Artículos de revistas sobre el tema "III Nitride UV Detector"
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Mitra, Somak, Mufasila Mumthaz Muhammed, Norah Alwadai, Dhaifallah R. Almalawi, Bin Xin, Yusin Pak y Iman S. Roqan. "Optimized performance III-nitride-perovskite-based heterojunction photodetector via asymmetric electrode configuration". RSC Advances 10, n.º 10 (2020): 6092–97. http://dx.doi.org/10.1039/c9ra08823g.
Texto completoNikzad, Shouleh, Michael Hoenk, April Jewell, John Hennessy, Alexander Carver, Todd Jones, Timothy Goodsall et al. "Single Photon Counting UV Solar-Blind Detectors Using Silicon and III-Nitride Materials". Sensors 16, n.º 6 (21 de junio de 2016): 927. http://dx.doi.org/10.3390/s16060927.
Texto completoMohammad, S. N., W. Kim, A. Salvador y H. Morkoç. "Reactive Molecular-Beam Epitaxy for Wurtzite GaN". MRS Bulletin 22, n.º 2 (febrero de 1997): 22–28. http://dx.doi.org/10.1557/s0883769400032528.
Texto completoChang, P. C., K. H. Lee, S. J. Chang, Y. K. Su, T. C. Lin y S. L. Wu. "III-Nitride Schottky Rectifiers With an AlGaN/GaN/AlGaN/GaN Quadruple Layer and Their Applications to UV Detection". IEEE Sensors Journal 10, n.º 4 (abril de 2010): 799–804. http://dx.doi.org/10.1109/jsen.2009.2034626.
Texto completoKuball, M., M. Benyoucef, F. H. Morrissey y C. T. Foxon. "Focused Ion Beam Etching of Nanometer-Size GaN/AlGaN Device Structures and their Optical Characterization by Micro-Photoluminescence/Raman Mapping". MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research 5, S1 (2000): 950–56. http://dx.doi.org/10.1557/s1092578300005317.
Texto completoLi, Yu Bo, Jian Wei Zhong, Li Ming Zhou, Chao Lun Sun, Xiao Wang, Hang Sheng Yang y William Milne. "Deep Ultraviolet Photodetector Based on Sulphur-Doped Cubic Boron Nitride Thin Film". Materials Science Forum 879 (noviembre de 2016): 1117–22. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.879.1117.
Texto completoWang, Lian Jia, You Zhang Zhu, Hong Xia Wang, Ben Li Liu y Jin She Yuan. "Cathodeluminescence Characterization of AlGaN Film Grown by MOCVD". Advanced Materials Research 143-144 (octubre de 2010): 966–70. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.143-144.966.
Texto completoAlamoudi, Hadeel, Bin Xin, Somak Mitra, Mohamed N. Hedhili, Singaravelu Venkatesh, Dhaifallah Almalawi, Norah Alwadai, Zohoor Alharbi, Ahmad Subahi y Iman S. Roqan. "Enhanced solar-blind deep UV photodetectors based on solution-processed p-MnO quantum dots and n-GaN p–n junction-structure". Applied Physics Letters 120, n.º 12 (21 de marzo de 2022): 122102. http://dx.doi.org/10.1063/5.0083259.
Texto completoChatterjee, Abhijit, Shashidhara Acharya y S. M. Shivaprasad. "Morphology-Related Functionality in Nanoarchitectured GaN". Annual Review of Materials Research 50, n.º 1 (1 de julio de 2020): 179–206. http://dx.doi.org/10.1146/annurev-matsci-081919-014810.
Texto completoMuñoz, E., E. Monroy, J. L. Pau, F. Calle, F. Omnès y P. Gibart. "III nitrides and UV detection". Journal of Physics: Condensed Matter 13, n.º 32 (26 de julio de 2001): 7115–37. http://dx.doi.org/10.1088/0953-8984/13/32/316.
Texto completoAsif Khan, M., M. Shatalov, H. P. Maruska, H. M. Wang y E. Kuokstis. "III–Nitride UV Devices". Japanese Journal of Applied Physics 44, n.º 10 (11 de octubre de 2005): 7191–206. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.44.7191.
Texto completoAtkinson, Noah, Tyler A. Morhart, Garth Wells, Grace T. Flaman, Eric Petro, Stuart Read, Scott M. Rosendahl, Ian J. Burgess y Sven Achenbach. "Microfabrication Process Development for a Polymer-Based Lab-on-Chip Concept Applied in Attenuated Total Reflection Fourier Transform Infrared Spectroelectrochemistry". Sensors 23, n.º 14 (8 de julio de 2023): 6251. http://dx.doi.org/10.3390/s23146251.
