Artículos de revistas sobre el tema "Carbon Doping in GaN"
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Liu, Qiang, Marcin Zając, Małgorzata Iwińska, Shuai Wang, Wenrong Zhuang, Michał Boćkowski y Xinqiang Wang. "Carbon doped semi-insulating freestanding GaN crystals by ethylene". Applied Physics Letters 121, n.º 17 (24 de octubre de 2022): 172103. http://dx.doi.org/10.1063/5.0118250.
Texto completoShen, Zhaohua, Xuelin Yang, Shan Wu, Huayang Huang, Xiaolan Yan, Ning Tang, Fujun Xu et al. "Mechanism for self-compensation in heavily carbon doped GaN". AIP Advances 13, n.º 3 (1 de marzo de 2023): 035026. http://dx.doi.org/10.1063/5.0133421.
Texto completoRamos, L. E., J. Furthm�ller, J. R. Leite, L. M. R. Scolfaro y F. Bechstedt. "Carbon-Based Defects in GaN: Doping Behaviour". physica status solidi (b) 234, n.º 3 (diciembre de 2002): 864–67. http://dx.doi.org/10.1002/1521-3951(200212)234:3<864::aid-pssb864>3.0.co;2-x.
Texto completoЛундин, В. В., А. В. Сахаров, Е. Е. Заварин, Д. А. Закгейм, Е. Ю. Лундина, П. Н. Брунков y А. Ф. Цацульников. "Изолирующие слои GaN, совместно легированные железом и углеродом". Письма в журнал технической физики 45, n.º 14 (2019): 36. http://dx.doi.org/10.21883/pjtf.2019.14.48022.17738.
Texto completoAs, D. J., U. K�hler, M. L�bbers, J. Mimkes y K. Lischka. "p-Type Doping of Cubic GaN by Carbon". physica status solidi (a) 188, n.º 2 (diciembre de 2001): 699–703. http://dx.doi.org/10.1002/1521-396x(200112)188:2<699::aid-pssa699>3.0.co;2-8.
Texto completoRAJAN, SIDDHARTH, ARPAN CHAKRABORTY, UMESH K. MISHRA, CHRISTIANE POBLENZ, PATRICK WALTEREIT y JAMES S. SPECK. "MBE-Grown AlGaN/GaN HEMTs on SiC". International Journal of High Speed Electronics and Systems 14, n.º 03 (septiembre de 2004): 732–37. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156404002752.
Texto completoAs, D. J., E. Tschumak, H. Pöttgen, O. Kasdorf, J. W. Gerlach, H. Karl y K. Lischka. "Carbon doping of non-polar cubic GaN by CBr4". Journal of Crystal Growth 311, n.º 7 (marzo de 2009): 2039–41. http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2008.11.013.
Texto completoWu, Shan, Xuelin Yang, Zhenxing Wang, Zhongwen Ouyang, Huayang Huang, Qing Zhang, Qiuyu Shang et al. "Influence of intrinsic or extrinsic doping on charge state of carbon and its interaction with hydrogen in GaN". Applied Physics Letters 120, n.º 24 (13 de junio de 2022): 242101. http://dx.doi.org/10.1063/5.0093514.
Texto completoSchmult, S., H. Schürmann, G. Schmidt, P. Veit, F. Bertram, J. Christen, A. Großer y T. Mikolajick. "Correlating yellow and blue luminescence with carbon doping in GaN". Journal of Crystal Growth 586 (mayo de 2022): 126634. http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2022.126634.
Texto completoLi, Xun, Örjan Danielsson, Henrik Pedersen, Erik Janzén y Urban Forsberg. "Precursors for carbon doping of GaN in chemical vapor deposition". Journal of Vacuum Science & Technology B, Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena 33, n.º 2 (marzo de 2015): 021208. http://dx.doi.org/10.1116/1.4914316.
