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Artículos de revistas sobre el tema "Electrochemical Atomic Layer Epitaxy"

Autor: Grafiati
Publicado: 10 de marzo de 2023

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1

Gregory, Brian W. y John L. Stickney. "Electrochemical atomic layer epitaxy (ECALE)". Journal of Electroanalytical Chemistry and Interfacial Electrochemistry 300, n.º 1-2 (febrero de 1991): 543–61. http://dx.doi.org/10.1016/0022-0728(91)85415-l.

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2

Huang, Baoming M. "Electrochemical atomic layer epitaxy of semiconductor CdTe thin films". Proceedings, annual meeting, Electron Microscopy Society of America 51 (1 de agosto de 1993): 824–25. http://dx.doi.org/10.1017/s0424820100149957.

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Resumen
Semiconductor thin films have important applications in areas such as photovoltaics and luminescent displays. Electrodeposition of these films is a potential low cost, room temperature production technique. Electrochemical atomic layer epitaxy (ECALE) involves alternatively depositing individual element monolayer amount per ECALE cycle, taking advantage of the under-potential deposition (UPD) phenomena.A series of CdTe thin films have been deposited using ECALE methodology in an electrochemical flow cell system. The 0.5 mM Te4+, Te blank, 5mM Cd2+, and Cd blank solutions are made with purasonic grade TeO2 and CdSO4, research grade electrolyte, and 18 M ohm water. The gold foil substrates are cleaned electrochemically before each experiment. An ECALE cycle starts with depositing monolayer amount Te, rinsing with Te blank, then depositing monolayer amount of Cd, and ending with rinsing with Cd blank solution. The whole flow cell system is controlled by a computer with house-written codes, and the deposition process can be fully programmed.
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3

GREGORY, B. W. y J. L. STICKNEY. "ChemInform Abstract: Electrochemical Atomic Layer Epitaxy (ECALE)." ChemInform 22, n.º 22 (23 de agosto de 2010): no. http://dx.doi.org/10.1002/chin.199122019.

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4

Manhabosco, Taise M., Shaul Aloni, Tevye R. Kuykendall, Sara M. Manhabosco, Ana Bárbara Batista, Jaqueline S. Soares, Ana Paula M. Barboza, Alan B. de Oliveira, Ronaldo J. C. Batista y Jeffrey J. Urban. "Electrochemical Atomic Layer Epitaxy Deposition of Ultrathin SnTe Films". Recent Progress in Materials 1, n.º 4 (6 de septiembre de 2019): 1. http://dx.doi.org/10.21926/rpm.1904005.

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5

Suggs, D. Wayne, Ignacio Villegas, Brian W. Gregory y John L. Stickney. "Formation of compound semiconductors by electrochemical atomic layer epitaxy". Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films 10, n.º 4 (julio de 1992): 886–91. http://dx.doi.org/10.1116/1.577689.

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6

Carlà, F., M. Innocenti, F. Loglio, M. Muniz-Miranda, P. R. Salvi, C. Gellini, M. Cavallini et al. "Combined electrochemical atomic layer epitaxy and microcontact printing techniques". Materials Science in Semiconductor Processing 12, n.º 1-2 (febrero de 2009): 21–24. http://dx.doi.org/10.1016/j.mssp.2009.07.004.

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7

Venkatasamy, Venkatram, Nagarajan Jayaraju, Stephen M. Cox, Chandru Thambidurai, Mkhulu Mathe y John L. Stickney. "Deposition of HgTe by electrochemical atomic layer epitaxy (EC-ALE)". Journal of Electroanalytical Chemistry 589, n.º 2 (abril de 2006): 195–202. http://dx.doi.org/10.1016/j.jelechem.2006.02.006.

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8

Venkatasamy, Venkatram y Nagarajan Jayaraju. "Formation of HgCdTe by Electrochemical Atomic Layer Epitaxy (EC-ALE)". ECS Transactions 3, n.º 5 (21 de diciembre de 2019): 95–110. http://dx.doi.org/10.1149/1.2357200.

