Artículos de revistas sobre el tema "CMOS device"
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Yedukondalu, Udara, Vinod Arunachalam, Vasudha Vijayasri Bolisetty y Ravikumar Guru Samy. "Fully synthesizable multi-gate dynamic voltage comparator for leakage reduction and low power application". Indonesian Journal of Electrical Engineering and Computer Science 28, n.º 2 (1 de noviembre de 2022): 716. http://dx.doi.org/10.11591/ijeecs.v28.i2.pp716-723.
Texto completoXiong, Qi, Shao Hua Zhou y Jiang Ping Zeng. "The Analysis of Device Model in CMOS Integrated Temperature Sensor". Advanced Materials Research 986-987 (julio de 2014): 1600–1605. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.986-987.1600.
Texto completoChiovetti, Bob. ""Chip Wars" Heat Up On The Digital Imaging Front". Microscopy Today 7, n.º 2 (marzo de 1999): 3–4. http://dx.doi.org/10.1017/s1551929500063847.
Texto completoShawkat, Mst Shamim Ara, Mohammad Habib Ullah Habib, Md Sakib Hasan, Mohammad Aminul Haque y Nicole McFarlane. "Perimeter Gated Single Photon Avalanche Diodes in Sub-Micron and Deep-Submicron CMOS Processes". International Journal of High Speed Electronics and Systems 27, n.º 03n04 (septiembre de 2018): 1840018. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156418400189.
Texto completoWong, Hei. "Abridging CMOS Technology". Nanomaterials 12, n.º 23 (29 de noviembre de 2022): 4245. http://dx.doi.org/10.3390/nano12234245.
Texto completoFOSSUM, JERRY G. "A SIMULATION-BASED PREVIEW OF EXTREMELY SCALED DOUBLE-GATE CMOS DEVICES AND CIRCUITS". International Journal of High Speed Electronics and Systems 12, n.º 02 (junio de 2002): 563–72. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156402001460.
Texto completoMOONEY, P. M. "MATERIALS FOR STRAINED SILICON DEVICES". International Journal of High Speed Electronics and Systems 12, n.º 02 (junio de 2002): 305–14. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156402001265.
Texto completoBirla, Shilpi, Sudip Mahanti y Neha Singh. "Leakage reduction technique for nano-scaled devices". Circuit World 47, n.º 1 (29 de mayo de 2020): 97–104. http://dx.doi.org/10.1108/cw-12-2019-0195.
Texto completoWon, Jongun, Youngchae Roh, Minseung Kang, Yeaji Park, Jaehyeon Kang, Hyeongjun Seo, Changhoon Joe y SangBum Kim. "A Capacitor-Based Synaptic Device with IGZO Access Transistors for Neuromorphic Computing". ECS Transactions 111, n.º 2 (19 de mayo de 2023): 133–36. http://dx.doi.org/10.1149/11102.0133ecst.
Texto completoTang, L., S. Latif y D. A. B. Miller. "Plasmonic device in silicon CMOS". Electronics Letters 45, n.º 13 (2009): 706. http://dx.doi.org/10.1049/el.2009.0839.
Texto completoDavid Theodore, N., Sophie Verdonckt-Vandebroek, C. Barry Carter y S. Simon Wong. "Characterization of lateral bipolar transistor structures". Proceedings, annual meeting, Electron Microscopy Society of America 48, n.º 4 (agosto de 1990): 628–29. http://dx.doi.org/10.1017/s0424820100176277.
Texto completoKogut, Igor T., Victor I. Holota, Anatoly Druzhinin y V. V. Dovhij. "The Device-Technological Simulation of Local 3D SOI-Structures". Journal of Nano Research 39 (febrero de 2016): 228–34. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/jnanor.39.228.
Texto completoDhar, Subhra, Manisha Pattanaik y Poolla Rajaram. "Advancement in Nanoscale CMOS Device Design En Route to Ultra-Low-Power Applications". VLSI Design 2011 (26 de mayo de 2011): 1–19. http://dx.doi.org/10.1155/2011/178516.
