Artículos de revistas sobre el tema "CMOS Device and Integration"
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Shawkat, Mst Shamim Ara, Mohammad Habib Ullah Habib, Md Sakib Hasan, Mohammad Aminul Haque y Nicole McFarlane. "Perimeter Gated Single Photon Avalanche Diodes in Sub-Micron and Deep-Submicron CMOS Processes". International Journal of High Speed Electronics and Systems 27, n.º 03n04 (septiembre de 2018): 1840018. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156418400189.
Texto completoKrupar, Joerg, Heiko Hauswald y Ronny Naumann. "A Substrate Current Less Control Method for CMOS Integration of Power Bridges". Advances in Power Electronics 2010 (23 de septiembre de 2010): 1–11. http://dx.doi.org/10.1155/2010/909612.
Texto completoKogut, Igor T., Victor I. Holota, Anatoly Druzhinin y V. V. Dovhij. "The Device-Technological Simulation of Local 3D SOI-Structures". Journal of Nano Research 39 (febrero de 2016): 228–34. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/jnanor.39.228.
Texto completoLeenheer, Andrew, Connor Halsey, Daniel Ward, Deanna Campbell, John S. Mincey, Evan M. Anderson, Scott W. Schmucker et al. "Atomic-scale Dopant Integration During CMOS Device Fabrication". ECS Meeting Abstracts MA2021-02, n.º 30 (19 de octubre de 2021): 918. http://dx.doi.org/10.1149/ma2021-0230918mtgabs.
Texto completoHuey, Sidney, Balaji Chandrasekaran, Doyle Bennett, Stan Tsai, Kun Xu, Jun Qian, Siva Dhandapani, Jeff David, Bogdan Swedek y Lakshmanan Karuppiah. "CMP Process Control for Advanced CMOS Device Integration". ECS Transactions 44, n.º 1 (15 de diciembre de 2019): 543–52. http://dx.doi.org/10.1149/1.3694367.
Texto completoPerez-Bosch Quesada, E., E. Perez, M. Kalishettyhalli Mahadevaiah y C. Wenger. "Memristive-based in-memory computing: from device to large-scale CMOS integration". Neuromorphic Computing and Engineering 1, n.º 2 (18 de noviembre de 2021): 024006. http://dx.doi.org/10.1088/2634-4386/ac2cd4.
Texto completoKitchen, Jennifer, Soroush Moallemi y Sumit Bhardwaj. "Multi-chip module integration of Hybrid Silicon CMOS and GaN Technologies for RF Transceivers". Additional Conferences (Device Packaging, HiTEC, HiTEN, and CICMT) 2019, DPC (1 de enero de 2019): 000339–82. http://dx.doi.org/10.4071/2380-4491-2019-dpc-presentation_tp1_010.
Texto completoTabata, Toshiyuki, Fabien Rozé, Louis Thuries, Sébastien Halty, Pierre-Edouard Raynal, Imen Karmous y Karim Huet. "Recent Progresses and Perspectives of UV Laser Annealing Technologies for Advanced CMOS Devices". Electronics 11, n.º 17 (23 de agosto de 2022): 2636. http://dx.doi.org/10.3390/electronics11172636.
Texto completoPan, James N. "Chromatic and Panchromatic Nonlinear Optoelectronic CMOSFETs for CMOS Image Sensors, Laser Multiplexing, Computing, and Communication". MRS Advances 5, n.º 37-38 (2020): 1965–74. http://dx.doi.org/10.1557/adv.2020.273.
Texto completoOstling, Mikael y Per-Erik Hellstrom. "(Invited) Sequential 3D Integration of Ge Transistors on Si CMOS". ECS Meeting Abstracts MA2023-02, n.º 30 (22 de diciembre de 2023): 1511. http://dx.doi.org/10.1149/ma2023-02301511mtgabs.
Texto completoJacob, Ajey P., Ruilong Xie, Min Gyu Sung, Lars Liebmann, Rinus T. P. Lee y Bill Taylor. "Scaling Challenges for Advanced CMOS Devices". International Journal of High Speed Electronics and Systems 26, n.º 01n02 (17 de febrero de 2017): 1740001. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156417400018.
Texto completoAlexandru, Mihaela, Viorel Banu, Matthieu Florentin, Xavier Jordá, Miguel Vellvehi y Dominique Tournier. "High Temperature Electrical Characterization of 4H-SiC MESFET Basic Logic Gates". Materials Science Forum 778-780 (febrero de 2014): 1130–34. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.778-780.1130.
