Artículos de revistas sobre el tema "Extrinsic Semiconductors"
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Yang, Jin-Peng, Hai-Tao Chen y Gong-Bin Tang. "Modeling of thickness-dependent energy level alignment at organic and inorganic semiconductor interfaces". Journal of Applied Physics 131, n.º 24 (28 de junio de 2022): 245501. http://dx.doi.org/10.1063/5.0096697.
Texto completoZeitler, U. y A. G. M. Jansen. "Extrinsic magnetoresistance in semiconductors". Physica B: Condensed Matter 204, n.º 1-4 (enero de 1995): 90–94. http://dx.doi.org/10.1016/0921-4526(94)00247-s.
Texto completoGösele, Ulrich M. y Teh Y. Tan. "Point Defects and Diffusion in Semiconductors". MRS Bulletin 16, n.º 11 (noviembre de 1991): 42–46. http://dx.doi.org/10.1557/s0883769400055512.
Texto completoLiboff, Richard L. "Quasiclassical mobility for extrinsic semiconductors". Journal of Physics and Chemistry of Solids 46, n.º 11 (enero de 1985): 1327–30. http://dx.doi.org/10.1016/0022-3697(85)90134-9.
Texto completoMazzeo, M. P. y L. Restuccia. "Thermodynamics of n-type extrinsic semiconductors". Energy 36, n.º 7 (julio de 2011): 4577–84. http://dx.doi.org/10.1016/j.energy.2011.02.055.
Texto completoKatzengruber, B., M. Krupa y P. Szmolyan. "Bifurcation of traveling waves in extrinsic semiconductors". Physica D: Nonlinear Phenomena 144, n.º 1-2 (septiembre de 2000): 1–19. http://dx.doi.org/10.1016/s0167-2789(00)00030-0.
Texto completoRidgway, M. C., C. J. Glover, G. de M. Azevedo, S. M. Kluth, K. M. Yu y G. J. Foran. "Structure in amorphous semiconductors: Extrinsic and intrinsic". Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms 238, n.º 1-4 (agosto de 2005): 294–301. http://dx.doi.org/10.1016/j.nimb.2005.06.066.
Texto completoBordovskiĭ, G. A., R. A. Castro y E. I. Terukov. "Extrinsic conduction in Ge28.5Pb15S56.5 and Ge27Pb17Se56 glassy semiconductors". Technical Physics Letters 32, n.º 11 (noviembre de 2006): 913–15. http://dx.doi.org/10.1134/s1063785006110010.
Texto completoKartheuser, E., J. Schmit y R. Evrard. "Theory of extrinsic oscillatory photoconductivity in polar semiconductors". Journal of Applied Physics 63, n.º 3 (febrero de 1988): 784–88. http://dx.doi.org/10.1063/1.340070.
Texto completoWu, Chhi-Chong y Jensan Tsai. "Hall effect and magnetoresistance in extrinsic piezoelectric semiconductors". Journal of Low Temperature Physics 73, n.º 1-2 (octubre de 1988): 53–78. http://dx.doi.org/10.1007/bf00681743.
Texto completoMiao, Jialei, Xiaowei Zhang, Ye Tian y Yuda Zhao. "Recent Progress in Contact Engineering of Field-Effect Transistor Based on Two-Dimensional Materials". Nanomaterials 12, n.º 21 (31 de octubre de 2022): 3845. http://dx.doi.org/10.3390/nano12213845.
Texto completoChristen, Thomas. "Nonequilibrium Phase Transition and Current Filaments in Extrinsic Semiconductors". Zeitschrift für Naturforschung A 49, n.º 9 (1 de septiembre de 1994): 851–55. http://dx.doi.org/10.1515/zna-1994-0906.
Texto completoPetukhov, B. V. "Threshold stresses for motion of dislocations in extrinsic semiconductors". Semiconductors 41, n.º 6 (junio de 2007): 625–30. http://dx.doi.org/10.1134/s1063782607060024.
