Artículos de revistas sobre el tema "Double Heterojunction Bipolar Transistor"
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Magno, R., J. B. Boos, P. M. Campbell, B. R. Bennett, E. R. Glaser, B. P. Tinkham, M. G. Ancona, K. D. Hobart, D. Park y N. A. Papanicolaou. "InAlAsSb∕InGaSb double heterojunction bipolar transistor". Electronics Letters 41, n.º 6 (2005): 370. http://dx.doi.org/10.1049/el:20058107.
Texto completoYan, B. P., C. C. Hsu, X. Q. Wang y E. S. Yang. "InGaP∕GaAs0.94Sb0.06∕GaAs double heterojunction bipolar transistor". Electronics Letters 38, n.º 6 (2002): 289. http://dx.doi.org/10.1049/el:20020201.
Texto completoLIU, QINGMIN, SURAJIT SUTAR y ALAN SEABAUGH. "TUNNEL DIODE/TRANSISTOR DIFFERENTIAL COMPARATOR". International Journal of High Speed Electronics and Systems 14, n.º 03 (septiembre de 2004): 640–45. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156404002600.
Texto completoChang, P. C., A. G. Baca, N. Y. Li, X. M. Xie, H. Q. Hou y E. Armour. "InGaP/InGaAsN/GaAs NpN double-heterojunction bipolar transistor". Applied Physics Letters 76, n.º 16 (17 de abril de 2000): 2262–64. http://dx.doi.org/10.1063/1.126315.
Texto completoCoquillat, D., V. Nodjiadjim, S. Blin, A. Konczykowska, N. Dyakonova, C. Consejo, P. Nouvel et al. "High-Speed Room Temperature Terahertz Detectors Based on InP Double Heterojunction Bipolar Transistors". International Journal of High Speed Electronics and Systems 25, n.º 03n04 (septiembre de 2016): 1640011. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156416400115.
Texto completoPelouard, J.-L., P. Hesto y R. Castagné. "Monte-Carlo study of the double heterojunction bipolar transistor". Solid-State Electronics 31, n.º 3-4 (marzo de 1988): 333–36. http://dx.doi.org/10.1016/0038-1101(88)90289-4.
Texto completoLew, K. L. y S. F. Yoon. "Model for InGaP/GaAs/InGaP double heterojunction bipolar transistor". Journal of Applied Physics 89, n.º 6 (15 de marzo de 2001): 3464–68. http://dx.doi.org/10.1063/1.1343888.
Texto completoPrinz, E. J., X. Xiao, P. V. Schwartz y J. C. Sturm. "A novel double-base heterojunction bipolar transistor for low-temperature bipolar logic". IEEE Transactions on Electron Devices 39, n.º 11 (1992): 2636–37. http://dx.doi.org/10.1109/16.163484.
Texto completoYamina, Berrichi y Ghaffour Kherreddine. "Modelling Electronic Characteristic of InP/InGaAs Double Heterojunction Bipolar Transistor". International Journal of Electrical and Computer Engineering (IJECE) 5, n.º 3 (1 de junio de 2015): 525. http://dx.doi.org/10.11591/ijece.v5i3.pp525-530.
Texto completoLee, Geonyeop, Stephen J. Pearton, Fan Ren y Jihyun Kim. "Heterojunction Bipolar Transistor: 2D Material-Based Vertical Double Heterojunction Bipolar Transistors with High Current Amplification (Adv. Electron. Mater. 3/2019)". Advanced Electronic Materials 5, n.º 3 (marzo de 2019): 1970015. http://dx.doi.org/10.1002/aelm.201970015.
Texto completoIkossi-Anastasiou, K., A. Ezis, K. R. Evans y C. E. Stutz. "Double heterojunction bipolar transistor in AlxGa1−xAs/GaAs1−ySby system". Electronics Letters 27, n.º 2 (1991): 142. http://dx.doi.org/10.1049/el:19910093.
Texto completoCheng, Shiou-Ying, Hsi-Jen Pan, Shun-Ching Feng, Kuo-Hui Yu, Jung-Hui Tsai y Wen-Chau Liu. "A new wide voltage operation regime double heterojunction bipolar transistor". Solid-State Electronics 44, n.º 4 (abril de 2000): 581–85. http://dx.doi.org/10.1016/s0038-1101(99)00301-9.
