Bibliografías temáticas / Hétérostructures Van der Waals

Índice

  1. Artículos de revistas
  2. Tesis
  3. Libros
  4. Capítulos de libros
  5. Actas de conferencias
  6. Informes

Literatura académica sobre el tema "Hétérostructures Van der Waals"

Autor: Grafiati
Publicado: 25 de mayo de 2024

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Artículos de revistas sobre el tema "Hétérostructures Van der Waals"

1

Arunan, E. "van der Waals". Resonance 15, n.º 7 (julio de 2010): 584–87. http://dx.doi.org/10.1007/s12045-010-0043-3.

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2

Han, Jianing. "Two-Dimensional Six-Body van der Waals Interactions". Atoms 10, n.º 1 (24 de enero de 2022): 12. http://dx.doi.org/10.3390/atoms10010012.

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Resumen
Van der Waals interactions, primarily attractive van der Waals interactions, have been studied over one and half centuries. However, repulsive van der Waals interactions are less widely studied than attractive van der Waals interactions. In this article, we focus on repulsive van der Waals interactions. Van der Waals interactions are dipole–dipole interactions. In this article, we study the van der Waals interactions between multiple dipoles. Specifically, we focus on two-dimensional six-body van der Waals interactions. This study has many potential applications. For example, the result may be applied to physics, chemistry, chemical engineering, and other fields of sciences and engineering, such as breaking molecules.
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3

Bernasek, Steven L. "Van der Waals rectifiers". Nature Nanotechnology 8, n.º 2 (6 de enero de 2013): 80–81. http://dx.doi.org/10.1038/nnano.2012.242.

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4

Geim, A. K. y I. V. Grigorieva. "Van der Waals heterostructures". Nature 499, n.º 7459 (julio de 2013): 419–25. http://dx.doi.org/10.1038/nature12385.

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5

Levitov, L. S. "Van Der Waals' Friction". Europhysics Letters (EPL) 8, n.º 6 (15 de marzo de 1989): 499–504. http://dx.doi.org/10.1209/0295-5075/8/6/002.

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6

Capozziello, S., S. De Martino y M. Falanga. "Van der Waals quintessence". Physics Letters A 299, n.º 5-6 (julio de 2002): 494–98. http://dx.doi.org/10.1016/s0375-9601(02)00753-3.

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7

Bärwinkel, Klaus y Jürgen Schnack. "van der Waals revisited". Physica A: Statistical Mechanics and its Applications 387, n.º 18 (julio de 2008): 4581–88. http://dx.doi.org/10.1016/j.physa.2008.03.019.

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8

Levelt Sengers, J. M. H. y J. V. Sengers. "van der Waals fund, van der Waals laboratory and Dutch high-pressure science". Physica A: Statistical Mechanics and its Applications 156, n.º 1 (marzo de 1989): 1–14. http://dx.doi.org/10.1016/0378-4371(89)90107-6.

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9

Wu, Yan-Fei, Meng-Yuan Zhu, Rui-Jie Zhao, Xin-Jie Liu, Yun-Chi Zhao, Hong-Xiang Wei, Jing-Yan Zhang et al. "The fabrication and physical properties of two-dimensional van der Waals heterostructures". Acta Physica Sinica 71, n.º 4 (2022): 048502. http://dx.doi.org/10.7498/aps.71.20212033.

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Resumen
Two-dimensional van der Waals materials (2D materials for short) have developed into a novel material family that has attracted much attention, and thus the integration, performance and application of 2D van der Waals heterostructures has been one of the research hotspots in the field of condensed matter physics and materials science. The 2D van der Waals heterostructures provide a flexible and extensive platform for exploring diverse physical effects and novel physical phenomena, as well as for constructing novel spintronic devices. In this topical review article, starting with the transfer technology of 2D materials, we will introduce the construction, performance and application of 2D van der Waals heterostructures. Firstly, the preparation technology of 2D van der Waals heterostructures in detail will be presented according to the two classifications of wet transfer and dry transfer, including general equipment for transfer technology, the detailed steps of widely used transfer methods, a three-dimensional manipulating method for 2D materials, and hetero-interface cleaning methods. Then, we will introduce the performance and application of 2D van der Waals heterostructures, with a focus on 2D magnetic van der Waals heterostructures and their applications in the field of 2D van der Waals magnetic tunnel junctions and moiré superlattices. The development and optimization of 2D materials transfer technology will boost 2D van der Waals heterostructures to achieve breakthrough results in fundamental science research and practical application.
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Ao, Hong Rui, Ming Dong, Xi Chao Wang y Hong Yuan Jiang. "Analysis of Pressure Distribution on Head Disk Air Bearing Slider Involved Van der Waals Force". Applied Mechanics and Materials 419 (octubre de 2013): 111–16. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amm.419.111.

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Resumen
This paper focuses on the pressure distribution on the surface of slider in hard disk drive when its flying height is in nanoscale. The gas rarefaction effect and van der Waals force are involved in the analysis process. Here the air bearing force model is based on F-K model and we establish the equation of van der Waals force between the head and disk. Using the finite element method, the modified Reynolds equation and the van der Waals force were obtained. The air bearing force on slider before and after the van der Waals force involved were compared. The results illustrate that the effect of van der Waals force on the air bearing force is different according to the slider shapes and flying heights. As a result, van der Waals force plays an important role when the flying height of slider is below 10 nm.
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Más fuentes

Tesis sobre el tema "Hétérostructures Van der Waals"

1

Henck, Hugo. "Hétérostructures de van der Waals à base de Nitrure". Thesis, Université Paris-Saclay (ComUE), 2017. http://www.theses.fr/2017SACLS319/document.

