Artículos de revistas sobre el tema "III-Nitride Materials"
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Pampili, Pietro y Peter J. Parbrook. "Doping of III-nitride materials". Materials Science in Semiconductor Processing 62 (mayo de 2017): 180–91. http://dx.doi.org/10.1016/j.mssp.2016.11.006.
Texto completoWu, Kefeng, Siyu Huang, Wenliang Wang y Guoqiang Li. "Recent progress in III-nitride nanosheets: properties, materials and applications". Semiconductor Science and Technology 36, n.º 12 (27 de octubre de 2021): 123002. http://dx.doi.org/10.1088/1361-6641/ac2c26.
Texto completoHardy, Matthew T., Daniel F. Feezell, Steven P. DenBaars y Shuji Nakamura. "Group III-nitride lasers: a materials perspective". Materials Today 14, n.º 9 (septiembre de 2011): 408–15. http://dx.doi.org/10.1016/s1369-7021(11)70185-7.
Texto completoHite, Jennifer. "Progress in periodically oriented III-nitride materials". Journal of Crystal Growth 456 (diciembre de 2016): 133–36. http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2016.08.042.
Texto completoMonemar, B., P. P. Paskov, J. P. Bergman, A. A. Toropov y T. V. Shubina. "Recent developments in the III-nitride materials". physica status solidi (b) 244, n.º 6 (junio de 2007): 1759–68. http://dx.doi.org/10.1002/pssb.200674836.
Texto completoHangleiter, Andreas. "III–V Nitrides: A New Age for Optoelectronics". MRS Bulletin 28, n.º 5 (mayo de 2003): 350–53. http://dx.doi.org/10.1557/mrs2003.99.
Texto completoMoram, M. A. y S. Zhang. "ScGaN and ScAlN: emerging nitride materials". J. Mater. Chem. A 2, n.º 17 (2014): 6042–50. http://dx.doi.org/10.1039/c3ta14189f.
Texto completoBen, Jianwei, Xinke Liu, Cong Wang, Yupeng Zhang, Zhiming Shi, Yuping Jia, Shanli Zhang et al. "2D III‐Nitride Materials: Properties, Growth, and Applications". Advanced Materials 33, n.º 27 (28 de mayo de 2021): 2006761. http://dx.doi.org/10.1002/adma.202006761.
Texto completoSpeck, J. S. y S. F. Chichibu. "Nonpolar and Semipolar Group III Nitride-Based Materials". MRS Bulletin 34, n.º 5 (mayo de 2009): 304–12. http://dx.doi.org/10.1557/mrs2009.91.
Texto completoDobrinsky, A., G. Simin, R. Gaska y M. Shur. "III-Nitride Materials and Devices for Power Electronics". ECS Transactions 58, n.º 4 (31 de agosto de 2013): 129–43. http://dx.doi.org/10.1149/05804.0129ecst.
Texto completoSha, Wei, Jicai Zhang, Shuxin Tan, Xiangdong Luo y Weiguo Hu. "III-nitride piezotronic/piezo-phototronic materials and devices". Journal of Physics D: Applied Physics 52, n.º 21 (18 de marzo de 2019): 213003. http://dx.doi.org/10.1088/1361-6463/ab04d6.
Texto completoKarpov, Sergey Yu. "Spontaneous polarization in III-nitride materials: crystallographic revision". physica status solidi (c) 7, n.º 7-8 (14 de mayo de 2010): 1841–43. http://dx.doi.org/10.1002/pssc.200983414.
Texto completoFeigelson, B. N., R. M. Frazier y M. Twigg. "III-Nitride crystal growth from nitride-salt solution". Journal of Crystal Growth 305, n.º 2 (julio de 2007): 399–402. http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2007.03.028.
Texto completoMendes, Marco, Jeffrey Sercel, Mathew Hannon, Cristian Porneala, Xiangyang Song, Jie Fu y Rouzbeh Sarrafi. "Advanced Laser Scribing for Emerging LED Materials". Additional Conferences (Device Packaging, HiTEC, HiTEN, and CICMT) 2011, DPC (1 de enero de 2011): 001443–71. http://dx.doi.org/10.4071/2011dpc-wa32.