Texto completoTakenaka, Mitsuru y Shinichi Takagi. "III-V/Ge Device Engineering for CMOS Photonics". Materials Science Forum 783-786 (mayo de 2014): 2028–33. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.783-786.2028.
Texto completoKim, Hyejin, Geonhui Han, Seojin Cho, Jiyong Woo y Daeseok Lee. "Internal Resistor Effect of Multilayer-Structured Synaptic Device for Low-Power Operation". Nanomaterials 14, n.º 2 (16 de enero de 2024): 201. http://dx.doi.org/10.3390/nano14020201.
Texto completoMols, Yves, Abhitosh Vais, Sachin Yadav, Liesbeth Witters, Komal Vondkar, Reynald Alcotte, Marina Baryshnikova et al. "Monolithic Integration of Nano-Ridge Engineered InGaP/GaAs HBTs on 300 mm Si Substrate". Materials 14, n.º 19 (29 de septiembre de 2021): 5682. http://dx.doi.org/10.3390/ma14195682.
Texto completoSebaai, Farid, Jose Ignacio Del Agua Borniquel, Rita Vos, Philippe Absil, Thomas Chiarella, Christa Vrancken, Pieter Boelen y Evans Baiya. "Poly-Silicon Etch with Diluted Ammonia: Application to Replacement Gate Integration Scheme". Solid State Phenomena 145-146 (enero de 2009): 207–10. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.145-146.207.
Texto completoSmith, A., Qi Li, Agin Vyas, Mohammad Haque, Kejian Wang, Andres Velasco, Xiaoyan Zhang et al. "Carbon-Based Electrode Materials for Microsupercapacitors in Self-Powering Sensor Networks: Present and Future Development". Sensors 19, n.º 19 (29 de septiembre de 2019): 4231. http://dx.doi.org/10.3390/s19194231.
Texto completoWada, Kazumi. "A New Approach of Electronics and Photonics Convergence on Si CMOS Platform: How to Reduce Device Diversity of Photonics for Integration". Advances in Optical Technologies 2008 (7 de julio de 2008): 1–7. http://dx.doi.org/10.1155/2008/807457.
Texto completoKöck, Anton, Marco Deluca, Florentyna Sosada-Ludwikowska, Günther Maier, Robert Wimmer Teubenbacher, Martin Sagmeister, Karl Rohracher et al. "Heterogeneous Integration of Metal Oxides—Towards a CMOS Based Multi Gas Sensor Device". Proceedings 14, n.º 1 (19 de junio de 2019): 5. http://dx.doi.org/10.3390/proceedings2019014005.
Texto completoOstling, Mikael y Per-Erik Hellstrom. "(Invited) Sequential 3D Integration of Ge Transistors on Si CMOS". ECS Transactions 112, n.º 1 (29 de septiembre de 2023): 13–24. http://dx.doi.org/10.1149/11201.0013ecst.
Texto completoMulberry, Geoffrey, Kevin A. White, Matthew A. Crocker y Brian N. Kim. "A 512-Ch Dual-Mode Microchip for Simultaneous Measurements of Electrophysiological and Neurochemical Activities". Biosensors 13, n.º 5 (26 de abril de 2023): 502. http://dx.doi.org/10.3390/bios13050502.
Texto completoDunai, L., G. Peris-Fajarnés, E. Lluna y B. Defez. "Sensory Navigation Device for Blind People". Journal of Navigation 66, n.º 3 (25 de enero de 2013): 349–62. http://dx.doi.org/10.1017/s0373463312000574.
Texto completoWan Muhamad Hatta, Sharifah Fatmadiana, Dayanasari Abdul Hadi y Norhayati Soin. "Laser Anneal-Induced Effects on the NBTI Degradation of Advanced-Process 45nm High-K PMOS". Advanced Materials Research 189-193 (febrero de 2011): 1862–66. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.189-193.1862.
Texto completoWANG, YANGYUAN, RU HUANG, JINFENG KANG y SHENGDONG ZHANG. "HIGHLY SCALED CMOS DEVICE TECHNOLOGIES WITH NEW STRUCTURES AND NEW MATERIALS". International Journal of High Speed Electronics and Systems 16, n.º 01 (marzo de 2006): 147–73. http://dx.doi.org/10.1142/s012915640600359x.
