Artículos de revistas sobre el tema "Epitaxial Deposition"
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Wang, Wenliang, Yulin Zheng, Yuan Li, Xiaochan Li, Liegen Huang, Zhuoran Li, Zhenya Lu y Guoqiang Li. "Control of interfacial reactions for the growth of high-quality AlN epitaxial films on Cu(111) substrates". CrystEngComm 19, n.º 48 (2017): 7307–15. http://dx.doi.org/10.1039/c7ce01803g.
Texto completoMiller, Dean J., Jeffrey D. Hettinger, Ronald P. Chiarello y Hyung K. Kim. "Epitaxial growth of Cu2O films on MgO by sputtering". Journal of Materials Research 7, n.º 10 (octubre de 1992): 2828–32. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.1992.2828.
Texto completoDuan, Chun Yan, Bin Ai, Jian Jun Lai, Chao Liu, You Jun Deng y Hui Shen. "APCVD Deposition of Si Film on SiO2 Patterned Si (111) Substrates for Solar Cells". Advanced Materials Research 295-297 (julio de 2011): 1211–16. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.295-297.1211.
Texto completoM C Ávila, Renan, Roney C da Silva y Rogério J Prado. "Preparation of epitaxial BiFeO3 thin films on Si(001) substrates by pulsed electron deposition". Physics & Astronomy International Journal 7, n.º 2 (3 de abril de 2023): 77–81. http://dx.doi.org/10.15406/paij.202307.00288.
Texto completoWijaranakula, W., P. M. Burke, L. Forbes y J. H. Matlock. "Effect of pre- and postepitaxial deposition annealing on oxygen precipitation in silicon". Journal of Materials Research 1, n.º 5 (octubre de 1986): 698–704. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.1986.0698.
Texto completoChung, Jun Ki, Won Jeong Kim, Sung Gap Lee y Cheol Jin Kim. "Growth and Characterization of BaZrO3 Buffer Layer for Textured YBCO Thin Films Growth on MgO (00l) Substrate". Key Engineering Materials 336-338 (abril de 2007): 715–18. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/kem.336-338.715.
Texto completoZhang, Jiming, Gregory T. Stauf, Robin Gardiner, Peter Van Buskirk y John Steinbeck. "Single molecular precursor metal-organic chemical vapor deposition of MgAl2O4 thin films". Journal of Materials Research 9, n.º 6 (junio de 1994): 1333–36. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.1994.1333.
Texto completoDuan, Ying Wen. "Epitaxial Pd-Doped LaFeO3 Films Grown on (100) SrTiO3 by Pulsed Laser Deposition". Advanced Materials Research 936 (junio de 2014): 282–86. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.936.282.
Texto completoLin, Yunhao, Meijuan Yang, Wenliang Wang, Zhiting Lin y Guoqiang Li. "Quality-enhanced GaN epitaxial films on Si(111) substrates by in situ deposition of SiN on a three-dimensional GaN template". RSC Advances 6, n.º 88 (2016): 84794–800. http://dx.doi.org/10.1039/c6ra16842f.
Texto completoLi, Chunling, Yanwei Liu, Yueliang Zhou, Zhenghao Chen, Hong Chen y Yong Zhu. "Heteroepitaxial Growth of c-Axis-Oriented BaTiO3:Ce/YBa2Cu3O7-x Bilayer Structure on SrTiO3(100) by Pulsed Laser Deposition". Modern Physics Letters B 11, n.º 02n03 (30 de enero de 1997): 73–79. http://dx.doi.org/10.1142/s0217984997000116.
Texto completoChrysler, M., J. C. Jiang, G. Lorkowski, E. I. Meletis y J. H. Ngai. "Deposition-last lithographically defined epitaxial complex oxide devices on Si(100)". Journal of Vacuum Science & Technology A 40, n.º 5 (septiembre de 2022): 052701. http://dx.doi.org/10.1116/6.0001939.
Texto completoLee, Sang B. y Taegwen Hwangbo. "Epitaxial growth with impurity dimer deposition". Physica A: Statistical Mechanics and its Applications 337, n.º 3-4 (junio de 2004): 470–80. http://dx.doi.org/10.1016/j.physa.2004.02.003.