Texto completoWang, W.-C., S.-Y. Cheng, W.-L. Chang, H.-J. Pan, Y.-H. Shie y W.-C. Liu. "Investigation of InGaP/GaAs double-delta-doped heterojunction bipolar transistor". Semiconductor Science and Technology 13, n.º 6 (1 de junio de 1998): 630–33. http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/13/6/015.
Texto completoPelouard, J. L., P. Hesto, J. P. Praseuth y L. Goldstein. "Double-heterojunction GaAlInAs/GaInAs bipolar transistor grown by molecular beam epitaxy". IEEE Electron Device Letters 7, n.º 9 (septiembre de 1986): 516–18. http://dx.doi.org/10.1109/edl.1986.26457.
Texto completoLin, Y. S. "Breakdown characteristics of InP/InGaAs composite-collector double heterojunction bipolar transistor". Applied Physics Letters 83, n.º 26 (29 de diciembre de 2003): 5545–47. http://dx.doi.org/10.1063/1.1637147.
Texto completoBerger, Paul R., Naresh Chand y Niloy K. Dutta. "An AlGaAs double‐heterojunction bipolar transistor grown by molecular‐beam epitaxy". Applied Physics Letters 59, n.º 9 (26 de agosto de 1991): 1099–101. http://dx.doi.org/10.1063/1.106356.
Texto completoTaira, K., H. Kawai y K. Kaneko. "Nonequilibrium electron transport in an AlGaAs/GaAs double‐heterojunction bipolar transistor". Journal of Applied Physics 64, n.º 5 (septiembre de 1988): 2767–69. http://dx.doi.org/10.1063/1.341625.
Texto completoSugiyama, Hiroki, Yasuhiro Oda, Takashi Kobayashi, Masahiro Uchida y Noriyuki Watanabe. "Photoreflectance characterization of InP∕GaAsSb double-heterojunction bipolar transistor epitaxial wafers". Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures 23, n.º 3 (2005): 1004. http://dx.doi.org/10.1116/1.1924423.
Texto completoKurishima, K., H. Nakajima, T. Kobayashi, Y. Matsuoka y T. Ishibashi. "InP/InGaAs double-heterojunction bipolar transistor with step-graded InGaAsP collector". Electronics Letters 29, n.º 3 (1993): 258. http://dx.doi.org/10.1049/el:19930177.
Texto completoYuxiong, Cao, Jin Zhi, Ge Ji, Su Yongbo y Liu Xinyu. "A symbolically defined InP double heterojunction bipolar transistor large-signal model". Journal of Semiconductors 30, n.º 12 (diciembre de 2009): 124006. http://dx.doi.org/10.1088/1674-4926/30/12/124006.
Texto completoPekarik, John J. "An AlSb–InAs–AlSb double-heterojunction P-n-P bipolar transistor". Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures 10, n.º 2 (marzo de 1992): 1032. http://dx.doi.org/10.1116/1.586407.
Texto completoZhang, Q. M., K. Lee, G. L. Tan y J. M. Xu. "Analysis of the emitter-down configuration of double-heterojunction bipolar transistor". IEEE Transactions on Electron Devices 39, n.º 10 (1992): 2220–28. http://dx.doi.org/10.1109/16.158791.
Texto completoGao, G. B., M. S. Ünlü, J. Chen, B. Mazhari, K. Adomi, G. X. Liu, Z. F. Fan y H. Morkoç. "Double-layer collector for heterojunction bipolar transistors". Solid-State Electronics 35, n.º 1 (enero de 1992): 57–60. http://dx.doi.org/10.1016/0038-1101(92)90304-u.
Texto completoJahan, M. M. y A. F. M. Anwar. "Early voltage in double heterojunction bipolar transistors". IEEE Transactions on Electron Devices 42, n.º 11 (1995): 2028–29. http://dx.doi.org/10.1109/16.469414.
Texto completoLin, Y. S., J. H. Huang y C. H. Ho. "Improved InP-based double heterojunction bipolar transistors". physica status solidi (c) 4, n.º 5 (abril de 2007): 1680–84. http://dx.doi.org/10.1002/pssc.200674254.
Texto completoMcKinnon, W. R., S. P. McAlister, Z. Abid, E. E. Guzzo y S. Laframboise. "A comparison of the dc and rf characteristics of single and double InP/InGaAs heterojunction bipolar transistors". Canadian Journal of Physics 74, S1 (1 de diciembre de 1996): 239–42. http://dx.doi.org/10.1139/p96-866.
