Artículos de revistas sobre el tema "CNTFETs"
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Kimbrough, Joevonte, Lauren Williams, Qunying Yuan y Zhigang Xiao. "Dielectrophoresis-Based Positioning of Carbon Nanotubes for Wafer-Scale Fabrication of Carbon Nanotube Devices". Micromachines 12, n.º 1 (25 de diciembre de 2020): 12. http://dx.doi.org/10.3390/mi12010012.
Texto completoGUO, JING, SIYURANGA O. KOSWATTA, NEOPHYTOS NEOPHYTOU y MARK LUNDSTROM. "CARBON NANOTUBE FIELD-EFFECT TRANSISTORS". International Journal of High Speed Electronics and Systems 16, n.º 04 (diciembre de 2006): 897–912. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156406004077.
Texto completoCrippa, Paolo, Giorgio Biagetti, Claudio Turchetti, Laura Falaschetti, Davide Mencarelli, George Deligeorgis y Luca Pierantoni. "A High-Gain CNTFET-Based LNA Developed Using a Compact Design-Oriented Device Model". Electronics 10, n.º 22 (18 de noviembre de 2021): 2835. http://dx.doi.org/10.3390/electronics10222835.
Texto completoDing, Hongyu, Jiangwei Cui, Qiwen Zheng, Haitao Xu, Ningfei Gao, Mingzhu Xun, Gang Yu, Chengfa He, Yudong Li y Qi Guo. "Effect of Trapped Charge Induced by Total Ionizing Dose Radiation on the Top-Gate Carbon Nanotube Field Effect Transistors". Electronics 12, n.º 4 (17 de febrero de 2023): 1000. http://dx.doi.org/10.3390/electronics12041000.
Texto completoPark, Junsung, Xueqing Liu, Trond Ytterdal y Michael Shur. "Carbon Nanotube Detectors and Spectrometers for the Terahertz Range". Crystals 10, n.º 7 (10 de julio de 2020): 601. http://dx.doi.org/10.3390/cryst10070601.
Texto completoCho, Gookbin, Eva Grinenval, Jean-Christophe P. Gabriel y Bérengère Lebental. "Intense pH Sensitivity Modulation in Carbon Nanotube-Based Field-Effect Transistor by Non-Covalent Polyfluorene Functionalization". Nanomaterials 13, n.º 7 (24 de marzo de 2023): 1157. http://dx.doi.org/10.3390/nano13071157.
Texto completoZhang, Ji, Sheng Chang, Hao Wang, Jin He y Qi Jun Huang. "Artificial Neural Network Based CNTFETs Modeling". Applied Mechanics and Materials 667 (octubre de 2014): 390–95. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amm.667.390.
Texto completoPrasad, Vikash y Debaprasad Das. "A Review on MOSFET-Like CNTFETs". Science & Technology Journal 4, n.º 2 (1 de julio de 2016): 124–29. http://dx.doi.org/10.22232/stj.2016.04.02.06.
Texto completoZahoor, Furqan, Fawnizu Azmadi Hussin, Farooq Ahmad Khanday, Mohamad Radzi Ahmad y Illani Mohd Nawi. "Ternary Arithmetic Logic Unit Design Utilizing Carbon Nanotube Field Effect Transistor (CNTFET) and Resistive Random Access Memory (RRAM)". Micromachines 12, n.º 11 (21 de octubre de 2021): 1288. http://dx.doi.org/10.3390/mi12111288.
Texto completoMarani, R. y A. G. Perri. "Study of CNTFETs as Memory Devices". ECS Journal of Solid State Science and Technology 11, n.º 3 (1 de marzo de 2022): 031001. http://dx.doi.org/10.1149/2162-8777/ac5846.
Texto completoHamieh, S. "Improving the RF Performance of Carbon Nanotube Field Effect Transistor". Journal of Nanomaterials 2012 (2012): 1–7. http://dx.doi.org/10.1155/2012/724121.
Texto completoZahoor, Furqan, Fawnizu Azmadi Hussin, Farooq Ahmad Khanday, Mohamad Radzi Ahmad, Illani Mohd Nawi, Chia Yee Ooi y Fakhrul Zaman Rokhani. "Carbon Nanotube Field Effect Transistor (CNTFET) and Resistive Random Access Memory (RRAM) Based Ternary Combinational Logic Circuits". Electronics 10, n.º 1 (4 de enero de 2021): 79. http://dx.doi.org/10.3390/electronics10010079.