Texto completoMieno, Fumitake, Atsuhiro Tukune, Hiroshi Miyata, Atsuo Shimizu y Yuji Furumura. "Spontaneous Polysilicon and Epitaxial Silicon Deposition". Journal of The Electrochemical Society 142, n.º 5 (1 de mayo de 1995): 1590–94. http://dx.doi.org/10.1149/1.2048618.
Texto completoVeneroni, Alessandro, Fabrizio Omarini, Davide Moscatelli, Maurizio Masi, Stefano Leone, Marco Mauceri, Giuseppe Pistone y Giuseppe Abbondanza. "Modeling of epitaxial silicon carbide deposition". Journal of Crystal Growth 275, n.º 1-2 (febrero de 2005): e295-e300. http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2004.10.104.
Texto completoJiménez-Sáez, J. C., A. M. C. Pérez-Martín y J. J. Jiménez-Rodríguez. "Influence of Energy and Temperature in Cluster Coalescence Induced by Deposition". Advances in Condensed Matter Physics 2012 (2012): 1–7. http://dx.doi.org/10.1155/2012/812463.
Texto completoArata, Yuta, Hiroyuki Nishinaka, Kazuki Shimazoe y Masahiro Yoshimoto. "Epitaxial Growth of Bendable Cubic NiO and In2O3 Thin Films on Synthetic Mica for p- and n-type Wide-Bandgap Semiconductor Oxides". MRS Advances 5, n.º 31-32 (2020): 1671–79. http://dx.doi.org/10.1557/adv.2020.85.
Texto completoKomatsu, Keiji, Pineda Marulanda David Alonso, Nozomi Kobayashi, Ikumi Toda, Shigeo Ohshio, Hiroyuki Muramatsu y Hidetoshi Saitoh. "Epitaxial Growth of Magnesia Films on Single Crystalline Magnesia Substrates by Atmospheric-Pressure Chemical Vapor Deposition". Journal of Materials Science Research 5, n.º 2 (31 de enero de 2016): 56. http://dx.doi.org/10.5539/jmsr.v5n2p56.
Texto completoOhnishi, T., B. T. Hang, X. Xu, M. Osada y K. Takada. "Quality control of epitaxial LiCoO2 thin films grown by pulsed laser deposition". Journal of Materials Research 25, n.º 10 (octubre de 2010): 1886–89. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.2010.0250.
Texto completoLIANG, M. H., X. XIE y S. LI. "COMPUTER SIMULATION OF EPITAXIAL GROWTH OF SILICON ON Si (001) SURFACE". International Journal of Modern Physics B 16, n.º 01n02 (20 de enero de 2002): 227–32. http://dx.doi.org/10.1142/s0217979202009688.
Texto completoTamaki, Jun, Gregory K. L. Goh y Fred F. Lange. "Novel epitaxial growth of barium titanate thin films by electrodeposition". Journal of Materials Research 15, n.º 12 (diciembre de 2000): 2583–86. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.2000.0368.
Texto completoAlouach, H. y G. J. Mankey. "Epitaxial growth of copper nanowire arrays grown on H-terminated Si(110) using glancing-angle deposition". Journal of Materials Research 19, n.º 12 (1 de diciembre de 2004): 3620–25. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.2004.0465.
Texto completoMeinander, K., K. Nordlund y J. Keinonen. "Size dependent epitaxial cluster deposition: The effect of deposition energy". Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms 242, n.º 1-2 (enero de 2006): 161–63. http://dx.doi.org/10.1016/j.nimb.2005.08.028.
Texto completoNECHACHE, R., C. HARNAGEA, A. RUEDIGER, F. ROSEI y A. PIGNOLET. "EFFECT OF EPITAXIAL STRAIN ON THE STRUCTURAL AND FERROELECTRIC PROPERTIES OF Bi2FeCrO6 THIN FILMS". Functional Materials Letters 03, n.º 01 (marzo de 2010): 83–88. http://dx.doi.org/10.1142/s1793604710000981.
Texto completoKizuka, T. y N. Tanaka. "Cross-sectional time-resolved high-resolution electron microscopy of epitaxial growth of Au on MgO". Proceedings, annual meeting, Electron Microscopy Society of America 54 (11 de agosto de 1996): 982–83. http://dx.doi.org/10.1017/s0424820100167378.
