Artículos de revistas sobre el tema "InAs QDs on silicon"
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Abouzaid, Oumaima, Hussein Mehdi, Mickael Martin, Jérémy Moeyaert, Bassem Salem, Sylvain David, Abdelkader Souifi et al. "O-Band Emitting InAs Quantum Dots Grown by MOCVD on a 300 mm Ge-Buffered Si (001) Substrate". Nanomaterials 10, n.º 12 (7 de diciembre de 2020): 2450. http://dx.doi.org/10.3390/nano10122450.
Texto completoLi, Yuan-He, Zhi-Yao Zhuo, Jian Wang, Jun-Hui Huang, Shu-Lun Li, Hai-Qiao Ni, Zhi-Chuan Niu, Xiu-Ming Dou y Bao-Quan Sun. "Controlling exciton spontaneous emission of quantum dots by Au nanoparticles". Acta Physica Sinica 71, n.º 6 (2022): 067804. http://dx.doi.org/10.7498/aps.71.20211863.
Texto completoYamamoto, N., K. Akahane, S. Gozu y Noboru Ohtani. "Growth of InAs Quantum Dots on a Low Lattice-Mismatched AlGaSb Layer Prepared on GaAs (001) Substrates". Solid State Phenomena 99-100 (julio de 2004): 49–54. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.99-100.49.
Texto completoSaravanan, S. "Stacking of InAs QDs with Different Spacer Layer Thickness on GaAs Substrate by Molecular Beam Epitaxy". Advanced Science Letters 24, n.º 8 (1 de agosto de 2018): 5574–77. http://dx.doi.org/10.1166/asl.2018.12152.
Texto completoYao, Jian Ming, Ling Min Kong y Shi Lai Wang. "Effects of a InGaAs Strained Layer on Structures and Photoluminescence Characteristics of InAs Quantum Dots". Advanced Materials Research 148-149 (octubre de 2010): 897–902. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.148-149.897.
Texto completoMehta, M., D. Reuter, M. Kamruddin, A. K. Tyagi y A. D. Wieck. "Influence of Post-Implantation Annealing Parameters on the Focused Ion Beam Directed Nucleation of InAs Quantum Dots". Nano 10, n.º 04 (junio de 2015): 1550049. http://dx.doi.org/10.1142/s1793292015500496.
Texto completoVolkova, N. S., A. P. Gorshkov, L. A. Istomin, A. V. Zdoroveyshchev y S. Levichev. "Diagnostic of the Bimodal Distribution of InAs/GaAs Quantum Dots by Means of a Simple Nondestructive Method Based on the Photoelectrical Spectroscopy". Nano 11, n.º 10 (29 de septiembre de 2016): 1650109. http://dx.doi.org/10.1142/s1793292016501095.
Texto completoSchramboeck, M., A. M. Andrews, P. Klang, W. Schrenk, G. Hesser, F. Schäffler y G. Strasser. "InAs/AlGaAs QDs for intersubband devices". Superlattices and Microstructures 44, n.º 4-5 (octubre de 2008): 411–15. http://dx.doi.org/10.1016/j.spmi.2007.10.010.
Texto completoKim, Eui Tae y Anupam Madhukar. "Growth Kinetics and Formation of Uniform Self-Assembled InAs/GaAs Quantum Dots at". Solid State Phenomena 124-126 (junio de 2007): 539–42. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.124-126.539.
Texto completoLi, Zhan Guo, Ming Hui You, Guo Jun Liu, Xin Gao, Lin Li, Zhi Peng Wei, Mei Li, Yong Wang, Xiao Hua Wang y Lian He Li. "Low-Density InAs Quantum Dots Growth by Molecular Beam Epitaxy". Advanced Materials Research 442 (enero de 2012): 12–15. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.442.12.
Texto completoAlshehri, Khairiah, Abdelmajid Salhi, Niyaz Ahamad Madhar y Bouraoui Ilahi. "Size and Shape Evolution of GaAsSb-Capped InAs/GaAs Quantum Dots: Dependence on the Sb Content". Crystals 9, n.º 10 (15 de octubre de 2019): 530. http://dx.doi.org/10.3390/cryst9100530.
Texto completoRakhlin, M. V., K. G. Belyaev, G. V. Klimko, I. S. Mukhin, S. V. Ivanov y A. A. Toropov. "Red single-photon emission from InAs/AlGaAs quantum dots". Физика и техника полупроводников 52, n.º 4 (2018): 480. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2018.04.45829.18.
Texto completoРахлин, М. В., К. Г. Беляев, Г. В. Климко, И. С. Мухин, С. В. Иванов y А. А. Торопов. "Однофотонное излучение квантовых точек InAs/AlGaAs". Физика твердого тела 60, n.º 4 (2018): 687. http://dx.doi.org/10.21883/ftt.2018.04.45675.310.