Texto completoGABARA, THAD. "PULSED LOW POWER CMOS". International Journal of High Speed Electronics and Systems 05, n.º 02 (junio de 1994): 159–77. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156494000097.
Texto completoPoehls, L. M. Bolzani, M. C. R. Fieback, S. Hoffmann-Eifert, T. Copetti, E. Brum, S. Menzel, S. Hamdioui y T. Gemmeke. "Review of Manufacturing Process Defects and Their Effects on Memristive Devices". Journal of Electronic Testing 37, n.º 4 (agosto de 2021): 427–37. http://dx.doi.org/10.1007/s10836-021-05968-8.
Texto completoWimmer-Teubenbacher, Robert, Florentyna Sosada-Ludwikowska, Anton Köck, Stephan Steinhauer, Mukhles Sowwan y Vidyadhar Singh. "Optimization of SnO2-Based CMOS-Integrated Gas Sensors by Mono-, Bi- and Trimetallic Nanoparticles". Proceedings 56, n.º 1 (20 de enero de 2021): 43. http://dx.doi.org/10.3390/proceedings2020056043.
Texto completoPrasad, Vikash y Debaprasad Das. "A Review on MOSFET-Like CNTFETs". Science & Technology Journal 4, n.º 2 (1 de julio de 2016): 124–29. http://dx.doi.org/10.22232/stj.2016.04.02.06.
Texto completoPunjiya, Meera, Chung Hee Moon, Zimple Matharu, Hojatollah Rezaei Nejad y Sameer Sonkusale. "A three-dimensional electrochemical paper-based analytical device for low-cost diagnostics". Analyst 143, n.º 5 (2018): 1059–64. http://dx.doi.org/10.1039/c7an01837a.
Texto completoKrupar, Joerg, Heiko Hauswald y Ronny Naumann. "A Substrate Current Less Control Method for CMOS Integration of Power Bridges". Advances in Power Electronics 2010 (23 de septiembre de 2010): 1–11. http://dx.doi.org/10.1155/2010/909612.
Texto completoSanchez Esqueda, Ivan, Hugh J. Barnaby, Keith E. Holbert y Younes Boulghassoul. "Modeling Inter-Device Leakage in 90 nm Bulk CMOS Devices". IEEE Transactions on Nuclear Science 58, n.º 3 (junio de 2011): 793–99. http://dx.doi.org/10.1109/tns.2010.2101616.
Texto completoChen, An. "(Invited, Digital Presentation) Emerging Materials and Devices for Energy-Efficient Computing". ECS Meeting Abstracts MA2022-01, n.º 19 (7 de julio de 2022): 1073. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-01191073mtgabs.
Texto completoStepanov, Valery R. y Dmitry M. Nikulin. "COMPARISON OF THE CALCULATED WORKING RANGE OF THE THIRD GENERATION EOS AND MATRIX FOR NEAR IR RANGE". Interexpo GEO-Siberia 6, n.º 2 (8 de julio de 2020): 88–92. http://dx.doi.org/10.33764/2618-981x-2020-6-2-88-92.
Texto completoGodfrey, M. D. "CMOS device modeling for subthreshold circuits". IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Analog and Digital Signal Processing 39, n.º 8 (1992): 532–39. http://dx.doi.org/10.1109/82.168945.
Texto completoManku, T. "Microwave CMOS-device physics and design". IEEE Journal of Solid-State Circuits 34, n.º 3 (marzo de 1999): 277–85. http://dx.doi.org/10.1109/4.748178.
Texto completoKempf, P., R. Hadaway y J. Kolk. "Complementary metal oxide semiconductor compatible high-voltage transistors". Canadian Journal of Physics 65, n.º 8 (1 de agosto de 1987): 1003–8. http://dx.doi.org/10.1139/p87-161.
Texto completoPan, James N. "Chromatic and Panchromatic Nonlinear Optoelectronic CMOSFETs for CMOS Image Sensors, Laser Multiplexing, Computing, and Communication". MRS Advances 5, n.º 37-38 (2020): 1965–74. http://dx.doi.org/10.1557/adv.2020.273.