Texto completoTsuchiya, Tetsuo, Kais Daoudi, Tomohiko Nakajima y Toshiya Kumagai. "Epitaxial Growth of LSMO Film Prepared by Excimer Laser-Assisted Metal Organic Deposition (ELAMOD)". Key Engineering Materials 388 (septiembre de 2008): 133–36. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/kem.388.133.
Texto completoBinh, Nguyen Thanh, Vu Thi Bich y Y. Segawa. "INVESTIGATION OF ZnO NANO STRUCTURES FABRICATED ON AL2O3 SUBSTRACTES BY MOCVD". ASEAN Journal on Science and Technology for Development 24, n.º 1&2 (15 de noviembre de 2017): 171–76. http://dx.doi.org/10.29037/ajstd.204.
Texto completoBlaauw, C., C. Miner, B. Emmerstorfer, A. J. Springthorpe y M. Gallant. "Metalorganic chemical-vapour-deposition growth and characterization of GaAs". Canadian Journal of Physics 63, n.º 6 (1 de junio de 1985): 664–69. http://dx.doi.org/10.1139/p85-102.
Texto completoAhn, Kun Ho, Sunggi Baik y Sang Sub Kim. "Change of growth orientation in Pt films epitaxially grown on MgO(001) substrates by sputtering". Journal of Materials Research 17, n.º 9 (septiembre de 2002): 2334–38. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.2002.0342.
Texto completoLe, Ha-Linh Thi, Fatme Jardali y Holger Vach. "Deposition of hydrogenated silicon clusters for efficient epitaxial growth". Physical Chemistry Chemical Physics 20, n.º 23 (2018): 15626–34. http://dx.doi.org/10.1039/c8cp00764k.
Texto completoResel, Roland, Markus Koini, Jiri Novak, Steven Berkebile, Georg Koller y Michael Ramsey. "Epitaxial Order Driven by Surface Corrugation: Quinquephenyl Crystals on a Cu(110)-(2×1)O Surface". Crystals 9, n.º 7 (22 de julio de 2019): 373. http://dx.doi.org/10.3390/cryst9070373.
Texto completoHanawa, T., N. Kikuchi, K. Nishio, K. Tonooka, R. Wang y T. Mamiya. "Epitaxial Growth of (Na,K)NbO3 based materials on SrTiO3 by pulsed laser deposition". MRS Proceedings 1633 (2014): 19–24. http://dx.doi.org/10.1557/opl.2014.84.
Texto completoWang, Wenliang, Yulin Zheng, Xiuye Zhang, Yuan Li, Zhenya Lu y Guoqiang Li. "Design and epitaxial growth of quality-enhanced crack-free GaN films on AlN/Al heterostructures and their nucleation mechanism". CrystEngComm 20, n.º 5 (2018): 597–607. http://dx.doi.org/10.1039/c7ce01995e.
Texto completoBai, P., G.-R. Yang, L. You, T.-M. Lu y D. B. Knorr. "Room-temperature epitaxy of Cu on Si(111) using partially ionized beam deposition". Journal of Materials Research 5, n.º 5 (mayo de 1990): 989–97. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.1990.0989.
Texto completoShtepliuk, Ivan, Mikhail Vagin y Rositsa Yakimova. "Electrochemical Deposition of Copper on Epitaxial Graphene". Applied Sciences 10, n.º 4 (19 de febrero de 2020): 1405. http://dx.doi.org/10.3390/app10041405.
Texto completoAgostinelli, John A., Gabriel H. Braunstein y Thomas N. Blanton. "Epitaxial LiTaO3thin films by pulsed laser deposition". Applied Physics Letters 63, n.º 2 (12 de julio de 1993): 123–25. http://dx.doi.org/10.1063/1.110374.
Texto completoSeo, Jikeun, Hye-Young Kim y J.-S. Kim. "Effects of deposition dynamics on epitaxial growth". Journal of Physics: Condensed Matter 19, n.º 48 (5 de noviembre de 2007): 486001. http://dx.doi.org/10.1088/0953-8984/19/48/486001.
Texto completoZou, Guifu, Haiyan Wang, Nathan Mara, Hongmei Luo, Nan Li, Zengfeng Di, Eve Bauer et al. "Chemical Solution Deposition of Epitaxial Carbide Films". Journal of the American Chemical Society 132, n.º 8 (3 de marzo de 2010): 2516–17. http://dx.doi.org/10.1021/ja9102315.