Texto completoHuang, Xiaoying, Rongbin Su, Jiawei Yang, Mujie Rao, Jin Liu, Ying Yu y Siyuan Yu. "Wafer-Scale Epitaxial Low Density InAs/GaAs Quantum Dot for Single Photon Emitter in Three-Inch Substrate". Nanomaterials 11, n.º 4 (6 de abril de 2021): 930. http://dx.doi.org/10.3390/nano11040930.
Texto completoRuiz, Nazaret, Daniel Fernandez, Esperanza Luna, Lazar Stanojević, Teresa Ben, Sara Flores, Verónica Braza et al. "Tailoring of AlAs/InAs/GaAs QDs Nanostructures via Capping Growth Rate". Nanomaterials 12, n.º 14 (21 de julio de 2022): 2504. http://dx.doi.org/10.3390/nano12142504.
Texto completoKim, Hyung Seok, Ju Hyung Suh, Chan Gyung Park, Sang Jun Lee, Sam Kyu Noh, Jin Dong Song, Yong Ju Park, Won Jun Choi y Jung Il Lee. "Microstructures and Growth Characteristics of Self-Assembled InAs/GaAs Quantum Dots Investigated by Transmission Electron Microscopy". Advanced Materials Research 26-28 (octubre de 2007): 1207–10. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.26-28.1207.
Texto completoFANG, ZHIDAN, ZHENG GONG, ZHENHUA MIAO y ZHICHUAN NIU. "TUNING OF EMISSION WAVELENGTH OF InAs/GaAs QUANTUM DOTS SANDWICHED BY COMBINATION LAYERS". International Journal of Nanoscience 05, n.º 06 (diciembre de 2006): 847–52. http://dx.doi.org/10.1142/s0219581x0600525x.
Texto completoNowozin, Tobias, Michael Narodovitch, Leo Bonato, Dieter Bimberg, Mohammed N. Ajour, Khaled Daqrouq y Abdullah Balamash. "Room-Temperature Hysteresis in a Hole-Based Quantum Dot Memory Structure". Journal of Nanotechnology 2013 (2013): 1–4. http://dx.doi.org/10.1155/2013/797964.
Texto completoSuraprapapich, S., S. Thainoi, S. Kanjanachuchai y S. Panyakeow. "Self-Assembled InAs Lateral Quantum Dot Molecules Growth on (001) GaAs by Thin-Capping-and-Regrowth MBE Technique". Solid State Phenomena 121-123 (marzo de 2007): 395–400. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.121-123.395.
Texto completoKuznetsova, Y. A., F. B. Bayramov, V. V. Toporov, B. H. Bairamov, V. Yu Rud y A. P. Glinushkin. "Recombination radiation of heteroepitaxial structures with InAs quantum dots grown on surface of (311)B GaAs by MBE". IOP Conference Series: Earth and Environmental Science 1096, n.º 1 (1 de octubre de 2022): 012032. http://dx.doi.org/10.1088/1755-1315/1096/1/012032.
Texto completoSánchez Trujillo, Diego Javier, Jhon Jairo Prías Barragán, Hernando Ariza Calderón, Álvaro Orlando Pulzara Mora y Máximo López López. "Photoreflectance study of the GaAs buffer layer in InAs/GaAs quantum dots". Superficies y Vacío 30, n.º 4 (15 de diciembre de 2017): 56–60. http://dx.doi.org/10.47566/2017_syv30_1-040056.
Texto completoBochorishvili, Beka y Hariton M. Polatoglou. "Interacting Double InAs/GaAs Quantum Dots of Cylindrical Symmetry". Journal of Nano Research 10 (abril de 2010): 87–92. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/jnanor.10.87.
Texto completoOshima, Jin, Nobuhiko Ozaki, Hisaya Oda, Eiichiro Watanabe, Hirotaka Ohsato, Naoki Ikeda, Yoshimasa Sugimoto y Richard A. Hogg. "Near-infrared dual-wavelength surface-emitting light source using InAs quantum dots resonant with vertical cavity modes". Japanese Journal of Applied Physics 61, SD (24 de marzo de 2022): SD1003. http://dx.doi.org/10.35848/1347-4065/ac5b24.
Texto completoJanney, Eathan y Guillermo Muñoz-Matutano. "Interactive Musical Display of Quantum Dot Emission Spectra". Leonardo 49, n.º 5 (octubre de 2016): 440–41. http://dx.doi.org/10.1162/leon_a_01293.
Texto completoYang, B. y E. Pan. "Elastic Fields of Quantum Dots in Multilayered Semiconductors: A Novel Green’s Function Approach". Journal of Applied Mechanics 70, n.º 2 (1 de marzo de 2003): 161–68. http://dx.doi.org/10.1115/1.1544540.
