N. M. Stus’, G. N. Talalakin, V. V. Shustov, V. V. Kuznetsov y E. A. Kognovitskaya. "Lattice-matched GaInPAsSb/InAs structures for devices of infrared optoelectronics". Semiconductors 36, n.º 8 (agosto de 2002): 944–49. http://dx.doi.org/10.1134/1.1500478.
Texto completoMonroy, Eva, Fabien Guillot, Sylvain Leconte, Laurent Nevou, Laetitia Doyennette, Maria Tchernycheva, Francois H. Julien, Esther Baumann, Fabrizio R. Giorgetta y Daniel Hofstetter. "Latest developments in GaN-based quantum devices for infrared optoelectronics". Journal of Materials Science: Materials in Electronics 19, n.º 8-9 (5 de diciembre de 2007): 821–27. http://dx.doi.org/10.1007/s10854-007-9482-3.
Texto completoBaek, Se‐Woong, Pau Molet, Min‐Jae Choi, Margherita Biondi, Olivier Ouellette, James Fan, Sjoerd Hoogland, F. Pelayo García de Arquer, Agustín Mihi y Edward H. Sargent. "Nanostructured Back Reflectors for Efficient Colloidal Quantum‐Dot Infrared Optoelectronics". Advanced Materials 31, n.º 33 (21 de junio de 2019): 1901745. http://dx.doi.org/10.1002/adma.201901745.
Texto completoPham, Phuong V., The-Hung Mai, Huy-Binh Do, Vinoth Kumar Ponnusamy y Feng-Chuan Chuang. "Integrated Graphene Heterostructures in Optical Sensing". Micromachines 14, n.º 5 (17 de mayo de 2023): 1060. http://dx.doi.org/10.3390/mi14051060.
Texto completoCao, Fei, Xiaobao Xu, Dejian Yu y Haibo Zeng. "Lead-free halide perovskite photodetectors spanning from near-infrared to X-ray range: a review". Nanophotonics 10, n.º 8 (1 de junio de 2020): 2221–47. http://dx.doi.org/10.1515/nanoph-2020-0632.
Texto completoAhamed, M. Irshad y K. Sathish Kumar. "Modelling of electronic and optical properties of Cu2SnS3 quantum dots for optoelectronics applications". Materials Science-Poland 37, n.º 1 (1 de marzo de 2019): 108–15. http://dx.doi.org/10.2478/msp-2018-0103.
Texto completoJawad, M., S. Selvaraju, M. U. Javed, F. Ali, Q. Rafiq, I. Ur Rahman, B. Masood, M. B. Hussain, S. Azam y H. Elhosiny Ali. "Effect of Ce and Sm doping on optoelectronic and thermoelectric properties of Bi2Te3 alloy". Chalcogenide Letters 19, n.º 12 (21 de diciembre de 2022): 871–83. http://dx.doi.org/10.15251/cl.2022.1912.871.
Texto completoPontillas, Shienna Marie, Florentino C. Sumera y Rigoberto C. Advincula. "Reversible Addition-Fragmentation Chain Transfer (RAFT) Polymerization of Poly(ethylmethacrylate) with Pendant Carbazole Groups". KIMIKA 29, n.º 1 (7 de agosto de 2018): 41–50. http://dx.doi.org/10.26534/kimika.v29i1.41-50.
Texto completoAlam, Injamul, Kadambinee Sa, Sonali Das, BVRS Subramanyam, Manoranjan Mandal, Subhasri Subudhi, Santosini Patra y Pitamber Mahanandia. "Study of electrical properties of a few layers of graphene sheets under Ultraviolet and Visible light irradation". International Journal of Innovative Research in Physics 2, n.º 4 (5 de julio de 2021): 8–14. http://dx.doi.org/10.15864/ijiip.2402.