Texto completoThomas, Dave, Jean Michailos, Nicolas Hotellier, Gilles Metellus, Francois Guyader, Alain Inard, Keith Buchanan, Dorleta Cortaberria Sanz, Yiping Song y Tony Wilby. "Integration Aspects of the Implementation of Through Silicon Vias (TSV) for CMOS Image Sensors". Additional Conferences (Device Packaging, HiTEC, HiTEN, and CICMT) 2010, DPC (1 de enero de 2010): 000539–56. http://dx.doi.org/10.4071/2010dpc-ta14.
Texto completoTakagi, Shinichi, Masafumi Yokoyama, Sang-Hyeon Kim, Rui Zhang y Mitsuru Takenaka. "(Invited) Device and Integration Technologies of III-V/Ge Channel CMOS". ECS Transactions 41, n.º 7 (16 de diciembre de 2019): 203–18. http://dx.doi.org/10.1149/1.3633300.
Texto completoSong, Boxin. "Metal Oxide Neural Devices and Their Applications". Highlights in Science, Engineering and Technology 87 (26 de marzo de 2024): 226–31. http://dx.doi.org/10.54097/zwgj1t76.
Texto completoHall, Steve y Bill Eccleston. "Silicon-germanium for ULSI". Journal of Telecommunications and Information Technology, n.º 3-4 (30 de diciembre de 2000): 3–9. http://dx.doi.org/10.26636/jtit.2000.3-4.33.
Texto completoSánchez-Chiva, Josep Maria, Juan Valle, Daniel Fernández y Jordi Madrenas. "A CMOS-MEMS BEOL 2-axis Lorentz-Force Magnetometer with Device-Level Offset Cancellation". Sensors 20, n.º 20 (19 de octubre de 2020): 5899. http://dx.doi.org/10.3390/s20205899.
Texto completoZhang, Zhao Yun, Zhi Gui Shi, Zhen Chuan Yang y Bo Peng. "MEMS Monolithic Integration Technology". Key Engineering Materials 562-565 (julio de 2013): 1387–92. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/kem.562-565.1387.
Texto completoSoh, Mei, T. Teo, S. Selvaraj, Lulu Peng, Don Disney y Kiat Yeo. "Heterogeneous Integration of GaN and BCD Technologies". Electronics 8, n.º 3 (22 de marzo de 2019): 351. http://dx.doi.org/10.3390/electronics8030351.
Texto completoHeyns, M. y W. Tsai. "Ultimate Scaling of CMOS Logic Devices with Ge and III–V Materials". MRS Bulletin 34, n.º 7 (julio de 2009): 485–92. http://dx.doi.org/10.1557/mrs2009.136.
Texto completoJoubert, James y Deepak Sharma. "Using CMOS Cameras for Light Microscopy". Microscopy Today 19, n.º 4 (julio de 2011): 22–28. http://dx.doi.org/10.1017/s155192951100054x.
Texto completoKumar, K. R. Lakshmi, R. A. Hadaway, M. A. Copeland y M. I. H. King. "A precision design technique for analog very large scale integration". Canadian Journal of Physics 63, n.º 6 (1 de junio de 1985): 702–6. http://dx.doi.org/10.1139/p85-109.
Texto completoHadizadeh, Rameen, Anssi Laitinen, Niko Kuusniemi, Volker Blaschke, David Molinero, Eoin O'Toole y Márcio Pinheiro. "Low-Density Fan-Out Heterogeneous Integration of MEMS Tunable Capacitor and RF SOI Switch". International Symposium on Microelectronics 2019, n.º 1 (1 de octubre de 2019): 000051–55. http://dx.doi.org/10.4071/2380-4505-2019.1.000051.
Texto completoKhaja, Fareen Adeni. "Contact Resistance Improvement for Advanced Logic by Integration of Epi, Implant and Anneal Innovations". MRS Advances 4, n.º 48 (2019): 2559–76. http://dx.doi.org/10.1557/adv.2019.416.
Texto completoFan, Zhihua, Qinling Deng, Xiaoyu Ma y Shaolin Zhou. "Phase Change Metasurfaces by Continuous or Quasi-Continuous Atoms for Active Optoelectronic Integration". Materials 14, n.º 5 (7 de marzo de 2021): 1272. http://dx.doi.org/10.3390/ma14051272.