Texto completoZhou, G. Y., Y. H. Chen, X. L. Zhou, B. Xu, X. L. Ye y Z. G. Wang. "Different growth mechanisms of bimodal InAs/GaAs QDs". Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures 43, n.º 1 (noviembre de 2010): 308–11. http://dx.doi.org/10.1016/j.physe.2010.08.001.
Texto completoJia, Guo-zhi, Jiang-hong Yao, Yong-chun Shu, Xiao-dong Xing y Biao Pi. "Quantum rings formed in InAs QDs annealing process". Applied Surface Science 255, n.º 8 (febrero de 2009): 4452–55. http://dx.doi.org/10.1016/j.apsusc.2008.11.042.
Texto completoWang, Kun, Qiang He, Deren Yang y Xiaodong Pi. "Highly Efficient Energy Transfer from Silicon to Erbium in Erbium-Hyperdoped Silicon Quantum Dots". Nanomaterials 13, n.º 2 (9 de enero de 2023): 277. http://dx.doi.org/10.3390/nano13020277.
Texto completoLIN, Y. G., C. H. WU, S. L. TYAN, S. D. LIN y C. P. LEE. "PHOTOLUMINESCENCE OF ULTRA SMALL InAs/GaAs QUANTUM DOTS". Modern Physics Letters B 19, n.º 18 (10 de agosto de 2005): 907–17. http://dx.doi.org/10.1142/s021798490500892x.
Texto completoIslam, Sk Masiul y P. Banerji. "Size effect of InAs quantum dots grown by metal organic chemical vapor deposition technique in storing electrical charges for memory applications". RSC Advances 5, n.º 9 (2015): 6906–11. http://dx.doi.org/10.1039/c4ra13317j.
Texto completoLiu, Guang Yan y Wen Cai Wang. "Growth and Characterization of InAs Quantum Dots on GaAsSb". Applied Mechanics and Materials 184-185 (junio de 2012): 1001–5. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amm.184-185.1001.
Texto completoHolewa, Paweł, Jakub Jasiński, Artem Shikin, Elizaveta Lebedkina, Aleksander Maryński, Marcin Syperek y Elizaveta Semenova. "Optical Properties of Site-Selectively Grown InAs/InP Quantum Dots with Predefined Positioning by Block Copolymer Lithography". Materials 14, n.º 2 (14 de enero de 2021): 391. http://dx.doi.org/10.3390/ma14020391.
Texto completoBoonpeng, P., S. Panyakeow y S. Ratanathammaphan. "In–Mole-Fraction and Thickness of Ultra-Thin InGaAs Insertion Layers Effects on the Structural and Optical Properties of InAs Quantum Dots". Advanced Materials Research 31 (noviembre de 2007): 132–34. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.31.132.
Texto completoKRYZHANOVSKAYA, N. V., A. G. GLADYSHEV, S. A. BLOKHIN, A. P. VASIL'EV, E. S. SEMENOVA, A. E. ZHUKOV, M. V. MAXIMOV et al. "HIGH TEMPERATURE STABILITY OF OPTICAL PROPERTIES OF InAs QUANTUM DOTS REALIZED BY CONTROLLING OF QUANTUM DOTS ELECTRONIC SPECTRUM". International Journal of Nanoscience 06, n.º 03n04 (junio de 2007): 283–86. http://dx.doi.org/10.1142/s0219581x07004742.
Texto completoIlahi, Bouraoui, Manel Souaf, Mourad Baira, Jawaher Alrashdi, Larbi Sfaxi, Abdulaziz Alhazaa y Hassen Maaref. "Evolution of InAs/GaAs QDs Size with the Growth Rate: A Numerical Investigation". Journal of Nanomaterials 2015 (2015): 1–6. http://dx.doi.org/10.1155/2015/847018.
Texto completoQiu, Zheng Rong y Hong Yu. "Optical Properties of Silicon Quantum Dots". Key Engineering Materials 483 (junio de 2011): 760–64. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/kem.483.760.
Texto completoTanaka, Motoyuki, Keichiro Banba, Tomah Sogabe y Koichi Yamaguchi. "InAs/GaAsSb in-plane ultrahigh-density quantum dot lasers". Applied Physics Express 14, n.º 12 (22 de noviembre de 2021): 124002. http://dx.doi.org/10.35848/1882-0786/ac3542.
Texto completoYin, Zong You, Xiao Hong Tang, Ji Xuan Zhang, Deny Sentosa, Jing Hua Teng, An Yan Du y Mee Koy Chin. "Morphology and Crystal Quality of InAs QDs Grown by MOVPE Using Different Growth Modes". Advanced Materials Research 31 (noviembre de 2007): 17–19. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.31.17.
