Artículos de revistas sobre el tema "Field-effect doping"
Crea una cita precisa en los estilos APA, MLA, Chicago, Harvard y otros
Consulte los 50 mejores artículos de revistas para su investigación sobre el tema "Field-effect doping".
Junto a cada fuente en la lista de referencias hay un botón "Agregar a la bibliografía". Pulsa este botón, y generaremos automáticamente la referencia bibliográfica para la obra elegida en el estilo de cita que necesites: APA, MLA, Harvard, Vancouver, Chicago, etc.
También puede descargar el texto completo de la publicación académica en formato pdf y leer en línea su resumen siempre que esté disponible en los metadatos.
Explore artículos de revistas sobre una amplia variedad de disciplinas y organice su bibliografía correctamente.
Noll, Stefan, Martin Rambach, Michael Grieb, Dick Scholten, Anton J. Bauer y Lothar Frey. "Effect of Shallow n-Doping on Field Effect Mobility in p-Doped Channels of 4H-SiC MOS Field Effect Transistors". Materials Science Forum 778-780 (febrero de 2014): 702–5. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.778-780.702.
Texto completoHuseynova, Gunel y Vladislav Kostianovskii. "Doped organic field-effect transistors". Material Science & Engineering International Journal 2, n.º 6 (5 de diciembre de 2018): 212–15. http://dx.doi.org/10.15406/mseij.2018.02.00059.
Texto completoRyu, Min-Yeul, Ho-Kyun Jang, Kook Jin Lee, Mingxing Piao, Seung-Pil Ko, Minju Shin, Junghwan Huh y Gyu-Tae Kim. "Triethanolamine doped multilayer MoS2 field effect transistors". Physical Chemistry Chemical Physics 19, n.º 20 (2017): 13133–39. http://dx.doi.org/10.1039/c7cp00589j.
Texto completoKUBOZONO, Yoshihiro, Yumiko KAJI, Keiko OGAWA, Yasuyuki SUGAWARA, Ritsuko EGUCHI, Koki AKAIKE, Takashi KAMBE y Akihiko FUJIWARA. "Field-effect Carrier Doping to Organic Molecular Crystals". Hyomen Kagaku 32, n.º 1 (2011): 27–32. http://dx.doi.org/10.1380/jsssj.32.27.
Texto completoGoswami, Yogesh, Pranav Asthana, Shibir Basak y Bahniman Ghosh. "Junctionless Tunnel Field Effect Transistor with Nonuniform Doping". International Journal of Nanoscience 14, n.º 03 (19 de mayo de 2015): 1450025. http://dx.doi.org/10.1142/s0219581x14500252.
Texto completoRiederer, Felix, Thomas Grap, Sergej Fischer, Marcel R. Mueller, Daichi Yamaoka, Bin Sun, Charu Gupta, Klaus T. Kallis y Joachim Knoch. "Alternatives for Doping in Nanoscale Field-Effect Transistors". physica status solidi (a) 215, n.º 7 (30 de enero de 2018): 1700969. http://dx.doi.org/10.1002/pssa.201700969.
Texto completoGünther, Alrun A., Michael Sawatzki, Petr Formánek, Daniel Kasemann y Karl Leo. "Contact Doping for Vertical Organic Field‐Effect Transistors". Advanced Functional Materials 26, n.º 5 (14 de diciembre de 2015): 768–75. http://dx.doi.org/10.1002/adfm.201504377.
Texto completoLi, Jingqi, Xiaofeng Chen, Gheorghe Iordache, Nini Wei y Husam N. Alshareef. "Characteristics of Vertical Carbon Nanotube Field-Effect Transistors on p-GaAs". Nanoscience and Nanotechnology Letters 11, n.º 9 (1 de septiembre de 2019): 1239–46. http://dx.doi.org/10.1166/nnl.2019.2998.
Texto completoLuo, Xuyi, Kraig Andrews, Tianjiao Wang, Arthur Bowman, Zhixian Zhou y Ya-Qiong Xu. "Reversible photo-induced doping in WSe2 field effect transistors". Nanoscale 11, n.º 15 (2019): 7358–63. http://dx.doi.org/10.1039/c8nr09929d.
Texto completoWen, Xiao Wei, Chu De Feng, Li Dong Chen y Shi Ming Huang. "Effect of Different Doping on the Structure and Field-Stability of PMNT Ceramics". Key Engineering Materials 336-338 (abril de 2007): 36–38. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/kem.336-338.36.
Texto completoSong, Yi y Xiuling Li. "Scaling junctionless multigate field-effect transistors by step-doping". Applied Physics Letters 105, n.º 22 (diciembre de 2014): 223506. http://dx.doi.org/10.1063/1.4902864.
