Artículos de revistas sobre el tema "Epitaxial Devices"
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Metzner, H., Th Hahn, Chr Schmiga, J. H. Bremer, D. Borchert, W. R. Fahrner y M. Seibt. "Epitaxial heterojunction devices". Solar Energy Materials and Solar Cells 49, n.º 1-4 (diciembre de 1997): 337–42. http://dx.doi.org/10.1016/s0927-0248(97)00074-3.
Texto completoBaierhofer, Daniel, Bernd Thomas, F. Staiger, B. Marchetti, C. Förster y Tobias Erlbacher. "Correlation of Extended Defects with Electrical Yield of SiC MOSFET Devices". Defect and Diffusion Forum 426 (6 de junio de 2023): 11–16. http://dx.doi.org/10.4028/p-i82158.
Texto completoSambri, A., D. Isarakorn, A. Torres-Pardo, S. Gariglio, Pattanaphong Janphuang, D. Briand, O. Stéphan et al. "Epitaxial Piezoelectric Pb(Zr0.2Ti0.8)O3 Thin Films on Silicon for Energy Harvesting Devices". Smart Materials Research 2012 (22 de abril de 2012): 1–7. http://dx.doi.org/10.1155/2012/426048.
Texto completoFeng, Qi, Wenqi Wei, Bin Zhang, Hailing Wang, Jianhuan Wang, Hui Cong, Ting Wang y Jianjun Zhang. "O-Band and C/L-Band III-V Quantum Dot Lasers Monolithically Grown on Ge and Si Substrate". Applied Sciences 9, n.º 3 (23 de enero de 2019): 385. http://dx.doi.org/10.3390/app9030385.
Texto completoRadhakrishnan, Rahul, Tony Witt, Seungchul Lee y Richard Woodin. "Design of Silicon Carbide Devices to Minimize the Impact of Variation of Epitaxial Parameters". Materials Science Forum 858 (mayo de 2016): 177–80. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.858.177.
Texto completoVaz, C. A. F., Y. J. Shin, M. Bibes, K. M. Rabe, F. J. Walker y C. H. Ahn. "Epitaxial ferroelectric interfacial devices". Applied Physics Reviews 8, n.º 4 (diciembre de 2021): 041308. http://dx.doi.org/10.1063/5.0060218.
Texto completoWaldmann, Daniel, Johannes Jobst, Florian Speck, Thomas Seyller, Michael Krieger y Heiko B. Weber. "Gated Epitaxial Graphene Devices". Materials Science Forum 717-720 (mayo de 2012): 675–78. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.717-720.675.
Texto completoJokerst, N. M. "Integrated Optoelectronics Using Thin Film Epitaxial Liftoff Materials and Devices". Journal of Nonlinear Optical Physics & Materials 06, n.º 01 (marzo de 1997): 19–48. http://dx.doi.org/10.1142/s0218863597000034.
Texto completoFirst, Phillip N., Walt A. de Heer, Thomas Seyller, Claire Berger, Joseph A. Stroscio y Jeong-Sun Moon. "Epitaxial Graphenes on Silicon Carbide". MRS Bulletin 35, n.º 4 (abril de 2010): 296–305. http://dx.doi.org/10.1557/mrs2010.552.
Texto completoGIBB, SHAWN R., JAMES R. GRANDUSKY, MARK MENDRICK y LEO J. SCHOWALTER. "PERFORMANCE OF PSEUDOMORPHIC ULTRAVIOLET LEDs GROWN ON BULK ALUMINUM NITRIDE SUBSTRATES". International Journal of High Speed Electronics and Systems 20, n.º 03 (septiembre de 2011): 497–504. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156411006787.
Texto completoKallinger, Birgit, Bernd Thomas y Jochen Friedrich. "Influence of Substrate Preparation and Epitaxial Growth Parameters on the Dislocation Densities in 4H-SiC Epitaxial Layers". Materials Science Forum 600-603 (septiembre de 2008): 143–46. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.600-603.143.
Texto completoMiller, Dean J., Jeffrey D. Hettinger, Ronald P. Chiarello y Hyung K. Kim. "Epitaxial growth of Cu2O films on MgO by sputtering". Journal of Materials Research 7, n.º 10 (octubre de 1992): 2828–32. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.1992.2828.
