Artículos de revistas sobre el tema "Electronic semiconductor"
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Choi, Junhwan y Hocheon Yoo. "Combination of Polymer Gate Dielectric and Two-Dimensional Semiconductor for Emerging Field-Effect Transistors". Polymers 15, n.º 6 (10 de marzo de 2023): 1395. http://dx.doi.org/10.3390/polym15061395.
Texto completoAlivisatos, A. Paul. "Semiconductor Nanocrystals". MRS Bulletin 20, n.º 8 (agosto de 1995): 23–32. http://dx.doi.org/10.1557/s0883769400045073.
Texto completoChi, Zeyu, Jacob J. Asher, Michael R. Jennings, Ekaterine Chikoidze y Amador Pérez-Tomás. "Ga2O3 and Related Ultra-Wide Bandgap Power Semiconductor Oxides: New Energy Electronics Solutions for CO2 Emission Mitigation". Materials 15, n.º 3 (2 de febrero de 2022): 1164. http://dx.doi.org/10.3390/ma15031164.
Texto completoValentine, Nathan, Diganta Das, Bhanu Sood y Michael Pecht. "Failure Analyses of Modern Power Semiconductor Switching Devices". International Symposium on Microelectronics 2015, n.º 1 (1 de octubre de 2015): 000690–95. http://dx.doi.org/10.4071/isom-2015-tha56.
Texto completoSAPRA, SAMEER, RANJANI VISWANATHA y D. D. SARMA. "ELECTRONIC STRUCTURE OF SEMICONDUCTOR NANOCRYSTALS: AN ACCURATE TIGHT-BINDING DESCRIPTION". International Journal of Nanoscience 04, n.º 05n06 (octubre de 2005): 893–99. http://dx.doi.org/10.1142/s0219581x05003851.
Texto completoNakayama, Yasuo, Ryohei Tsuruta y Tomoyuki Koganezawa. "‘Molecular Beam Epitaxy’ on Organic Semiconductor Single Crystals: Characterization of Well-Defined Molecular Interfaces by Synchrotron Radiation X-ray Diffraction Techniques". Materials 15, n.º 20 (13 de octubre de 2022): 7119. http://dx.doi.org/10.3390/ma15207119.
Texto completoKlimm, Detlef. "Electronic materials with a wide band gap: recent developments". IUCrJ 1, n.º 5 (29 de agosto de 2014): 281–90. http://dx.doi.org/10.1107/s2052252514017229.
Texto completoNgai, J. H., K. Ahmadi-Majlan, J. Moghadam, M. Chrysler, D. P. Kumah, C. H. Ahn, F. J. Walker et al. "Electrically Coupling Multifunctional Oxides to Semiconductors: A Route to Novel Material Functionalities". MRS Advances 1, n.º 4 (2016): 255–63. http://dx.doi.org/10.1557/adv.2016.101.
Texto completoBrillson, Leonard, Jonathan Cox, Hantian Gao, Geoffrey Foster, William Ruane, Alexander Jarjour, Martin Allen, David Look, Holger von Wenckstern y Marius Grundmann. "Native Point Defect Measurement and Manipulation in ZnO Nanostructures". Materials 12, n.º 14 (12 de julio de 2019): 2242. http://dx.doi.org/10.3390/ma12142242.
Texto completoSu, Xiao-Qian y Xue-Feng Wang. "Electronic and Spintronic Properties of Armchair MoSi2N4 Nanoribbons Doped by 3D Transition Metals". Nanomaterials 13, n.º 4 (9 de febrero de 2023): 676. http://dx.doi.org/10.3390/nano13040676.
Texto completoMAJIDI, ROYA. "EFFECT OF DOPING ON THE ELECTRONIC PROPERTIES OF GRAPHYNE". Nano 08, n.º 06 (18 de noviembre de 2013): 1350060. http://dx.doi.org/10.1142/s1793292013500604.
Texto completoAl-Mumen, Haider Sahib. "Flexible Field effect transistor construction techniques, a brief review". Al-Qadisiyah Journal for Engineering Sciences 14, n.º 2 (19 de julio de 2021): 117–22. http://dx.doi.org/10.30772/qjes.v14i2.753.
Texto completoDang, Chaoqun, Anliang Lu, Heyi Wang, Hongti Zhang y Yang Lu. "Diamond semiconductor and elastic strain engineering". Journal of Semiconductors 43, n.º 2 (1 de febrero de 2022): 021801. http://dx.doi.org/10.1088/1674-4926/43/2/021801.
Texto completoMasri, Pierre. "Electronic structure of semiconductor-metal-semiconductor heterostructures". Applied Surface Science 56-58 (enero de 1992): 363–69. http://dx.doi.org/10.1016/0169-4332(92)90257-x.
Texto completoBRATANOVSKII, Sergei, Yerdos AMANKULOV y Ilya MEDVEDEV. "MULTI-POINTED FIELD-EMISSION CATHODE AS A GENERATOR OF HIGHFREQUENCY OSCILLATIONS". Periódico Tchê Química 17, n.º 36 (20 de diciembre de 2020): 542–53. http://dx.doi.org/10.52571/ptq.v17.n36.2020.557_periodico36_pgs_542_553.pdf.