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9

Mathe, Mkhulu K., Steve M. Cox, Venkatram Venkatasamy, Uwe Happek y John L. Stickney. "Formation of HgSe Thin Films Using Electrochemical Atomic Layer Epitaxy". Journal of The Electrochemical Society 152, n.º 11 (2005): C751. http://dx.doi.org/10.1149/1.2047547.

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10

Gregory, Brian W., D. Wayne Suggs y John L. Stickney. "Conditions for the Deposition of CdTe by Electrochemical Atomic Layer Epitaxy". Journal of The Electrochemical Society 138, n.º 5 (1 de mayo de 1991): 1279–84. http://dx.doi.org/10.1149/1.2085773.

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11

Pezzatini, G., S. Caporali, M. Innocenti y M. L. Foresti. "Formation of ZnSe on Ag(111) by electrochemical atomic layer epitaxy". Journal of Electroanalytical Chemistry 475, n.º 2 (octubre de 1999): 164–70. http://dx.doi.org/10.1016/s0022-0728(99)00347-2.

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12

Flowers, Billy H., Travis L. Wade, John W. Garvey, Marcus Lay, Uwe Happek y John L. Stickney. "Atomic layer epitaxy of CdTe using an automated electrochemical thin-layer flow deposition reactor". Journal of Electroanalytical Chemistry 524-525 (mayo de 2002): 273–85. http://dx.doi.org/10.1016/s0022-0728(02)00679-4.

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13

Yang, Junyou, Wen Zhu, Xianhui Gao, Siqian Bao, Xian Fan, Xingkai Duan y Jie Hou. "Formation and Characterization of Sb2Te3Nanofilms on Pt by Electrochemical Atomic Layer Epitaxy". Journal of Physical Chemistry B 110, n.º 10 (marzo de 2006): 4599–604. http://dx.doi.org/10.1021/jp0565498.

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14

Vaidyanathan, Raman, John L. Stickney, Stephen M. Cox, Steven P. Compton y Uwe Happek. "Formation of In2Se3 thin films and nanostructures using electrochemical atomic layer epitaxy". Journal of Electroanalytical Chemistry 559 (noviembre de 2003): 55–61. http://dx.doi.org/10.1016/s0022-0728(03)00053-6.

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Venkatasamy, V., N. Jayaraju, S. M. Cox, C. Thambidurai, U. Happek y J. L. Stickney. "Optimization of CdTe nanofilm formation by electrochemical atomic layer epitaxy (EC-ALE)". Journal of Applied Electrochemistry 36, n.º 11 (21 de julio de 2006): 1223–29. http://dx.doi.org/10.1007/s10800-006-9182-3.

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16

Zhu, Wen, Junyou Yang, Xianhui Gao, Jie Hou, Siqian Bao y Xian Fan. "Preparation of bismuth telluride thin film by electrochemical atomic layer epitaxy (ECALE)". Frontiers of Chemistry in China 2, n.º 1 (marzo de 2007): 102–6. http://dx.doi.org/10.1007/s11458-007-0021-9.

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Innocenti, M., G. Pezzatini, F. Forni y M. L. Foresti. "CdS and ZnS Deposition on Ag(111) by Electrochemical Atomic Layer Epitaxy". Journal of The Electrochemical Society 148, n.º 5 (2001): C357. http://dx.doi.org/10.1149/1.1360208.

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18

Foresti, M. L., G. Pezzatini, M. Cavallini, G. Aloisi, M. Innocenti y R. Guidelli. "Electrochemical Atomic Layer Epitaxy Deposition of CdS on Ag(111): An Electrochemical and STM Investigation". Journal of Physical Chemistry B 102, n.º 38 (septiembre de 1998): 7413–20. http://dx.doi.org/10.1021/jp9811777.

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19

Stickney, John L., Youn-Geun Kim y Jay Y. Kim. "Studies of Cu Atomic Layer Replacement, Formed by Underpotential Deposits, to Form Pt Nanofilms Using Electrochemical Atomic Layer Epitaxy". ECS Transactions 1, n.º 30 (21 de diciembre de 2019): 41–48. http://dx.doi.org/10.1149/1.2209380.