Texto completoNaderi, Ali, S. Mohammad Noorbakhsh y Hossein Elahipanah. "Temperature Dependence of Electrical Characteristics of Carbon Nanotube Field-Effect Transistors: A Quantum Simulation Study". Journal of Nanomaterials 2012 (2012): 1–7. http://dx.doi.org/10.1155/2012/532625.
Texto completoPourfath, Mahdi, Hans Kosina y Siegfried Selberherr. "Tunneling CNTFETs". Journal of Computational Electronics 6, n.º 1-3 (18 de enero de 2007): 243–46. http://dx.doi.org/10.1007/s10825-006-0099-1.
Texto completoFAEZ, RAHIM y SEYED EBRAHIM HOSSEINI. "NOVEL STRUCTURES FOR CARBON NANOTUBE FIELD EFFECT TRANSISTORS". International Journal of Modern Physics B 23, n.º 19 (30 de julio de 2009): 3871–80. http://dx.doi.org/10.1142/s0217979209052911.
Texto completoSundaramK, Mohana, P. Prakash, S. Angalaeswari, T. Deepa, L. Natrayan y Prabhu Paramasivam. "Influence of Process Parameter on Carbon Nanotube Field Effect Transistor Using Response Surface Methodology". Journal of Nanomaterials 2021 (15 de diciembre de 2021): 1–9. http://dx.doi.org/10.1155/2021/7739359.
Texto completoDudina, Alexandra, Urs Frey y Andreas Hierlemann. "Carbon-Nanotube-Based Monolithic CMOS Platform for Electrochemical Detection of Neurotransmitter Glutamate". Sensors 19, n.º 14 (12 de julio de 2019): 3080. http://dx.doi.org/10.3390/s19143080.
Texto completoFarmer, Damon B. "Metallization considerations for carbon nanotube device optimization". Journal of Applied Physics 132, n.º 10 (14 de septiembre de 2022): 104301. http://dx.doi.org/10.1063/5.0098970.
Texto completo., Gudala Konica y Sreenivasulu Mamilla . "Design and Analysis of CMOS and CNTFET based Ternary Operators for Scrambling". Volume 4,Issue 5,2018 4, n.º 5 (5 de enero de 2019): 575–79. http://dx.doi.org/10.30799/jnst.187.18040530.
Texto completoDinh, Hien Sy, Tuan Tran Anh Thi y Luong Thi Nguyen. "SIMULATING CHARACTERISTICS OF CARBON NANOTUBE FIELD- EFFECT TRANSISTOR (CNTFET)". Science and Technology Development Journal 13, n.º 2 (30 de junio de 2010): 15–27. http://dx.doi.org/10.32508/stdj.v13i2.2123.
Texto completoNaderi, Ali. "Numerical study of carbon nanotube field effect transistors in presence of carbon–carbon third nearest neighbor interactions". International Journal of Modern Physics B 28, n.º 24 (5 de agosto de 2014): 1450167. http://dx.doi.org/10.1142/s0217979214501677.
Texto completoShahangian, Maryam, Seied Ali Hosseini y Reza Faghih Mirzaee. "A Universal Method for Designing Multi-Digit Ternary to Binary Converter Using CNTFET". Journal of Circuits, Systems and Computers 29, n.º 12 (19 de febrero de 2020): 2050196. http://dx.doi.org/10.1142/s0218126620501960.
Texto completoRahman, Fahim, Prodyut Das, Md Forhad Hossain, Sazzaduzzaman Khan y Rajib Chowdhury. "Design and Performance Evaluation of a 10GHz 32nm-CNTFET IR-UWB Transmitter for Inter-Chip Wireless Communication". Advanced Materials Research 646 (enero de 2013): 228–34. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.646.228.
Texto completoUchino, Takashi, Greg Ayre, David Smith, John Hutchison, C. de Groot y Peter Ashburn. "The Effects of Hydrogen Annealing on Carbon Nanotube Field-Effect Transistors". Nanomaterials 11, n.º 10 (23 de septiembre de 2021): 2481. http://dx.doi.org/10.3390/nano11102481.
Texto completoMarani, R. y A. G. Perri. "Analysis of Noise in Current Mirror Circuits Based on CNTFET and MOSFET". ECS Journal of Solid State Science and Technology 11, n.º 3 (1 de marzo de 2022): 031006. http://dx.doi.org/10.1149/2162-8777/ac5eb1.