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Resumen
Le sujet de cette thèse est à l’interface entre l’étude de composés à base de nitrure et des structures émergeantes formées par les matériaux bidimensionnels (2D) d’épaisseur atomique. Ce travail se consacre sur l’hybridation des propriétés électriques et optiques des semi-conducteurs à larges bandes interdites que sont les nitrures et des performances mécaniques, électriques et optiques des matériaux lamellaires, récemment isolé à l’échelle d’un plan atomique, qui sont aujourd’hui considérées avec attention aux regards de futures applications et d’études plus fondamentales. En particulier, une étude des propriétés électroniques, optiques et structurelles d’hétérostructures composées de plusieurs matériaux lamellaires et d’interfaces entre matériaux 2D et 3D a été réalisé par des moyens de microscopie et de spectroscopie tel que la spectroscopie Raman, de photoémission et d’absorption.Ce manuscrit traite dans un premier temps des propriétés structurelles et électroniques du nitrure de bore hexagonal (h-BN), matériau isolant aux propriétés optiques exotiques et essentiel dans la future intégration de ce type de matériaux 2D permettant de mettre en valeur leurs propriétés intrinsèques.En utilisant le graphène comme substrat les problèmes de mesures par photoémission rencontrés pour des matériaux isolant ont pu être surmonté dans le cas du h-BN et une étude des défauts structurels a pu être réalisée. Par conséquent, les premières mesures directes de la structure de bande électronique de plusieurs plans de h-BN sont présentées dans ce manuscrit.Dans un second temps, une approche d’intégration de ces matériaux 2D différente a été étudiée en formant une hétérostructure 2D/3D. L’interface de cette hétérojonction, composée d’un plan de disulfure de molybdène (MoS2) de dopage intrinsèque N associé à 300 nm de nitrure de gallium (GaN) intentionnellement dopé P à l’aide de magnésium, a été caractérisée. Un transfert de charge du GaN vers le MoS2 a pu être identifié suggérant un contrôle des propriétés électroniques de ce type de structure par le choix de matériaux.Ces travaux ont permis de révéler les diagrammes de bandes électroniques complet des structures étudiées a pu être obtenu permettant une meilleur compréhension de ces systèmes émergeants
This thesis is at the interface between the study of nitride based compounds and the emerging structures formed by atomically thin bi-dimensional (2D) materials. This work consists in the study of the hybridization of the properties of large band gap materials from the nitride family and the mechanical, electronic and optical performances of layered materials, recently isolated at the monolayer level, highly considered due to their possible applications in electronics devices and fundamental research. In particular, a study of electronics and structural properties of stacked layered materials and 2D/3D interfaces have been realised with microscopic and spectroscopic means such as Raman, photoemission and absorption spectroscopy.This work is firstly focused on the structural and electronic properties of hexagonal boron nitride (h-BN), insulating layered material with exotic optical properties, essential in in the purpose of integrating these 2D materials with disclosed performances. Using graphene as an ideal substrate in order to enable the measure of insulating h-BN during photoemission experiments, a study of structural defects has been realized. Consequently, the first direct observation of multilayer h-BN band structure is presented in this manuscript. On the other hand, a different approach consisting on integrating bi-dimensional materials directly on functional bulk materials has been studied. This 2D/3D heterostructure composed of naturally N-doped molybdenum disulphide and intentionally P-doped gallium nitride using magnesium has been characterised. A charge transfer from GaN to MoS2 has been observed suggesting a fine-tuning of the electronic properties of such structure by the choice of materials.In this work present the full band alignment diagrams of the studied structure allowing a better understanding of these emerging systems
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Nayak, Goutham. "Amélioration des propriétés physiques de matériaux de basse-dimensionnalité par couplage dans des hétérostructures Van der Waals". Thesis, Université Grenoble Alpes (ComUE), 2018. http://www.theses.fr/2018GREAY084/document.

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Resumen
Les propriétés intrinsèques extraordinaires de ces matériaux de faible dimension dépendent fortement de l'environnement auquel ils sont soumis. Par conséquent, ils doivent être préparés, traités et caractérisés sans défauts. Dans cette thèse, je discute de la manière de contrôler l'environnement des nanomatériaux de faible dimension tels que le graphène, le MoS$_{2}$ et les nanotubes de carbone afin de préserver leurs propriétés physiques intrinsèques. De nouvelles solutions pour l'amélioration des propriétés sont discutées en profondeur. Dans la première partie, nous fabriquons des dispositifs d'hétérostructure à base de graphène de Van der Waals (VdW) de dernière génération, en contact avec les bords, encapsulés dans du nitrure de bore hexagonal (hBN), afin d'obtenir un transport balistique. Nous utilisons une technique basée sur des mesures de bruit 1 / f pour sonder le transport de masse et de bord lors de régimes Quantum Hall entiers et fractionnaires. Dans la deuxième partie, le même concept de fabrication des hétérostructures VdW a été étendu pour encapsuler la couche monocouche MoS $_{2}$ dans le hBN afin d'en modifier les propriétés optiques. À cet égard, nous présentons une étude approfondie sur l'origine et la caractérisation des défauts intrinsèques et extrinsèques et leur incidence sur les propriétés optiques. En outre, nous décrivons une technique pour sonder le couplage entre couches ainsi que la génération de lumière avec une résolution spatiale inférieure à la limite de diffraction de la lumière. Enfin, nous discutons d'un processus systémique naturel visant à améliorer les propriétés mécaniques de la soie polymérique naturelle à l'aide d'une nanotubes de carbone à paroi unique fabriqués par HipCO comme aliment pour le ver à soie
The extraordinary intrinsic properties of low dimensional materials depend highly on the environment they are subjected to. Hence they need to be prepared, processed and characterized without defects. In this thesis, I discuss about how to control the environment of low dimensional nanomaterials such as graphene, MoS2 and carbon nanotubes to preserve their intrinsic physical properties. Novel solutions for property enhancements are discussed in depth. In the first part, we fabricate state-of-the-art, edge-contacted, graphene Van der Waals(VdW) heterostructuredevices encapsulated in hexagonal-boron nitride(hBN), to obtain ballistic transport. We use a technique based on 1/f-noise measurements to probe bulk and edge transport during integer and fractional Quantum Hall regimes. In the second part, the same fabrication concept of VdW heterostructures has been extended to encapsulate monolayer MoS2 in hBN to improve optical properties. In this regard we present an extensive study about the origin and characterization of intrinsic and extrinsic defects and their affect on optical properties. Further, we describe a technique to probe the interlayer coupling along with the generation of light with spatialresolution below the diffraction limit of light. Finally, we discuss a natural systemic process to enhance the mechanical properties of natural polymer silk using HipCO-made single walled carbon nanotubes as a food for silkworm
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Lorchat, Étienne. "Optical spectroscopy of heterostructures based on atomically-thin semiconductors". Thesis, Strasbourg, 2019. http://www.theses.fr/2019STRAE035.