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20

Torimoto, Tsukasa, Susumu Takabayashi, Hirotaro Mori y Susumu Kuwabata. "Photoelectrochemical activities of ultrathin lead sulfide films prepared by electrochemical atomic layer epitaxy". Journal of Electroanalytical Chemistry 522, n.º 1 (marzo de 2002): 33–39. http://dx.doi.org/10.1016/s0022-0728(01)00753-7.

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21

Fernandes, Valeria C., Emanuelle Salvietti, Francesca Loglio, Massimo Innocenti, Lucia Mascaro y Maria Foresti. "Electrodeposition of PbS Multilayers on AG(111) by ECALE (Electrochemical Atomic Layer Epitaxy)". ECS Transactions 11, n.º 7 (19 de diciembre de 2019): 279–86. http://dx.doi.org/10.1149/1.2779091.

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22

Xiao, Chengjing, Junyou Yang, Wen Zhu, Jiangying Peng y Jiansheng Zhang. "Electrodeposition and characterization of Bi2Se3 thin films by electrochemical atomic layer epitaxy (ECALE)". Electrochimica Acta 54, n.º 27 (noviembre de 2009): 6821–26. http://dx.doi.org/10.1016/j.electacta.2009.06.089.

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23

GREGORY, B. W., D. W. SUGGS y J. L. STICKNEY. "ChemInform Abstract: Conditions for the Deposition of CdTe by Electrochemical Atomic Layer Epitaxy". ChemInform 22, n.º 29 (23 de agosto de 2010): no. http://dx.doi.org/10.1002/chin.199129299.

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Pezzatini, G., S. Caporali, M. Innocenti y M. L. Foresti. "ChemInform Abstract: Formation of ZnSe on Ag(111) by Electrochemical Atomic Layer Epitaxy." ChemInform 31, n.º 4 (11 de junio de 2010): no. http://dx.doi.org/10.1002/chin.200004015.

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25

Colletti, Lisa P., Billy H. Flowers y John L. Stickney. "Formation of Thin Films of CdTe, CdSe, and CdS by Electrochemical Atomic Layer Epitaxy". Journal of The Electrochemical Society 145, n.º 5 (1 de mayo de 1998): 1442–49. http://dx.doi.org/10.1149/1.1838502.

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26

Qiao, Zhiqing, Wei Shang y Chunming Wang. "Fabrication of Sn–Se compounds on a gold electrode by electrochemical atomic layer epitaxy". Journal of Electroanalytical Chemistry 576, n.º 1 (febrero de 2005): 171–75. http://dx.doi.org/10.1016/j.jelechem.2004.10.015.

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Huang, Ao, Jingze Li, Yuehui Wang y Shuanglong Feng. "Fabrication of PbS QDs/Graphene Heterostructure Photoelectrochemical Cell by Electrochemical Atomic Layer Epitaxy Method". Journal of Nanoscience and Nanotechnology 19, n.º 1 (1 de enero de 2019): 235–39. http://dx.doi.org/10.1166/jnn.2019.16444.

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Salvietti, E., F. Loglio, M. Innocenti, M. Cavallini, M. Facchini, G. Pezzatini, R. Raiteri y M. L. Foresti. "Patterned growth of CdS by combined electrochemical atomic layer epitaxy and microcontact printing techniques". Electrochimica Acta 52, n.º 19 (mayo de 2007): 6034–40. http://dx.doi.org/10.1016/j.electacta.2007.03.058.

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Vaidyanathan, Raman, John L. Stickney y Uwe Happek. "Quantum confinement in PbSe thin films electrodeposited by electrochemical atomic layer epitaxy (EC-ALE)". Electrochimica Acta 49, n.º 8 (marzo de 2004): 1321–26. http://dx.doi.org/10.1016/j.electacta.2003.07.019.

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Zhu, W., J. Y. Yang, X. H. Gao, S. Q. Bao, X. A. Fan, T. J. Zhang y K. Cui. "Effect of potential on bismuth telluride thin film growth by electrochemical atomic layer epitaxy". Electrochimica Acta 50, n.º 20 (julio de 2005): 4041–47. http://dx.doi.org/10.1016/j.electacta.2005.01.003.

