Artículos de revistas sobre el tema "GaN Diodes"
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RAZEGHI, MANIJEH. "GaN-BASED LASER DIODES". International Journal of High Speed Electronics and Systems 09, n.º 04 (diciembre de 1998): 1007–80. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156498000415.
Texto completoShashikala, B. N. y B. S. Nagabhushana. "Reduction of reverse leakage current at the TiO2/GaN interface in field plate Ni/Au/n-GaN Schottky diodes". Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics 24, n.º 04 (23 de noviembre de 2021): 399–406. http://dx.doi.org/10.15407/spqeo24.04.399.
Texto completoShugurov K.Yu., Mozharov A.M., Sapunov G.A., Fedorov V.V., Moiseev E.I., Blokhin S.A., Kuzmenkov A.G. y Mukhin I.S. "Microwave Schottky diodes based on single GaN nanowires". Technical Physics Letters 48, n.º 8 (2022): 18. http://dx.doi.org/10.21883/tpl.2022.08.55053.19229.
Texto completoPolyntsev, Egor, Evgeny Erofeev y Igor Yunusov. "The Influence of Design on Electrical Performance of AlGaN/GaN Lateral Schottky Barrier Diodes for Energy-Efficient Power Applications". Electronics 10, n.º 22 (15 de noviembre de 2021): 2802. http://dx.doi.org/10.3390/electronics10222802.
Texto completoMatys, Maciej, Kazuki Kitagawa, Tetsuo Narita, Tsutomu Uesugi, Jun Suda y Tetsu Kachi. "Mg-implanted vertical GaN junction barrier Schottky rectifiers with low on resistance, low turn-on voltage, and nearly ideal nondestructive breakdown voltage". Applied Physics Letters 121, n.º 20 (14 de noviembre de 2022): 203507. http://dx.doi.org/10.1063/5.0106321.
Texto completoШугуров, К. Ю., А. М. Можаров, Г. А. Сапунов, В. В. Фёдоров, Э. И. Моисеев, С. А. Блохин, А. Г. Кузьменков y И. С. Мухин. "Сверхвысокочастотные диоды Шоттки на основе одиночных нитевидных нанокристаллов GaN". Письма в журнал технической физики 48, n.º 15 (2022): 22. http://dx.doi.org/10.21883/pjtf.2022.15.53127.19229.
Texto completoNomoto, Kazuki, Tohru Nakamura, Naoki Kaneda, Toshihiro Kawano, Tadayoshi Tsuchiya y Tomoyoshi Mishima. "Large GaN p-n Junction Diodes of 3 mm in Diameter on Free-Standing GaN Substrates with High Breakdown Voltage". Materials Science Forum 717-720 (mayo de 2012): 1299–302. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.717-720.1299.
Texto completoLee, Wen Zhao, Duu Sheng Ong, Kan Yeep Choo, Oktay Yilmazoglu y Hans L. Hartnagel. "Monte Carlo evaluation of GaN THz Gunn diodes". Semiconductor Science and Technology 36, n.º 12 (4 de noviembre de 2021): 125009. http://dx.doi.org/10.1088/1361-6641/ac2b4d.
Texto completoN’Dohi, Atse Julien Eric, Camille Sonneville, Soufiane Saidi, Thi Huong Ngo, Philippe De Mierry, Eric Frayssinet, Yvon Cordier et al. "Micro-Raman Spectroscopy Study of Vertical GaN Schottky Diode". Crystals 13, n.º 5 (22 de abril de 2023): 713. http://dx.doi.org/10.3390/cryst13050713.
Texto completoVostokov N. V., Drozdov M. N., Kraev S. A., Khrykin O. I. y Yunin P. A. "Effect of thermal annealing on the transport properties of Ti/AlGaN/GaN low-barrier Mott diodes". Semiconductors 56, n.º 7 (2022): 455. http://dx.doi.org/10.21883/sc.2022.07.54641.04.
Texto completoCao, X. A., M. Larsen, H. Lu y Steve Arthur. "Structural Properties and Electrical Characteristics of Homoepitaxial GaN PiN Diodes". Materials Science Forum 527-529 (octubre de 2006): 1541–44. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.527-529.1541.
Texto completoHierro, A., D. Kwon, S. A. Ringel, M. Hansen, U. K. Mishra, S. P. DenBaars y J. S. Speck. "Deep levels in n-type Schottky and p+-n homojunction GaN diodes". MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research 5, S1 (2000): 922–28. http://dx.doi.org/10.1557/s1092578300005275.