Texto completoFariza, Aqdas, Andreas Lesnik, Jürgen Bläsing, Marc P. Hoffmann, Florian Hörich, Peter Veit, Hartmut Witte, Armin Dadgar y André Strittmatter. "On reduction of current leakage in GaN by carbon-doping". Applied Physics Letters 109, n.º 21 (21 de noviembre de 2016): 212102. http://dx.doi.org/10.1063/1.4968823.
Texto completoAs, D. J., D. G. Pacheco-Salazar, S. Potthast y K. Lischka. "Carbon doping of cubic GaN under gallium-rich growth conditions". physica status solidi (c), n.º 7 (diciembre de 2003): 2537–40. http://dx.doi.org/10.1002/pssc.200303547.
Texto completoLisker, M., A. Krtschil, H. Witte, J. Christen, A. Krost, U. Birkle, S. Einfeldt y D. Hommel. "Influence of Carbon Doping on the Photoconductivity in GaN Layers". physica status solidi (b) 216, n.º 1 (noviembre de 1999): 593–97. http://dx.doi.org/10.1002/(sici)1521-3951(199911)216:1<593::aid-pssb593>3.0.co;2-4.
Texto completoDanielsson, Örjan, Xun Li, Lars Ojamäe, Erik Janzén, Henrik Pedersen y Urban Forsberg. "A model for carbon incorporation from trimethyl gallium in chemical vapor deposition of gallium nitride". Journal of Materials Chemistry C 4, n.º 4 (2016): 863–71. http://dx.doi.org/10.1039/c5tc03989d.
Texto completoAmilusik, Mikolaj, Marcin Zajac, Tomasz Sochacki, Boleslaw Lucznik, Michal Fijalkowski, Malgorzata Iwinska, Damian Wlodarczyk, Ajeesh Kumar Somakumar, Andrzej Suchocki y Michal Bockowski. "Carbon and Manganese in Semi-Insulating Bulk GaN Crystals". Materials 15, n.º 7 (23 de marzo de 2022): 2379. http://dx.doi.org/10.3390/ma15072379.
Texto completoGao, Z., M. Meneghini, F. Rampazzo, M. Rzin, C. De Santi, G. Meneghesso y E. Zanoni. "Reliability comparison of AlGaN/GaN HEMTs with different carbon doping concentration". Microelectronics Reliability 100-101 (septiembre de 2019): 113489. http://dx.doi.org/10.1016/j.microrel.2019.113489.
Texto completoGamov, I., E. Richter, M. Weyers, G. Gärtner y K. Irmscher. "Carbon doping of GaN: Proof of the formation of electrically active tri-carbon defects". Journal of Applied Physics 127, n.º 20 (29 de mayo de 2020): 205701. http://dx.doi.org/10.1063/5.0010844.
Texto completoLin, Wei, Maojun Wang, Haozhe Sun, Bing Xie, Cheng P. Wen, Yilong Hao y Bo Shen. "Suppressing Buffer-Induced Current Collapse in GaN HEMTs with a Source-Connected p-GaN (SCPG): A Simulation Study". Electronics 10, n.º 8 (15 de abril de 2021): 942. http://dx.doi.org/10.3390/electronics10080942.
Texto completoLiang, Feng, Degang Zhao, Desheng Jiang, Zongshun Liu, Jianjun Zhu, Ping Chen, Jing Yang, Shuangtao Liu, Yao Xing y Liqun Zhang. "Role of Si and C Impurities in Yellow and Blue Luminescence of Unintentionally and Si-Doped GaN". Nanomaterials 8, n.º 12 (10 de diciembre de 2018): 1026. http://dx.doi.org/10.3390/nano8121026.
Texto completoKoller, Christian, Gregor Pobegen, Clemens Ostermaier y Dionyz Pogany. "Effect of Carbon Doping on Charging/Discharging Dynamics and Leakage Behavior of Carbon-Doped GaN". IEEE Transactions on Electron Devices 65, n.º 12 (diciembre de 2018): 5314–21. http://dx.doi.org/10.1109/ted.2018.2872552.