Texto completoEisenberg, I., H. Alpern, V. Gutkin, S. Yochelis y Y. Paltiel. "Dual mode UV/visible-IR gallium-nitride light detector". Sensors and Actuators A: Physical 233 (septiembre de 2015): 26–31. http://dx.doi.org/10.1016/j.sna.2015.06.022.
Texto completoMUÑOZ, ELIAS. "SEMICONDUCTOR UV SOURCES AND DETECTORS: SOME NON-CONSUMER APPLICATIONS". International Journal of High Speed Electronics and Systems 12, n.º 02 (junio de 2002): 421–28. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156402001344.
Texto completoSAWYER, SHAYLA, LIQIAO QIN y CHRISTOPHER SHING. "ZINC OXIDE NANOPARTICLES FOR ULTRAVIOLET PHOTODETECTION". International Journal of High Speed Electronics and Systems 20, n.º 01 (marzo de 2011): 183–94. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156411006519.
Texto completoWatanabe, Yoshihisa, Yoshifumi Sakuragi, Yoshiki Amamoto y Yoshikazu Nakamura. "Changes in optical transmittance and surface morphology of AlN thin films exposed to atmosphere". Journal of Materials Research 13, n.º 10 (octubre de 1998): 2956–61. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.1998.0404.
Texto completoAmano, H., S. Takanami, M. Iwaya, S. Kamiyama y I. Akasaki. "Group III nitride-based UV light emitting devices". physica status solidi (a) 195, n.º 3 (febrero de 2003): 491–95. http://dx.doi.org/10.1002/pssa.200306141.
Texto completoSaito, Terubumi, Toshimi Hitora, Hisako Hitora, Hiroji Kawai, Ichiro Saito y Eiichi Yamaguchi. "UV/VUV photodetectors using group III-nitride semiconductors". physica status solidi (c) 6, S2 (12 de marzo de 2009): S658—S661. http://dx.doi.org/10.1002/pssc.200880876.
Texto completoRen, Zhongjie, Yi Lu, Hsin-Hung Yao, Haiding Sun, Che-Hao Liao, Jiangnan Dai, Changqing Chen et al. "III-Nitride Deep UV LED Without Electron Blocking Layer". IEEE Photonics Journal 11, n.º 2 (abril de 2019): 1–11. http://dx.doi.org/10.1109/jphot.2019.2902125.
Texto completoDrabinska, Aneta, K. P. Korona, K. Pakula y J. M. Baranowski. "Electroreflectance and photoreflectance spectra of tricolor III-nitride detector structures". physica status solidi (a) 204, n.º 2 (febrero de 2007): 459–65. http://dx.doi.org/10.1002/pssa.200673965.
Texto completoNikishin, Sergey. "III-Nitride Short Period Superlattices for Deep UV Light Emitters". Applied Sciences 8, n.º 12 (23 de noviembre de 2018): 2362. http://dx.doi.org/10.3390/app8122362.
Texto completoCreighton, J. R., D. D. Koleske y C. C. Mitchell. "Emissivity-correcting near-UV pyrometry for group-III nitride OMVPE". Journal of Crystal Growth 287, n.º 2 (enero de 2006): 572–76. http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2005.10.078.
Texto completoBell, L. Douglas, Neeraj Tripathi, J. R. Grandusky, Vibhu Jindal y F. Shadi Shahedipour-Sandvik. "III-Nitride Heterostructure Layered Tunnel Barriers For a Tunable Hyperspectral Detector". IEEE Sensors Journal 8, n.º 6 (junio de 2008): 724–29. http://dx.doi.org/10.1109/jsen.2008.923180.
Texto completoAldalbahi, Ali, Rafael Velázquez, Andrew F. Zhou, Mostafizur Rahaman y Peter X. Feng. "Bandgap-Tuned 2D Boron Nitride/Tungsten Nitride Nanocomposites for Development of High-Performance Deep Ultraviolet Selective Photodetectors". Nanomaterials 10, n.º 8 (23 de julio de 2020): 1433. http://dx.doi.org/10.3390/nano10081433.
Texto completoKhan, Asif y Krishnan Balakrishnan. "Present Status of Deep UV Nitride Light Emitters". Materials Science Forum 590 (agosto de 2008): 141–74. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.590.141.