Texto completoKrishnamoorthy, Sriram, Digbijoy N. Nath, Fatih Akyol, Pil Sung Park, Michele Esposto y Siddharth Rajan. "Polarization-engineered GaN/InGaN/GaN tunnel diodes". Applied Physics Letters 97, n.º 20 (15 de noviembre de 2010): 203502. http://dx.doi.org/10.1063/1.3517481.
Texto completoTompkins, R. P., J. R. Smith, S. Zhou, K. W. Kirchner, M. A. Derenge, K. A. Jones, J. H. Leach et al. "GaN Power Schottky Diodes". ECS Transactions 45, n.º 7 (27 de abril de 2012): 17–25. http://dx.doi.org/10.1149/1.3701521.
Texto completoKim, Seongjun, Tae Hoon Seo, Myung Jong Kim, Keun Man Song, Eun-Kyung Suh y Hyunsoo Kim. "Graphene-GaN Schottky diodes". Nano Research 8, n.º 4 (28 de noviembre de 2014): 1327–38. http://dx.doi.org/10.1007/s12274-014-0624-7.
Texto completoMa, Hao, Xiaoling Duan, Shulong Wang, Shijie Liu, Jincheng Zhang y Yue Hao. "GaN JBS Diode Device Performance Prediction Method Based on Neural Network". Micromachines 14, n.º 1 (12 de enero de 2023): 188. http://dx.doi.org/10.3390/mi14010188.
Texto completoBumai, Yurii, Aleh Vaskou y Valerii Kononenko. "Measurement and Analysis of Thermal Parameters and Efficiency of Laser Heterostructures and Light-Emitting Diodes". Metrology and Measurement Systems 17, n.º 1 (1 de enero de 2010): 39–45. http://dx.doi.org/10.2478/v10178-010-0004-x.
Texto completoHo, Wen-Chieh, Yao-Hsing Liu, Wen-Hsuan Wu, Sung-Wen Huang Chen, Jerry Tzou, Hao-Chung Kuo y Chia-Wei Sun. "The Study of High Breakdown Voltage Vertical GaN-on-GaN p-i-n Diode with Modified Mesa Structure". Crystals 10, n.º 8 (18 de agosto de 2020): 712. http://dx.doi.org/10.3390/cryst10080712.
Texto completoTang, Yongjun, Meixin Feng, Jianxun Liu, Shizhao Fan, Xiujian Sun, Qian Sun, Shuming Zhang et al. "Narrow-Linewidth GaN-on-Si Laser Diode with Slot Gratings". Nanomaterials 11, n.º 11 (16 de noviembre de 2021): 3092. http://dx.doi.org/10.3390/nano11113092.
Texto completoKuball, M., E. S. Jeon, Y. K. Song, A. V. Nurmikko, P. Kozodoy, A. Abare, S. Keller et al. "Gain spectroscopy on InGaN/GaN quantum well diodes". Applied Physics Letters 70, n.º 19 (12 de mayo de 1997): 2580–82. http://dx.doi.org/10.1063/1.118925.
Texto completoSu, Xinran. "The Retrospect and Prospect of GaN-Based Schottky Diode". Journal of Physics: Conference Series 2381, n.º 1 (1 de diciembre de 2022): 012119. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/2381/1/012119.
Texto completoCheng, Liwen, Zhenwei Li, Jiayi Zhang, Xingyu Lin, Da Yang, Haitao Chen, Shudong Wu y Shun Yao. "Advantages of InGaN–GaN–InGaN Delta Barriers for InGaN-Based Laser Diodes". Nanomaterials 11, n.º 8 (15 de agosto de 2021): 2070. http://dx.doi.org/10.3390/nano11082070.
Texto completoSabui, Gourab, Vitaly Z. Zubialevich, Mary White, Pietro Pampili, Peter J. Parbrook, Mathew McLaren, Miryam Arredondo-Arechavala y Z. John Shen. "GaN Nanowire Schottky Barrier Diodes". IEEE Transactions on Electron Devices 64, n.º 5 (mayo de 2017): 2283–90. http://dx.doi.org/10.1109/ted.2017.2679727.
Texto completoJiang, Lingrong, Jianping Liu, Aiqin Tian, Yang Cheng, Zengcheng Li, Liqun Zhang, Shuming Zhang, Deyao Li, M. Ikeda y Hui Yang. "GaN-based green laser diodes". Journal of Semiconductors 37, n.º 11 (noviembre de 2016): 111001. http://dx.doi.org/10.1088/1674-4926/37/11/111001.
Texto completoKim, Jihyun, B. P. Gila, G. Y. Chung, C. R. Abernathy, S. J. Pearton y F. Ren. "Hydrogen-sensitive GaN Schottky diodes". Solid-State Electronics 47, n.º 6 (junio de 2003): 1069–73. http://dx.doi.org/10.1016/s0038-1101(02)00485-9.