Texto completoHafiz, Shihab Bin, Michael R. Scimeca, Ayaskanta Sahu y Dong-Kyun Ko. "(Invited) Mid-Infrared Colloidal Quantum Dot Based Nanoelectronics and Nano-Optoelectronics". ECS Transactions 92, n.º 1 (3 de julio de 2019): 11–16. http://dx.doi.org/10.1149/09201.0011ecst.
Texto completoWassweiler, Ella y Fatima Toor. "Gallium antimonide texturing for enhanced light extraction from infrared optoelectronics devices". AIP Advances 6, n.º 6 (junio de 2016): 065018. http://dx.doi.org/10.1063/1.4954766.
Texto completoZhuang, Q. D., H. Alradhi, Z. M. Jin, X. R. Chen, J. Shao, X. Chen, Ana M. Sanchez et al. "Optically efficient InAsSb nanowires for silicon-based mid-wavelength infrared optoelectronics". Nanotechnology 28, n.º 10 (8 de febrero de 2017): 105710. http://dx.doi.org/10.1088/1361-6528/aa59c5.
Texto completoLei, Yong, Xiaozhan Yang y Wenlin Feng. "Synthesis of vertically-aligned large-area MoS2 nanofilm and its application in MoS2/Si heterostructure photodetector". Nanotechnology 33, n.º 10 (17 de diciembre de 2021): 105709. http://dx.doi.org/10.1088/1361-6528/ac3c7e.
Texto completoSotor, Jarosław, Krzysztof Abramski, Arkadiusz Antończak, Grzegorz Sobon, Paweł Kaczmarek, Adam Wąż, Grzegorz Dudzik et al. "Laser and Fiber Electronics Group". Photonics Letters of Poland 11, n.º 2 (1 de julio de 2019): 38. http://dx.doi.org/10.4302/plp.v11i2.901.
Texto completoDegiron, Aloyse. "Pushing the boundaries of nanocrystal optoelectronics with structured photonic environments". Photoniques, n.º 119 (2023): 52–57. http://dx.doi.org/10.1051/photon/202311952.
Texto completoMusat, Viorica, Ana Filip, Nicolae Tigau, Rodica Dinica, Elena Herbei, Cosmin Romanitan, Iuliana Mihalache y Munizer Purica. "1D Nanostructured ZnO Layers by Microwave - Assisted Hydrothermal Synthesis". Revista de Chimie 69, n.º 10 (15 de noviembre de 2018): 2788–93. http://dx.doi.org/10.37358/rc.18.10.6625.
Texto completoKandaswamy, P. K., H. Machhadani, E. Bellet-Amalric, L. Nevou, M. Tchernycheva, L. Lahourcade, F. H. Julien y E. Monroy. "Strain effects in GaN/AlN multi-quantum-well structures for infrared optoelectronics". Microelectronics Journal 40, n.º 2 (febrero de 2009): 336–38. http://dx.doi.org/10.1016/j.mejo.2008.07.058.
Texto completoGao, Rui, Hairui Liu, Jien Yang, Feng Yang, Tianxing Wang, Zhuxia Zhang, Xuguang Liu, Husheng Jia, Bingshe Xu y Heng Ma. "2D anisotropic type-I SiS vdW heterostructures toward infrared polarized optoelectronics applications". Applied Surface Science 529 (noviembre de 2020): 147026. http://dx.doi.org/10.1016/j.apsusc.2020.147026.
Texto completoVella, Jarrett H., Lifeng Huang, Naresh Eedugurala, Kevin S. Mayer, Tse Nga Ng y Jason D. Azoulay. "Broadband infrared photodetection using a narrow bandgap conjugated polymer". Science Advances 7, n.º 24 (junio de 2021): eabg2418. http://dx.doi.org/10.1126/sciadv.abg2418.
Texto completoYang, Xianguang y Baojun Li. "Monolayer MoS2 for nanoscale photonics". Nanophotonics 9, n.º 7 (3 de febrero de 2020): 1557–77. http://dx.doi.org/10.1515/nanoph-2019-0533.
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