Texto completoGuisbiers, Grégory, Di Liu, Qing Jiang y Lionel Buchaillot. "Theoretical predictions of wurtzite III-nitride nano-materials properties". Physical Chemistry Chemical Physics 12, n.º 26 (2010): 7203. http://dx.doi.org/10.1039/c002496a.
Texto completoAcharya, Ananta R. "Group III – Nitride Semiconductors: Preeminent Materials for Modern Electronic and Optoelectronic Applications". Himalayan Physics 5 (29 de junio de 2015): 22–26. http://dx.doi.org/10.3126/hj.v5i0.12818.
Texto completoBaten, Md Zunaid, Shamiul Alam, Bejoy Sikder y Ahmedullah Aziz. "III-Nitride Light-Emitting Devices". Photonics 8, n.º 10 (7 de octubre de 2021): 430. http://dx.doi.org/10.3390/photonics8100430.
Texto completoYe, Chao y Qing Peng. "Mechanical Stabilities and Properties of Graphene-like 2D III-Nitrides: A Review". Crystals 13, n.º 1 (22 de diciembre de 2022): 12. http://dx.doi.org/10.3390/cryst13010012.
Texto completoIida, Daisuke y Kazuhiro Ohkawa. "Recent progress in red light-emitting diodes by III-nitride materials". Semiconductor Science and Technology 37, n.º 1 (26 de noviembre de 2021): 013001. http://dx.doi.org/10.1088/1361-6641/ac3962.
Texto completoDing, Yimin, Kui Xue, Jing Zhang, Luo Yan, Qiaoqiao Li, Yisen Yao y Liujiang Zhou. "Two-Dimensional Octuple-Atomic-Layer M2Si2N4 (M = Al, Ga and In) with Long Carrier Lifetime". Micromachines 14, n.º 2 (8 de febrero de 2023): 405. http://dx.doi.org/10.3390/mi14020405.
Texto completoJustice, J., A. Kadiyala, J. Dawson y D. Korakakis. "Group III-Nitride Based Electronic and Optoelectronic Integrated Circuits for Smart Lighting Applications". MRS Proceedings 1492 (2013): 123–28. http://dx.doi.org/10.1557/opl.2013.369.
Texto completoRezaei, B., A. Asgari y M. Kalafi. "Electronic band structure pseudopotential calculation of wurtzite III-nitride materials". Physica B: Condensed Matter 371, n.º 1 (enero de 2006): 107–11. http://dx.doi.org/10.1016/j.physb.2005.10.003.
Texto completoNakamura, Shuji. "First laser diodes fabricated from III–V nitride based materials". Materials Science and Engineering: B 43, n.º 1-3 (enero de 1997): 258–64. http://dx.doi.org/10.1016/s0921-5107(96)01850-8.
Texto completoNakamura, Shuji. "Future Technologies and Applications of III-Nitride Materials and Devices". Engineering 1, n.º 2 (junio de 2015): 161. http://dx.doi.org/10.15302/j-eng-2015059.
Texto completoRodriguez, B. J., A. Gruverman, A. I. Kingon y R. J. Nemanich. "Piezoresponse force microscopy for piezoelectric measurements of III-nitride materials". Journal of Crystal Growth 246, n.º 3-4 (diciembre de 2002): 252–58. http://dx.doi.org/10.1016/s0022-0248(02)01749-9.
Texto completoMuthuraj, Vineeta R., Caroline E. Reilly, Thomas Mates, Shuji Nakamura, Steven P. DenBaars y Stacia Keller. "Properties of high to ultrahigh Si-doped GaN grown at 550 °C by flow modulated metalorganic chemical vapor deposition". Applied Physics Letters 122, n.º 14 (3 de abril de 2023): 142103. http://dx.doi.org/10.1063/5.0142941.