Texto completoChrysler, M., J. C. Jiang, G. Lorkowski, E. I. Meletis y J. H. Ngai. "Deposition-last lithographically defined epitaxial complex oxide devices on Si(100)". Journal of Vacuum Science & Technology A 40, n.º 5 (septiembre de 2022): 052701. http://dx.doi.org/10.1116/6.0001939.
Texto completoKodolitsch, E., V. Sodan, M. Krieger y N. Tsavdaris. "Impact of Epitaxial Defects on Device Behavior and their Correlation to the Reverse Characteristics of SiC Devices". Materials Science Forum 1062 (31 de mayo de 2022): 49–53. http://dx.doi.org/10.4028/p-f26rb5.
Texto completoBAKIN, ANDREY S. "SiC HOMOEPITAXY AND HETEROEPITAXY". International Journal of High Speed Electronics and Systems 15, n.º 04 (diciembre de 2005): 747–80. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156405003417.
Texto completoSchowalter, Leo J. "Substrate Engineering With Plastic Buffer Layers". MRS Bulletin 21, n.º 4 (abril de 1996): 45–49. http://dx.doi.org/10.1557/s0883769400035338.
Texto completoSkipper, Alec M., Priyanka Petluru, Daniel J. Ironside, Ashlee M. García, Aaron J. Muhowski, Daniel Wasserman y Seth R. Bank. "All-epitaxial, laterally structured plasmonic materials". Applied Physics Letters 120, n.º 16 (18 de abril de 2022): 161103. http://dx.doi.org/10.1063/5.0094677.
Texto completoGao, Junning, Zhibiao Hao, Lang Niu, Lai Wang, Changzheng Sun, Bin Xiong, Yanjun Han et al. "Surface acoustic wave devices fabricated on epitaxial AlN film". Functional Materials Letters 09, n.º 02 (abril de 2016): 1650034. http://dx.doi.org/10.1142/s179360471650034x.
Texto completoLarkin, D. J. "An Overview of SiC Epitaxial Growth". MRS Bulletin 22, n.º 3 (marzo de 1997): 36–41. http://dx.doi.org/10.1557/s0883769400032747.
Texto completoGhonge, S. G., E. Goo, R. Ramesh, R. Haakenaasen y D. K. Fork. "Epitaxial ferroelectric thin films". Proceedings, annual meeting, Electron Microscopy Society of America 52 (1994): 572–73. http://dx.doi.org/10.1017/s0424820100170591.
Texto completoZhang, Chao, Jianjun Song, Jie Zhang y Shulin Liu. "Thermophysics Simulation of Laser Recrystallization of High-Ge-Content SiGe on Si Substrate". Advances in Condensed Matter Physics 2018 (7 de agosto de 2018): 1–8. http://dx.doi.org/10.1155/2018/5863632.
Texto completoHan, Lili, Xiansheng Tang, Zhaowei Wang, Weihua Gong, Ruizhan Zhai, Zhongqing Jia y Wei Zhang. "Research Progress and Development Prospects of Enhanced GaN HEMTs". Crystals 13, n.º 6 (4 de junio de 2023): 911. http://dx.doi.org/10.3390/cryst13060911.
Texto completoCapano, Michael A. y Robert J. Trew. "Silicon Carbide Electronic Materials and Devices". MRS Bulletin 22, n.º 3 (marzo de 1997): 19–23. http://dx.doi.org/10.1557/s0883769400032711.
Texto completoLear, Kevin L. y Eric D. Jones. "Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers". MRS Bulletin 27, n.º 7 (julio de 2002): 497–501. http://dx.doi.org/10.1557/mrs2002.166.
Texto completoBruzzi, M., M. Bucciolini, M. Casati, D. Menichelli, C. Talamonti, C. Piemonte y B. G. Svensson. "Epitaxial silicon devices for dosimetry applications". Applied Physics Letters 90, n.º 17 (23 de abril de 2007): 172109. http://dx.doi.org/10.1063/1.2723075.
Texto completoHamann, Danielle Marie, Swapna Sunkari, Joshua Justice y Hrishikesh Das. "Investigation into the Influence of Substrate Dislocations in 4H-SiC on the Subsequent Epitaxy and Resultant Device Performance". ECS Meeting Abstracts MA2022-02, n.º 37 (9 de octubre de 2022): 1352. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-02371352mtgabs.