Texto completoLevi, A. F. J., J. R. Hayes, A. C. Gossard y J. H. English. "Electroluminescence from the base of a GaAs/AlGaAs double heterojunction bipolar transistor". Applied Physics Letters 50, n.º 2 (12 de enero de 1987): 98–100. http://dx.doi.org/10.1063/1.97831.
Texto completoLiu, W., E. Beam y A. Khatibzadeh. "1.5-W CW S-band GaInP/GaAs/GaInP double heterojunction bipolar transistor". IEEE Electron Device Letters 15, n.º 6 (junio de 1994): 215–17. http://dx.doi.org/10.1109/55.286696.
Texto completoCoquillat, D., V. Nodjiadjim, A. Konczykowska, N. Dyakonova, C. Consejo, S. Ruffenach, F. Teppe et al. "InP Double Heterojunction Bipolar Transistor for broadband terahertz detection and imaging systems". Journal of Physics: Conference Series 647 (13 de octubre de 2015): 012036. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/647/1/012036.
Texto completoLiu, W. C., S. Y. Cheng, H. J. Pan, J. Y. Chen, W. C. Wang, S. C. Feng y K. H. Yu. "A new In0.5Ga0.5P/GaAs double heterojunction bipolar transistor (DHBT) prepared by MOCVD". Le Journal de Physique IV 09, PR8 (septiembre de 1999): Pr8–1155—Pr8–1161. http://dx.doi.org/10.1051/jp4:19998144.
Texto completoPoh, Z. S., H. K. Yow, P. A. Houston, A. B. Krysa y D. S. Ong. "GaInP∕GaAs double heterojunction bipolar transistor with GaAs∕Al0.11Ga0.89As∕GaInP composite collector". Journal of Applied Physics 100, n.º 2 (15 de julio de 2006): 026105. http://dx.doi.org/10.1063/1.2218027.
Texto completoSquartecchia, Michele, Tom K. Johansen, Jean-Yves Dupuy, Virginio Midili, Virginie Nodjiadjim, Muriel Riet y Agnieszka Konczykowska. "Optimization of InP DHBT stacked-transistors for millimeter-wave power amplifiers". International Journal of Microwave and Wireless Technologies 10, n.º 9 (7 de agosto de 2018): 999–1010. http://dx.doi.org/10.1017/s1759078718001137.
Texto completoChen, Chung‐Zen, Si‐Chen Lee y Hao‐Hsiung Lin. "Design ofn‐p‐nAlGaAs double‐heterojunction bipolar transistors". Journal of Applied Physics 62, n.º 9 (noviembre de 1987): 3976–79. http://dx.doi.org/10.1063/1.339196.
Texto completoYee, Marcus y Peter A. Houston. "High current effects in double heterojunction bipolar transistors". Semiconductor Science and Technology 20, n.º 5 (15 de marzo de 2005): 412–17. http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/20/5/015.
Texto completoWai Lee y C. G. Fonstad. "In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As abrupt double-heterojunction bipolar transistors". IEEE Electron Device Letters 7, n.º 12 (diciembre de 1986): 683–85. http://dx.doi.org/10.1109/edl.1986.26519.
Texto completoYow, H. K., T. W. Lee, C. C. Button, P. A. Houston, J. S. Roberts y H. Y. Lee. "Double heterojunction bipolar transistors Using AlGaInP/GaAs/GaInP". Electronics Letters 30, n.º 2 (20 de enero de 1994): 167–69. http://dx.doi.org/10.1049/el:19940092.
Texto completoHidaka, Osamu, Kouhei Morizuka y Hiroshi Mochizuki. "Thermal Runaway Tolerance in Double-Heterojunction Bipolar Transistors". Japanese Journal of Applied Physics 34, Part 1, No. 2B (28 de febrero de 1995): 886–88. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.34.886.
Texto completoJ. García-Loureiro, Antonio y Juan M. López-González. "A model for abrupt double heterojunction bipolar transistors". International Journal of Numerical Modelling: Electronic Networks, Devices and Fields 17, n.º 1 (enero de 2004): 29–42. http://dx.doi.org/10.1002/jnm.522.
Texto completoLaurent, S., J. C. Nallatamby, M. Prigent, M. Riet y V. Nodjiadjim. "Characterization and Modeling of DHBT in InP/GaAsSb Technology for the Design and Fabrication of a Ka Band MMIC Oscillator". Active and Passive Electronic Components 2012 (2012): 1–15. http://dx.doi.org/10.1155/2012/796973.
