Artículos de revistas sobre el tema "Floating Gate Memory"
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Rajput, Renu y Rakesh Vaid. "Flash memory devices with metal floating gate/metal nanocrystals as the charge storage layer: A status review". Facta universitatis - series: Electronics and Energetics 33, n.º 2 (2020): 155–67. http://dx.doi.org/10.2298/fuee2002155r.
Texto completoLi, Bei, Jianlin Liu, G. F. Liu y J. A. Yarmoff. "Ge∕Si heteronanocrystal floating gate memory". Applied Physics Letters 91, n.º 13 (24 de septiembre de 2007): 132107. http://dx.doi.org/10.1063/1.2793687.
Texto completoAl-shawi, Amjad, Maysoon Alias, Paul Sayers y Mohammed Fadhil Mabrook. "Improved Memory Properties of Graphene Oxide-Based Organic Memory Transistors". Micromachines 10, n.º 10 (25 de septiembre de 2019): 643. http://dx.doi.org/10.3390/mi10100643.
Texto completoNoor, Fatimah Arofiati, Gilang Mardian Kartiwa y Muhammad Amin Sulthoni. "Studi Elektrostatik Elektroda Runcing dan Aplikasinya pada Perangkat Floating Gate Memory". POSITRON 11, n.º 1 (15 de octubre de 2021): 1. http://dx.doi.org/10.26418/positron.v11i1.44881.
Texto completoLingalugari, Murali, Evan Heller, Barath Parthasarathy, John Chandy y Faquir Jain. "Quantum Dot Floating Gate Nonvolatile Random Access Memory Using Ge Quantum Dot Channel for Faster Erasing". International Journal of High Speed Electronics and Systems 27, n.º 01n02 (marzo de 2018): 1840006. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156418400062.
Texto completoZhang, Pengfei, Dong Li, Mingyuan Chen, Qijun Zong, Jun Shen, Dongyun Wan, Jingtao Zhu y Zengxing Zhang. "Floating-gate controlled programmable non-volatile black phosphorus PNP junction memory". Nanoscale 10, n.º 7 (2018): 3148–52. http://dx.doi.org/10.1039/c7nr08515j.
Texto completoLee, Boong-Joo. "Operating characteristics of Floating Gate Organic Memory". Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society 15, n.º 8 (31 de agosto de 2014): 5213–18. http://dx.doi.org/10.5762/kais.2014.15.8.5213.
Texto completoPark, Byoungjun, Kyoungah Cho, Sungsu Kim y Sangsig Kim. "Transparent nano-floating gate memory on glass". Nanotechnology 21, n.º 33 (26 de julio de 2010): 335201. http://dx.doi.org/10.1088/0957-4484/21/33/335201.
Texto completoCellere, G., P. Pellati, A. Chimenton, J. Wyss, A. Modelli, L. Larcher y A. Paccagnella. "Radiation effects on floating-gate memory cells". IEEE Transactions on Nuclear Science 48, n.º 6 (2001): 2222–28. http://dx.doi.org/10.1109/23.983199.
Texto completoLee, Jang-Sik. "Review paper: Nano-floating gate memory devices". Electronic Materials Letters 7, n.º 3 (septiembre de 2011): 175–83. http://dx.doi.org/10.1007/s13391-011-0901-5.
Texto completoJang, Sukjae, Euyheon Hwang, Jung Heon Lee, Ho Seok Park y Jeong Ho Cho. "Graphene-Graphene Oxide Floating Gate Transistor Memory". Small 11, n.º 3 (28 de agosto de 2014): 311–18. http://dx.doi.org/10.1002/smll.201401017.
Texto completoNagashio, Kosuke. "(Invited, Digital Presentation) 50 Ns Ultrafast Memory Operation in 2D Heterostructured Non-Volatile Memory Device". ECS Meeting Abstracts MA2022-01, n.º 10 (7 de julio de 2022): 785. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-0110785mtgabs.