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Resumen
Au cours de cette thèse, nous avons fabriqué et étudié par spectroscopie optique, des hétérostructures de van der Waals, composées de monofeuillets semi-conducteurs (dichalcogénures de métaux de transition, DMT) couplés à une monocouche de graphène ou à un résonateur plasmonique. Nous avons observé des modifications importantes de la dynamique des états excités optiquement dans le DMT (excitons) lorsque celui-ci est en contact avec le graphène. Le graphène neutralise la couche de DMT et permet un transfert non-radiatif d’excitons en moins de quelques picosecondes. Ce transfert d’énergie peut s’accompagner d’un photodopage extrinsèque considérablement moins efficace. La réduction de la durée de vie des excitons du DMT en présence de graphène a été exploitée pour montrer que leur pseudo-spin de vallée maintenait un degré de polarisation et de cohérence important jusqu’à température ambiante. Enfin, en couplant fortement les excitons d’un DMT aux modes d’un résonateur plasmonique à phase géométrique, nous avons mis en évidence, à température ambiante, le verrouillage du pseudo-spin de vallée sur la direction de propagation des polaritons chiraux (chiralitons) issus du couplage
During this thesis, we have fabricated and studied by optical spectroscopy, van der Waals heterostructures composed of semiconductor monolayers (transition metal dichalcogenides, TMD) coupled to a graphene monolayer or to a plasmonic resonator. We have observed significant changes in the dynamics of the TMD optically excited states (excitons) when it is in direct contact with graphene. Graphene neutralizes the TMD monolayer and enables non-radiative transfer of excitons within less than a few picoseconds. This energy transfer process may be accompanied by a considerably less efficient, extrinsic photodoping. The reduced lifetime of TMD excitons in the presence of graphene has been exploited to show that their valley pseudo-spin maintains a high degree of polarization and coherence up to room temperature. Finally, by strongly coupling TMD excitons to the modes of a geometric phase plasmonic resonator, we have demonstrated, at room temperature, that the momentum of the resulting chiral polaritons (chiralitons) is locked to their valley pseudo-spin
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Froehlicher, Guillaume. "Optical spectroscopy of two-dimensional materials : graphene, transition metal dichalcogenides and van der Waals heterostructures". Thesis, Strasbourg, 2016. http://www.theses.fr/2016STRAE033/document.

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Resumen
Au cours de ce projet, nous avons utilisé la microspectroscopie Raman et de photoluminescence pour étudier des matériaux bidimensionnels (graphène et dichalcogénures de métaux de transition) et des hétérostructures de van der Waals. Tout d’abord, à l’aide de transistors de graphène munis d’une grille électrochimique, nous montrons que la spectroscopie Raman est un outil extrêmement performant pour caractériser précisément des échantillons de graphène. Puis, nous explorons l’évolution des propriétés physiques de N couches de dichalcogénures de métaux de transition semi-conducteurs, en particulier de ditellurure de molybdène (MoTe2) et de diséléniure de molybdène (MoSe2). Dans ces structures lamellaires, nous observons la séparation de Davydov des phonons optiques au centre de la première zone de Brillouin, que nous décrivons à l’aide d’un modèle de chaîne linéaire. Enfin, nous présentons une étude toute optique du transfert de charge et d’énergie dans des hétérostructures de van der Waals constituées de monocouches de graphène et de MoSe2. Ce travail de thèse met en évidence la riche photophysique de ces matériaux atomiquement fins et leur potentiel en vue de la réalisation de nouveaux dispositifs optoélectroniques
In this project, we have used micro-Raman and micro-photoluminescence spectroscopy to study two-dimensional materials (graphene and transition metal dichalcogenides) and van der Waals heterostructures. First, using electrochemically-gated graphene transistors, we show that Raman spectroscopy is an extremely sensitive tool for advanced characteri-zations of graphene samples. Then, we investigate the evolution of the physical properties of N-layer semiconducting transition metal dichalcogenides, in particular molybdenum ditelluride (MoTe2) and molybdenum diselenide (MoSe2). In these layered structures, theDavydov splitting of zone-center optical phonons is observed and remarkably well described by a ‘textbook’ force constant model. We then describe an all-optical study of interlayer charge and energy transfer in van der Waals heterostructures made of graphene and MoSe2 monolayers. This work sheds light on the very rich photophysics of these atomically thin two-dimensional materials and on their potential in view of optoelectronic applications
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Di, Felice Daniela. "Electronic structure and transport in the graphene/MoS₂ heterostructure for the conception of a field effect transistor". Thesis, Université Paris-Saclay (ComUE), 2018. http://www.theses.fr/2018SACLS267/document.