Texto completoSumakeris, Joseph J., Mrinal K. Das, Seo Young Ha, Edward Hurt, Kenneth G. Irvine, Michael J. Paisley, Michael J. O'Loughlin et al. "Development of Epitaxial SiC Processes Suitable for Bipolar Power Devices". Materials Science Forum 483-485 (mayo de 2005): 155–58. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.483-485.155.
Texto completoTominaga, Takaaki, Naoyuki Kawabata, Akihiro Koyama, Takanori Tanaka, Hiroshi Watanabe, Nobuyuki Tomita, Naruhisa Miura, Takeharu Kuroiwa y Satoshi Yamakawa. "Low Resistivity SiC Devices with a Drift Layer Optimized by Variational Approach". Materials Science Forum 858 (mayo de 2016): 765–68. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.858.765.
Texto completoWang, Jian-Huan, Ting Wang y Jian-Jun Zhang. "Epitaxial Growth of Ordered In-Plane Si and Ge Nanowires on Si (001)". Nanomaterials 11, n.º 3 (19 de marzo de 2021): 788. http://dx.doi.org/10.3390/nano11030788.
Texto completoKosugi, Ryoji, Yuuki Sakuma, Kazutoshi Kojima, Sachiko Itoh, Akiyo Nagata, Tsutomu Yatsuo, Yasunori Tanaka y Hajime Okumura. "Development of SiC Super-Junction (SJ) Devices by Multi-Epitaxial Growth". Materials Science Forum 778-780 (febrero de 2014): 845–50. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.778-780.845.
Texto completoMatzen, S., S. Gable, N. Lequet, S. Yousfi, K. Rani, T. Maroutian, G. Agnus, H. Bouyanfif y P. Lecoeur. "High piezoelectricity in epitaxial BiFeO3 microcantilevers". Applied Physics Letters 121, n.º 14 (3 de octubre de 2022): 142901. http://dx.doi.org/10.1063/5.0105404.
Texto completoFu, Wai Yuen y Hoi Wai Choi. "Progress and prospects of III-nitride optoelectronic devices adopting lift-off processes". Journal of Applied Physics 132, n.º 6 (14 de agosto de 2022): 060903. http://dx.doi.org/10.1063/5.0089750.
Texto completoZhilenkov, A. "GaN Materials Nanostructures Growth Control in the Epitaxial Units". Solid State Phenomena 265 (septiembre de 2017): 627–30. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.265.627.
Texto completoBatstone, J. L. "Structural and electronic properties of defects in semiconductors". Proceedings, annual meeting, Electron Microscopy Society of America 53 (13 de agosto de 1995): 4–5. http://dx.doi.org/10.1017/s0424820100136398.
Texto completoBaker, Jack, Craig P. Allford, Sara-Jayne Gillgrass, Richard Forrest, David G. Hayes, Josie Nabialek, Curtis Hentschel, J. Iwan Davies, Samuel Shutts y Peter M. Smowton. "Quick Fabrication VCSELs for Characterisation of Epitaxial Material". Applied Sciences 11, n.º 20 (9 de octubre de 2021): 9369. http://dx.doi.org/10.3390/app11209369.
Texto completoNishio, Johji, Hirokuni Asamizu, Mitsuhiro Kushibe, Hidenori Kitai y Kazutoshi Kojima. "Reduction in Background Carrier Concentration for 4H-SiC C-face Epitaxial Growth". MRS Advances 1, n.º 54 (2016): 3631–36. http://dx.doi.org/10.1557/adv.2016.326.
Texto completoChen, Gang, Song Bai, Ao Liu, Run Hua Huang, Yong Hong Tao, Lin Wang, Yun Li y Zhi Fei Zhao. "Fabrication and Characterisation of 1200V 4H-SiC VJFET". Applied Mechanics and Materials 716-717 (diciembre de 2014): 1434–37. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amm.716-717.1434.
Texto completoBurk, Albert A., Michael J. O'Loughlin, Joseph J. Sumakeris, C. Hallin, Elif Berkman, Vijay Balakrishna, Jonathan Young et al. "SiC Epitaxial Growth on Multiple 100-mm Wafers and its Application to Power-Switching Devices". Materials Science Forum 600-603 (septiembre de 2008): 77–82. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.600-603.77.