Texto completoChen, Yi-Yueh, Feng-Ming Lee, Yu-Yu Lin, Chih-Hsiung Lee, Wei-Chen Chen, Che-Kai Shu, Su-Jien Lin, Shou-Yi Chang y Chih-Yuan Lu. "New n-p Junction Floating Gate to Enhance the Operation Performance of a Semiconductor Memory Device". Materials 15, n.º 10 (19 de mayo de 2022): 3640. http://dx.doi.org/10.3390/ma15103640.
Texto completoSasaki, Taro, Keiji Ueno, Takashi Taniguchi, Kenji Watanabe, Tomonori Nishimura y Kosuke Nagashio. "Understanding the Memory Window Overestimation of 2D Materials Based Floating Gate Type Memory Devices by Measuring Floating Gate Voltage". Small 16, n.º 47 (noviembre de 2020): 2004907. http://dx.doi.org/10.1002/smll.202004907.
Texto completoPei, Yan Li, Tatsuro Hiraki, Toshiya Kojima, Takafumi Fukushima, Mitsumasa Koyanagi y Tetsu Tanaka. "Energy Band Engineering of Metal Nanodots for High Performance Nonvolatile Memory Application". Key Engineering Materials 470 (febrero de 2011): 140–45. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/kem.470.140.
Texto completoJang, Sukjae, Euyheon Hwang y Jeong Ho Cho. "Graphene nano-floating gate transistor memory on plastic". Nanoscale 6, n.º 24 (2014): 15286–92. http://dx.doi.org/10.1039/c4nr04117h.
Texto completoChen, C. D., Y. Nakamura y J. S. Tsai. "Aluminum single-electron nonvolatile floating gate memory cell". Applied Physics Letters 71, n.º 14 (6 de octubre de 1997): 2038–40. http://dx.doi.org/10.1063/1.119780.
Texto completoSnyder, E. S., P. J. McWhorter, T. A. Dellin y J. D. Sweetman. "Radiation response of floating gate EEPROM memory cells". IEEE Transactions on Nuclear Science 36, n.º 6 (1989): 2131–39. http://dx.doi.org/10.1109/23.45415.
Texto completoHasaneen, El-Sayed, E. Heller, R. Bansal, W. Huang y F. Jain. "Modeling of nonvolatile floating gate quantum dot memory". Solid-State Electronics 48, n.º 10-11 (octubre de 2004): 2055–59. http://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2004.05.073.
Texto completoMartins, Rodrigo, P. Barquinha, L. Pereira, N. Correia, G. Gonçalves, I. Ferreira y E. Fortunato. "Selective floating gate non-volatile paper memory transistor". physica status solidi (RRL) - Rapid Research Letters 3, n.º 9 (9 de octubre de 2009): 308–10. http://dx.doi.org/10.1002/pssr.200903268.
Texto completoWang, Shuopei, Congli He, Jian Tang, Xiaobo Lu, Cheng Shen, Hua Yu, Luojun Du et al. "New Floating Gate Memory with Excellent Retention Characteristics". Advanced Electronic Materials 5, n.º 4 (18 de enero de 2019): 1800726. http://dx.doi.org/10.1002/aelm.201800726.
Texto completoSun, Sheng y Shengdong Zhang. "Nanoparticle floating-gate transistor memory based on solution-processed ambipolar organic semiconductor". E3S Web of Conferences 185 (2020): 04071. http://dx.doi.org/10.1051/e3sconf/202018504071.
Texto completoDolicanin, Edin. "Gamma ray effects on flash memory cell arrays". Nuclear Technology and Radiation Protection 27, n.º 3 (2012): 284–89. http://dx.doi.org/10.2298/ntrp1203284d.
Texto completoGan, Lu-Rong, Ya-Rong Wang, Lin Chen, Hao Zhu y Qing-Qing Sun. "A Floating Gate Memory with U-Shape Recessed Channel for Neuromorphic Computing and MCU Applications". Micromachines 10, n.º 9 (23 de agosto de 2019): 558. http://dx.doi.org/10.3390/mi10090558.