Texto completoYee, M., P. A. Houston y J. P. R. David. "Measurement of electron saturation velocity in Ga0.52In0.48P in a double heterojunction bipolar transistor". Journal of Applied Physics 91, n.º 3 (febrero de 2002): 1601–5. http://dx.doi.org/10.1063/1.1428100.
Texto completoCheng, Shiou-Ying, Wei-Chou Wang, Wen-Lung Chang, Jing-Yuh Chen, His-Jen Pan y Wen-Chau Liu. "A new InGaP/GaAs double delta-doped heterojunction bipolar transistor (D 3 HBT)". Thin Solid Films 345, n.º 2 (mayo de 1999): 270–72. http://dx.doi.org/10.1016/s0040-6090(98)01422-9.
Texto completoLee, Si‐Chen y Hao‐Hsiung Lin. "Transport theory of the double heterojunction bipolar transistor based on current balancing concept". Journal of Applied Physics 59, n.º 5 (marzo de 1986): 1688–95. http://dx.doi.org/10.1063/1.336432.
Texto completoWelty, R. J., H. P. Xin, K. Mochizuki, C. W. Tu y P. M. Asbeck. "GaAs/Ga0.89In0.11N0.02As0.98/GaAs NpN double heterojunction bipolar transistor with low turn-on voltage". Solid-State Electronics 46, n.º 1 (enero de 2002): 1–5. http://dx.doi.org/10.1016/s0038-1101(01)00315-x.
Texto completoSchreiber, H. U. "High-speed double mesa Si/SiGe heterojunction bipolar transistor fabricated by selfalignment technology". Electronics Letters 28, n.º 5 (1992): 485. http://dx.doi.org/10.1049/el:19920306.
Texto completoWang, Wei-Chou, Jing-Yuh Chen, Hsi-Jen Pan, Shun-Ching Feng, Kuo-Hui Yu y Wen-Chau Liu. "Study of In0.49Ga0.51P/GaAs/In0.49Ga0.51P doubleδ-doped heterojunction bipolar transistor". Superlattices and Microstructures 26, n.º 1 (julio de 1999): 23–33. http://dx.doi.org/10.1006/spmi.1999.0701.
Texto completoShivan, T., E. Kaule, M. Hossain, R. Doerner, T. Johansen, D. Stoppel, S. Boppel, W. Heinrich, V. Krozer y M. Rudolph. "Design and modeling of an ultra-wideband low-noise distributed amplifier in InP DHBT technology". International Journal of Microwave and Wireless Technologies 11, n.º 7 (3 de mayo de 2019): 635–44. http://dx.doi.org/10.1017/s1759078719000515.
Texto completoMakimoto, Toshiki, Kenji Kurishima, Takashi Kobayashi y Tadao Ishibashi. "InP/InGaAs Double Heterojunction Bipolar Transistors Grown on Si". Japanese Journal of Applied Physics 30, Part 1, No. 12B (30 de diciembre de 1991): 3815–17. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.30.3815.
Texto completoCoquillat, Dominique, Alexandre Duhant, Meriam Triki, Virginie Nodjiadjim, Agnieszka Konczykowska, Muriel Riet, Nina Dyakonova, Olivier Strauss y Wojciech Knap. "InP double heterojunction bipolar transistors for terahertz computed tomography". AIP Advances 8, n.º 8 (agosto de 2018): 085320. http://dx.doi.org/10.1063/1.5039331.
Texto completoShyh-Chiang Shen, Yi-Che Lee, Hee-Jin Kim, Yun Zhang, Suk Choi, R. D. Dupuis y Jae-Hyun Ryou. "Surface Leakage in GaN/InGaN Double Heterojunction Bipolar Transistors". IEEE Electron Device Letters 30, n.º 11 (noviembre de 2009): 1119–21. http://dx.doi.org/10.1109/led.2009.2030373.
Texto completoLo, C. F., F. Ren, C. Y. Chang, S. J. Pearton, S. H. Chen, C. M. Chang, S. Y. Wang, J. I. Chyi y I. I. Kravchenko. "Fabrication of InAlAs/InGaAsSb/InGaAs double heterojunction bipolar transistors". Journal of Vacuum Science & Technology B, Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena 29, n.º 3 (mayo de 2011): 031205. http://dx.doi.org/10.1116/1.3589808.
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