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Resumen
L'isolement du graphène, une monocouche de graphite composée d'un plan d’atomes de carbone, a démontré qu'il est possible de séparer un seul plan d'épaisseur atomique, que l'on appelle matériau bidimensionnel (2D), à partir des solides de Van de Waals (vdW). Grâce à leur stabilité, différents matériaux 2D peuvent être empilés pour former les hétérostructures de vdW. L'interaction vdW à l'interface étant suffisamment faible, les propriétés spécifiques de chaque matériau demeurent globalement inchangées dans l’empilement. En utilisant une démarche théorique et computationnelle basée sur la théorie de la fonctionnelle de la densité (DFT) et le formalisme de Keldysh-Green, nous avons étudié l'hétérostructure graphène/MoS₂ . Le principal intérêt des propriétés spécifiques du graphène et du MoS₂ pour la conception d'un transistor à effet de champ réside dans la mobilité du graphène, à la base d'un transistor haute performance et dans le gap électronique du MoS₂, à la base de la commutation du dispositif. Tout d'abord, nous avons étudié les effets de la rotation entre les deux couches sur les propriétés électroniques à l'interface, en démontrant que les propriétés électroniques globales ne sont pas affectées par l'orientation. En revanche, les images STM (microscope à effet tunnel) sont différentes pour chaque orientation, en raison d'un changement de densité de charge locale. Dans un deuxième temps, nous avons utilisé l’interface graphène/MoS₂ en tant que modèle très simple de Transistor à Effet de Champ. Nous avons analysé le rôle des hétérostructures de vdW sur la performance du transistor, en ajoutant des couches alternées de graphène et MoS₂ sur l'interface graphène/MoS₂. Il a ainsi été démontré que la forme de la DOS au bord du gap est le paramètre le plus important pour la vitesse de commutation du transistor, alors que si l’on ajoute des couches, il n’y aura pas d’amélioration du comportement du transistor, en raison de l'indépendance des interfaces dans les hétérostructures de vdW. Cependant, cela démontre que, dans le cadre de la DFT, on peut étudier les propriétés de transport des hétérostructures de vdW plus complexes en séparant chaque interface et en réduisant le temps de calcul. Les matériaux 2D sont également étudiés ici en tant que pointe pour STM et AFM (microscope à force atomique) : une pointe de graphène testée sur MoS₂ avec défauts a été comparée aux résultats correspondants pour une pointe en cuivre. La résolution atomique a été obtenue et grâce à l'interaction de vdW entre la pointe et l’échantillon, il est possible d’éviter les effets de contact responsables du transfert d'atomes entre la pointe et l'échantillon. En outre, l'analyse des défauts est très utile du fait de la présence de nouveaux pics dans le gap du MoS₂ : ils peuvent ainsi être utilisés pour récupérer un pic de courant et donner des perspectives pour améliorer la performance des transistors
The isolation of graphene, a single stable layer of graphite, composed by a plane of carbon atoms, demonstrated the possibility to separate a single layer of atomic thickness, called bidimensional (2D) material, from the van der Waals (vdW) solids. Thanks to their stability, 2D materials can be used to form vdW heterostructures, a vertical stack of different 2D crystals maintained together by the vdW forces. In principle, due to the weakness of the vdW interaction, each layer keeps its own global electronic properties. Using a theoretical and computational approach based on the Density Functional Theory (DFT) and Keldish-Green formalism, we have studied graphene/MoS₂ heterostructure. In this work, we are interested in the specific electronic properties of graphene and MoS₂ for the conception of field effect transistor: the high mobility of graphene as a basis for high performance transistor and the gap of MoS₂ able to switch the device. First, the graphene/MoS₂ interface is electronically characterized by analyzing the effects of different orientations between the layers on the electronic properties. We demonstrated that the global electronic properties as bandstructure and Density of State (DOS) are not affected by the orientation, whereas, by mean of Scanning Tunneling Microscope (STM) images, we found that different orientations leads to different local DOS. In the second part, graphene/MoS₂ is used as a very simple and efficient model for Field Effect Transistor. The role of the vdW heterostructure in the transistor operation is analyzed by stacking additional and alternate graphene and MoS₂ layers on the simple graphene/MoS₂ interface. We demonstrated that the shape of the DOS at the gap band edge is the fundamental parameter in the switch velocity of the transistor, whereas the additional layers do not improve the transistor behavior, because of the independence of the interfaces in the vdW heterostructures. However, this demonstrates the possibility to study, in the framework of DFT, the transport properties of more complex vdW heterostructures, separating the single interfaces and reducing drastically the calculation time. The 2D materials are also studied in the role of a tip for STM and Atomic Force Microscopy (AFM). A graphene-like tip, tested on defected MoS₂, is compared with a standard copper tip, and it is found to provide atomic resolution in STM images. In addition, due to vdW interaction with the sample, this tip avoids the contact effect responsible for the transfer of atoms between the tip and the sample. Furthermore, the analysis of defects can be very useful since they induce new peaks in the gap of MoS₂: hence, they can be used to get a peak of current representing an interesting perspective to improve the transistor operation
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Ben, Jabra Zouhour. "Study of new heterostructures : silicene on graphene". Electronic Thesis or Diss., Aix-Marseille, 2021. http://www.theses.fr/2021AIXM0583.