Texto completoJoshi, Vipin, Shree Prakash Tiwari y Mayank Shrivastava. "Part I: Physical Insight Into Carbon-Doping-Induced Delayed Avalanche Action in GaN Buffer in AlGaN/GaN HEMTs". IEEE Transactions on Electron Devices 66, n.º 1 (enero de 2019): 561–69. http://dx.doi.org/10.1109/ted.2018.2878770.
Texto completoZimmermann, F., J. Beyer, F. C. Beyer, G. Gärtner, I. Gamov, K. Irmscher, E. Richter, M. Weyers y J. Heitmann. "A carbon-doping related luminescence band in GaN revealed by below bandgap excitation". Journal of Applied Physics 130, n.º 5 (7 de agosto de 2021): 055703. http://dx.doi.org/10.1063/5.0053940.
Texto completoFernandez, J. R. L., F. Cerdeira, E. A. Meneses, J. A. N. T. Soares, O. C. Noriega, J. R. Leite, D. J. As et al. "Near band-edge optical properties of cubic GaN with and without carbon doping". Microelectronics Journal 35, n.º 1 (enero de 2004): 73–77. http://dx.doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00226-x.
Texto completoNarita, Tetsuo, Daigo Kikuta, Hiroko Iguchi, Kenji Ito, Kazuyoshi Tomita, Tsutomu Uesugi y Tetsu Kachi. "Reduction of peak electric field strength in GaN-HEMT with carbon doping layer". physica status solidi (c) 9, n.º 3-4 (13 de enero de 2012): 915–18. http://dx.doi.org/10.1002/pssc.201100331.
Texto completoRathkanthiwar, Shashwat, Pegah Bagheri, Dolar Khachariya, Seiji Mita, Spyridon Pavlidis, Pramod Reddy, Ronny Kirste, James Tweedie, Zlatko Sitar y Ramón Collazo. "Point-defect management in homoepitaxially grown Si-doped GaN by MOCVD for vertical power devices". Applied Physics Express 15, n.º 5 (14 de abril de 2022): 051003. http://dx.doi.org/10.35848/1882-0786/ac6566.
Texto completoWampler, W. R., A. M. Armstrong y G. Vizkelethy. "Carrier capture and emission by substitutional carbon impurities in GaN vertical diodes". Journal of Applied Physics 132, n.º 9 (7 de septiembre de 2022): 095702. http://dx.doi.org/10.1063/5.0106905.
Texto completoFariza, A., A. Lesnik, S. Neugebauer, M. Wieneke, J. Hennig, J. Bläsing, H. Witte, A. Dadgar y A. Strittmatter. "Leakage currents and Fermi-level shifts in GaN layers upon iron and carbon-doping". Journal of Applied Physics 122, n.º 2 (14 de julio de 2017): 025704. http://dx.doi.org/10.1063/1.4993180.
Texto completoRossetto, I., F. Rampazzo, M. Meneghini, M. Silvestri, C. Dua, P. Gamarra, R. Aubry et al. "Influence of different carbon doping on the performance and reliability of InAlN/GaN HEMTs". Microelectronics Reliability 54, n.º 9-10 (septiembre de 2014): 2248–52. http://dx.doi.org/10.1016/j.microrel.2014.07.092.
Texto completoPoblenz, C., P. Waltereit, S. Rajan, S. Heikman, U. K. Mishra y J. S. Speck. "Effect of carbon doping on buffer leakage in AlGaN/GaN high electron mobility transistors". Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures 22, n.º 3 (2004): 1145. http://dx.doi.org/10.1116/1.1752907.
Texto completoGreen, D. S., U. K. Mishra y J. S. Speck. "Carbon doping of GaN with CBr4 in radio-frequency plasma-assisted molecular beam epitaxy". Journal of Applied Physics 95, n.º 12 (15 de junio de 2004): 8456–62. http://dx.doi.org/10.1063/1.1755431.