Texto completoJang, Sukjae, Euyheon Hwang, Jung Heon Lee, Ho Seok Park y Jeong Ho Cho. "Memory: Graphene-Graphene Oxide Floating Gate Transistor Memory (Small 3/2015)". Small 11, n.º 3 (enero de 2015): 261. http://dx.doi.org/10.1002/smll.201570014.
Texto completoZHANG, YUEGANG. "CARBON NANOTUBE BASED NONVOLATILE MEMORY DEVICES". International Journal of High Speed Electronics and Systems 16, n.º 04 (diciembre de 2006): 959–75. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156406004107.
Texto completoGong, Liang, Rui Ming Li, Qi Xiong y Shao Hua Zhou. "The Equivalent Circuit Model of Floating-Gate Single-Electron Memorizer". Applied Mechanics and Materials 416-417 (septiembre de 2013): 1721–25. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amm.416-417.1721.
Texto completoHu, Hongsheng, Zhongyuan Ma, Xinyue Yu, Tong Chen, Chengfeng Zhou, Wei Li, Kunji Chen, Jun Xu y Ling Xu. "Controlling the Carrier Injection Efficiency in 3D Nanocrystalline Silicon Floating Gate Memory by Novel Design of Control Layer". Nanomaterials 13, n.º 6 (7 de marzo de 2023): 962. http://dx.doi.org/10.3390/nano13060962.
Texto completoChen, Hongye, Ye Zhou y Su‐Ting Han. "Recent advances in metal nanoparticle‐based floating gate memory". Nano Select 2, n.º 7 (29 de enero de 2021): 1245–65. http://dx.doi.org/10.1002/nano.202000268.
Texto completoJiyan Y. Dai y Pui-Fai Lee. "Recent Patents in Semiconductor Nanocluster Floating Gate Flash Memory". Recent Patents on Nanotechnology 1, n.º 2 (1 de junio de 2007): 91–97. http://dx.doi.org/10.2174/187221007780859636.
Texto completoKim, H. S., B. J. Lee y P. K. Shin. "Floating Gate Organic Memory Device with Tunneling Layer's Thickness". Journal of the Korean Vacuum Society 21, n.º 6 (30 de noviembre de 2012): 354–61. http://dx.doi.org/10.5757/jkvs.2012.21.6.354.
Texto completoLi, Bei y Jianlin Liu. "Nonvolatile Memory With Ge/Si Heteronanocrystals as Floating Gate". IEEE Transactions on Nanotechnology 10, n.º 2 (marzo de 2011): 284–90. http://dx.doi.org/10.1109/tnano.2009.2039488.
Texto completoChan, K. C., P. F. Lee y J. Y. Dai. "Mesoscopic phenomena in Au nanocrystal floating gate memory structure". Applied Physics Letters 95, n.º 11 (14 de septiembre de 2009): 113109. http://dx.doi.org/10.1063/1.3229885.
Texto completoChen, F. Y., Y. K. Fang, M. J. Sun y Jiann‐Ruey Chen. "A nonvolatile ferroelectric memory device with a floating gate". Applied Physics Letters 69, n.º 21 (18 de noviembre de 1996): 3275–76. http://dx.doi.org/10.1063/1.118034.
Texto completoBleiker, C. y H. Melchior. "A four-state EEPROM using floating-gate memory cells". IEEE Journal of Solid-State Circuits 22, n.º 3 (junio de 1987): 460–63. http://dx.doi.org/10.1109/jssc.1987.1052751.
Texto completoYin, Cheng-Kuan, Ji-Chel Bea, Youn-Gi Hong, Takafumi Fukushima, Masanobu Miyao, Kenji Natori y Mitsumasa Koyanagi. "New Magnetic Flash Memory with FePt Magnetic Floating Gate". Japanese Journal of Applied Physics 45, n.º 4B (25 de abril de 2006): 3217–21. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.45.3217.
Texto completoWang, Wei, Jiawei Shi y Dongge Ma. "Organic Thin-Film Transistor Memory With Nanoparticle Floating Gate". IEEE Transactions on Electron Devices 56, n.º 5 (mayo de 2009): 1036–39. http://dx.doi.org/10.1109/ted.2009.2016031.