Texto completoRen, C. X., T. J. Puchtler, T. Zhu, J. T. Griffiths y R. A. Oliver. "Defects in III-nitride microdisk cavities". Semiconductor Science and Technology 32, n.º 3 (14 de febrero de 2017): 033002. http://dx.doi.org/10.1088/1361-6641/32/3/033002.
Texto completoZhao, Degang. "III-nitride based ultraviolet laser diodes". Journal of Semiconductors 40, n.º 12 (diciembre de 2019): 120402. http://dx.doi.org/10.1088/1674-4926/40/12/120402.
Texto completoWang, Yongjin, Tong Wu, Takuma Tanae, Hongbo Zhu y Kazuhiro Hane. "The resonant III-nitride grating reflector". Journal of Micromechanics and Microengineering 21, n.º 10 (21 de septiembre de 2011): 105025. http://dx.doi.org/10.1088/0960-1317/21/10/105025.
Texto completoRömer, Friedhard, Martin Guttmann, Tim Wernicke, Michael Kneissl y Bernd Witzigmann. "Effect of Inhomogeneous Broadening in Ultraviolet III-Nitride Light-Emitting Diodes". Materials 14, n.º 24 (20 de diciembre de 2021): 7890. http://dx.doi.org/10.3390/ma14247890.
Texto completoAdekore, B. T., K. Rakes, B. Wang, M. J. Callahan, S. Pendurti y Z. Sitar. "Ammonothermal synthesis of aluminum nitride crystals on group III-nitride templates". Journal of Electronic Materials 35, n.º 5 (mayo de 2006): 1104–11. http://dx.doi.org/10.1007/bf02692573.
Texto completoYakovlev, E. V., R. A. Talalaev, A. S. Segal, A. V. Lobanova, W. V. Lundin, E. E. Zavarin, M. A. Sinitsyn, A. F. Tsatsulnikov y A. E. Nikolaev. "Hydrogen effects in III-nitride MOVPE". Journal of Crystal Growth 310, n.º 23 (noviembre de 2008): 4862–66. http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2008.07.099.
Texto completoJiang, H. X. y J. Y. Lin. "III-Nitride Quantum Devices—Microphotonics". Critical Reviews in Solid State and Materials Sciences 28, n.º 2 (abril de 2003): 131–83. http://dx.doi.org/10.1080/10408430390802440.
Texto completoWang, Buguo y Michael J. Callahan. "Ammonothermal Synthesis of III-Nitride Crystals". Crystal Growth & Design 6, n.º 6 (junio de 2006): 1227–46. http://dx.doi.org/10.1021/cg050271r.
Texto completoWu, J., W. Walukiewicz, K. M. Yu, J. W. Ager III, E. E. Haller, Hai Lu y William J. Schaff. "Narrow bandgap group III-nitride alloys". physica status solidi (b) 240, n.º 2 (noviembre de 2003): 412–16. http://dx.doi.org/10.1002/pssb.200303475.
Texto completoShreter, Y. G., Y. T. Rebane y W. N. Wang. "III-Nitride Unipolar Light Emitting Devices". physica status solidi (a) 180, n.º 1 (julio de 2000): 307–13. http://dx.doi.org/10.1002/1521-396x(200007)180:1<307::aid-pssa307>3.0.co;2-z.
Texto completoNavarro-Quezada, Andrea. "Magnetic Nanostructures Embedded in III-Nitrides: Assembly and Performance". Crystals 10, n.º 5 (1 de mayo de 2020): 359. http://dx.doi.org/10.3390/cryst10050359.
Texto completoLiu, Xianhe, Faqrul A. Chowdhury, Srinivas Vanka, Sheng Chu y Zetian Mi. "Emerging Applications of III‐Nitride Nanocrystals". physica status solidi (a) 217, n.º 7 (25 de febrero de 2020): 1900885. http://dx.doi.org/10.1002/pssa.201900885.
Texto completoKhokhlev, Oleg V., Kirill A. Bulashevich y Sergey Yu Karpov. "Polarization doping for III-nitride optoelectronics". physica status solidi (a) 210, n.º 7 (18 de marzo de 2013): 1369–76. http://dx.doi.org/10.1002/pssa.201228614.