Texto completoArmitage, R., Q. Yang, H. Feick y E. R. Weber. "Evaluation of CCl4 and CS2 as carbon doping sources in MBE growth of GaN". Journal of Crystal Growth 263, n.º 1-4 (marzo de 2004): 132–42. http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2003.11.091.
Texto completoTanaka, Daiki, Kenji Iso y Jun Suda. "Comparative study of electrical properties of semi-insulating GaN substrates grown by hydride vapor phase epitaxy and doped with Fe, C, or Mn". Journal of Applied Physics 133, n.º 5 (7 de febrero de 2023): 055701. http://dx.doi.org/10.1063/5.0131470.
Texto completoZagni, Nicolò, Alessandro Chini, Francesco Maria Puglisi, Paolo Pavan y Giovanni Verzellesi. "On the Modeling of the Donor/Acceptor Compensation Ratio in Carbon-Doped GaN to Univocally Reproduce Breakdown Voltage and Current Collapse in Lateral GaN Power HEMTs". Micromachines 12, n.º 6 (16 de junio de 2021): 709. http://dx.doi.org/10.3390/mi12060709.
Texto completoKnetzger, Michael, Elke Meissner, Joff Derluyn, Marianne Germain y Jochen Friedrich. "Investigations of Critical Structural Defects in Active Layers of GaN-on-Si for Power Electronic Devices". Solid State Phenomena 242 (octubre de 2015): 417–20. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.242.417.
Texto completoXu, Yue, Xuelin Yang, Peng Zhang, Xingzhong Cao, Yao Chen, Shiping Guo, Shan Wu et al. "Influence of intrinsic or extrinsic doping on lattice locations of carbon in semi-insulating GaN". Applied Physics Express 12, n.º 6 (14 de mayo de 2019): 061002. http://dx.doi.org/10.7567/1882-0786/ab1c19.
Texto completoYacoub, H., C. Mauder, S. Leone, M. Eickelkamp, D. Fahle, M. Heuken, H. Kalisch y A. Vescan. "Effect of Different Carbon Doping Techniques on the Dynamic Properties of GaN-on-Si Buffers". IEEE Transactions on Electron Devices 64, n.º 3 (marzo de 2017): 991–97. http://dx.doi.org/10.1109/ted.2017.2647841.
Texto completoLundin, W. V., A. V. Sakharov, E. E. Zavarin, D. Yu Kazantsev, B. Ya Ber, M. A. Yagovkina, P. N. Brunkov y A. F. Tsatsulnikov. "Study of GaN doping with carbon from propane in a wide range of MOVPE conditions". Journal of Crystal Growth 449 (septiembre de 2016): 108–13. http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2016.06.002.
Texto completoWang, Yaxin, Takashi Teramoto y Kazuhiro Ohkawa. "Effects of intentional oxygen and carbon doping in MOVPE-grown GaN layers on photoelectric properties". physica status solidi (b) 252, n.º 5 (16 de marzo de 2015): 1116–20. http://dx.doi.org/10.1002/pssb.201451495.
Texto completoTzou, An-Jye, Dan-Hua Hsieh, Szu-Hung Chen, Yu-Kuang Liao, Zhen-Yu Li, Chun-Yen Chang y Hao-Chung Kuo. "An Investigation of Carbon-Doping-Induced Current Collapse in GaN-on-Si High Electron Mobility Transistors". Electronics 5, n.º 4 (2 de junio de 2016): 28. http://dx.doi.org/10.3390/electronics5020028.
Texto completoWang, Hongyue, Po-Chun Hsu, Ming Zhao, Eddy Simoen, Arturo Sibaja-Hernandez y Jinyan Wang. "Investigation of Defect Characteristics and Carrier Transport Mechanisms in GaN Layers With Different Carbon Doping Concentration". IEEE Transactions on Electron Devices 67, n.º 11 (noviembre de 2020): 4827–33. http://dx.doi.org/10.1109/ted.2020.3025261.