Texto completoCapasso, Federico. "Bandgap and Interface Engineering for Advanced Electronic and Photonic Devices". MRS Bulletin 16, n.º 6 (junio de 1991): 23–29. http://dx.doi.org/10.1557/s0883769400056700.
Texto completoGesevičius, Donatas, Antonia Neels, Léo Duchêne, Erwin Hack, Jakob Heier y Frank Nüesch. "Physical vapour deposition of cyanine salts and their first application in organic electronic devices". Journal of Materials Chemistry C 7, n.º 2 (2019): 414–23. http://dx.doi.org/10.1039/c8tc05286g.
Texto completoFortunato, Elvira, Alexandra Gonçalves, António Marques, Ana Pimentel, Pedro Barquinha, Hugo Águas, Luís Pereira et al. "Multifunctional Thin Film Zinc Oxide Semiconductors: Application to Electronic Devices". Materials Science Forum 514-516 (mayo de 2006): 3–7. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.514-516.3.
Texto completoTonkoshkur, A. S., A. B. Glot y A. V. Ivanchenko. "Basic models in dielectric spectroscopy of heterogeneous materials with semiconductor inclusions". Multidiscipline Modeling in Materials and Structures 13, n.º 1 (12 de junio de 2017): 36–57. http://dx.doi.org/10.1108/mmms-08-2016-0037.
Texto completoWang, Xue Yan, Jian Bang Zheng, Xiao Jiang Li y Chong De Cao. "Intrinsic Electronic Structures and Optical Anisotropy of α- and β-Phase Copper Phthalocyanine Molecular Crystals". Applied Mechanics and Materials 864 (abril de 2017): 133–41. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amm.864.133.
Texto completoChen, Cheng, Meixiao Wang, Jinxiong Wu, Huixia Fu, Haifeng Yang, Zhen Tian, Teng Tu et al. "Electronic structures and unusually robust bandgap in an ultrahigh-mobility layered oxide semiconductor, Bi2O2Se". Science Advances 4, n.º 9 (septiembre de 2018): eaat8355. http://dx.doi.org/10.1126/sciadv.aat8355.
Texto completoLiu, Yi-Fan y Zhi-Yong Zhang. "Carbon based electronic technology in post-Moore era: progress, applications and challenges". Acta Physica Sinica 71, n.º 6 (2022): 068503. http://dx.doi.org/10.7498/aps.71.20212076.
Texto completoGao, Xiangxiang, Hai-Yang Liu, Jincheng Zhang, Jian Zhu, Jingjing Chang y Yue Hao. "Thin-Film Transistors from Electrochemically Exfoliated In2Se3 Nanosheets". Micromachines 13, n.º 6 (16 de junio de 2022): 956. http://dx.doi.org/10.3390/mi13060956.
Texto completoBatstone, J. L. "Structural and electronic properties of defects in semiconductors". Proceedings, annual meeting, Electron Microscopy Society of America 53 (13 de agosto de 1995): 4–5. http://dx.doi.org/10.1017/s0424820100136398.
Texto completoHersam, M. C. y R. G. Reifenberger. "Charge Transport through Molecular Junctions". MRS Bulletin 29, n.º 6 (junio de 2004): 385–90. http://dx.doi.org/10.1557/mrs2004.120.
Texto completoKim, Kyunghun, Hocheon Yoo y Eun Kwang Lee. "New Opportunities for Organic Semiconducting Polymers in Biomedical Applications". Polymers 14, n.º 14 (21 de julio de 2022): 2960. http://dx.doi.org/10.3390/polym14142960.
Texto completoPark, Do-Joon y Shuzhi Liu. "A Study on the Economic Effects of U.S. Export Controls on Semiconductors to China". Korea International Trade Research Institute 19, n.º 1 (28 de febrero de 2023): 129–42. http://dx.doi.org/10.16980/jitc.19.1.202302.129.
Texto completoZhang, Xinan, Binghao Wang, Lizhen Huang, Wei Huang, Zhi Wang, Weigang Zhu, Yao Chen, YanLi Mao, Antonio Facchetti y Tobin J. Marks. "Breath figure–derived porous semiconducting films for organic electronics". Science Advances 6, n.º 13 (marzo de 2020): eaaz1042. http://dx.doi.org/10.1126/sciadv.aaz1042.
Texto completoHuberman, M. L. y J. Maserjian. "Electronic states of semiconductor-metal-semiconductor quantum-well structures". Physical Review B 37, n.º 15 (15 de mayo de 1988): 9065–68. http://dx.doi.org/10.1103/physrevb.37.9065.
Texto completoHuberman, M. L. y J. Maserjian. "Electronic states of semiconductor/metal/semiconductor quantum well structures". Superlattices and Microstructures 4, n.º 4-5 (enero de 1988): 555–58. http://dx.doi.org/10.1016/0749-6036(88)90237-6.
Texto completoKraus, Tobias. "Electronic Multiscale Hybrid Materials: Sinter-Free Inks, Printed Transparent Grids, and Soft Devices". Proceedings 56, n.º 1 (18 de diciembre de 2020): 24. http://dx.doi.org/10.3390/proceedings2020056024.