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Resumen
Le but de ce travail est la croissance du silicène sur Gr. J'ai décrit le substrat en fonction des conditions d’élaboration par CVD. Lorsque la proportion de H2 est faible il est possible d’obtenir du Gr homogène sur couche tampon (BL) sur SiC. Le STM et LEED montrent la superposition de la maille du Gr et de la reconstruction de la BL représentatif du Gr épitaxié. Lorsque la proportion de H2 est élevée la couche de Gr obtenue est totalement hydrogénée. Ceci est un résultat nouveau car aucun procédé d’intercalation d’hydrogène n’avait permis jusqu’à présent d’hydrogéner totalement les échantillons de (6x6)Gr épitaxié sur BL. Pour des proportions intermédiaires de H2/Ar, la coexistence de (6x6)Gr et H-Gr est observée. En fonction de la proportion de H2 dans le mélange gazeux, soit la surface du SiC reste passivée pendant toute la croissance du Gr et on obtient du H-Gr, soit le H2 désorbe partiellement, ou totalement et on obtient soit la coexistence des deux structures soit du (6x6)Gr pleine plaque. J’ai étudié la croissance par MBE de Si-ene sur (6x6)Gr. J’ai démontré qu'il est possible de former des flaques de Si-ene pour des épaisseurs de dépôt <0.5MC. Nous observons la présence de zones planes d’une épaisseur de 0.2-0.3nm correspondant à une monocouche de Si-ene, entourées d’îlots dendritiques 3D de Si. Les spectres Raman mettent en évidence un pic allant jusqu’à 563cm-1 ce qui est la valeur la plus proche du Si-ene FS jamais obtenue. Ces démontrent la formation de Si-ene quasi-FS. Ce travail contribue à une meilleure compréhension du mécanisme de croissance CVD du Gr et à l’avancement des recherches dans le domaine de la croissance épitaxiale des matériaux 2D
The topic of this thesis deals with the study of the growth and properties of silicene (Si-ene) on graphene (Gr) on 6H-SiC(0001) with the final goal of forming free-standing (FS) Si-ene on an insulating or semiconductor substrate. I have described the substrate as a function of the CVD processing conditions. When the proportion of H2 is low it is possible to obtain homogeneous Gr on buffer layer (BL) on SiC. The STM and LEED show the superposition of the Gr mesh and the BL reconstruction representative of the epitaxial Gr. When the proportion of H2 is high, the resulting Gr layer is fully hydrogenated. This is a new result as no hydrogen intercalation process has been able to fully hydrogenate (6x6)Gr samples epitaxial on BL until now. For intermediate proportions of H2/Ar, the coexistence of (6x6)Gr and H-Gr is observed. Depending on the proportion of H2 in the gas mixture, either the SiC surface remains passivated during the entire Gr growth and H-Gr is obtained, or the H2 partially or totally desorbs and either both structures coexist or full plate (6x6)Gr is obtained. I have studied the MBE growth of Si-ene on (6x6)Gr. I have shown that it is possible to form Si-ene puddles for deposit thicknesses <0.5MC. We observe the presence of flat areas of 0.2-0.3nm thickness corresponding to a Si-ene monolayer, surrounded by 3D dendritic islands of Si. The Raman spectra show a peak up to 563cm-1 which is the closest value to Si-ene FS ever obtained. This demonstrates the formation of quasi-FS Si-ene. This work contributes to a better understanding of the CVD growth mechanism of Gr and to the advancement of research in the field of epitaxial growth of 2D materials
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Marcon, Paul. "Calcul ab-initio des propriétés physiques d'hétérostructures associant des matériaux ferromagnétiques à anisotropie magnétique perpendiculaire et des dichalcogénures de métaux de transition". Electronic Thesis or Diss., Toulouse 3, 2023. http://www.theses.fr/2023TOU30273.