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Venkatasamy, Venkatram, Mkhulu K. Mathe, Stephen M. Cox, Uwe Happek y John L. Stickney. "Optimization studies of HgSe thin film deposition by electrochemical atomic layer epitaxy (EC-ALE)". Electrochimica Acta 51, n.º 21 (junio de 2006): 4347–51. http://dx.doi.org/10.1016/j.electacta.2005.12.012.

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Zhu, Wen, Jun-You Yang, Dong-Xiang Zhou, Chen-Jin Xiao y Xin-Kai Duan. "Electrochemical Aspects and Structure Characterization of VA-VIA Compound Semiconductor Bi2Te3/Sb2Te3Superlattice Thin Films via Electrochemical Atomic Layer Epitaxy". Langmuir 24, n.º 11 (junio de 2008): 5919–24. http://dx.doi.org/10.1021/la8001064.

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Colletti, Lisa P., Daniel Teklay y John L. Stickney. "Thin-layer electrochemical studies of the oxidative underpotential deposition of sulfur and its application to the electrochemical atomic layer epitaxy deposition of CdS". Journal of Electroanalytical Chemistry 369, n.º 1-2 (mayo de 1994): 145–52. http://dx.doi.org/10.1016/0022-0728(94)87092-6.

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Cavallini, Massimiliano, Massimo Facchini, Cristiano Albonetti, Fabio Biscarini, Massimo Innocenti, Francesca Loglio, Emanuele Salvietti, Giovanni Pezzatini y Maria Luisa Foresti. "Two-Dimensional Self-Organization of CdS Ultra Thin Films by Confined Electrochemical Atomic Layer Epitaxy Growth". Journal of Physical Chemistry C 111, n.º 3 (23 de diciembre de 2006): 1061–64. http://dx.doi.org/10.1021/jp0668908.

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Torimoto, Tsukasa, Atsushi Obayashi, Susumu Kuwabata, Hidehiro Yasuda, Hirotaro Mori y Hiroshi Yoneyama. "Preparation of Size-Quantized ZnS Thin Films Using Electrochemical Atomic Layer Epitaxy and Their Photoelectrochemical Properties". Langmuir 16, n.º 13 (junio de 2000): 5820–24. http://dx.doi.org/10.1021/la000133y.

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Muthuvel, Madhivanan y John L. Stickney. "CdTe Electrodeposition on InP(100) via Electrochemical Atomic Layer Epitaxy (EC-ALE): Studies Using UHV-EC". Langmuir 22, n.º 12 (junio de 2006): 5504–8. http://dx.doi.org/10.1021/la053353q.

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Badot, J. C. "Atomic Layer Epitaxy of Vanadium Oxide Thin Films and Electrochemical Behavior in Presence of Lithium Ions". Electrochemical and Solid-State Letters 3, n.º 10 (1999): 485. http://dx.doi.org/10.1149/1.1391187.

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COLLETTI, L. P., B. H. JUN FLOWERS y J. L. STICKNEY. "ChemInform Abstract: Formation of Thin Films of CdTe, CdSe, and CdS by Electrochemical Atomic Layer Epitaxy." ChemInform 29, n.º 30 (20 de junio de 2010): no. http://dx.doi.org/10.1002/chin.199830291.

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Villegas, Ignacio y John L. Stickney. "Preliminary Studies of GaAs Deposition on Au(100), (110), and (111) Surfaces by Electrochemical Atomic Layer Epitaxy". Journal of The Electrochemical Society 139, n.º 3 (1 de marzo de 1992): 686–94. http://dx.doi.org/10.1149/1.2069285.

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Zhu, W., J. Y. Yang, D. X. Zhou, C. J. Xiao y X. K. Duan. "Development of growth cycle for antimony telluride film on Au (111) disk by electrochemical atomic layer epitaxy". Electrochimica Acta 53, n.º 10 (abril de 2008): 3579–86. http://dx.doi.org/10.1016/j.electacta.2007.12.046.