Texto completoFalaschetti, Laura, Davide Mencarelli, Nicola Pelagalli, Paolo Crippa, Giorgio Biagetti, Claudio Turchetti, George Deligeorgis y Luca Pierantoni. "A Compact and Robust Technique for the Modeling and Parameter Extraction of Carbon Nanotube Field Effect Transistors". Electronics 9, n.º 12 (20 de diciembre de 2020): 2199. http://dx.doi.org/10.3390/electronics9122199.
Texto completoYao, Xuesong, Yalei Zhang, Wanlin Jin, Youfan Hu y Yue Cui. "Carbon Nanotube Field-Effect Transistor-Based Chemical and Biological Sensors". Sensors 21, n.º 3 (2 de febrero de 2021): 995. http://dx.doi.org/10.3390/s21030995.
Texto completoHaji-Nasiri, Saeed y Mohammad Kazem Moravvej-Farshi. "Stability Analysis in CNTFETs". IEEE Electron Device Letters 34, n.º 2 (febrero de 2013): 301–3. http://dx.doi.org/10.1109/led.2012.2235136.
Texto completoPourfath, Mahdi, Hans Kosina y Siegfried Selberherr. "Dissipative transport in CNTFETs". Journal of Computational Electronics 6, n.º 1-3 (26 de enero de 2007): 321–24. http://dx.doi.org/10.1007/s10825-006-0113-7.
Texto completoJAMALABADI, ZAHRA, PARVIZ KESHAVARZI y ALI NADERI. "SDC-CNTFET: STEPWISE DOPING CHANNEL DESIGN IN CARBON NANOTUBE FIELD EFFECT TRANSISTORS FOR IMPROVING SHORT CHANNEL EFFECTS IMMUNITY". International Journal of Modern Physics B 28, n.º 07 (20 de febrero de 2014): 1450048. http://dx.doi.org/10.1142/s0217979214500489.
Texto completoReddy Eamani, Ramakrishna, Vinodhkumar Nallathambi y Sasikumar Asaithambi. "A low-power high speed full adder cell using carbon nanotube field effect transistors". Indonesian Journal of Electrical Engineering and Computer Science 31, n.º 1 (1 de julio de 2023): 134. http://dx.doi.org/10.11591/ijeecs.v31.i1.pp134-142.
Texto completoKORDROSTAMI, ZOHEIR, M. HOSSEIN SHEIKHI y ABBAS ZARIFKAR. "DESIGN DEPENDENT CUTOFF FREQUENCY OF NANOTRANSISTORS NEAR THE ULTIMATE PERFORMANCE LIMIT". International Journal of Modern Physics B 26, n.º 32 (11 de diciembre de 2012): 1250196. http://dx.doi.org/10.1142/s0217979212501962.
Texto completoSaini, Jitendra Kumar, Avireni Srinivasulu y Renu Kumawat. "High-Performance Low-Power 5:2 Compressor With 30 CNTFETs Using 32 nm Technology". International Journal of Sensors, Wireless Communications and Control 9, n.º 4 (17 de septiembre de 2019): 462–67. http://dx.doi.org/10.2174/2210327909666190206144601.
Texto completoLI, HONG, QING ZHANG y JINGQI LI. "CHARGE STORAGE IN CARBON NANOTUBE FIELD-EFFECT TRANSISTORS". International Journal of Nanoscience 05, n.º 04n05 (agosto de 2006): 553–57. http://dx.doi.org/10.1142/s0219581x06004784.
Texto completoHou, Zhenfei, Yiwei Liu, Gang Niu, Yanxiao Sun, Jie Li, Jinyan Zhao y Shengli Wu. "Carbon nanotube network film-based field-effect transistor interface state optimization by ambient air annealing". Journal of Applied Physics 133, n.º 12 (28 de marzo de 2023): 125303. http://dx.doi.org/10.1063/5.0135500.
Texto completoBejenari, Igor y Martin Claus. "Electron Back Scattering in CNTFETs". IEEE Transactions on Electron Devices 63, n.º 3 (marzo de 2016): 1340–45. http://dx.doi.org/10.1109/ted.2015.2512180.
Texto completoHellkamp, Daniel y Kundan Nepal. "True Three-Valued Ternary Content Addressable Memory Cell Based On Ambipolar Carbon Nanotube Transistors". Journal of Circuits, Systems and Computers 28, n.º 05 (mayo de 2019): 1950085. http://dx.doi.org/10.1142/s0218126619500853.
