Artículos de revistas sobre el tema "Esaki Tunneling"
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Wang, Peng-Fei, Thomas Nirschl, Doris Schmitt-Landsiedel y Walter Hansch. "Simulation of the Esaki-tunneling FET". Solid-State Electronics 47, n.º 7 (julio de 2003): 1187–92. http://dx.doi.org/10.1016/s0038-1101(03)00045-5.
Texto completoLee, Jun-Ho, Inchul Choi, Nae Bong Jeong, Minjeong Kim, Jaeho Yu, Sung Ho Jhang y Hyun-Jong Chung. "Simulation of Figures of Merit for Barristor Based on Graphene/Insulator Junction". Nanomaterials 12, n.º 17 (31 de agosto de 2022): 3029. http://dx.doi.org/10.3390/nano12173029.
Texto completoPerraud, S., C. David y Z. Z. Wang. "Nanomeasure of Esaki Negative Resistance on p-Type GaAs(110) Surfaces". Solid State Phenomena 121-123 (marzo de 2007): 835–38. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.121-123.835.
Texto completoHansch, W., C. Fink, J. Schulze y I. Eisele. "A vertical MOS-gated Esaki tunneling transistor in silicon". Thin Solid Films 369, n.º 1-2 (julio de 2000): 387–89. http://dx.doi.org/10.1016/s0040-6090(00)00896-8.
Texto completoBandara, K. M. S. V. y D. D. Coon. "Derivation and correction of the Tsu–Esaki tunneling current formula". Journal of Applied Physics 66, n.º 2 (15 de julio de 1989): 693–96. http://dx.doi.org/10.1063/1.343539.
Texto completoTuomisto, Noora, Sebastiaan van Dijken y Martti Puska. "Tsu-Esaki modeling of tunneling currents in ferroelectric tunnel junctions". Journal of Applied Physics 122, n.º 23 (21 de diciembre de 2017): 234301. http://dx.doi.org/10.1063/1.5001823.
Texto completoBandara, K. M. S. V. y D. D. Coon. "Analytic techniques and corrections to the Tsu-Esaki tunneling current". Superlattices and Microstructures 4, n.º 6 (enero de 1988): 697–700. http://dx.doi.org/10.1016/0749-6036(88)90197-8.
Texto completoWillatzen, Morten y Zhong Lin Wang. "Contact Electrification by Quantum-Mechanical Tunneling". Research 2019 (4 de agosto de 2019): 1–11. http://dx.doi.org/10.34133/2019/6528689.
Texto completoR. Celino, Daniel, Adelcio M de Souza, Caio Luiz Machado Pereira Plazas, Regiane Ragi y Murilo A Romero. "Physics Based RTD Model Accounting for Space Charge and Phonon Scattering Effects". Journal of Integrated Circuits and Systems 17, n.º 1 (30 de abril de 2022): 1–8. http://dx.doi.org/10.29292/jics.v17i1.545.
Texto completoBizindavyi, Jasper, Anne S. Verhulst, Quentin Smets, Devin Verreck, Bart Soree y Guido Groeseneken. "Band-Tails Tunneling Resolving the Theory-Experiment Discrepancy in Esaki Diodes". IEEE Journal of the Electron Devices Society 6 (2018): 633–41. http://dx.doi.org/10.1109/jeds.2018.2834825.
Texto completoSchulman, J. N. "Extension of Tsu-Esaki model for effective mass effects in resonant tunneling". Applied Physics Letters 72, n.º 22 (junio de 1998): 2829–31. http://dx.doi.org/10.1063/1.121471.
Texto completoPark, Jong Han y Woo Young Choi. "Esaki-Tunneling-Assisted Tunnel Field-Effect Transistors for Sub-0.7-V Operation". Journal of Nanoscience and Nanotechnology 16, n.º 10 (1 de octubre de 2016): 10237–40. http://dx.doi.org/10.1166/jnn.2016.13134.
Texto completoSchenk, A. y S. Sant. "Tunneling between density-of-state tails: Theory and effect on Esaki diodes". Journal of Applied Physics 128, n.º 1 (7 de julio de 2020): 014502. http://dx.doi.org/10.1063/5.0008709.
Texto completoPersson, Olof, James L. Webb, Kimberly A. Dick, Claes Thelander, Anders Mikkelsen y Rainer Timm. "Scanning Tunneling Spectroscopy on InAs–GaSb Esaki Diode Nanowire Devices during Operation". Nano Letters 15, n.º 6 (5 de mayo de 2015): 3684–91. http://dx.doi.org/10.1021/acs.nanolett.5b00898.
Texto completoKASPER, E. "STRAINED SILICON GERMANIUM HETEROSTRUCTURES FOR DEVICE APPLICATIONS". International Journal of Modern Physics B 16, n.º 28n29 (20 de noviembre de 2002): 4189–94. http://dx.doi.org/10.1142/s0217979202015054.