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Resumen
La possibilité de synthétiser des hétérostructures formées de matériaux 2D offre des perspectives majeures pour l'amélioration des composants spintroniques actuels ou la réalisation de nouveaux dispositifs. Le contrôle et la bonne compréhension des propriétés physiques de ces systèmes constituent de fait un enjeu technologique majeur. Au cours de cette thèse, nous avons étudié, à l'aide de calculs ab initio basés sur la théorie de la fonctionnelle de la densité (DFT), des hétérostructures formées de monocouches de dichalcogénures de métaux de transition (TMDCs) et de cristaux ferromagnétiques présentant une anisotropie magnétique perpendiculaire. Trois objectifs principaux ont été définis : (i) comprendre comment utiliser la proximité magnétique pour lever la dégénérescence des vallées et quantifier l'effet Zeeman des vallées ; (ii) évaluer la possibilité d'injecter un gaz d'électrons polarisé en spin dans des vallées spécifiques du feuillet de TMDC ; (iii) examiner l'impact de la proximité sur le couplage spin-orbite dans le feuillet de TMDC et sur les phénomènes Rashba et Dresselhaus dans ces systèmes. Nous avons d'abord étudié des multicouches possédant une électrode constituée d'un métal et d'une barrière isolante non 2D. Dans le système Fe/MgO/MoS2, nous avons calculé qu'un transfert d'électrons spontané s'opère de la couche de Fe vers le monofeuillet de MoS2, donnant lieu à la formation d'un gaz d'électrons non polarisé en spin. Nous avons établi un modèle expliquant la compétition entre les effets spin-orbite de type Rashba et Dresselhaus et les effets de proximité magnétique sur les bandes de valence de MoS2 : Ce modèle nous a permis de montrer que les effets de proximité sont prédominants pour une faible épaisseur de MgO (<0.42 nm), et tendent à disparaître au profit des effets spin-orbite pour à plus forte épaisseur (> 1.06 nm). Nous avons prédit qu'il est possible d'obtenir des effets spin-orbites plus forts en remplaçant l'électrode de Fe par une électrode non-magnétique de V. Afin d'augmenter les effets de proximité magnétique, nous avons finalement décider d'étudier des hétérostructures [Co1Ni2]n/h-BN/WSe2, dans lesquelles [Co1Ni2]n est un super réseau à anisotropie magnétique perpendiculaire et h-BN un isolant bidimensionnel. Pour ce système, nous prédisons qu'il serait possible d'avoir une polarisation en spin des vallées aux points K et K'. Finalement, nous avons étudié les propriétés particulières de l'hétérostructure de van der Waals Graphène/CrI3/WSe2,dans laquelle l'électrode magnétique est également remplacée par des matériaux 2D
The ability to synthesize heterostructures made up of 2D materials provides significant opportunities for improving current spintronic components or developing new devices. Thus, the control and deep understanding of the physical properties of these systems become a critical technological challenge. During this thesis, we examined heterostructures composed of transition metal dichalcogenide (TMDC) monolayers and ferromagnetic crystals exhibiting perpendicular magnetic anisotropy, using ab initio calculations based on density functional theory (DFT). We focus on three main goals: (i) understanding how to use magnetic proximity to lift valley degeneracy and quantify the valley Zeeman effect; (ii) assessing the possibility of injecting spin-polarized electron gas into specific valleys of the TMDC sheet; (iii) investigating the impact of proximity on spin-orbit coupling in the TMDC sheet and on the Rashba and Dresselhaus phenomena in these systems. We first studied multilayers with an electrode made up of a metal and a non-2D insulating barrier. In the Fe/MgO/MoS2 system, we computed that a spontaneous electron transfer occurs from the Fe layer to the MoS2 monolayer, leading to the formation of a non-spin-polarized electron gas. We established a model explaining the competition between Rashba and Dresselhaus-type spin-orbit effects and magnetic proximity effect on the MoS2 valence bands: This model allowed us to show that proximity effect predominate for thin MgO (<0.42 nm) and tend to disappear in favor of spin-orbit effects for thicker layers (> 1.06 nm). We predicted that stronger spin-orbit effects can be achieved by replacing the Fe electrode with a non-magnetic V electrode. To boost the magnetic proximity effects, we finally decided to study [Co1Ni2]n/h-BN/WSe2 heterostructures, in which [Co1Ni2]n is a superlattice with perpendicular magnetic anisotropy, and h-BN is a two-dimensional insulator. For this system, we predict that it could be possible to have a spin polarization of the valleys at the K and K' points. Ultimately, we explored the unique properties of the van der Waals heterostructure Graphene/CrI3/WSe2, where the magnetic electrode is also replaced by 2D materials
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Mouafo, Notemgnou Louis Donald. "Two dimensional materials, nanoparticles and their heterostructures for nanoelectronics and spintronics". Thesis, Strasbourg, 2019. http://www.theses.fr/2019STRAE002/document.

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Resumen
Cette thèse porte sur l’étude du transport de charge et de spin dans les nanostructures 0D, 2D et les hétérostructures 2D-0D de Van der Waals (h-VdW). Les nanocristaux pérovskite de La0.67Sr0.33MnO3 ont révélé des magnétorésistances (MR) exceptionnelles à basse température résultant de l’aimantation de leur coquille indépendamment du coeur ferromagnétique. Les transistors à effet de champ à base de MoSe2 ont permis d’élucider les mécanismes d’injection de charge à l’interface metal/semiconducteur 2D. Une méthode de fabrication des h-VdW adaptés à l’électronique à un électron est rapportée et basée sur la croissance d’amas d’Al auto-organisés à la surface du graphene et du MoS2. La transparence des matériaux 2D au champ électrique permet de moduler efficacement l’état électrique des amas par la tension de grille arrière donnant lieu aux fonctionnalités de logique à un électron. Les dispositifs à base de graphene présentent des MR attribuées aux effets magnéto-Coulomb anisotropiques
This thesis investigates the charge and spin transport processes in 0D, 2D nanostructures and 2D-0D Van der Waals heterostructures (VdWh). The La0.67Sr0.33MnO3 perovskite nanocrystals reveal exceptional magnetoresistances (MR) at low temperature driven by their paramagnetic shell magnetization independently of their ferromagnetic core. A detailed study of MoSe2 field effect transistors enables to elucidate a complete map of the charge injection mechanisms at the metal/MoSe2 interface. An alternative approach is reported for fabricating 2D-0D VdWh suitable for single electron electronics involving the growth of self-assembled Al nanoclusters over the graphene and MoS2 surfaces. The transparency the 2D materials to the vertical electric field enables efficient modulation of the electric state of the supported Al clusters resulting to single electron logic functionalities. The devices consisting of graphene exhibit MR attributed to the magneto-Coulomb effect
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Bezzi, Luca. "Materiali 2D van der Waals". Master's thesis, Alma Mater Studiorum - Università di Bologna, 2020.