Texto completoBastard, G. y J. Brum. "Electronic states in semiconductor heterostructures". IEEE Journal of Quantum Electronics 22, n.º 9 (septiembre de 1986): 1625–44. http://dx.doi.org/10.1109/jqe.1986.1073186.
Texto completoMendez, E. "Electronic mobility in semiconductor heterostructures". IEEE Journal of Quantum Electronics 22, n.º 9 (septiembre de 1986): 1720–27. http://dx.doi.org/10.1109/jqe.1986.1073191.
Texto completoVoon, L. C. Lew Yan, Yong Zhang, B. Lassen, M. Willatzen, Qihua Xiong y P. C. Eklund. "Electronic Properties of Semiconductor Nanowires". Journal of Nanoscience and Nanotechnology 8, n.º 1 (1 de enero de 2008): 1–26. http://dx.doi.org/10.1166/jnn.2008.n03.
Texto completoGould, Paula. "Semiconductor friction undergoes electronic control". Materials Today 9, n.º 9 (septiembre de 2006): 15. http://dx.doi.org/10.1016/s1369-7021(06)71614-5.
Texto completoWoodall, Jerry. "Electronic properties of semiconductor interfaces". Proceedings, annual meeting, Electron Microscopy Society of America 45 (agosto de 1987): 334–37. http://dx.doi.org/10.1017/s0424820100126470.
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Texto completoKasera, Renu y M. Z. Khan. "Semiconductor Devices and Electronic World". Journal of Pure Applied and Industrial Physics 9, n.º 5 (30 de mayo de 2019): 29–39. http://dx.doi.org/10.29055/jpaip/342.
Texto completoChaabane, H., M. Zazoui, J. C. Bourgoin y V. Donchev. "Electronic transport through semiconductor barriers". Semiconductor Science and Technology 8, n.º 12 (1 de diciembre de 1993): 2077–84. http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/8/12/008.
Texto completoHimpsel, F. J. "Electronic structure of semiconductor surfaces". Applied Physics A Solids and Surfaces 38, n.º 3 (noviembre de 1985): 205–12. http://dx.doi.org/10.1007/bf00616498.
Texto completoHerman, Frank. "Electronic structure of semiconductor interfaces". International Journal of Quantum Chemistry 28, S19 (19 de junio de 2009): 547–57. http://dx.doi.org/10.1002/qua.560280849.
Texto completoHu, Xiaolong, Peter Krull, Bassel de Graff, Kevin Dowling, John A. Rogers y William J. Arora. "Stretchable Inorganic-Semiconductor Electronic Systems". Advanced Materials 23, n.º 26 (29 de abril de 2011): 2933–36. http://dx.doi.org/10.1002/adma.201100144.
Texto completoSulaiman, Khaulah, Zubair Ahmad, Muhamad Saipul Fakir, Fadilah Abd Wahab, Shahino Mah Abdullah y Zurianti Abdul Rahman. "Organic Semiconductors: Applications in Solar Photovoltaic and Sensor Devices". Materials Science Forum 737 (enero de 2013): 126–32. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.737.126.
Texto completoTREW, R. J. y M. W. SHIN. "HIGH FREQUENCY, HIGH TEMPERATURE FIELD-EFFECT TRANSISTORS FABRICATED FROM WIDE BAND GAP SEMICONDUCTORS". International Journal of High Speed Electronics and Systems 06, n.º 01 (marzo de 1995): 211–36. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156495000067.
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Texto completoGunshor, Robert L. y Arto V. Nurmikko. "II-VI Blue-Green Laser Diodes: A Frontier of Materials Research". MRS Bulletin 20, n.º 7 (julio de 1995): 15–19. http://dx.doi.org/10.1557/s088376940003712x.
Texto completoAbdubannopov, M. I. y Х. T. Yuldashev. "OPTICAL AND ELECTRICAL PROPERTIES OF SEMICONDUCTOR CRYSTALS". International Journal of Advance Scientific Research 03, n.º 04 (1 de abril de 2023): 83–89. http://dx.doi.org/10.37547/ijasr-03-04-12.
Texto completoHasan, Md Nazmul, Edward Swinnich y Jung-Hun Seo. "Recent Progress in Gallium Oxide and Diamond Based High Power and High-Frequency Electronics". International Journal of High Speed Electronics and Systems 28, n.º 01n02 (marzo de 2019): 1940004. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156419400044.
Texto completoCao, Zhen, Moussab Harb, Sergey M. Kozlov y Luigi Cavallo. "Structural and Electronic Effects at the Interface between Transition Metal Dichalcogenide Monolayers (MoS2, WSe2, and Their Lateral Heterojunctions) and Liquid Water". International Journal of Molecular Sciences 23, n.º 19 (7 de octubre de 2022): 11926. http://dx.doi.org/10.3390/ijms231911926.
Texto completoFetahović, Irfan, Milić Pejović y Miloš Vujisić. "Radiation Damage in Electronic Memory Devices". International Journal of Photoenergy 2013 (2013): 1–5. http://dx.doi.org/10.1155/2013/170269.
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