Texto completoChristen, Thomas. "The Velocity of Current Filaments in Weak Magnetic Fields". Zeitschrift für Naturforschung A 49, n.º 9 (1 de septiembre de 1994): 847–50. http://dx.doi.org/10.1515/zna-1994-0905.
Texto completoCantalapiedra, Inma R., Luis L. Bonilla, Michael J. Bergmann y Stephen W. Teitsworth. "Solitary-wave dynamics in extrinsic semiconductors under dc voltage bias". Physical Review B 48, n.º 16 (15 de octubre de 1993): 12278–81. http://dx.doi.org/10.1103/physrevb.48.12278.
Texto completoKounavis, P. "Extrinsic photoresponse enhancement under additional intrinsic photoexcitation in organic semiconductors". Journal of Applied Physics 119, n.º 24 (28 de junio de 2016): 245502. http://dx.doi.org/10.1063/1.4954795.
Texto completoKornyushin, Yuri. "Introduction to low frequency local plasmons in bulk extrinsic semiconductors". Facta universitatis - series: Physics, Chemistry and Technology 2, n.º 5 (2003): 253–58. http://dx.doi.org/10.2298/fupct0305253k.
Texto completoParisi, J., ,. J. Peinke, U. Rau y W. Clauß. "Report: Nonequilibrium Phase Transitions of Impact Ionization Breakdown in Extrinsic Semiconductors". Zeitschrift für Naturforschung A 45, n.º 8 (1 de agosto de 1990): 1048–50. http://dx.doi.org/10.1515/zna-1990-0819.
Texto completoSidorov, A. I. "Photoinduced lens dynamics near the optical confinement threshold in extrinsic semiconductors". Technical Physics Letters 29, n.º 4 (abril de 2003): 300–301. http://dx.doi.org/10.1134/1.1573297.
Texto completoBonilla, Luis L. y Stephen W. Teitsworth. "Theory of periodic and solitary space charge waves in extrinsic semiconductors". Physica D: Nonlinear Phenomena 50, n.º 3 (julio de 1991): 545–59. http://dx.doi.org/10.1016/0167-2789(91)90014-z.
Texto completoChisten, Thomas. "Complex Ginzburg-Landau equation for nonlinear travelling waves in extrinsic semiconductors". Zeitschrift f�r Physik B Condensed Matter 97, n.º 3 (septiembre de 1995): 473–79. http://dx.doi.org/10.1007/bf01317231.
Texto completoBonilla, Luis L. y Francisco J. Higuera. "The Onset and End of the Gunn Effect in Extrinsic Semiconductors". SIAM Journal on Applied Mathematics 55, n.º 6 (diciembre de 1995): 1625–49. http://dx.doi.org/10.1137/s0036139991199456.
Texto completoBonilla, L. L., I. R. Cantalapiedra, M. J. Bergmann y S. W. Teitsworth. "Onset of current oscillations in extrinsic semiconductors under DC voltage bias". Semiconductor Science and Technology 9, n.º 5S (1 de mayo de 1994): 599–602. http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/9/5s/054.
Texto completoGozzo, F., C. Coluzza, G. Margaritondo y F. Flores. "Intrinsic and extrinsic charge neutrality levels in semiconductors: an Empirical approach". Solid State Communications 81, n.º 7 (febrero de 1992): 553–56. http://dx.doi.org/10.1016/0038-1098(92)90410-b.
Texto completoErmolaev, A. M. "High-frequency conductivity of metals in degenerate semiconductors with extrinsic electron states". Soviet Physics Journal 30, n.º 4 (abril de 1987): 274–77. http://dx.doi.org/10.1007/bf00914826.
Texto completoWichert, Th. "Intrinsic and extrinsic defects in semiconductors studied by perturbed ?? angular correlation spectroscopy". Applied Physics A: Materials Science & Processing 61, n.º 2 (1 de julio de 1995): 207–12. http://dx.doi.org/10.1007/s003390050192.