Texto completoNASEH, SASAN y M. JAMAL DEEN. "RF CMOS RELIABILITY". International Journal of High Speed Electronics and Systems 11, n.º 04 (diciembre de 2001): 1249–95. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156401001088.
Texto completoWang, Wei, Hong-An Zeng, Fang Wang, Guanyu Wang, Yingtao Xie y Shijuan Feng. "A speed-optimized, low-noise APD with 0.18 μm CMOS technology for the VLC applications". Modern Physics Letters B 34, n.º 29 (18 de julio de 2020): 2050321. http://dx.doi.org/10.1142/s0217984920503212.
Texto completoWagaj, S. C. y S. C. Patil. "Performance Analysis of CMOS Circuits using Shielded Channel Dual Gate Stack Silicon on Nothing Junctionless Transistor". International Journal of Engineering and Advanced Technology 10, n.º 6 (30 de agosto de 2021): 1–10. http://dx.doi.org/10.35940/ijeat.e2576.0810621.
Texto completoHeyns, M. y W. Tsai. "Ultimate Scaling of CMOS Logic Devices with Ge and III–V Materials". MRS Bulletin 34, n.º 7 (julio de 2009): 485–92. http://dx.doi.org/10.1557/mrs2009.136.
Texto completoDieck-Assad, Graciano, José Manuel Rodríguez-Delgado y Omar Israel González Peña. "Excel Methods to Design and Validate in Microelectronics (Complementary Metal–Oxide–Semiconductor, CMOS) for Biomedical Instrumentation Application". Sensors 21, n.º 22 (11 de noviembre de 2021): 7486. http://dx.doi.org/10.3390/s21227486.
Texto completoKurita, Kazunari, Takeshi Kadono, Satoshi Shigematsu, Ryo Hirose, Ryosuke Okuyama, Ayumi Onaka-Masada, Hidehiko Okuda y Yoshihiro Koga. "Proximity Gettering Design of Hydrocarbon–Molecular–Ion–Implanted Silicon Wafers Using Dark Current Spectroscopy for CMOS Image Sensors". Sensors 19, n.º 9 (4 de mayo de 2019): 2073. http://dx.doi.org/10.3390/s19092073.
Texto completoBISDOUNIS, LABROS. "ANALYTICAL MODELING OF OVERSHOOTING EFFECT IN SUB-100 nm CMOS INVERTERS". Journal of Circuits, Systems and Computers 20, n.º 07 (noviembre de 2011): 1303–21. http://dx.doi.org/10.1142/s0218126611007967.
Texto completoTabata, Toshiyuki, Fabien Rozé, Louis Thuries, Sébastien Halty, Pierre-Edouard Raynal, Imen Karmous y Karim Huet. "Recent Progresses and Perspectives of UV Laser Annealing Technologies for Advanced CMOS Devices". Electronics 11, n.º 17 (23 de agosto de 2022): 2636. http://dx.doi.org/10.3390/electronics11172636.
Texto completoLiu, An-Chen, Po-Tsung Tu, Catherine Langpoklakpam, Yu-Wen Huang, Ya-Ting Chang, An-Jye Tzou, Lung-Hsing Hsu, Chun-Hsiung Lin, Hao-Chung Kuo y Edward Yi Chang. "The Evolution of Manufacturing Technology for GaN Electronic Devices". Micromachines 12, n.º 7 (23 de junio de 2021): 737. http://dx.doi.org/10.3390/mi12070737.
Texto completoKweon, Jun Young y Yun-Heup Song. "CMOS Based Ovonic Threshold Switching Emulation Circuitry". Journal of Nanoscience and Nanotechnology 20, n.º 8 (1 de agosto de 2020): 4977–79. http://dx.doi.org/10.1166/jnn.2020.17807.