Texto completoWang, Wei, Dongge Ma y Qiang Gao. "Organic thin-film transistor memory with Ag floating-gate". Microelectronic Engineering 91 (marzo de 2012): 9–13. http://dx.doi.org/10.1016/j.mee.2011.11.006.
Texto completoCarley, L. R. "Trimming analog circuits using floating-gate analog MOS memory". IEEE Journal of Solid-State Circuits 24, n.º 6 (1989): 1569–75. http://dx.doi.org/10.1109/4.44992.
Texto completoYamauchi, Yoshimitsu, Yoshinari Kamakura y Toshimasa Matsuoka. "Scalable Virtual-Ground Multilevel-Cell Floating-Gate Flash Memory". IEEE Transactions on Electron Devices 60, n.º 8 (agosto de 2013): 2518–24. http://dx.doi.org/10.1109/ted.2013.2270565.
Texto completoBagatin, Marta y Simone Gerardin. "Soft errors in floating gate memory cells: A review". Microelectronics Reliability 55, n.º 1 (enero de 2015): 24–30. http://dx.doi.org/10.1016/j.microrel.2014.10.016.
Texto completoZhu, Yan, Dengtao Zhao, Ruigang Li y Jianlin Liu. "Threshold voltage shift of heteronanocrystal floating gate flash memory". Journal of Applied Physics 97, n.º 3 (febrero de 2005): 034309. http://dx.doi.org/10.1063/1.1847700.
Texto completoKuruoğlu, Furkan, Murat Çalışkan, Merih Serin y Ayşe Erol. "Well-ordered nanoparticle arrays for floating gate memory applications". Nanotechnology 31, n.º 21 (9 de marzo de 2020): 215203. http://dx.doi.org/10.1088/1361-6528/ab7043.
Texto completoCellere, G., L. Larcher, A. Paccagnella, A. Visconti y M. Bonanomi. "Radiation induced leakage current in floating gate memory cells". IEEE Transactions on Nuclear Science 52, n.º 6 (diciembre de 2005): 2144–52. http://dx.doi.org/10.1109/tns.2005.860725.
Texto completoFujita, O. y Y. Amemiya. "A floating-gate analog memory device for neural networks". IEEE Transactions on Electron Devices 40, n.º 11 (1993): 2029–35. http://dx.doi.org/10.1109/16.239745.
Texto completoMakwana, J. J. y D. K. Schroder. "Nonvolatile floating-gate memory programming enhancement using well bias". IEEE Transactions on Electron Devices 53, n.º 2 (febrero de 2006): 258–62. http://dx.doi.org/10.1109/ted.2005.861723.
Texto completoLisoni, Judit G., Laurent Breuil, Pieter Blomme, Johan Meersschaut, Andreas Bergmaier, Günther Dollinger, Geert Van den bosch y Jan Van Houdt. "Material selection for hybrid floating gate NAND memory applications". physica status solidi (a) 213, n.º 2 (28 de enero de 2016): 237–44. http://dx.doi.org/10.1002/pssa.201532829.
Texto completoQIN, Shi-xian, Chao MA, Jun-jie XING, Bo-wen LI y Guo-cheng ZHANG. "Transparent organic memory based on quantum dots floating gate". Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays 38, n.º 7 (2023): 919–25. http://dx.doi.org/10.37188/cjlcd.2023-0041.
Texto completoYoon, Jong-Hwan. "Memory properties of Al-based nanoparticle floating gate for nonvolatile memory applications". Journal of the Korean Physical Society 61, n.º 5 (septiembre de 2012): 799–802. http://dx.doi.org/10.3938/jkps.61.799.
Texto completoJin, Risheng, Jin Wang, Keli Shi, Beibei Qiu, Lanchao Ma, Shihua Huang y Zhengquan Li. "Multilevel storage and photoinduced-reset memory by an inorganic perovskite quantum-dot/polystyrene floating-gate organic transistor". RSC Advances 10, n.º 70 (2020): 43225–32. http://dx.doi.org/10.1039/d0ra08021g.
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