Texto completoWichert, Th. "Intrinsic and extrinsic defects in semiconductors studied by perturbed ?? angular correlation spectroscopy". Applied Physics A Materials Science and Processing 61, n.º 2 (agosto de 1995): 207–12. http://dx.doi.org/10.1007/bf01538391.
Texto completoGRÜNEIS, FERDINAND. "1/f NOISE DUE TO ATOMIC DIFFUSION OF IMPURITY CENTERS IN SEMICONDUCTORS". Fluctuation and Noise Letters 01, n.º 04 (diciembre de 2001): L197—L220. http://dx.doi.org/10.1142/s0219477501000433.
Texto completoTSUKIOKA, MASAYUKI, YASUO TANOKURA, MASAZI SHIMAZU, SHINICHIRO KUROIWA y SADAO TSUTSUMI. "ELECTRICAL CONDUCTING AND THERMOELECTRIC PROPERTIES OF Ba4Na2Nb10O30−Ba3NaLaNb10O30 SYSTEM". Modern Physics Letters B 04, n.º 10 (20 de mayo de 1990): 681–88. http://dx.doi.org/10.1142/s0217984990000854.
Texto completoPetukhov, B. V. "Effect of Dynamic Aging of Dislocations on the Deformation Behavior of Extrinsic Semiconductors". Solid State Phenomena 95-96 (septiembre de 2003): 459–64. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.95-96.459.
Texto completoKonin, A. "The role of nonequilibrium charge in generation of the thermopower in extrinsic semiconductors". Semiconductors 45, n.º 5 (mayo de 2011): 593–98. http://dx.doi.org/10.1134/s1063782611050174.
Texto completoPetukhov, B. V. "Effect of dynamic aging of dislocations on the deformation behavior of extrinsic semiconductors". Semiconductors 36, n.º 2 (febrero de 2002): 121–25. http://dx.doi.org/10.1134/1.1453422.
Texto completoBharuth-Ram, K., C. Ronning y T. B. Doyle. "Magnetic nanocluster formation of Fe ions embedded in SiO2and Al2O3substrates". MRS Advances 3, n.º 42-43 (2018): 2603–8. http://dx.doi.org/10.1557/adv.2018.419.
Texto completoLettieri, S. "Calculations of band-filling optical nonlinearities in extrinsic semiconductors beyond the low injection limit". Journal of Applied Physics 95, n.º 10 (15 de mayo de 2004): 5419–28. http://dx.doi.org/10.1063/1.1697634.
Texto completoBonilla, Luis L. "Theory of solitary waves and spontaneous current instabilities in dc voltage biased extrinsic semiconductors". Physica D: Nonlinear Phenomena 55, n.º 1-2 (febrero de 1992): 182–96. http://dx.doi.org/10.1016/0167-2789(92)90196-t.
Texto completoPastrňák, J. "Double source optical absorption and spectral photoconductivity measurements in the extrinsic region of semiconductors". Czechoslovak Journal of Physics 37, n.º 8 (agosto de 1987): 942–53. http://dx.doi.org/10.1007/bf01596993.
Texto completoKonin, A. "The influence of energy band bending on the photo-induced electromotive force in extrinsic semiconductors". Journal of Physics: Condensed Matter 20, n.º 5 (18 de enero de 2008): 055225. http://dx.doi.org/10.1088/0953-8984/20/5/055225.
Texto completoBonilla, Luis L. y JoséM Vega. "On the stability of wavefronts and solitary space charge waves in extrinsic semiconductors under current bias". Physics Letters A 156, n.º 3-4 (junio de 1991): 179–82. http://dx.doi.org/10.1016/0375-9601(91)90933-y.
