Literatura académica sobre el tema "Esaki Tunneling"
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Artículos de revistas sobre el tema "Esaki Tunneling"
Wang, Peng-Fei, Thomas Nirschl, Doris Schmitt-Landsiedel y Walter Hansch. "Simulation of the Esaki-tunneling FET". Solid-State Electronics 47, n.º 7 (julio de 2003): 1187–92. http://dx.doi.org/10.1016/s0038-1101(03)00045-5.
Texto completoLee, Jun-Ho, Inchul Choi, Nae Bong Jeong, Minjeong Kim, Jaeho Yu, Sung Ho Jhang y Hyun-Jong Chung. "Simulation of Figures of Merit for Barristor Based on Graphene/Insulator Junction". Nanomaterials 12, n.º 17 (31 de agosto de 2022): 3029. http://dx.doi.org/10.3390/nano12173029.
Texto completoPerraud, S., C. David y Z. Z. Wang. "Nanomeasure of Esaki Negative Resistance on p-Type GaAs(110) Surfaces". Solid State Phenomena 121-123 (marzo de 2007): 835–38. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.121-123.835.
Texto completoHansch, W., C. Fink, J. Schulze y I. Eisele. "A vertical MOS-gated Esaki tunneling transistor in silicon". Thin Solid Films 369, n.º 1-2 (julio de 2000): 387–89. http://dx.doi.org/10.1016/s0040-6090(00)00896-8.
Texto completoBandara, K. M. S. V. y D. D. Coon. "Derivation and correction of the Tsu–Esaki tunneling current formula". Journal of Applied Physics 66, n.º 2 (15 de julio de 1989): 693–96. http://dx.doi.org/10.1063/1.343539.
Texto completoTuomisto, Noora, Sebastiaan van Dijken y Martti Puska. "Tsu-Esaki modeling of tunneling currents in ferroelectric tunnel junctions". Journal of Applied Physics 122, n.º 23 (21 de diciembre de 2017): 234301. http://dx.doi.org/10.1063/1.5001823.
Texto completoBandara, K. M. S. V. y D. D. Coon. "Analytic techniques and corrections to the Tsu-Esaki tunneling current". Superlattices and Microstructures 4, n.º 6 (enero de 1988): 697–700. http://dx.doi.org/10.1016/0749-6036(88)90197-8.
Texto completoWillatzen, Morten y Zhong Lin Wang. "Contact Electrification by Quantum-Mechanical Tunneling". Research 2019 (4 de agosto de 2019): 1–11. http://dx.doi.org/10.34133/2019/6528689.
Texto completoR. Celino, Daniel, Adelcio M de Souza, Caio Luiz Machado Pereira Plazas, Regiane Ragi y Murilo A Romero. "Physics Based RTD Model Accounting for Space Charge and Phonon Scattering Effects". Journal of Integrated Circuits and Systems 17, n.º 1 (30 de abril de 2022): 1–8. http://dx.doi.org/10.29292/jics.v17i1.545.
Texto completoBizindavyi, Jasper, Anne S. Verhulst, Quentin Smets, Devin Verreck, Bart Soree y Guido Groeseneken. "Band-Tails Tunneling Resolving the Theory-Experiment Discrepancy in Esaki Diodes". IEEE Journal of the Electron Devices Society 6 (2018): 633–41. http://dx.doi.org/10.1109/jeds.2018.2834825.
Texto completoCapítulos de libros sobre el tema "Esaki Tunneling"
Capasso, Federico, Fabio Beltram, Deborah L. Sivco, Albert L. Hutchinson, Sung-Nee G. Chu y Alfred Y. Cho. "Transport in Superlattices: Observation of Negative Differential Conductance by Field Induced Localization and Its Equivalence with the Esaki-Tsu Mechanism; Scattering Controlled Resonances in Superlattices". En Resonant Tunneling in Semiconductors, 377–86. Boston, MA: Springer US, 1991. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4615-3846-2_35.
Texto completoActas de conferencias sobre el tema "Esaki Tunneling"
Özbay, E. y D. M. Bloom. "Triggering with Subpicosecond Jitter Using Resonant Tunneling Diodes". En Picosecond Electronics and Optoelectronics. Washington, D.C.: Optica Publishing Group, 1991. http://dx.doi.org/10.1364/peo.1991.fb1.
Texto completoKOGA, Junji y Akira TORIUMI. "Three-Terminal Silicon Esaki Tunneling Device". En 1996 International Conference on Solid State Devices and Materials. The Japan Society of Applied Physics, 1996. http://dx.doi.org/10.7567/ssdm.1996.a-2-4.
Texto completoShah, Jagdeep. "Ultrafast Optical Studies of Tunneling and Perpendicular Transport in Semiconductor Microstructures". En Quantum Wells for Optics and Opto-Electronics. Washington, D.C.: Optica Publishing Group, 1989. http://dx.doi.org/10.1364/qwoe.1989.wc1.
Texto completoOberli, D. Y., J. Shah, T. C. Damen, C. W. Tu y D. A. B. Miller. "Electron Tunneling Times in Coupled Quantum Wells". En Quantum Wells for Optics and Opto-Electronics. Washington, D.C.: Optica Publishing Group, 1989. http://dx.doi.org/10.1364/qwoe.1989.wd3.
Texto completoCahay, Marc M., T. Dichiaro, P. Thanikasalam y Ramasubraman Venkatasubramanian. "Quantum-mechanical tunneling time and its relation to the Tsu-Esaki formula". En Semiconductors '92, editado por Gottfried H. Doehler y Emil S. Koteles. SPIE, 1992. http://dx.doi.org/10.1117/12.137589.
Texto completoBizindavyi, Jasper, Anne S. Verhulst, Quentin Smets, Devin Verreck, Nadine Collaert, Anda Mocuta, Bart Soree y Guido Groeseneken. "Calibration of the high-doping induced ballistic band-tails tunneling current with In0.53Ga0.47As Esaki diodes". En 2017 Fifth Berkeley Symposium on Energy Efficient Electronic Systems & Steep Transistors Workshop (E3S). IEEE, 2017. http://dx.doi.org/10.1109/e3s.2017.8246161.
Texto completoMoraru, D., H. N. Tan, L. T. Anh, M. Manoharan, T. Mizuno, R. Nuryadi, H. Mizuta y M. Tabe. "Enhancement of inter-band tunneling due to low-dimensionality of lateral 2D Silicon Esaki diodes". En 2016 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW). IEEE, 2016. http://dx.doi.org/10.1109/snw.2016.7577965.
Texto completoLiu, C. Y., P. Y. Chiu, Y. Chuang y J. Y. Li. "Indirect-to-Direct Bandgap Transition of GeSn by Phonon-assisted Tunneling Spectra in Esaki Diodes". En 2019 International Conference on Solid State Devices and Materials. The Japan Society of Applied Physics, 2019. http://dx.doi.org/10.7567/ssdm.2019.ps-9-11.
Texto completoPrabhudesai, G., K. Yamaguchi, M. Tabe y D. Moraru. "Coulomb-Blockade Charge-Transport Mechanism in Band-to-Band Tunneling in Heavily-Doped Low-Dimensional Silicon Esaki Diodes". En 2020 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW). IEEE, 2020. http://dx.doi.org/10.1109/snw50361.2020.9131628.
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