Artículos de revistas sobre el tema "ESD physics"
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Jauhariyah, M. N. R., B. K. Prahani, K. Syahidi, U. A. Deta, N. A. Lestari y E. Hariyono. "ESD for physics: how to infuse education for sustainable development (ESD) to the physics curricula?" Journal of Physics: Conference Series 1747, n.º 1 (1 de febrero de 2021): 012032. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/1747/1/012032.
Texto completoKrabbenborg, Benno, Reinier Beltman, Philip Wolbert y Ton Mouthaan. "Physics of electro-thermal effects in ESD protection devices". Journal of Electrostatics 28, n.º 3 (septiembre de 1992): 285–99. http://dx.doi.org/10.1016/0304-3886(92)90077-7.
Texto completoAlvarez, D., M. J. Abou-Khalil, C. Russ, K. Chatty, R. Gauthier, D. Kontos, J. Li, C. Seguin y R. Halbach. "Analysis of ESD failure mechanism in 65nm bulk CMOS ESD NMOSFETs with ESD implant". Microelectronics Reliability 46, n.º 9-11 (septiembre de 2006): 1597–602. http://dx.doi.org/10.1016/j.microrel.2006.07.041.
Texto completoPaul, Milova, Christian Russ, B. Sampath Kumar, Harald Gossner y Mayank Shrivastava. "Physics of Current Filamentation in ggNMOS Devices Under ESD Condition Revisited". IEEE Transactions on Electron Devices 65, n.º 7 (julio de 2018): 2981–89. http://dx.doi.org/10.1109/ted.2018.2835831.
Texto completoSinha, Dheeraj Kumar y Amitabh Chatterjee. "SPICE level implementation of physics of filamentation in ESD protection devices". Microelectronics Reliability 79 (diciembre de 2017): 239–47. http://dx.doi.org/10.1016/j.microrel.2017.05.022.
Texto completoXu, Ke, Xing Chen y Zhenzhen Chen. "A Physics-based Transient Simulation and Modeling Method for Wide-frequency Electrical Overstress Including ESD". Applied Computational Electromagnetics Society 36, n.º 5 (14 de junio de 2021): 505–12. http://dx.doi.org/10.47037/2020.aces.j.360503.
Texto completoLiu, Xiao Yu, Jiang Shao, Xing Hao Wang y Feng Ming Lu. "Research Progress on Electrostatic Discharge Failure Models in Semiconductor Materials". Advanced Materials Research 548 (julio de 2012): 527–31. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.548.527.
Texto completoRushby, Nick. "Editorial: Recent references". Education and Self Development 17, n.º 1 (31 de marzo de 2022): 6–7. http://dx.doi.org/10.26907/esd.17.1.01.
Texto completoRushby, Nick. "Editorial: Recent references". Education and Self Development 17, n.º 1 (31 de marzo de 2022): 8–9. http://dx.doi.org/10.26907/esd.17.1.01r.
Texto completoStadler, Wolfgang, Tilo Brodbeck, Reinhold Gärtner y Harald Gossner. "Do ESD fails in systems correlate with IC ESD robustness?" Microelectronics Reliability 49, n.º 9-11 (septiembre de 2009): 1079–85. http://dx.doi.org/10.1016/j.microrel.2009.07.029.
Texto completoYang, Sen y David J. Pommerenke. "Effect of Different Load Impedances on ESD Generators and ESD Generator SPICE Models". IEEE Transactions on Electromagnetic Compatibility 60, n.º 6 (diciembre de 2018): 1726–33. http://dx.doi.org/10.1109/temc.2017.2785739.
Texto completoGołek, F. "ESD thresholds for KCl". physica status solidi (b) 239, n.º 2 (octubre de 2003): 336–39. http://dx.doi.org/10.1002/pssb.200301841.
Texto completoBerikkhanova, Aiman, Zhanar Ibraimova y Magripa Ibrayeva. "Collaborative Learning Environment in the Professional Training of Future Teachers". Education and Self Development 17, n.º 2 (30 de junio de 2022): 144–56. http://dx.doi.org/10.26907/esd.17.2.13.