Texto completoSelvan, S. Tamil. "Comparison analysis of three value logic 8T CNTFET SRAM Cell with 6 CMOS SRAM CELL at 32nm technology". International Journal of Reconfigurable and Embedded Systems (IJRES) 8, n.º 2 (1 de julio de 2019): 107. http://dx.doi.org/10.11591/ijres.v8.i2.pp107-113.
Texto completoArul, P. y K. Helen Prabha. "A Comprehensive Analysis of Short Channel Effects on Carbon Nano Tube Field Effect Transistors". Journal of Nanoelectronics and Optoelectronics 16, n.º 12 (1 de diciembre de 2021): 1905–12. http://dx.doi.org/10.1166/jno.2021.3144.
Texto completoYasir, Mohd y Naushad Alam. "Design of CNTFET-Based CCII Using gm/ID Technique for Low-Voltage and Low-Power Applications". Journal of Circuits, Systems and Computers 29, n.º 09 (27 de noviembre de 2019): 2050143. http://dx.doi.org/10.1142/s0218126620501431.
Texto completoMothes, Sven, Martin Claus y Michael Schroter. "Toward Linearity in Schottky Barrier CNTFETs". IEEE Transactions on Nanotechnology 14, n.º 2 (marzo de 2015): 372–78. http://dx.doi.org/10.1109/tnano.2015.2397696.
Texto completoPacheco-Sanchez, Anibal, Florian Fuchs, Sven Mothes, Andreas Zienert, Jorg Schuster, Sibylle Gemming y Martin Claus. "Feasible Device Architectures for Ultrascaled CNTFETs". IEEE Transactions on Nanotechnology 17, n.º 1 (enero de 2018): 100–107. http://dx.doi.org/10.1109/tnano.2017.2774605.
Texto completoYOUSEFI, REZA y SEYYED SALEH GHOREISHI. "A COMPUTATIONAL STUDY OF STRAIN EFFECTS IN THE BAND-TO-BAND-TUNNELING CARBON NANOTUBE FIELD-EFFECT TRANSISTORS". International Journal of Modern Physics B 26, n.º 29 (27 de septiembre de 2012): 1250155. http://dx.doi.org/10.1142/s021797921250155x.
Texto completoDing, Li, Zhiyong Zhang, Jun Su, Qunqing Li y Lian-Mao Peng. "Exploration of yttria films as gate dielectrics in sub-50 nm carbon nanotube field-effect transistors". Nanoscale 6, n.º 19 (2014): 11316–21. http://dx.doi.org/10.1039/c4nr03475a.
Texto completoMasoumi, Saeid, Hassan Hajghassem, Alireza Erfanian y Ahmad Molaei Rad. "Design and manufacture of TNT explosives detector sensors based on CNTFET". Sensor Review 36, n.º 4 (19 de septiembre de 2016): 414–20. http://dx.doi.org/10.1108/sr-01-2016-0014.
Texto completoGhabri, Houda, Dalenda Ben Issa y Hekmet Samet. "New Optimized Reconfigurable ALU Design Based on DG-CNTFET Nanotechnology". International Journal of Reconfigurable and Embedded Systems (IJRES) 7, n.º 3 (1 de noviembre de 2019): 189. http://dx.doi.org/10.11591/ijres.v7.i3.pp189-196.
Texto completoGhabri, Houda, Dalenda Ben Issa y Hekmet Samet. "New Optimized Reconfigurable ALU Design Based on DG-CNTFET Nanotechnology". International Journal of Reconfigurable and Embedded Systems (IJRES) 7, n.º 3 (1 de noviembre de 2019): 195. http://dx.doi.org/10.11591/ijres.v7.i3.pp195-202.
Texto completoKumar, Nandhaiahgari Dinesh, Rajendra Prasad Somineni y CH Raja Kumari. "Design and analysis of different full adder cells using new technologies". International Journal of Reconfigurable and Embedded Systems (IJRES) 9, n.º 2 (1 de julio de 2020): 116. http://dx.doi.org/10.11591/ijres.v9.i2.pp116-124.
Texto completoMarani, R., G. Gelao y A. G. Perri. "A Compact Noise Model for C-CNTFETs". ECS Journal of Solid State Science and Technology 6, n.º 4 (2017): M44—M49. http://dx.doi.org/10.1149/2.0341704jss.
Texto completoFediai, Artem, Dmitry A. Ryndyk, Gotthard Seifert, Sven Mothes, Martin Claus, Michael Schröter y Gianaurelio Cuniberti. "Towards an optimal contact metal for CNTFETs". Nanoscale 8, n.º 19 (2016): 10240–51. http://dx.doi.org/10.1039/c6nr01012a.
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