Texto completoFu, C., Y. He, C. Yang, J. He, L. Sun, K. Du, X. Zhang et al. "Investigation of Adsorption of Nd(III) on Boron Nitride Nanosheets in Water". Nature Environment and Pollution Technology 22, n.º 2 (1 de junio de 2023): 991–96. http://dx.doi.org/10.46488/nept.2023.v22i02.044.
Texto completoJamal-Eddine, Zane, Yuewei Zhang y Siddharth Rajan. "Recent Progress in III-Nitride Tunnel Junction-Based Optoelectronics". International Journal of High Speed Electronics and Systems 28, n.º 01n02 (marzo de 2019): 1940012. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156419400123.
Texto completoAnderson, T. J., K. D. Hobart, M. J. Tadjer, A. D. Koehler, E. A. Imhoff, J. K. Hite, T. I. Feygelson, B. B. Pate, C. R. Eddy y F. J. Kub. "Nanocrystalline Diamond Integration with III-Nitride HEMTs". ECS Journal of Solid State Science and Technology 6, n.º 2 (13 de octubre de 2016): Q3036—Q3039. http://dx.doi.org/10.1149/2.0071702jss.
Texto completoSnyder, Patrick J., Ronny Kirste, Ramon Collazo y Albena Ivanisevic. "Nanoscale topography, semiconductor polarity and surface functionalization: additive and cooperative effects on PC12 cell behavior". RSC Advances 6, n.º 100 (2016): 97873–81. http://dx.doi.org/10.1039/c6ra21936e.
Texto completoZavada, J. M. "Revisiting Impurity Doping of III-Nitride Materials for Photonic Device Applications". ECS Transactions 50, n.º 6 (15 de marzo de 2013): 253–59. http://dx.doi.org/10.1149/05006.0253ecst.
Texto completoChen, Fei, Xiaohong Ji y Shu Ping Lau. "Recent progress in group III-nitride nanostructures: From materials to applications". Materials Science and Engineering: R: Reports 142 (octubre de 2020): 100578. http://dx.doi.org/10.1016/j.mser.2020.100578.
Texto completoWang, George T., Qiming Li, Jianyu Huang, Jonathan Wierer, Andrew Armstrong, Yong Lin, Prashanth Upadhya y Rohit Prasankumar. "(Invited) III-Nitride Nanowires: Emerging Materials for Lighting and Energy Applications". ECS Transactions 35, n.º 6 (16 de diciembre de 2019): 3–11. http://dx.doi.org/10.1149/1.3570840.
Texto completoRazeghi, Manijeh, Alireza Yasan, Ryan McClintock, Kathryn Mayes, Derek Shiell, Shaban Ramezani Darvish y Patrick Kung. "Review of III-nitride optoelectronic materials for light emission and detection". physica status solidi (c) 1, S2 (agosto de 2004): S141—S148. http://dx.doi.org/10.1002/pssc.200405133.
Texto completoSin, Yongkun, Stephen LaLumondiere, Nathan Wells, Zachary Lingley, Nathan Presser, William Lotshaw, Steven C. Moss et al. "Carrier Dynamics in MOVPE-Grown Bulk InGaAsNSb Materials and Epitaxial Lift-Off GaAs Double Heterostructures for Multi-junction Solar Cells". MRS Proceedings 1635 (2014): 55–62. http://dx.doi.org/10.1557/opl.2014.370.
Texto completoDauelsberg, Martin y Roman Talalaev. "Progress in Modeling of III-Nitride MOVPE". Progress in Crystal Growth and Characterization of Materials 66, n.º 3 (agosto de 2020): 100486. http://dx.doi.org/10.1016/j.pcrysgrow.2020.100486.
Texto completoEisele, Holger y Philipp Ebert. "Non-polar group-III nitride semiconductor surfaces". physica status solidi (RRL) - Rapid Research Letters 6, n.º 9-10 (7 de septiembre de 2012): 359–69. http://dx.doi.org/10.1002/pssr.201206309.
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