Texto completoKumar, M. Jagadesh y Sindhu Janardhanan. "Doping-Less Tunnel Field Effect Transistor: Design and Investigation". IEEE Transactions on Electron Devices 60, n.º 10 (octubre de 2013): 3285–90. http://dx.doi.org/10.1109/ted.2013.2276888.
Texto completoSo, Woo-young, J. Magnus Wikberg, David V. Lang, Oleg Mitrofanov, Christian L. Kloc, Theo Siegrist, Arthur M. Sergent y Arthur P. Ramirez. "Mobility-independent doping in crystalline rubrene field-effect transistors". Solid State Communications 142, n.º 9 (junio de 2007): 483–86. http://dx.doi.org/10.1016/j.ssc.2007.03.040.
Texto completoPatil, M. B., S. N. Mohammad y H. Morkoç. "Modeling of field-effect transistors with laterally graded doping". Solid-State Electronics 32, n.º 9 (septiembre de 1989): 791–95. http://dx.doi.org/10.1016/0038-1101(89)90013-0.
Texto completoKim, Youngrok, Katharina Broch, Woocheol Lee, Heebeom Ahn, Jonghoon Lee, Daekyoung Yoo, Junwoo Kim et al. "Highly Stable Contact Doping in Organic Field Effect Transistors by Dopant‐Blockade Method". Advanced Functional Materials 30, n.º 28 (25 de mayo de 2020): 2000058. http://dx.doi.org/10.1002/adfm.202000058.
Texto completoMikami, Kyota, Keita Tachiki, Koji Ito y Tsunenobu Kimoto. "Body doping dependence of field-effect mobility in both n- and p-channel 4H-SiC metal-oxide-semiconductor field-effect transistors with nitrided gate oxides". Applied Physics Express 15, n.º 3 (16 de febrero de 2022): 036503. http://dx.doi.org/10.35848/1882-0786/ac516b.
Texto completoImamura, Gaku y Koichiro Saiki. "Effect of UV light-induced nitrogen doping on the field effect transistor characteristics of graphene". RSC Advances 5, n.º 86 (2015): 70522–26. http://dx.doi.org/10.1039/c5ra12002k.
Texto completoIqbal, Muhammad Waqas, Muhammad Zahir Iqbal, Muhammad Farooq Khan, Muhammad Arslan Shehzad, Yongho Seo y Jonghwa Eom. "Deep-ultraviolet-light-driven reversible doping of WS2 field-effect transistors". Nanoscale 7, n.º 2 (2015): 747–57. http://dx.doi.org/10.1039/c4nr05129g.
Texto completoSUGAHARA, MASANORI y NIKOLAI N. BOGOLUBOV. "FIELD-THEORETIC FOUNDATION OF NO-FIELD QUANTUM HALL EFFECT". Modern Physics Letters B 16, n.º 18 (10 de agosto de 2002): 645–59. http://dx.doi.org/10.1142/s0217984902004196.
Texto completoWu, Enxiu, Yuan Xie, Jing Zhang, Hao Zhang, Xiaodong Hu, Jing Liu, Chongwu Zhou y Daihua Zhang. "Dynamically controllable polarity modulation of MoTe2 field-effect transistors through ultraviolet light and electrostatic activation". Science Advances 5, n.º 5 (mayo de 2019): eaav3430. http://dx.doi.org/10.1126/sciadv.aav3430.
Texto completoHuang, Bao Xin, Jun Hua Wang, Zhen Hua Wang, Ke Zheng Chen, Yi Hua Liu y Liang Mo Mei. "The Enhanced Magnetoresistance Effect of La0.67Sr0.33MnO3 with Pentavalent Ions Addition". Materials Science Forum 675-677 (febrero de 2011): 1105–8. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.675-677.1105.
Texto completoHürner, Andreas, Heinz Mitlehner, Tobias Erlbacher, Anton J. Bauer y Lothar Frey. "Conduction Loss Reduction for Bipolar Injection Field-Effect-Transistors (BIFET)". Materials Science Forum 858 (mayo de 2016): 917–20. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.858.917.
Texto completoSEN, P., N. SISODIA, R. K. CHOUBEY, S. KAR y K. S. BARTWAL. "EFFECT OF MgO DOPING ON COERCIVE FIELD IN LiNbO3 CRYSTALS". Journal of Nonlinear Optical Physics & Materials 17, n.º 02 (junio de 2008): 175–83. http://dx.doi.org/10.1142/s0218863508004068.