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Zou, Shouzhong y Michael J. Weaver. "Surface-enhanced Raman spectroscopy of cadmium sulfide/cadmium selenide superlattices formed on gold by electrochemical atomic-layer epitaxy". Chemical Physics Letters 312, n.º 2-4 (octubre de 1999): 101–7. http://dx.doi.org/10.1016/s0009-2614(99)00911-2.

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Feng, Shuanglong, Junyou Yang, Ming Liu, Hu Zhu, Jiansheng Zhang, Gen Li, Jiangying Peng y Qiongzhen Liu. "CdS quantum dots sensitized TiO2 nanorod-array-film photoelectrode on FTO substrate by electrochemical atomic layer epitaxy method". Electrochimica Acta 83 (noviembre de 2012): 321–26. http://dx.doi.org/10.1016/j.electacta.2012.07.130.

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Colletti, Lisa P. y John L. Stickney. "Optimization of the Growth of CdTe Thin Films Formed by Electrochemical Atomic Layer Epitaxy in an Automated Deposition System". Journal of The Electrochemical Society 145, n.º 10 (1 de octubre de 1998): 3594–602. http://dx.doi.org/10.1149/1.1838848.

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Villegas, Ignacio y Paul Napolitano. "Development of a Continuous‐Flow System for the Growth of Compound Semiconductor Thin Films via Electrochemical Atomic Layer Epitaxy". Journal of The Electrochemical Society 146, n.º 1 (1 de enero de 1999): 117–24. http://dx.doi.org/10.1149/1.1391573.

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VILLEGAS, I. y J. L. STICKNEY. "ChemInform Abstract: Preliminary Studies of GaAs Deposition on Au(100), (110), and (111) Surfaces by Electrochemical Atomic Layer Epitaxy." ChemInform 23, n.º 21 (22 de agosto de 2010): no. http://dx.doi.org/10.1002/chin.199221016.

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Cecconi, Tiziana, Andrea Atrei, Ugo Bardi, Francesca Forni, Massimo Innocenti, Francesca Loglio, Maria Luisa Foresti y Gianfranco Rovida. "X-ray photoelectron diffraction (XPD) study of the atomic structure of the ultrathin CdS phase deposited on Ag(111) by electrochemical atomic layer epitaxy (ECALE)". Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena 114-116 (marzo de 2001): 563–68. http://dx.doi.org/10.1016/s0368-2048(00)00239-5.

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Zou, Shouzhong y Michael J. Weaver. "Surface-Enhanced Raman Scattering of Ultrathin Cadmium Chalcogenide Films on Gold Formed by Electrochemical Atomic-Layer Epitaxy: Thickness-Dependent Phonon Characteristics". Journal of Physical Chemistry B 103, n.º 13 (abril de 1999): 2323–26. http://dx.doi.org/10.1021/jp990107c.

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Öznülüer, Tüba y Ümit Demir. "Formation of Bi2S3 thin films on Au(111) by electrochemical atomic layer epitaxy: kinetics of structural changes in the initial monolayers". Journal of Electroanalytical Chemistry 529, n.º 1 (junio de 2002): 34–42. http://dx.doi.org/10.1016/s0022-0728(02)00921-x.

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Gichuhi, Anthony, B. Edward Boone y Curtis Shannon. "Resonance Raman scattering and scanning tunneling spectroscopy of CdS thin films grown by electrochemical atomic layer epitaxy—thickness dependent phonon and electronic properties". Journal of Electroanalytical Chemistry 522, n.º 1 (marzo de 2002): 21–25. http://dx.doi.org/10.1016/s0022-0728(01)00713-6.

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Huang, B. M., L. P. Colletti, B. W. Gregory, J. L. Anderson y J. L. Stickney. "Preliminary Studies of the Use of an Automated Flow‐Cell Electrodeposition System for the Formation of CdTe Thin Films by Electrochemical Atomic Layer Epitaxy". Journal of The Electrochemical Society 142, n.º 9 (1 de septiembre de 1995): 3007–16. http://dx.doi.org/10.1149/1.2048677.

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