Texto completoVashchenko, V. A. y P. Hopper. "Bipolar SCR ESD devices". Microelectronics Reliability 45, n.º 3-4 (marzo de 2005): 457–71. http://dx.doi.org/10.1016/j.microrel.2004.12.013.
Texto completoVerhaege, Koen. "Component level ESD testing". Microelectronics Reliability 38, n.º 1 (febrero de 1998): 115–28. http://dx.doi.org/10.1016/s0026-2714(97)00068-1.
Texto completoColvin, J. "ESD failure analysis methodology". Microelectronics Reliability 38, n.º 11 (noviembre de 1998): 1705–14. http://dx.doi.org/10.1016/s0026-2714(98)00173-5.
Texto completoOhsawa, A. y N. Ichikawa. "ESD detection by transient earth voltage". Journal of Physics: Conference Series 418 (22 de marzo de 2013): 012054. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/418/1/012054.
Texto completoSmallwood, Jeremy. "ESD in industry - present and future". Journal of Physics: Conference Series 646 (26 de octubre de 2015): 012018. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/646/1/012018.
Texto completoGajewski, A. "Multichannel measurement of ESD". Journal of Electrostatics 67, n.º 2-3 (mayo de 2009): 271–74. http://dx.doi.org/10.1016/j.elstat.2009.02.006.
Texto completoRhoades, William T. "System ESD immunity design". Journal of Electrostatics 24, n.º 2 (febrero de 1990): 131–48. http://dx.doi.org/10.1016/0304-3886(90)90004-f.
Texto completoKitagawa, Mitsuhiko, Ken-ichi Matsushita y Akio Nakagawa. "High-Voltage Emitter Short Diode (ESD)". Japanese Journal of Applied Physics 35, Part 1, No. 12A (15 de diciembre de 1996): 5998–6002. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.35.5998.
Texto completoKer, Ming-Dou, Tung-Yang Chen y Chung-Yu Wu. "Substrate-triggered ESD clamp devices for use in power-rail ESD clamp circuits". Solid-State Electronics 46, n.º 5 (mayo de 2002): 721–34. http://dx.doi.org/10.1016/s0038-1101(01)00317-3.
Texto completoWU, E. y XIAO-AN ZHANG. "DYNAMICS OF PAIRWISE ENTANGLEMENT IN THE THREE-QUBIT HEISENBERG XX SPIN CHAIN". International Journal of Quantum Information 07, n.º 08 (diciembre de 2009): 1447–58. http://dx.doi.org/10.1142/s0219749909005985.
Texto completoVassilev, Vesselin y Wolfgang Stadler. "Editorial ESD reliability special section". Microelectronics Reliability 49, n.º 12 (diciembre de 2009): 1405–6. http://dx.doi.org/10.1016/j.microrel.2009.10.013.
Texto completoGieser, Horst A. "On-chip electrostatic discharge ESD". Microelectronics Reliability 43, n.º 7 (julio de 2003): 985–86. http://dx.doi.org/10.1016/s0026-2714(03)00122-7.
Texto completoSUWANNATA, NATTAWOOT y APIRAT SIRITARATIWAT. "ELECTROSTATIC DISCHARGE EFFECTS ON GMR RECORDING HEADS USING A WAVELET TRANSFORM APPROACH". International Journal of Modern Physics B 23, n.º 17 (10 de julio de 2009): 3567–72. http://dx.doi.org/10.1142/s0217979209062980.
Texto completoGorlov, M. I., V. A. Emel?yanov, I. I. Rubtsevich y D. Yu Smirnov. "Parts screening for ESD susceptibility". Russian Microelectronics 34, n.º 1 (enero de 2005): 22–29. http://dx.doi.org/10.1007/s11180-005-0003-x.