Texto completoEinwanger, A., M. Ciorga, U. Wurstbauer, D. Schuh, W. Wegscheider y D. Weiss. "Tunneling anisotropic spin polarization in lateral (Ga,Mn)As/GaAs spin Esaki diode devices". Applied Physics Letters 95, n.º 15 (12 de octubre de 2009): 152101. http://dx.doi.org/10.1063/1.3247187.
Texto completoCiorga, M., A. Einwanger, J. Sadowski, W. Wegscheider y D. Weiss. "Tunneling anisotropic magnetoresistance effect in a p+-(Ga,Mn)As/n+-GaAs Esaki diode". physica status solidi (a) 204, n.º 1 (enero de 2007): 186–90. http://dx.doi.org/10.1002/pssa.200673002.
Texto completoEl Kazzi, S., A. Alireza, C. C. M. Bordallo, Q. Smets, L. Desplanque, X. Wallart, O. Richard et al. "Influence of Doping and Tunneling Interface Stoichiometry on n+In0.5Ga0.5As/p+GaAs0.5Sb0.5 Esaki Diode Behavior". ECS Transactions 72, n.º 3 (19 de mayo de 2016): 73–80. http://dx.doi.org/10.1149/07203.0073ecst.
Texto completoPrabhudesai, Gaurang, Manoharan Muruganathan, Le The Anh, Hiroshi Mizuta, Masahiro Hori, Yukinori Ono, Michiharu Tabe y Daniel Moraru. "Single-charge band-to-band tunneling via multiple-dopant clusters in nanoscale Si Esaki diodes". Applied Physics Letters 114, n.º 24 (17 de junio de 2019): 243502. http://dx.doi.org/10.1063/1.5100342.
Texto completoOehme, Michael, Marko Sarlija, Daniel Hahnel, Mathias Kaschel, Jens Werner, E. Kasper y J. Schulze. "Very High Room-Temperature Peak-to-Valley Current Ratio in Si Esaki Tunneling Diodes (March 2010)". IEEE Transactions on Electron Devices 57, n.º 11 (noviembre de 2010): 2857–63. http://dx.doi.org/10.1109/ted.2010.2068395.
Texto completoAnvarifard, Mohammad K. y Ali A. Orouji. "Enhancement of a Nanoscale Novel Esaki Tunneling Diode Source TFET (ETDS-TFET) for Low-Voltage Operations". Silicon 11, n.º 6 (6 de diciembre de 2018): 2547–56. http://dx.doi.org/10.1007/s12633-018-0043-6.
Texto completoGiraud, R., M. Gryglas, L. Thevenard, A. Lemaître y G. Faini. "Voltage-controlled tunneling anisotropic magnetoresistance of a ferromagnetic p++-(Ga,Mn)As∕n+-GaAs Zener-Esaki diode". Applied Physics Letters 87, n.º 24 (12 de diciembre de 2005): 242505. http://dx.doi.org/10.1063/1.2137903.
Texto completoDIETL, TOMASZ. "DILUTED FERROMAGNETIC SEMICONDUCTORS — ORIGIN OF MAGNETIC ORDERING AND SPIN-TRANSPORT PROPERTIES". International Journal of Modern Physics B 22, n.º 01n02 (20 de enero de 2008): 104–5. http://dx.doi.org/10.1142/s0217979208046116.
Texto completoShiogai, J., M. Ciorga, M. Utz, D. Schuh, M. Kohda, D. Bougeard, T. Nojima, D. Weiss y J. Nitta. "In-plane tunneling anisotropic magnetoresistance in (Ga,Mn)As/GaAs Esaki diodes in the regime of the excess current". Applied Physics Letters 106, n.º 26 (29 de junio de 2015): 262402. http://dx.doi.org/10.1063/1.4923309.
Texto completoYatsun, К. S. "Modification of active region of resonant tunnel diode". Radiotekhnika, n.º 205 (2 de julio de 2021): 108–12. http://dx.doi.org/10.30837/rt.2021.2.205.11.
Texto completoEl Kazzi, S., A. Alian, B. Hsu, A. S. Verhulst, A. Walke, P. Favia, B. Douhard et al. "Careful stoichiometry monitoring and doping control during the tunneling interface growth of an n + InAs(Si)/p + GaSb(Si) Esaki diode". Journal of Crystal Growth 484 (febrero de 2018): 86–91. http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2017.12.035.
Texto completoHou, Wei-Chih, Pao-Chuan Shih, Hao-Hsiung Lin, Barry Bing-Ruey Wu y Jiun-Yun Li. "High Band-to-Band Tunneling Current in InAs/GaSb Heterojunction Esaki Diodes by the Enhancement of Electric Fields Close to the Mesa Sidewalls". IEEE Transactions on Electron Devices 68, n.º 8 (agosto de 2021): 3748–54. http://dx.doi.org/10.1109/ted.2021.3086086.