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Resumen
Dalla scoperta del grafene, molte ricerche sono state condotte sui cosiddetti “materiali 2D”. Questo elaborato si focalizza sulle proprietà strutturali, elettroniche, ottiche ed eccitoniche di due materiali bidimensionali, ossia il grafene il disolfuro di molibdeno (MoS2-1H), quest’ultimo un importante semiconduttore. Le proprietà di questi materiali sono diverse rispetto alla loro controparte massiva (bulk) grafite e MoS2-2H, e un loro confronto è stato preso in considerazione. Come metodo di indagine sono state scelte simulazioni quanto- meccaniche ab initio dei sistemi in esame, un approccio che, negli ultimi decenni, sta avendo un impatto sempre più importante sulla fisica, sulla chimica dello stato solido e sulla scienza dei materiali, promuovendo non solo una comprensione più profonda, ma anche la possibilità di contribuire in modo significativo alla progettazione di materiali per nuove tecnologie. Questo importante passo avanti è stato possibile grazie a: (i) una descrizione migliorata ed efficiente degli effetti elettronici a molti corpi (many-body) nella teoria del funzionale della densità (DFT), nonché lo sviluppo di metodi post-DFT per lo studio di proprietà specifiche; (ii) un’accurata implementazione di questi metodi in software altamente efficienti, stabili e versatili, capaci di sfruttare il potenziale delle architetture informatiche moderne. Tra i possibili software ab initio basati su DFT, abbiamo scelto il pacchetto di simulazione di Vienna ab initio VASP, considerato un gold standard per questo tipo di indagini. I risultati ottenuti per le varie proprietà di bulk e di superficie (bidimensionale) dei materiali scelti sono in ottimo accordo con dati ottenuti in precedenza, sia a livello teorico, sia sperimentale. Questo elaborato getta quindi le basi per futuri studi nel campo dei materiali 2D per comprendere, analizzare, ingegnerizzare nuovi materiali con proprietà desiderabili e per sviluppare nuove applicazioni degli stessi.
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Boddison-Chouinard, Justin. "Fabricating van der Waals Heterostructures". Thesis, Université d'Ottawa / University of Ottawa, 2018. http://hdl.handle.net/10393/38511.

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Resumen
The isolation of single layer graphene in 2004 by Geim and Novoselov introduced a method that researchers could extend to other van der Waals materials. Interesting and new properties arise when we reduce a crystal to two dimensions where they are often different from their bulk counterpart. Due to the van der Waals bonding between layers, these single sheets of crystal can be combined and stacked with diferent sheets to create novel materials. With the goal to study the interesting physics associated to these stacks, the focus of this work is on the fabrication and characterization of van der Waals heterostructures. In this work, we first present a brief history of 2D materials, the fabrication of heterostructures, and the various tools used to characterize these materials. We then give a description of the custom-built instrument that was used to assemble various 2D heterostructures followed by the findings associated with the optimization of the cleanliness of the stack's interface and surface. Finally, we discuss the results related to the twisting of adjacent layers of stacked MoS2 and its relation to the interlayer coupling between said layers.
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Más fuentes

Libros sobre el tema "Hétérostructures Van der Waals"

1

Parsegian, V. Adrian. Van der Waals forces. New York: Cambridge University Press, 2005.

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2

Holwill, Matthew. Nanomechanics in van der Waals Heterostructures. Cham: Springer International Publishing, 2019. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-030-18529-9.

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3

L, Neal Brian, Lenhoff Abraham M y United States. National Aeronautics and Space Administration., eds. Van der Waals interactions involving proteins. New York: Biophysical Society, 1996.

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4

Kipnis, Aleksandr I͡Akovlevich. Van der Waals and molecular sciences. Oxford: Clarendon Press, 1996.

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5

1926-, Rowlinson J. S. y I︠A︡velov B. E, eds. Van der Waals and molecular science. Oxford: Clarendon Press, 1996.

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6

Sily Van-der-Vaalʹsa. Moskva: "Nauka," Glav. red. fiziko-matematicheskoĭ lit-ry, 1988.

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7

Halberstadt, Nadine y Kenneth C. Janda, eds. Dynamics of Polyatomic Van der Waals Complexes. New York, NY: Springer US, 1990. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4684-8009-2.

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8

Halberstadt, Nadine. Dynamics of Polyatomic Van der Waals Complexes. Boston, MA: Springer US, 1991.

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9

NATO Advanced Research Workshop on Dynamics of Polyatomic Van der Waals Complexes (1989 Castéra-Verduzan, France). Dynamics of polyatomic Van der Waals complexes. New York: Plenum Press, 1990.

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10

M, Smirnov B. Cluster ions and Van der Waals molecules. Philadelphia: Gordon and Breach Science Publishers, 1992.

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Capítulos de libros sobre el tema "Hétérostructures Van der Waals"

1

Tsuchiya, Taku. "Van der Waals Force". En Encyclopedia of Earth Sciences Series, 1–2. Cham: Springer International Publishing, 2017. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-319-39193-9_329-1.

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2

Tsuchiya, Taku. "Van der Waals Force". En Encyclopedia of Earth Sciences Series, 1473–74. Cham: Springer International Publishing, 2018. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-319-39312-4_329.

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3

Bruylants, Gilles. "Van Der Waals Forces". En Encyclopedia of Astrobiology, 1728–29. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 2011. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-11274-4_1647.

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4

Zhang, Xiang-Jun. "Van der Waals Forces". En Encyclopedia of Tribology, 3945–47. Boston, MA: Springer US, 2013. http://dx.doi.org/10.1007/978-0-387-92897-5_457.

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5

Arndt, T. "Van-der-Waals-Kräfte". En Springer Reference Medizin, 2429–30. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 2019. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-662-48986-4_3207.

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6

Gooch, Jan W. "Van der Waals Forces". En Encyclopedic Dictionary of Polymers, 788. New York, NY: Springer New York, 2011. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4419-6247-8_12442.

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7

Bruylants, Gilles. "Van der Waals Forces". En Encyclopedia of Astrobiology, 2583–85. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 2015. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-662-44185-5_1647.

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8

Tadros, Tharwat. "Van der Waals Attraction". En Encyclopedia of Colloid and Interface Science, 1395–96. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 2013. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-20665-8_159.

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9

Arndt, T. "Van-der-Waals-Kräfte". En Lexikon der Medizinischen Laboratoriumsdiagnostik, 1. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 2017. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-662-49054-9_3207-1.