Texto completoLiang, Z., H. Zhang, S. Wang, L. Zhang, C. Zhu, H. Jin y C. Guo. "Comparative research of electrospark deposited Tungsten alloy coating in two kinds of gas". Digest Journal of Nanomaterials and Biostructures 16, n.º 3 (julio de 2021): 793–800. http://dx.doi.org/10.15251/djnb.2021.163.793.
Texto completoSaragih, L., Riandi y R. Solihat. "The implementation of ESD into Biology learning to equip students with ESD competencies of systemic thinking and problem-solving". Journal of Physics: Conference Series 1806, n.º 1 (1 de marzo de 2021): 012158. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/1806/1/012158.
Texto completoZhou, Jianchi, Kaustav Ghosh, Shaojie Xiang, Xin Yan, Ahmad Hosseinbeig, Jongsung Lee y David Pommerenke. "Characterization of ESD Risk for Wearable Devices". IEEE Transactions on Electromagnetic Compatibility 60, n.º 5 (octubre de 2018): 1313–21. http://dx.doi.org/10.1109/temc.2017.2780056.
Texto completoJiang, yibo, Hui Bi, Zhihao Xu, Wei Zhao, Yuanyuan Zhang y Xiaolei Wang. "Polysilicon devices as a highly compatible ESD protection with modulable voltage and low capacitance". International Journal of Modern Physics B 35, n.º 04 (2 de febrero de 2021): 2150052. http://dx.doi.org/10.1142/s0217979221500521.
Texto completoChen, Shih-Hung y Ming-Dou Ker. "Active ESD protection circuit design against charged-device-model ESD event in CMOS integrated circuits". Microelectronics Reliability 47, n.º 9-11 (septiembre de 2007): 1502–5. http://dx.doi.org/10.1016/j.microrel.2007.07.095.
Texto completoKer, Ming-Dou, Bing-Jye Kuo y Yuan-Wen Hsiao. "Optimization of broadband RF performance and ESD robustness by -model distributed ESD protection scheme". Journal of Electrostatics 64, n.º 2 (febrero de 2006): 80–87. http://dx.doi.org/10.1016/j.elstat.2005.03.086.
Texto completoLin, Changgui, Erik Kjellström, Renate Anna Irma Wilcke y Deliang Chen. "Present and future European heat wave magnitudes: climatologies, trends, and their associated uncertainties in GCM-RCM model chains". Earth System Dynamics 13, n.º 3 (25 de agosto de 2022): 1197–214. http://dx.doi.org/10.5194/esd-13-1197-2022.
Texto completoJiang, Yibo, Hui Bi y Hui Li. "Low trigger voltage bulk FinFET silicon controlled rectifier in nanotechnology". Modern Physics Letters B 32, n.º 34n36 (30 de diciembre de 2018): 1840072. http://dx.doi.org/10.1142/s0217984918400729.
Texto completoHyvonen, Sami, Sopan Joshi y Elyse Rosenbaum. "Comprehensive ESD protection for RF inputs". Microelectronics Reliability 45, n.º 2 (febrero de 2005): 245–54. http://dx.doi.org/10.1016/j.microrel.2004.05.012.
Texto completoWolf, Heinrich, Horst Gieser, Detlef Bonfert y Markus Hauser. "ESD Susceptibility of Submicron Air Gaps". Microelectronics Reliability 46, n.º 9-11 (septiembre de 2006): 1587–90. http://dx.doi.org/10.1016/j.microrel.2006.07.039.
Texto completoNotermans, Guido, Olivier Quittard, Anco Heringa, Željko Mrčarica, Fabrice Blanc, Hans van Zwol, Theo Smedes, Thomas Keller y Peter de Jong. "ESD robust high-voltage active clamps". Microelectronics Reliability 49, n.º 12 (diciembre de 2009): 1433–39. http://dx.doi.org/10.1016/j.microrel.2009.06.055.
Texto completoVassilev, Vesselin. "Advances in ESD protection for ICs". Microelectronics Reliability 53, n.º 2 (febrero de 2013): 183. http://dx.doi.org/10.1016/j.microrel.2013.01.002.