Texto completoWieben, Jens, Carsten Beckmann, Hady Yacoub, Andrei Vescan y Holger Kalisch. "Development of a III-nitride electro-optical modulator for UV–vis". Japanese Journal of Applied Physics 58, SC (17 de abril de 2019): SCCC04. http://dx.doi.org/10.7567/1347-4065/ab079e.
Texto completoAkasaki, Isamu y Hiroshi Amano. "Widegap Column‐ III Nitride Semiconductors for UV/Blue Light Emitting Devices". Journal of The Electrochemical Society 141, n.º 8 (1 de agosto de 1994): 2266–71. http://dx.doi.org/10.1149/1.2055104.
Texto completoBouzid, F. y F. Pezzimenti. "Influence of the thickness of frontal platinum metallic layer on the electro-optical characteristics of GaN-based Schottky ultraviolet photodetectors". Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics 25, n.º 3 (6 de octubre de 2022): 323–30. http://dx.doi.org/10.15407/spqeo25.03.323.
Texto completoTripathi, N., L. D. Bell y F. Shahedipour-Sandvik. "AlGaN based III-nitride tunnel barrier hyperspectral detector: Effect of internal polarization". Journal of Applied Physics 109, n.º 12 (15 de junio de 2011): 124508. http://dx.doi.org/10.1063/1.3599878.
Texto completoSong, Yu, Rajaram Bhat, Tzu-Yung Huang, Pranav Badami, Chung-En Zah y Claire Gmachl. "III-nitride quantum cascade detector grown by metal organic chemical vapor deposition". Applied Physics Letters 105, n.º 18 (3 de noviembre de 2014): 182104. http://dx.doi.org/10.1063/1.4901220.
Texto completoFan, Zelong, Zuoyan Qin, Zhenhua Sun y Honglei Wu. "Broad Spectrum Detector Based on AlN Crystal". Journal of Physics: Conference Series 2350, n.º 1 (1 de septiembre de 2022): 012013. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/2350/1/012013.
Texto completoGu, Wen, Yi Lu, Rongyu Lin, Wenzhe Guo, Zihui Zhang, Jae-Hyun Ryou, Jianchang Yan, Junxi Wang, Jinmin Li y Xiaohang Li. "BAlN for III-nitride UV light-emitting diodes: undoped electron blocking layer". Journal of Physics D: Applied Physics 54, n.º 17 (12 de febrero de 2021): 175104. http://dx.doi.org/10.1088/1361-6463/abdefc.
Texto completoCiers, Joachim, Gwénolé Jacopin, Gordon Callsen, Catherine Bougerol, Jean-François Carlin, Raphaël Butté y Nicolas Grandjean. "Near-UV narrow bandwidth optical gain in lattice-matched III–nitride waveguides". Japanese Journal of Applied Physics 57, n.º 9 (30 de julio de 2018): 090305. http://dx.doi.org/10.7567/jjap.57.090305.
Texto completoRen, Bin, Hui Guo, Feng Shi, Hong-Chang Cheng, Hui Liu, Jian Liu, Zhi-Hui Shen, Yan-Li Shi y Pei Liu. "A theoretical and experimental evaluation of III–nitride solar-blind UV photocathode". Chinese Physics B 26, n.º 8 (agosto de 2017): 088504. http://dx.doi.org/10.1088/1674-1056/26/8/088504.
Texto completoKneissl, M., T. Kolbe, C. Chua, V. Kueller, N. Lobo, J. Stellmach, A. Knauer et al. "Advances in group III-nitride-based deep UV light-emitting diode technology". Semiconductor Science and Technology 26, n.º 1 (15 de diciembre de 2010): 014036. http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/26/1/014036.
Texto completoFu, Houqiang. "(Invited) III-Oxide/III-Nitride Heterostructures for Power Electronics and Optoelectronics Applications". ECS Meeting Abstracts MA2022-02, n.º 34 (9 de octubre de 2022): 1243. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-02341243mtgabs.
Texto completoSajjad, Muhammad, Wojciech M. Jadwisienczak y Peter Feng. "Nanoscale structure study of boron nitride nanosheets and development of a deep-UV photo-detector". Nanoscale 6, n.º 9 (2014): 4577–82. http://dx.doi.org/10.1039/c3nr05817d.
Texto completoKleindienst, R., P. Becker, V. Cimalla, A. Grewe, P. Hille, M. Krüger, J. Schörmann et al. "Integration of an opto-chemical detector based on group III-nitride nanowire heterostructures". Applied Optics 54, n.º 4 (28 de enero de 2015): 839. http://dx.doi.org/10.1364/ao.54.000839.