Texto completoJin, S. X., J. Li, J. Z. Li, J. Y. Lin y H. X. Jiang. "GaN microdisk light emitting diodes". Applied Physics Letters 76, n.º 5 (31 de enero de 2000): 631–33. http://dx.doi.org/10.1063/1.125841.
Texto completoNagatomo, Takao y H. Saitou. "Electroluminescence of GaN pn Diodes". Materials Science Forum 264-268 (febrero de 1998): 1429–32. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.264-268.1429.
Texto completoMiyajima, Takao, Tsuyoshi Tojyo, Takeharu Asano, Katsunori Yanashima, Satoru Kijima, Tomonori Hino, Motonobu Takeya et al. "GaN-based blue laser diodes". Journal of Physics: Condensed Matter 13, n.º 32 (26 de julio de 2001): 7099–114. http://dx.doi.org/10.1088/0953-8984/13/32/315.
Texto completoTan, C. K., Azlan Abdul Aziz, F. K. Yam, C. W. Lim, Hassan Zainuriah y A. Y. Hudeish. "Effect of Thermal Treatment for Pd and PdSi Schottky Contacts on p-GaN". Materials Science Forum 517 (junio de 2006): 242–46. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.517.242.
Texto completoWang, Lei, M. I. Nathan, T‐H Lim, M. A. Khan y Q. Chen. "High barrier height GaN Schottky diodes: Pt/GaN and Pd/GaN". Applied Physics Letters 68, n.º 9 (26 de febrero de 1996): 1267–69. http://dx.doi.org/10.1063/1.115948.
Texto completoGórecki, Krzysztof y Paweł Górecki. "Compact electrothermal model of laboratory made GaN Schottky diodes". Microelectronics International 37, n.º 2 (17 de enero de 2020): 95–102. http://dx.doi.org/10.1108/mi-11-2019-0068.
Texto completoKoike, Masayoshi, Shiro Yamasaki, Yuta Tezen, Seiji Nagai, Sho Iwayama y Akira Kojima. "Room Temperature CW Operation of GaN-based Blue Laser Diodes by GaInN/GaN optical guiding layers". MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research 5, S1 (2000): 1–7. http://dx.doi.org/10.1557/s1092578300004002.
Texto completoRackauskas, B., S. Dalcanale, M. J. Uren, T. Kachi y M. Kuball. "Leakage mechanisms in GaN-on-GaN vertical pn diodes". Applied Physics Letters 112, n.º 23 (4 de junio de 2018): 233501. http://dx.doi.org/10.1063/1.5033436.
Texto completoLiu, Xinke, Hong Gu, Kuilong Li, Jianfeng Wang, Lei Wang, Hao-Chung Kuo, Wenjun Liu et al. "GaN Schottky Barrier Diodes on Free-Standing GaN Wafer". ECS Journal of Solid State Science and Technology 6, n.º 10 (2017): N216—N220. http://dx.doi.org/10.1149/2.0261710jss.
Texto completoPeri, Prudhvi, Kai Fu, Yuji Zhao y David J. Smith. "Characterization of Etched and Grown GaN-GaN Schottky Diodes". Microscopy and Microanalysis 25, S2 (agosto de 2019): 2240–41. http://dx.doi.org/10.1017/s1431927619011930.
Texto completoKhachariya, Dolar, Dennis Szymanski, Pramod Reddy, Erhard Kohn, Zlatko Sitar, Ramón Collazo y Spyridon Pavlidis. "Schottky contacts to N-polar GaN with SiN interlayer for elevated temperature operation". Applied Physics Letters 120, n.º 17 (25 de abril de 2022): 172109. http://dx.doi.org/10.1063/5.0083588.
Texto completoKey, Daryl, Edward Letts, Chuan-Wei Tsou, Mi-Hee Ji, Marzieh Bakhtiary-Noodeh, Theeradetch Detchprohm, Shyh-Chiang Shen, Russell Dupuis y Tadao Hashimoto. "Structural and Electrical Characterization of 2” Ammonothermal Free-Standing GaN Wafers. Progress toward Pilot Production". Materials 12, n.º 12 (14 de junio de 2019): 1925. http://dx.doi.org/10.3390/ma12121925.
Texto completoDeguchi, T., T. Azuhata, T. Sota, S. Chichibu y S. Nakamura. "Gain spectra in cw InGaN/GaN MQW laser diodes". Materials Science and Engineering: B 50, n.º 1-3 (diciembre de 1997): 251–55. http://dx.doi.org/10.1016/s0921-5107(97)00186-4.