Texto completoSala, Elisa M., Max Godsland, Young In Na, Aristotelis Trapalis y Jon Heffernan. "Droplet epitaxy of InAs/InP quantum dots via MOVPE by using an InGaAs interlayer". Nanotechnology 33, n.º 6 (19 de noviembre de 2021): 065601. http://dx.doi.org/10.1088/1361-6528/ac3617.
Texto completoLe, Thu-Huong, Dang Thi Thanh Le y Nguyen Van Tung. "Synthesis of Colloidal Silicon Quantum Dot from Rice Husk Ash". Journal of Chemistry 2021 (2 de marzo de 2021): 1–9. http://dx.doi.org/10.1155/2021/6689590.
Texto completoShang, Xiangjun, Hanqing Liu, Xiangbin Su, Shulun Li, Huiming Hao, Deyan Dai, Zesheng Chen, Haiqiao Ni y Zhichuan Niu. "Light Hole Excitons in Strain-Coupled Bilayer Quantum Dots with Small Fine-Structure Splitting". Crystals 12, n.º 8 (10 de agosto de 2022): 1116. http://dx.doi.org/10.3390/cryst12081116.
Texto completoСеменов, M. Б., В. Д. Кревчик, Д. O. Филатов, A. В. Шорохов, A. П. Шкуринов, И. А. Ожередов, П. В. Кревчик et al. "Диссипативное туннелирование электронов в вертикально связанных двойных асимметричных квантовых точках InAs/GaAs(001)". Журнал технической физики 91, n.º 10 (2021): 1431. http://dx.doi.org/10.21883/jtf.2021.10.51354.66-21.
Texto completoWang, Tong, Tim J. Puchtler, Saroj K. Patra, Tongtong Zhu, Muhammad Ali, Tom J. Badcock, Tao Ding, Rachel A. Oliver, Stefan Schulz y Robert A. Taylor. "Direct generation of linearly polarized single photons with a deterministic axis in quantum dots". Nanophotonics 6, n.º 5 (21 de julio de 2017): 1175–83. http://dx.doi.org/10.1515/nanoph-2017-0027.
Texto completoIkeri, H. I., A. I. Onyia y F. N. Kalu. "Hot carrier exploitation strategies and model for efficient solar cell applications". Chalcogenide Letters 18, n.º 11 (noviembre de 2021): 745–57. http://dx.doi.org/10.15251/cl.2021.1811.745.
Texto completoShi, G. X., Bo Xu, P. Jin, X. L. Ye, C. X. Cui, C. L. Zhang, J. Wu y Z. G. Wang. "The Structural and Photoluminescence Character of InAs Quantum Dots Grown on a Combined InAlAs and GaAs Strained Buffer Layer". Materials Science Forum 475-479 (enero de 2005): 1791–94. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.475-479.1791.
Texto completoLiu, Jian Qing, Yong Hai Chen, Bo Xu y Zhan Guo Wang. "Growth of InAs Quantum Wires with Ga-Assisted Deoxidation on Cleaved-Edge GaAs (110) Surface". Advanced Materials Research 341-342 (septiembre de 2011): 73–76. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.341-342.73.
Texto completoSTIFF-ROBERTS, ADRIENNE D. "HYBRID NANOMATERIALS FOR MULTI-SPECTRAL INFRARED PHOTODETECTION". International Journal of High Speed Electronics and Systems 17, n.º 01 (marzo de 2007): 165–72. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156407004382.
Texto completoChatzarakis, N. G., E. A. Amargianitakis, S. Germanis, A. Stavrinidis, G. Konstantinidis, Z. Hatzopoulos y N. T. Pelekanos. "Redshifted biexciton and trion lines in strongly confined (211)B InAs/GaAs piezoelectric quantum dots". Journal of Applied Physics 131, n.º 12 (28 de marzo de 2022): 123101. http://dx.doi.org/10.1063/5.0084931.
Texto completoHansen, L., A. Ankudinov, F. Bensing, J. Wagner, G. Ade, P. Hinze, V. Wagner, J. Geurts y A. Waag. "Growth and Characterization of Inas Quantum Dots on Silicon". MRS Proceedings 583 (1999). http://dx.doi.org/10.1557/proc-583-33.
Texto completoHolewa, Paweł, Shima Kadkhodazadeh, Michał Gawełczyk, Paweł Baluta, Anna Musiał, Vladimir G. Dubrovskii, Marcin Syperek y Elizaveta Semenova. "Droplet epitaxy symmetric InAs/InP quantum dots for quantum emission in the third telecom window: morphology, optical and electronic properties". Nanophotonics, 28 de enero de 2022. http://dx.doi.org/10.1515/nanoph-2021-0482.
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