Texto completoYamada, Isao. "Effects of Ionized Cluster Beam Bombardment on Epitaxial Metal Film Deposition on Silicon Substrates". MRS Proceedings 128 (1988). http://dx.doi.org/10.1557/proc-128-113.
Texto completoKawai, Masanori, Daisuke Kan, Seiichi Isojima, Hiroki Kurata, Seiji Isoda, Shigeru Kimura, Osami Sakata y Yuichi Shimakawa. "Deposition Rate Effect on Critical Thickness of BaTiO3 Epitaxial Thin Film Grown on SrTiO3 (001)". MRS Proceedings 1034 (2007). http://dx.doi.org/10.1557/proc-1034-k10-04.
Texto completoPalmstrom, C. J., G. J. Galvin, S. A. Schwarz, B. C. De Cooman y J. W. Mayer. "SOLID PHASE EPITAXIAL GROWTH OF Ge ON GaAs". MRS Proceedings 56 (1985). http://dx.doi.org/10.1557/proc-56-67.
Texto completoLu, P., S. He, F. X. Li y Q. X. Jia. "Epitaxial and Conductive RuO2 Thin Films Grown on MgO and LaAlO3 by MOCVD". MRS Proceedings 541 (1998). http://dx.doi.org/10.1557/proc-541-147.
Texto completoHattori, Y., A. Mizoguchi, Y. Ogaki y A. Nishimtjra. "Epitaxial Growth of Organic Nonlinear Optical Materials". MRS Proceedings 247 (1992). http://dx.doi.org/10.1557/proc-247-235.
Texto completoTeplin, Charles W., Matthew Page, Eugene Iwaniczko, Kim M. Jones, Robert M. Ready, Bobby M. To, Helio M. Moutinho, Qi M. Wang y Howard M. Branz. "Roughness, impurities and strain in low-temperature epitaxial silicon films grown by tantalum filament hot-wire chemical vapor deposition". MRS Proceedings 910 (2006). http://dx.doi.org/10.1557/proc-0910-a15-01.
Texto completoRulder, R. A., G. G. Fountain, S. V. Hattangady, J. B. Posthill y R. J. Markunas. "Development of Remote Plasma Enhanced Ohemical Vapor Deposition Processes Through the use of in Vacuo Electron Diffraction and Electron Spectroscopy". MRS Proceedings 165 (1989). http://dx.doi.org/10.1557/proc-165-151.
Texto completoLee, See-Hyung, T. W. Noh y Jai-Hyung Lee. "Dependence of Electro-Optic Effects on the Orientations of Epitaxial LiNbO3 Films". MRS Proceedings 401 (1995). http://dx.doi.org/10.1557/proc-401-261.
Texto completoOberbeck, Lars, Thomas A. Wagner y Ralf B. Bergmann. "Ion-Assisted Deposition of Silicon Epitaxial Films with High Deposition Rate Using Low Energy Silicon Ions". MRS Proceedings 609 (2000). http://dx.doi.org/10.1557/proc-609-a7.1.
Texto completoNashimoto, K., D. K. Fork, F. A. Ponce y T. H. Geballe. "Epitaxial Growth of Ferroelectric Thin Films on GaAs with MgO Buffer Layers by Pulsed Laser Deposition". MRS Proceedings 243 (1991). http://dx.doi.org/10.1557/proc-243-495.
Texto completoMartin Smith, Paul, S. Lombardo, M. J. Uttormark, Stephen J. Cook y Michael O. Thompson. "Laser Assisted E-Beam Epitaxial Growth of Si/Ge Alloys on Si". MRS Proceedings 202 (1990). http://dx.doi.org/10.1557/proc-202-603.
Texto completoMcEachernt, R. L., Dirk Laszig y W. L. Brownt. "The Epitaxial Growth of Al on Hydrogen Terminated Si(100) Substrates with and Without Ion Bombardment". MRS Proceedings 260 (1992). http://dx.doi.org/10.1557/proc-260-953.
Texto completoHiguchi, Takamitsu, Koichi Morozumi, Setsuya Iwashita, Masaya Ishida y Tatsuya Shimoda. "Fabrication of SrRuO3 Epitaxial Thin Films on YBa2Cu3Ox / CeO2 / YSZ - Buffered Si Substrates by Pulsed Laser Deposition". MRS Proceedings 786 (2003). http://dx.doi.org/10.1557/proc-786-e6.5.
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