Texto completoMohs, G., T. Aoki, R. Shimano, M. Kuwata-Gonokami y S. Nakamura. "On the gain mechanism in GaN based laser diodes". Solid State Communications 108, n.º 2 (agosto de 1998): 105–9. http://dx.doi.org/10.1016/s0038-1098(98)00309-3.
Texto completoCHUAH, L. S., Z. HASSAN, H. ABU HASSAN, F. K. YAM, C. W. CHIN y S. M. THAHAB. "BARRIER HEIGHT ENHANCED GaN SCHOTTKY DIODES USING A THIN AlN SURFACE LAYER". International Journal of Modern Physics B 22, n.º 29 (20 de noviembre de 2008): 5167–73. http://dx.doi.org/10.1142/s0217979208048711.
Texto completoYatskiv, Roman, Karel Zdansky y Jan Grym. "Hydrogen Detection with Semimetal Graphite-ZnO (InP,GaN) Schottky Diodes". Key Engineering Materials 543 (marzo de 2013): 159–62. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/kem.543.159.
Texto completoZhou, Yuhao, Qianshu Wu, Qi Zhang, Chengzhang Li, Jinwei Zhang, Zhenxing Liu, Ke Zhang y Yang Liu. "Numerical analysis of the GaN trench MIS barrier Schottky diodes with high dielectric reliability and surge current capability". AIP Advances 12, n.º 6 (1 de junio de 2022): 065117. http://dx.doi.org/10.1063/5.0098669.
Texto completoHansen, Monica, Paul Fini, Lijie Zhao, Amber Abare, Larry A. Coldren, James S. Speck y Steven P. DenBaars. "Improved Characteristics of InGaN Multi-Quantum-Well Laser Diodes Grown on Laterally Epitaxially Overgrown GaN on Sapphire". MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research 5, S1 (2000): 8–13. http://dx.doi.org/10.1557/s1092578300004014.
Texto completoDIDUCK, QUENTIN, IAN WALSH, DUBRAVKO BABIĆ y LESTER F. EASTMAN. "NOVEL HIGH TEMPERATURE ANNEALED SCHOTTKY METAL FOR GaN DEVICES". International Journal of High Speed Electronics and Systems 20, n.º 03 (septiembre de 2011): 417–22. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156411006702.
Texto completoPanda, Pranati, Satya Narayan Padhi y Gana Nath Dash. "Comparative Assessment of GaN as a Microwave Source with Si and SiC for Mixed Mode Operation at Submillimetre Wave Band of Frequency". International Journal of Microwave Science and Technology 2016 (14 de febrero de 2016): 1–9. http://dx.doi.org/10.1155/2016/4370345.
Texto completoHatakoshi, Gen-ichi, Masaaki Onomura, Masahiro Yamamoto, Shin-ya Nunoue, Kazuhiko Itaya y Masayuki Ishikawa. "Thermal Analysis for GaN Laser Diodes". Japanese Journal of Applied Physics 38, Part 1, No. 5A (15 de mayo de 1999): 2764–68. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.38.2764.
Texto completoYang, Hui, L. X. Zheng, J. B. Li, X. J. Wang, D. P. Xu, Y. T. Wang, X. W. Hu y P. D. Han. "Cubic-phase GaN light-emitting diodes". Applied Physics Letters 74, n.º 17 (26 de abril de 1999): 2498–500. http://dx.doi.org/10.1063/1.123019.
Texto completoKoehler, Andrew D., Travis J. Anderson, Marko J. Tadjer, Anindya Nath, Boris N. Feigelson, David I. Shahin, Karl D. Hobart y Francis J. Kub. "Vertical GaN Junction Barrier Schottky Diodes". ECS Journal of Solid State Science and Technology 6, n.º 1 (14 de diciembre de 2016): Q10—Q12. http://dx.doi.org/10.1149/2.0041701jss.
Texto completoMohammad, S. N., Z. Fan, A. E. Botchkarev, W. Kim, O. Aktas, A. Salvador y H. Morkoç. "Near-ideal platinum-GaN Schottky diodes". Electronics Letters 32, n.º 6 (1996): 598. http://dx.doi.org/10.1049/el:19960354.
Texto completoKizilyalli, Isik C., Andrew P. Edwards, Hui Nie, Dave Bour, Thomas Prunty y Don Disney. "3.7 kV Vertical GaN PN Diodes". IEEE Electron Device Letters 35, n.º 2 (febrero de 2014): 247–49. http://dx.doi.org/10.1109/led.2013.2294175.
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