Literatura académica sobre el tema "Epitaxial stack design"
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Artículos de revistas sobre el tema "Epitaxial stack design"
Roy, Francois, Andrej Suler, Thomas Dalleau, Romain Duru, Daniel Benoit, Jihane Arnaud, Yvon Cazaux et al. "Fully Depleted, Trench-Pinned Photo Gate for CMOS Image Sensor Applications". Sensors 20, n.º 3 (28 de enero de 2020): 727. http://dx.doi.org/10.3390/s20030727.
Texto completoRoger, Frederic, Ingrid Jonak-Auer, Olesia Synooka, Filip Segmanovic, Joni Mellin y Helmut Hofstaetter. "Systematic Electro-Optical Study of Photodiodes in Intrinsic Material (Lowly Doped) with Backend Stack Optimization". Proceedings 2, n.º 13 (26 de noviembre de 2018): 909. http://dx.doi.org/10.3390/proceedings2130909.
Texto completoLoo, Roger, Nicolas Gosset, Megumi Isaji, Yumi Kawamura, Andriy Yakovitch Hikavyy, Erik Rosseel, Clement Porret, Ankit Nalin Mehta y Jean-Marc Girard. "(Digital Presentation) Selective SiGe Vapor Etching Using Br2 in View of Nanosheet Device Isolation". ECS Transactions 109, n.º 4 (30 de septiembre de 2022): 135–40. http://dx.doi.org/10.1149/10904.0135ecst.
Texto completoXie, Lu, Huilong Zhu, Yongkui Zhang, Xuezheng Ai, Guilei Wang, Junjie Li, Anyan Du et al. "Strained Si0.2Ge0.8/Ge multilayer Stacks Epitaxially Grown on a Low-/High-Temperature Ge Buffer Layer and Selective Wet-Etching of Germanium". Nanomaterials 10, n.º 9 (29 de agosto de 2020): 1715. http://dx.doi.org/10.3390/nano10091715.
Texto completoSchulz, Michal, Timna Orland, Alexander Mehlmann, Avner Rothschild y Holger Fritze. "Oxygen transport in epitaxial SrTiO<sub>3</sub>/SrTi<sub>1 − <i>x</i></sub>Fe<sub><i>x</i></sub>O<sub>3</sub> multilayer stacks". Journal of Sensors and Sensor Systems 6, n.º 1 (28 de febrero de 2017): 107–19. http://dx.doi.org/10.5194/jsss-6-107-2017.
Texto completoMohapatra, Eleena, Devika Jena, Sanghamitra Das, C. K. Maiti y Taraprasanna Dash. "Design and Optimization of Stress/Strain in GAA Nanosheet FETs for Improved FOMs at Sub-7nm Nodes". Physica Scripta, 24 de abril de 2023. http://dx.doi.org/10.1088/1402-4896/accfcc.
Texto completoCallahan, William A., Edwin Supple, David Ginley, Michael Sanders, Brian P. Gorman, Ryan O’Hayre y Andriy Zakutayev. "Ultrathin stable Ohmic contacts for high-temperature operation of β-Ga2O3 devices". Journal of Vacuum Science & Technology A 41, n.º 4 (28 de junio de 2023). http://dx.doi.org/10.1116/6.0002645.
Texto completoNadtochiy, Andriy, Vasyl Kuryliuk, Viktor Strelchuk, Oleg Korotchenkov, Pei-Wen Li y Sheng-Wei Lee. "Enhancing the Seebeck effect in Ge/Si through the combination of interfacial design features". Scientific Reports 9, n.º 1 (8 de noviembre de 2019). http://dx.doi.org/10.1038/s41598-019-52654-z.
Texto completoLu, Shiqiang, Jinchai Li, Kai Huang, Guozhen Liu, Yinghui Zhou, Duanjun Cai, Rong Zhang y Junyong Kang. "Designs of InGaN Micro-LED Structure for Improving Quantum Efficiency at Low Current Density". Nanoscale Research Letters 16, n.º 1 (3 de junio de 2021). http://dx.doi.org/10.1186/s11671-021-03557-4.
Texto completoVisser, Dennis, Yohan Désières, Marcin Swillo, Eleonora De Luca y Srinivasan Anand. "GaInP nanowire arrays for color conversion applications". Scientific Reports 10, n.º 1 (diciembre de 2020). http://dx.doi.org/10.1038/s41598-020-79498-2.
Texto completoTesis sobre el tema "Epitaxial stack design"
Satter, Md Mahbub. "Design and theoretical study of Wurtzite III-N deep ultraviolet edge emitting laser diodes". Diss., Georgia Institute of Technology, 2014. http://hdl.handle.net/1853/53042.
Texto completoRemesh, Nayana. "Investigation of Buffer Design and Carbon doping in AlGaN/GaN HEMTs for High Breakdown Voltages". Thesis, 2021. https://etd.iisc.ac.in/handle/2005/5463.
Texto completoActas de conferencias sobre el tema "Epitaxial stack design"
Yang, Gye Mo, Michael H. MacDougal y P. Daniel Dapkus. "Low threshold current vertical-cavity surface-emitting lasers with enhanced resistance to heating". En Semiconductor Lasers: Advanced Devices and Applications. Washington, D.C.: Optica Publishing Group, 1995. http://dx.doi.org/10.1364/slada.1995.tud.4.
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