Texto completoGrüneis, Ferdinand. "An Intermittent Generation–Recombination Process as a Possible Origin of 1/f Fluctuations in Semiconductor Materials". Fluctuation and Noise Letters 16, n.º 04 (21 de noviembre de 2017): 1750034. http://dx.doi.org/10.1142/s0219477517500341.
Texto completoHiraiwa, Atsushi, Satoshi Okubo, Masahiko Ogura, Yu Fu y Hiroshi Kawarada. "Capacitance–voltage characterization of metal–insulator–semiconductor capacitors formed on wide-bandgap semiconductors with deep dopants such as diamond". Journal of Applied Physics 132, n.º 12 (28 de septiembre de 2022): 125702. http://dx.doi.org/10.1063/5.0104016.
Texto completoNiefind, Falk, Andrew Winchester y Sujitra Pookpanratana. "(Invited) Imaging and Measuring Electronic Materials". ECS Meeting Abstracts MA2022-02, n.º 34 (9 de octubre de 2022): 1253. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-02341253mtgabs.
Texto completoBonilla, Luis L. "Small-signal analysis of spontaneous current instabilities in extrinsic semiconductors with trapping: Application to ultrapurep-type germanium". Physical Review B 45, n.º 20 (15 de mayo de 1992): 11642–54. http://dx.doi.org/10.1103/physrevb.45.11642.
Texto completoPastrnak, J., F. Karel y O. Petricek. "Optical absorption coefficient of semiconductors in the extrinsic region obtained by photoconductivity measurements: application to SI GaAs". Semiconductor Science and Technology 5, n.º 8 (1 de agosto de 1990): 867–70. http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/5/8/011.
Texto completoTuckute, Simona, Sarunas Varnagiris, Marius Urbonavicius, Emilija Demikyte, Kristina Bockute y Martynas Lelis. "Structure and Photocatalytic Activity of Copper and Carbon-Doped Metallic Zn Phase-Rich ZnO Oxide Films". Catalysts 12, n.º 1 (6 de enero de 2022): 60. http://dx.doi.org/10.3390/catal12010060.
Texto completoBonilla, Luis L., Francisco J. Higuera y Stephanos Venakides. "The Gunn Effect: Instability of the Steady State and Stability of the Solitary Wave in Long Extrinsic Semiconductors". SIAM Journal on Applied Mathematics 54, n.º 6 (diciembre de 1994): 1521–41. http://dx.doi.org/10.1137/s0036139992236554.
Texto completoAya Baquero, H. "Didactic model of the diode with Finite Element Method". Journal of Physics: Conference Series 2307, n.º 1 (1 de septiembre de 2022): 012031. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/2307/1/012031.
Texto completoTran, Tuan T., Jennifer Wong-Leung, Lachlan A. Smillie, Anders Hallén, Maria G. Grimaldi y Jim S. Williams. "High hole mobility and non-localized states in amorphous germanium". APL Materials 11, n.º 4 (1 de abril de 2023): 041115. http://dx.doi.org/10.1063/5.0146424.
Texto completoZhou, Chongwu. "(Invited) Nanoelectronics Based on Assembled High-Density and High-Semiconducting-Purity Carbon Nanotube Films". ECS Meeting Abstracts MA2022-01, n.º 9 (7 de julio de 2022): 751. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-019751mtgabs.
Texto completoKathavate, V. S., K. Eswar Prasad, Mangalampalli S. R. N. Kiran y Yong Zhu. "Mechanical characterization of piezoelectric materials: A perspective on deformation behavior across different microstructural length scales". Journal of Applied Physics 132, n.º 12 (28 de septiembre de 2022): 121103. http://dx.doi.org/10.1063/5.0099161.
Texto completoPerera, A. G. U., R. E. Sherriff, M. H. Francombe y R. P. Devaty. "Far infrared photoelectric thresholds of extrinsic semiconductor photocathodes". Applied Physics Letters 60, n.º 25 (22 de junio de 1992): 3168–70. http://dx.doi.org/10.1063/1.106731.
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