Texto completoSchön, J. H., M. Dorget, F. C. Beuran, X. Z. Zu, E. Arushanov, C. Deville Cavellin y M. Laguës. "Superconductivity in CaCuO2 as a result of field-effect doping". Nature 414, n.º 6862 (22 de noviembre de 2001): 434–36. http://dx.doi.org/10.1038/35106539.
Texto completoWessely, F., T. Krauss y U. Schwalke. "CMOS without doping: Multi-gate silicon-nanowire field-effect-transistors". Solid-State Electronics 70 (abril de 2012): 33–38. http://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2011.11.011.
Texto completoWang, Lu, Jiaxin Zheng, Jing Zhou, Rui Qin, Hong Li, Wai-Ning Mei, Shigeru Nagase y Jing Lu. "Tuning graphene nanoribbon field effect transistors via controlling doping level". Theoretical Chemistry Accounts 130, n.º 2-3 (30 de agosto de 2011): 483–89. http://dx.doi.org/10.1007/s00214-011-1026-5.
Texto completoWu, San Lein y Shoou Jinn Chang. "Si field-effect transistor with doping dipole in buffer layer". Applied Physics Letters 75, n.º 18 (noviembre de 1999): 2848–50. http://dx.doi.org/10.1063/1.125170.
Texto completoMaddalena, F., E. J. Meijer, K. Asadi, D. M. de Leeuw y P. W. M. Blom. "Doping kinetics of organic semiconductors investigated by field-effect transistors". Applied Physics Letters 97, n.º 4 (26 de julio de 2010): 043302. http://dx.doi.org/10.1063/1.3466903.
Texto completoHepp, A., H. Heil, R. Schmechel y H. von Seggern. "Electrochemical Interface Doping in Organic Light Emitting Field Effect Transistors". Advanced Engineering Materials 7, n.º 10 (octubre de 2005): 957–60. http://dx.doi.org/10.1002/adem.200500118.
Texto completoLee, Byoung Hoon, Guillermo C. Bazan y Alan J. Heeger. "Doping-Induced Carrier Density Modulation in Polymer Field-Effect Transistors". Advanced Materials 28, n.º 1 (20 de noviembre de 2015): 57–62. http://dx.doi.org/10.1002/adma.201504307.
Texto completoApostolova, I. N., A. T. Apostolov y J. M. Wesselinowa. "Magnetization, Band Gap and Specific Heat of Pure and Ion Doped MnFe2O4 Nanoparticles". Magnetochemistry 9, n.º 3 (4 de marzo de 2023): 76. http://dx.doi.org/10.3390/magnetochemistry9030076.
Texto completoQin, Xulei, Qidong Shi, Feng Shi, Ye Li y De Song. "Effect of Gradient Doping on Charge Collection Efficiency of EBCMOS Devices". Advances in Multimedia 2022 (29 de agosto de 2022): 1–8. http://dx.doi.org/10.1155/2022/5157252.
Texto completoTopuria, Teya, Edward M. James, Nigel D. Browning y Zhiyong Ma. "Direct Atomic Scale Characterization of Interfaces and Doping Layers in Field-Effect Transistors." Microscopy and Microanalysis 6, S2 (agosto de 2000): 140–41. http://dx.doi.org/10.1017/s1431927600033195.
Texto completoLiu, Maomao, Sichen Wei, Simran Shahi, Hemendra Nath Jaiswal, Paolo Paletti, Sara Fathipour, Maja Remškar et al. "Enhanced carrier transport by transition metal doping in WS2 field effect transistors". Nanoscale 12, n.º 33 (2020): 17253–64. http://dx.doi.org/10.1039/d0nr01573c.
Texto completoBellone, S., G. Cocorullo, G. Fallica y S. Musumeci. "Current gain enhancement effect by gate doping in bipolar-mode field-effect transistor". IEEE Transactions on Electron Devices 37, n.º 1 (1990): 303–5. http://dx.doi.org/10.1109/16.43832.
Texto completoGuo, B., L. Fang, B. Zhang y J. R. Gong. "Doping effect on shift of threshold voltage of graphene-based field-effect transistors". Electronics Letters 47, n.º 11 (2011): 663. http://dx.doi.org/10.1049/el.2011.0770.
Texto completoWoo, Sung Oh y Winfried Teizer. "Electron Irradiation of Graphene Field Effect Transistor Devices". MRS Proceedings 1549 (2013): 35–40. http://dx.doi.org/10.1557/opl.2013.946.