Texto completoLi, Zhichao, Shiheng Yang, Samuel B. S. Lee y Kiat Seng Yeo. "A Two-Stage X-Band 20.7-dBm Power Amplifier in 40-nm CMOS Technology". Electronics 9, n.º 12 (20 de diciembre de 2020): 2198. http://dx.doi.org/10.3390/electronics9122198.
Texto completoDeshpande, V. V., V. Djara, D. Caimi, E. O'Connor, M. Sousa, L. Czornomaz y J. Fompeyrine. "(Invited) Material and Device Integration for Hybrid III-V/SiGe CMOS Technology". ECS Transactions 69, n.º 10 (2 de octubre de 2015): 131–42. http://dx.doi.org/10.1149/06910.0131ecst.
Texto completoFilipovic, Lado y Siegfried Selberherr. "Thermo-Electro-Mechanical Simulation of Semiconductor Metal Oxide Gas Sensors". Materials 12, n.º 15 (28 de julio de 2019): 2410. http://dx.doi.org/10.3390/ma12152410.
Texto completoZhang, Yinxing, Ziliang Fang y Xiaobing Yan. "HfO2-based memristor-CMOS hybrid implementation of artificial neuron model". Applied Physics Letters 120, n.º 21 (23 de mayo de 2022): 213502. http://dx.doi.org/10.1063/5.0091286.
Texto completoBelhassen, Jérémy, Zeev Zalevsky y Avi Karsenty. "Optical Polarization Sensitive Ultra-Fast Switching and Photo-Electrical Device". Nanomaterials 9, n.º 12 (7 de diciembre de 2019): 1743. http://dx.doi.org/10.3390/nano9121743.
Texto completoMori, Takahiro. "(Invited, Digital Presentation) Silicon Compatible Quantum Computers: Challenges in Devices, Integration, and Circuits". ECS Meeting Abstracts MA2022-01, n.º 29 (7 de julio de 2022): 1297. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-01291297mtgabs.
Texto completoKluba, Marta, Bruno Morana, Angel Savov, Henk van Zeijl, Gregory Pandraud y Ronald Dekker. "Wafer-Scale Integration for Semi-Flexible Neural Implant Miniaturization". Proceedings 2, n.º 13 (10 de diciembre de 2018): 941. http://dx.doi.org/10.3390/proceedings2130941.
Texto completoKazior, Thomas E. "Beyond CMOS: heterogeneous integration of III–V devices, RF MEMS and other dissimilar materials/devices with Si CMOS to create intelligent microsystems". Philosophical Transactions of the Royal Society A: Mathematical, Physical and Engineering Sciences 372, n.º 2012 (28 de marzo de 2014): 20130105. http://dx.doi.org/10.1098/rsta.2013.0105.
Texto completoBuchbinder, Miryam, Ora Eli, Sagie Rozental, Yami Bouhnik, Shimon Greenberg, Krish Mani, Yifat Cohen, Ken Mackay, Jeremy Pereira y Jeremy Alvarez Herault. "Integrating MTJ Devices into a 130nm CMOS Process Flow". Advances in Science and Technology 99 (octubre de 2016): 81–89. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ast.99.81.
Texto completoSebaai, Farid, Liesbeth Witters, Frank Holsteyns, Yoshida Yukifumi, Paul W. Mertens y Stefan De Gendt. "Nickel Selective Etch for Contacts on Ge Based Devices". Solid State Phenomena 219 (septiembre de 2014): 105–8. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.219.105.
Texto completoMansour, Raafat R. "RF MEMS-CMOS Device Integration: An Overview of the Potential for RF Researchers". IEEE Microwave Magazine 14, n.º 1 (enero de 2013): 39–56. http://dx.doi.org/10.1109/mmm.2012.2226539.
Texto completoFUKAISHI, MUNEO, KAZUYUKI NAKAMURA y MICHIO YOTSUYANAGI. "HIGH-SPEED AND HIGH-DATA-BANDWIDTH TRANSMITTER AND RECEIVER FOR MULTI-CHANNEL SERIAL DATA COMMUNICATION WITH CMOS TECHNOLOGY". International Journal of High Speed Electronics and Systems 11, n.º 01 (marzo de 2001): 1–33. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156401000770.
Texto completoCarta, Fabio, Htay Hlaing, Hassan Edrees, Shyuan Yang, Mingoo Seok y Ioannis Kymissis. "Co-development of complementary technology and modified-CPL family for organic digital integrated circuits". MRS Proceedings 1795 (2015): 19–25. http://dx.doi.org/10.1557/opl.2015.564.
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