Texto completoKnetzger, Michael, Elke Meissner, Joff Derluyn, Marianne Germain y Jochen Friedrich. "Correlation of carbon doping variations with the vertical breakdown of GaN-on-Si for power electronics". Microelectronics Reliability 66 (noviembre de 2016): 16–21. http://dx.doi.org/10.1016/j.microrel.2016.09.014.
Texto completoZhang, Haitao, Xuanwu Kang, Yingkui Zheng, Hao Wu, Ke Wei, Xinyu Liu, Tianchun Ye y Zhi Jin. "Investigation on Dynamic Characteristics of AlGaN/GaN Lateral Schottky Barrier Diode". Micromachines 12, n.º 11 (22 de octubre de 2021): 1296. http://dx.doi.org/10.3390/mi12111296.
Texto completoBirkle, U., M. Fehrer, V. Kirchner, S. Einfeldt, D. Hommel, S. Strauf, P. Michler y J. Gutowski. "Studies on Carbon as Alternative P-Type Dopant for Gallium Nitride". MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research 4, S1 (1999): 526–31. http://dx.doi.org/10.1557/s1092578300002994.
Texto completoWassner, Maximilian, Markus Eckardt, Andreas Reyer, Thomas Diemant, Michael S. Elsaesser, R. Jürgen Behm y Nicola Hüsing. "Synthesis of amorphous and graphitized porous nitrogen-doped carbon spheres as oxygen reduction reaction catalysts". Beilstein Journal of Nanotechnology 11 (2 de enero de 2020): 1–15. http://dx.doi.org/10.3762/bjnano.11.1.
Texto completoYacoub, Hady, Thorsten Zweipfennig, Gerrit Lukens, Hannes Behmenburg, Dirk Fahle, Martin Eickelkamp, Michael Heuken, Holger Kalisch y Andrei Vescan. "Effect of Carbon Doping Level on Static and Dynamic Properties of AlGaN/GaN Heterostructures Grown on Silicon". IEEE Transactions on Electron Devices 65, n.º 8 (agosto de 2018): 3192–98. http://dx.doi.org/10.1109/ted.2018.2850066.
Texto completoNi, Yiqiang, Liuan Li, Liang He, Taotao Que, Zhenxing Liu, Lei He, Zhisheng Wu y Yang Liu. "Dependence of carbon doping concentration on the strain-state and properties of GaN grown on Si substrate". Superlattices and Microstructures 120 (agosto de 2018): 720–26. http://dx.doi.org/10.1016/j.spmi.2018.06.012.
Texto completoHuang, Yuanchao, Rong Wang, Naifu Zhang, Yiqiang Zhang, Deren Yang y Xiaodong Pi. "Effect of hydrogen on the unintentional doping of 4H silicon carbide". Journal of Applied Physics 132, n.º 15 (21 de octubre de 2022): 155704. http://dx.doi.org/10.1063/5.0108726.
Texto completoHirota, R., K. Kushida, Jun Takahashi y Kazuo Kuriyama. "Carbon doping by ion implantation and C2H6 gas in GaN: Rutherford backscattering/channeling, Raman scattering and photoluminescence studies". Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms 219-220 (junio de 2004): 792–97. http://dx.doi.org/10.1016/j.nimb.2004.01.165.
Texto completoLi, Yuqi, Yang Ou, Jianjun Wu y Yu Zhang. "Experimental Investigation on Plume Characteristics of PTFE-Filled Carbon, Graphite, Graphene for Laser-Assisted Pulsed Plasma Thruster". Applied Sciences 13, n.º 16 (16 de agosto de 2023): 9283. http://dx.doi.org/10.3390/app13169283.
Texto completoLi, Xun y Songran Zhu. "Properties of carbon-doped GaN using isobutane as a dopant". Journal of Physics: Conference Series 2011, n.º 1 (1 de septiembre de 2021): 012083. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/2011/1/012083.
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