Texto completoJacob, P. y U. Thiemann. "New ESD challenges in RFID manufacturing". Microelectronics Reliability 76-77 (septiembre de 2017): 395–99. http://dx.doi.org/10.1016/j.microrel.2017.06.048.
Texto completoJiang, Lingli, Hang Fan, Ming Qiao, Bo Zhang y Zhaoji Li. "ESD characterization of a 190V LIGBT SOI ESD power clamp structure for plasma display panel applications". Microelectronics Reliability 53, n.º 5 (mayo de 2013): 687–93. http://dx.doi.org/10.1016/j.microrel.2013.02.002.
Texto completoLiu, Wei, Xiao-ming Ren, Rui-zhen Xie, Lan Liu, Ke-xin Yu, Xiang-fei Ji, Wei Ren y En-yi Chu. "Fabrication and performance of a nickel-chromium (NiCr) igniter integrated with TVS diode for ESD protection". AIP Advances 13, n.º 3 (1 de marzo de 2023): 035207. http://dx.doi.org/10.1063/5.0137883.
Texto completoJUTONG, NUTTACHAI, APIRAT SIRITARATIWAT, DUANGPORN SOMPONGSE y PORNCHAI RAKPONGSIRI. "ELECTROSTATIC DISCHARGE EFFECT ON TMR RECORDING HEAD: A FLEX ON SUSPENSION CAPACITANCE APPROACH". International Journal of Modern Physics B 23, n.º 17 (10 de julio de 2009): 3586–90. http://dx.doi.org/10.1142/s0217979209063018.
Texto completoZhu, Zhihua, Zhaonian Yang, Xiaomei Fan, Yingtao Zhang, Juin Jei Liou y Wenbing Fan. "Optimization of Tunnel Field-Effect Transistor-Based ESD Protection Network". Crystals 11, n.º 2 (28 de enero de 2021): 128. http://dx.doi.org/10.3390/cryst11020128.
Texto completoNikolenko, S. V., S. N. Khimukhin y P. S. Gordienko. "Alumo Matrix Composite Materials for Electro Spark Deposition on Carbon Steel". Solid State Phenomena 316 (abril de 2021): 745–51. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.316.745.
Texto completoKuznetsov, Vadim. "HBM, MM, and CBM ESD Ratings Correlation Hypothesis". IEEE Transactions on Electromagnetic Compatibility 60, n.º 1 (febrero de 2018): 107–14. http://dx.doi.org/10.1109/temc.2017.2700492.
Texto completoGao, Y., O. B. Malyshev, R. Valizadeh, J. Wang, A. Hannah, Y. C. Hu, J. Zhang, Q. Y. Sun, Q. Y. Si y S. Wang. "Effect of the film thickness on electron stimulated desorption yield from Ti-Zr-V coating". Journal of Instrumentation 17, n.º 08 (1 de agosto de 2022): P08025. http://dx.doi.org/10.1088/1748-0221/17/08/p08025.
Texto completoSadiek, Gehad, Wiam Al-Dress, Salwa Shaglel y Hala Elhag. "Asymptotic Entanglement Sudden Death in Two Atoms with Dipole–Dipole and Ising Interactions Coupled to a Radiation Field at Non-Zero Detuning". Entropy 23, n.º 5 (18 de mayo de 2021): 629. http://dx.doi.org/10.3390/e23050629.
Texto completoKer, Ming-Dou y Tang-Kui Tseng. "Active Electrostatic Discharge (ESD) Device for On-Chip ESD Protection in Sub-Quarter-Micron Complementary Metal-Oxide Semiconductor (CMOS) Process". Japanese Journal of Applied Physics 43, n.º 1A/B (19 de diciembre de 2003): L33—L35. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.43.l33.
Texto completoVoldman, Steven H. "A review of latchup and electrostatic discharge (ESD) in BiCMOS RF silicon germanium technologies: Part I—ESD". Microelectronics Reliability 45, n.º 2 (febrero de 2005): 323–40. http://dx.doi.org/10.1016/j.microrel.2004.10.017.
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