Texto completovan Brunt, Edward, Albert Burk, Daniel J. Lichtenwalner, Robert Leonard, Shadi Sabri, Donald A. Gajewski, Andrew Mackenzie, Brett Hull, Scott Allen y John W. Palmour. "Performance and Reliability Impacts of Extended Epitaxial Defects on 4H-SiC Power Devices". Materials Science Forum 924 (junio de 2018): 137–42. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.924.137.
Texto completoZhao, Ai Ping, Hong Deng, Feng Liu y Xue Ran Deng. "The Research about the III-Nitride Compounds Epitaxially Grown on Si Substrate". Advanced Materials Research 399-401 (noviembre de 2011): 935–44. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.399-401.935.
Texto completoTan, Ming, Wei-Di Liu, Xiao-Lei Shi, Qiang Sun y Zhi-Gang Chen. "Minimization of the electrical contact resistance in thin-film thermoelectric device". Applied Physics Reviews 10, n.º 2 (junio de 2023): 021404. http://dx.doi.org/10.1063/5.0141075.
Texto completoNathan, Arokia, Walter Allegretto, Henry P. Baltes y Tom Smy. "Carrier transport in GaAs Hall-cross devices". Canadian Journal of Physics 65, n.º 8 (1 de agosto de 1987): 956–60. http://dx.doi.org/10.1139/p87-150.
Texto completoZivasatienraj, Bill, M. Brooks Tellekamp y W. Alan Doolittle. "Epitaxy of LiNbO3: Historical Challenges and Recent Success". Crystals 11, n.º 4 (9 de abril de 2021): 397. http://dx.doi.org/10.3390/cryst11040397.
Texto completoLo Nigro, Raffaella, Giuseppe Greco, L. Swanson, G. Fisichella, Patrick Fiorenza, Filippo Giannazzo, S. Di Franco et al. "Potentialities of Nickel Oxide as Dielectric for GaN and SiC Devices". Materials Science Forum 740-742 (enero de 2013): 777–80. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.740-742.777.
Texto completoChien, Feng-Tso, Zhi-Zhe Wang, Cheng-Li Lin, Tsung-Kuei Kang, Chii-Wen Chen y Hsien-Chin Chiu. "150–200 V Split-Gate Trench Power MOSFETs with Multiple Epitaxial Layers". Micromachines 11, n.º 5 (15 de mayo de 2020): 504. http://dx.doi.org/10.3390/mi11050504.
Texto completoMoatti, A., R. Bayati, S. Singamaneni y J. Narayan. "Epitaxial integration of TiO2 with Si(100) through a novel approach of oxidation of TiN/Si(100) epitaxial heterostructure". MRS Advances 1, n.º 37 (2016): 2629–34. http://dx.doi.org/10.1557/adv.2016.463.
Texto completoAmamou, Walid, Patrick M. Odenthal, Elizabeth J. Bushong, Dante J. O’Hara, Yunqiu Kelly Luo, Jeremiah van Baren, Igor Pinchuk et al. "Large area epitaxial germanane for electronic devices". 2D Materials 2, n.º 3 (6 de agosto de 2015): 035012. http://dx.doi.org/10.1088/2053-1583/2/3/035012.
Texto completoWang, C. A., G. W. Charache y H. K. Choi. "Epitaxial growth of GaInAsSb for thermophotovoltaic devices". IEE Proceedings - Optoelectronics 147, n.º 3 (1 de junio de 2000): 193–98. http://dx.doi.org/10.1049/ip-opt:20000480.
Texto completoPanchal, V., K. Cedergren, R. Yakimova, A. Tzalenchuk, S. Kubatkin y O. Kazakova. "Small epitaxial graphene devices for magnetosensing applications". Journal of Applied Physics 111, n.º 7 (abril de 2012): 07E509. http://dx.doi.org/10.1063/1.3677769.
Texto completoLam, S. K. H. y B. Sankrithyan. "HTSC devices fabricated by selective epitaxial growth". Superconductor Science and Technology 12, n.º 4 (1 de enero de 1999): 215–18. http://dx.doi.org/10.1088/0953-2048/12/4/007.
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