Texto completoXing, Boran, Ying Yu, Jiadong Yao, Xinyue Niu, Xiaoyuan Yan, Yali Liu, Xiaoxiang Wu et al. "Surface charge transfer doping and effective passivation of black phosphorus field effect transistors". Journal of Materials Chemistry C 8, n.º 19 (2020): 6595–604. http://dx.doi.org/10.1039/d0tc00740d.
Texto completoWang, Shunfeng, Weijie Zhao, Francesco Giustiniano y Goki Eda. "Effect of oxygen and ozone on p-type doping of ultra-thin WSe2 and MoSe2 field effect transistors". Physical Chemistry Chemical Physics 18, n.º 6 (2016): 4304–9. http://dx.doi.org/10.1039/c5cp07194a.
Texto completoZHANG, L., G. LIU, X. LENG, X. B. XU, S. Y. DING, Y. L. JIAO y L. XIAO. "MAGNETIZATION OF Ag-Y1.8Ba2.4Cu3.4O7-x". International Journal of Modern Physics B 19, n.º 01n03 (30 de enero de 2005): 311–13. http://dx.doi.org/10.1142/s0217979205028475.
Texto completoLashkov, Ilia, Kevin Krechan, Katrin Ortstein, Felix Talnack, Shu-Jen Wang, Stefan C. B. Mannsfeld, Hans Kleemann y Karl Leo. "Modulation Doping for Threshold Voltage Control in Organic Field-Effect Transistors". ACS Applied Materials & Interfaces 13, n.º 7 (11 de febrero de 2021): 8664–71. http://dx.doi.org/10.1021/acsami.0c22224.
Texto completoA. Hasan, Zaid. "Study the Effect of Magnetic Field on Polymer Doping TiO2 Nanoparticles". NeuroQuantology 17, n.º 12 (30 de diciembre de 2019): 39–43. http://dx.doi.org/10.14704/nq.2019.17.12.nq19114.
Texto completoLim, Dongsuk, E. S. Kannan, Inyeal Lee, Servin Rathi, Lijun Li, Yoontae Lee, Muhammad Atif Khan, Moonshik Kang, Jinwoo Park y Gil-Ho Kim. "High performance MoS2-based field-effect transistor enabled by hydrazine doping". Nanotechnology 27, n.º 22 (21 de abril de 2016): 225201. http://dx.doi.org/10.1088/0957-4484/27/22/225201.
Texto completoZou, J., A. Gopinath, T. Akinwande y M. S. Shur. "Heterostructure field effect transistor with doping dipole in charge control layer". Electronics Letters 26, n.º 14 (1990): 964. http://dx.doi.org/10.1049/el:19900627.
Texto completoSundararajan, Abhishek, Mathias J. Boland, D. Patrick Hunley y Douglas R. Strachan. "Doping and hysteretic switching of polymer-encapsulated graphene field effect devices". Applied Physics Letters 103, n.º 25 (16 de diciembre de 2013): 253505. http://dx.doi.org/10.1063/1.4851956.
Texto completoBezegh, Klara, Andras Bezegh, Jiri Janata, Urs Oesch, Aiping Xu y Wilhelm Simon. "Multisensing ion-selective field effect transistors prepared by ionophore doping technique". Analytical Chemistry 59, n.º 24 (15 de diciembre de 1987): 2846–48. http://dx.doi.org/10.1021/ac00151a005.
Texto completoSchaur, Stefan, Philipp Stadler, Beatriz Meana-Esteban, Helmut Neugebauer y N. Serdar Sariciftci. "Electrochemical doping for lowering contact barriers in organic field effect transistors". Organic Electronics 13, n.º 8 (agosto de 2012): 1296–301. http://dx.doi.org/10.1016/j.orgel.2012.03.020.
Texto completoGhodrati, Maryam, Ali Mir y Ali Naderi. "Proposal of a doping-less tunneling carbon nanotube field-effect transistor". Materials Science and Engineering: B 265 (marzo de 2021): 115016. http://dx.doi.org/10.1016/j.mseb.2020.115016.
Texto completoDu, Yuchen, Lingming Yang, Hong Zhou y Peide D. Ye. "Performance Enhancement of Black Phosphorus Field-Effect Transistors by Chemical Doping". IEEE Electron Device Letters 37, n.º 4 (abril de 2016): 429–32. http://dx.doi.org/10.1109/led.2016.2535905.
Texto completoWen-Shiung Lour, Jung-Hui Tsai, Lih-Wen Laih y Wen-Chau Liu. "Influence of channel doping-profile on camel-gate field effect transistors". IEEE Transactions on Electron Devices 43, n.º 6 (junio de 1996): 871–76. http://dx.doi.org/10.1109/16.502117.
Texto completo