Texto completoLi, Shuo, Nan Pan, Sen Gao y Lei Li. "Three State Output Module and Digital Switch Circuit Based on Threshold Memristor". Journal of Physics: Conference Series 2395, n.º 1 (1 de diciembre de 2022): 012021. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/2395/1/012021.
Texto completoMulberry, Geoffrey, Kevin A. White, Matthew A. Crocker y Brian N. Kim. "A 512-Ch Dual-Mode Microchip for Simultaneous Measurements of Electrophysiological and Neurochemical Activities". Biosensors 13, n.º 5 (26 de abril de 2023): 502. http://dx.doi.org/10.3390/bios13050502.
Texto completoCheng, Ying, Rui Kang y Gan Ghua Zhang. "Failure Mechanisms and Lifetime Simulation Method for Nano Scale CMOS Device". Key Engineering Materials 483 (junio de 2011): 740–44. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/kem.483.740.
Texto completoLi, Bo y Guoyong Shi. "A Native SPICE Implementation of Memristor Models for Simulation of Neuromorphic Analog Signal Processing Circuits". ACM Transactions on Design Automation of Electronic Systems 27, n.º 1 (31 de enero de 2022): 1–24. http://dx.doi.org/10.1145/3474364.
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Texto completoLi, Yucheng, Shiqi Zhang y Jianjun Song. "A Germanium Based Quantum Well Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Transistor". Journal of Nanoelectronics and Optoelectronics 17, n.º 9 (1 de septiembre de 2022): 1245–55. http://dx.doi.org/10.1166/jno.2022.3308.
Texto completoMilo, Valerio, Gerardo Malavena, Christian Monzio Compagnoni y Daniele Ielmini. "Memristive and CMOS Devices for Neuromorphic Computing". Materials 13, n.º 1 (1 de enero de 2020): 166. http://dx.doi.org/10.3390/ma13010166.
Texto completoMata-Hernandez, Diana, Daniel Fernández, Saoni Banerji y Jordi Madrenas. "Resonant MEMS Pressure Sensor in 180 nm CMOS Technology Obtained by BEOL Isotropic Etching". Sensors 20, n.º 21 (23 de octubre de 2020): 6037. http://dx.doi.org/10.3390/s20216037.
Texto completoMaclean, W., M. du Plessis y J. Schoeman. "Optimisation of CMOS Compatible Microbolometer Device Performance". SAIEE Africa Research Journal 103, n.º 1 (marzo de 2012): 3–8. http://dx.doi.org/10.23919/saiee.2012.8531971.
Texto completoTakagi, Shinichi, Sanjeewa Dissanayake y Mitsuru Takenaka. "High Mobility Ge-Based CMOS Device Technologies". Key Engineering Materials 470 (febrero de 2011): 1–7. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/kem.470.1.
Texto completoTzou, J. J., C. C. Yao, R. Cheung y H. Chan. "Some CMOS device constraints at low temperatures". IEEE Electron Device Letters 6, n.º 1 (enero de 1985): 33–35. http://dx.doi.org/10.1109/edl.1985.26033.
Texto completoChen, J. Y. y D. E. Snyder. "Modeling device isolation in high-density CMOS". IEEE Electron Device Letters 7, n.º 2 (febrero de 1986): 64–65. http://dx.doi.org/10.1109/edl.1986.26295.
Texto completoDellmann, L., U. Drechsler, T. Morf, H. Rothuizen, R. Stutz, J. Weiss y M. Despont. "3D opto-electrical device stacking on CMOS". Microelectronic Engineering 87, n.º 5-8 (mayo de 2010): 1210–12. http://dx.doi.org/10.1016/j.mee.2009.11.170.
Texto completoŠkereň, Tomáš, Nikola Pascher, Arnaud Garnier, Patrick Reynaud, Emmanuel Rolland, Aurélie Thuaire, Daniel Widmer, Xavier Jehl y Andreas Fuhrer. "CMOS platform for atomic-scale device fabrication". Nanotechnology 29, n.º 43 (24 de agosto de 2018): 435302. http://dx.doi.org/10.1088/1361-6528/aad7ab.
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