Texto completoWang, Mengjun, Jinpeng Li, Zichun Fan, Shining Wu, Juanjuan Ma, Xiaobo Zhang, Lin Liu y Zhiwei Tong. "A nanocomposite constructed by intercalating iron porphyrin into layered tantalotungstate with exfoliation/self-assembly method utilized for electrocatalytic oxidation of nitrite". Functional Materials Letters 12, n.º 05 (17 de septiembre de 2019): 1950069. http://dx.doi.org/10.1142/s1793604719500693.
Texto completoAKASAKI, I. y H. AMANO. "ChemInform Abstract: Widegap Group-III Nitride Semiconductors for UV/Blue Light Emitting Devices". ChemInform 25, n.º 48 (18 de agosto de 2010): no. http://dx.doi.org/10.1002/chin.199448267.
Texto completoSajjad, Muhammad, Wojciech M. Jadwisienczak y Peter Feng. "Correction: Nanoscale structure study of boron nitride nanosheets and development of a deep-UV photo-detector". Nanoscale 6, n.º 24 (2014): 15346. http://dx.doi.org/10.1039/c4nr90099e.
Texto completoRömer, Friedhard, Martin Guttmann, Tim Wernicke, Michael Kneissl y Bernd Witzigmann. "Effect of Inhomogeneous Broadening in Ultraviolet III-Nitride Light-Emitting Diodes". Materials 14, n.º 24 (20 de diciembre de 2021): 7890. http://dx.doi.org/10.3390/ma14247890.
Texto completoNg, H. M. y T. D. Moustakas. "High reflectance III-Nitride Bragg reflectors grown by molecular beam epitaxy". MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research 5, S1 (2000): 28–34. http://dx.doi.org/10.1557/s109257830000404x.
Texto completoFranke, A., M. P. Hoffmann, R. Kirste, M. Bobea, J. Tweedie, F. Kaess, M. Gerhold, R. Collazo y Z. Sitar. "High reflectivity III-nitride UV-C distributed Bragg reflectors for vertical cavity emitting lasers". Journal of Applied Physics 120, n.º 13 (7 de octubre de 2016): 135703. http://dx.doi.org/10.1063/1.4963831.
Texto completoTao, Tao, Ting Zhi, Bin Liu, Peng Chen, Zili Xie, Hong Zhao, Fangfang Ren, Dunjun Chen, Youdou Zheng y Rong Zhang. "Electron‐Beam‐Driven III‐Nitride Plasmonic Nanolasers in the Deep‐UV and Visible Region". Small 16, n.º 1 (3 de diciembre de 2019): 1906205. http://dx.doi.org/10.1002/smll.201906205.
Texto completoHossain, Sharif, Christopher W. K. Chow, Guna A. Hewa, David Cook y Martin Harris. "Spectrophotometric Online Detection of Drinking Water Disinfectant: A Machine Learning Approach". Sensors 20, n.º 22 (21 de noviembre de 2020): 6671. http://dx.doi.org/10.3390/s20226671.
Texto completoLu, Zheng Qian, Yi Pu Qu, Mussaab I. Niass, Muhammad Nawaz Sharif, Yu Huai Liu y Fang Wang. "Effect of Growth Chamber Structure on the Growth of Aluminum Nitride Crystals". Materials Science Forum 954 (mayo de 2019): 3–8. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.954.3.
Texto completoJadhav, Aakash, Pegah Bagheri, Andrew Klump, Dolar Khachariya, Seiji Mita, Pramod Reddy, Shashwat Rathkanthiwar et al. "On electrical analysis of Al-rich p-AlGaN films for III-nitride UV light emitters". Semiconductor Science and Technology 37, n.º 1 (26 de noviembre de 2021): 015003. http://dx.doi.org/10.1088/1361-6641/ac3710.
Texto completoHow Kee Chun, L. S., J. L. Courant, A. Falcou, P. Ossart y G. Post. "UV-deposited silicon nitride coupled with XeF2 surface cleaning for III-V optoelectronic device passivation". Microelectronic Engineering 36, n.º 1-4 (junio de 1997): 69–72. http://dx.doi.org/10.1016/s0167-9317(97)00017-8.
Texto completoLiang, Banglong, Zili Wang, Cheng Qian, Yi Ren, Bo Sun, Dezhen Yang, Zhou Jing y Jiajie Fan. "Investigation of Step-Stress Accelerated Degradation Test Strategy for Ultraviolet Light Emitting Diodes". Materials 12, n.º 19 (25 de septiembre de 2019): 3119. http://dx.doi.org/10.3390/ma12193119.
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