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10

Thompson, M. L. "Van Der Waals Complexes". En Inorganic Reactions and Methods, 196. Hoboken, NJ, USA: John Wiley & Sons, Inc., 2007. http://dx.doi.org/10.1002/9780470145227.ch142.

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Actas de conferencias sobre el tema "Hétérostructures Van der Waals"

1

CAPOZZIELLO, S., V. F. CARDONE, S. CARLONI y A. TROISI. "VAN DER WAALS QUINTESSENCE". En Proceedings of the International Conference. WORLD SCIENTIFIC, 2004. http://dx.doi.org/10.1142/9789812702999_0038.

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2

Neundorf, Dörte. "Van-der-Waals-interaction constant". En The 13th international conference on spectral line shapes. AIP, 1997. http://dx.doi.org/10.1063/1.51852.

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3

Davoyan, Artur R. "All-van der Waals metadevices". En Active Photonic Platforms (APP) 2023, editado por Ganapathi S. Subramania y Stavroula Foteinopoulou. SPIE, 2023. http://dx.doi.org/10.1117/12.2678158.

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4

Liu, Chang-Hua. "van der Waals materials integrated nanophotonics". En Plasmonics: Design, Materials, Fabrication, Characterization, and Applications XVIII, editado por Takuo Tanaka y Din Ping Tsai. SPIE, 2020. http://dx.doi.org/10.1117/12.2567598.

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5

Shtabovenko, Vladyslav. "Van der Waals forces in pNRQED". En XITH CONFERENCE ON QUARK CONFINEMENT AND HADRON SPECTRUM. AIP Publishing LLC, 2016. http://dx.doi.org/10.1063/1.4938701.

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6

Majumdar, Arka. "Van der Waals material integrated nanophotonics". En 2D Photonic Materials and Devices IV, editado por Arka Majumdar, Carlos M. Torres y Hui Deng. SPIE, 2021. http://dx.doi.org/10.1117/12.2581864.

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7

Davoyan, Artur. "Nanophotonics with Van der Waals metastructures". En Active Photonic Platforms (APP) 2022, editado por Ganapathi S. Subramania y Stavroula Foteinopoulou. SPIE, 2022. http://dx.doi.org/10.1117/12.2632814.

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8

Heinz, Tony F. "Optical Properties of van der Waals Heterostructures". En Laser Science. Washington, D.C.: OSA, 2015. http://dx.doi.org/10.1364/ls.2015.lw4h.1.

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9

Roy, T., M. Tosun, M. Amani, D. H. Lien, D. Kiriya, P. Zhao, S. Desai, A. Sachid, S. R. Madhvapathy y A. Javey. "Van der Waals heterostructures for tunnel transistors". En 2015 Fourth Berkeley Symposium on Energy Efficient Electronic Systems (E3S). IEEE, 2015. http://dx.doi.org/10.1109/e3s.2015.7336791.

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10

Astapenko, V. A., A. V. Demura, G. V. Demchenko, B. V. Potapkin, A. V. Scherbinin, S. Ya Umanskii, A. V. Zaitsevskii, John Lewis y Adriana Predoi-Cross. "Estimation of Van der Waals Broadening Coefficients". En 20TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SPECTRAL LINE SHAPES. AIP, 2010. http://dx.doi.org/10.1063/1.3517579.

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Informes sobre el tema "Hétérostructures Van der Waals"

1

Klots, C. E. (Physics and chemistry of van der Waals particles). Office of Scientific and Technical Information (OSTI), octubre de 1990. http://dx.doi.org/10.2172/6608231.

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2

Mak, Kin Fai. Understanding Topological Pseudospin Transport in Van Der Waals' Materials. Office of Scientific and Technical Information (OSTI), mayo de 2021. http://dx.doi.org/10.2172/1782672.

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3

Kim, Philip. Nano Electronics on Atomically Controlled van der Waals Quantum Heterostructures. Fort Belvoir, VA: Defense Technical Information Center, marzo de 2015. http://dx.doi.org/10.21236/ada616377.

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4

Sandler, S. I. The generalized van der Waals theory of pure fluids and mixtures. Office of Scientific and Technical Information (OSTI), junio de 1990. http://dx.doi.org/10.2172/6382645.

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5

Sandler, S. I. (The generalized van der Waals theory of pure fluids and mixtures). Office of Scientific and Technical Information (OSTI), septiembre de 1989. http://dx.doi.org/10.2172/5610422.

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6

O'Hara, D. J. Molecular Beam Epitaxy and High-Pressure Studies of van der Waals Magnets. Office of Scientific and Technical Information (OSTI), agosto de 2019. http://dx.doi.org/10.2172/1562380.

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7

Menezes, W. J. C. y M. B. Knickelbein. Metal cluster-rare gas van der Waals complexes: Microscopic models of physisorption. Office of Scientific and Technical Information (OSTI), marzo de 1994. http://dx.doi.org/10.2172/10132910.

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8

Martinez Milian, Luis. Manipulation of the magnetic properties of van der Waals materials through external stimuli. Office of Scientific and Technical Information (OSTI), mayo de 2024. http://dx.doi.org/10.2172/2350595.

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9

Gwo, Dz-Hung. Tunable far infrared laser spectroscopy of van der Waals bonds: Ar-NH sub 3. Office of Scientific and Technical Information (OSTI), noviembre de 1989. http://dx.doi.org/10.2172/7188608.

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10

French, Roger H., Nicole F. Steinmetz y Yingfang Ma. Long Range van der Waals - London Dispersion Interactions For Biomolecular and Inorganic Nanoscale Assembly. Office of Scientific and Technical Information (OSTI), marzo de 2018. http://dx.doi.org/10.2172/1431216.

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