Texto completoCiorga, M., A. Einwanger, U. Wurstbauer, D. Schuh, W. Wegscheider y D. Weiss. "In-plane anisotropy of tunneling magnetoresistance and spin polarization in lateral spin injection devices with (Ga,Mn)As/GaAs spin-Esaki diode contacts". Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures 42, n.º 10 (septiembre de 2010): 2673–75. http://dx.doi.org/10.1016/j.physe.2010.04.004.
Texto completoZhang, Anni, Guofu Niu, Yiao Li y Andries Scholten. "Compact Modeling of Forward Operation Band-to-Band andTrap-Assisted Tunneling Currents in SiGe HBTs". ECS Meeting Abstracts MA2022-02, n.º 32 (9 de octubre de 2022): 1201. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-02321201mtgabs.
Texto completoReuscher, G., G. Landwehr, M. Keim, H. J. Lugauer, F. Fischer y A. Waag. "p+-BeTe/n+-ZnSe ESAKI tunnelling heterojunctions for II-VI optoelectronic devices". Electronics Letters 36, n.º 3 (2000): 247. http://dx.doi.org/10.1049/el:20000230.
Texto completoReuscher, G., G. Landwehr, M. Keim, H. J. Lugauer, F. Fischer y A. Waag. "Blue light emitting diode based on p+-BeTe/n+-ZnSe ESAKI tunnelling heterojunction". Electronics Letters 36, n.º 12 (2000): 1056. http://dx.doi.org/10.1049/el:20000738.
Texto completoGilman, J. M. A. y A. G. O'Neill. "Modelling of resonant interband tunnelling structures as back-back inter-dimensional esaki diodes". Superlattices and Microstructures 14, n.º 2-3 (septiembre de 1993): 129–36. http://dx.doi.org/10.1006/spmi.1993.1113.
Texto completoHwang, Wan Sik, Pei Zhao, Sung Geun Kim, Rusen Yan, Gerhard Klimeck, Alan Seabaugh, Susan K. Fullerton-Shirey, Huili Grace Xing y Debdeep Jena. "Room-Temperature Graphene-Nanoribbon Tunneling Field-Effect Transistors". npj 2D Materials and Applications 3, n.º 1 (7 de noviembre de 2019). http://dx.doi.org/10.1038/s41699-019-0127-1.
Texto completoMadarang, May Angelu, Rafael Jumar Chu, Yeonhwa Kim, Quang Nhat Dang Lung, Eunkyo Ju, Won Jun Choi y Daehwan Jung. "Thermal degradation comparison of delta-doped GaAs tunnel junctions using Si and Te n-type dopants". AIP Advances 13, n.º 4 (1 de abril de 2023). http://dx.doi.org/10.1063/5.0142751.
Texto completoLiu, Chia‐You, Kai‐Ying Tien, Po‐Yuan Chiu, Yu‐Jui Wu, Yen Chuang, Hsiang‐Shun Kao y Jiun‐Yun Li. "Room Temperature Negative Differential Resistance and High Tunneling Current Density in GeSn Esaki Diodes". Advanced Materials, 27 de agosto de 2022, 2203888. http://dx.doi.org/10.1002/adma.202203888.
Texto completo"Influence of Doping and Tunneling Interface Stoichiometry on n+In0.5Ga0.5As/p+GaAs0.5Sb0.5 Esaki Diode Behavior". ECS Meeting Abstracts, 2016. http://dx.doi.org/10.1149/ma2016-01/22/1158.
Texto completoArakawa, T., J. Shiogai, M. Maeda, M. Ciorga, M. Utz, D. Schuh, Y. Niimi et al. "Tunneling mechanism in a (Ga,Mn)As/GaAs-based spin Esaki diode investigated by bias-dependent shot noise measurements". Physical Review B 102, n.º 4 (23 de julio de 2020). http://dx.doi.org/10.1103/physrevb.102.045308.
Texto completoLi, Shukun, Menglai Lei, Rui Lang, Guo Yu, Huanqing Chen, Peijun Wen, Muhammad Saddique Akbar Khan et al. "Demonstrating the electron blocking effect of AlGaN/GaN superlattice cladding layers in GaN-based laser diodes". Semiconductor Science and Technology, 15 de mayo de 2023. http://dx.doi.org/10.1088/1361-6641/acd573.
Texto completoNagase, Masanori, Tokio Takahashi y Mitsuaki Shimizu. "Enhancement of nonvolatile memory characteristics caused by GaN/AlN resonant tunnelling diodes". Semiconductor Science and Technology, 10 de febrero de 2023. http://dx.doi.org/10.1088/1361-6641/acbaf8.
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