Artículos de revistas sobre el tema "Boron diffusion"
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Wirbeleit, Frank. "Non-Gaussian Local Density Diffusion (LDD-) Model for Boron Diffusion in Si- and SixGe1-x Ultra-Shallow Junction Post-Implant and Advanced Rapid-Thermal-Anneals". Defect and Diffusion Forum 305-306 (octubre de 2010): 71–84. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ddf.305-306.71.
Texto completoWirbeleit, Frank. "Local Density Diffusivity (LDD-) Model for Boron Out-Diffusion of In Situ Boron-Doped Si0.75Ge0.25 Epitaxial Films Post Advanced Rapid Thermal Anneals with Carbon Co-Implant". Defect and Diffusion Forum 307 (diciembre de 2010): 63–73. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ddf.307.63.
Texto completoAleksandrov, O. V. y E. N. Mokhov. "Boron Diffusion in Silicon Carbide". Materials Science Forum 740-742 (enero de 2013): 561–64. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.740-742.561.
Texto completoAgarwal, Aditya, H. J. Gossmann y D. J. Eaglesham. "Boron-enhanced diffusion of boron: Physical mechanisms". Applied Physics Letters 74, n.º 16 (19 de abril de 1999): 2331–33. http://dx.doi.org/10.1063/1.123841.
Texto completoMarchiando, J. F., P. Roitman y J. Albers. "Boron diffusion in silicon". IEEE Transactions on Electron Devices 32, n.º 11 (noviembre de 1985): 2322–30. http://dx.doi.org/10.1109/t-ed.1985.22278.
Texto completoBorowiecka-Jamrozek, J. y J. Lachowski. "Diffusion of Boron in Cobalt Sinters". Archives of Metallurgy and Materials 58, n.º 4 (1 de diciembre de 2013): 1131–36. http://dx.doi.org/10.2478/amm-2013-0137.
Texto completoAtabaev, I. G., Chin Che Tin, B. G. Atabaev, T. M. Saliev, E. N. Bakhranov, N. A. Matchanov, S. L. Lutpullaev et al. "Diffusion and Electroluminescence Studies of Low Temperature Diffusion of Boron in 3C-SiC". Materials Science Forum 600-603 (septiembre de 2008): 457–60. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.600-603.457.
Texto completoShevchuk, E. P., V. A. Plotnikov y G. S. Bektasova. "Boron Diffusion in Steel 20". Izvestiya of Altai State University, n.º 1(111) (6 de marzo de 2020): 58–62. http://dx.doi.org/10.14258/izvasu(2020)1-08.
Texto completoVenezia, V. C., R. Duffy, L. Pelaz, M. J. P. Hopstaken, G. C. J. Maas, T. Dao, Y. Tamminga y P. Graat. "Boron diffusion in amorphous silicon". Materials Science and Engineering: B 124-125 (diciembre de 2005): 245–48. http://dx.doi.org/10.1016/j.mseb.2005.08.079.
Texto completoLa Via, F., K. T. F. Janssen y A. H. Reader. "Boron diffusion in Co74Ti26amorphous alloy". Applied Physics Letters 60, n.º 6 (10 de febrero de 1992): 701–3. http://dx.doi.org/10.1063/1.106542.
Texto completoWang, Wendong, Sanhong Zhang y Xinlai He. "Diffusion of boron in alloys". Acta Metallurgica et Materialia 43, n.º 4 (abril de 1995): 1693–99. http://dx.doi.org/10.1016/0956-7151(94)00347-k.
Texto completoSung, T., G. Popovici, M. A. Prelas, R. G. Wilson y S. K. Loyalka. "Boron diffusion into diamond under electric bias". Journal of Materials Research 12, n.º 5 (mayo de 1997): 1169–71. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.1997.0161.
Texto completoLi, Wei, Huan Yang, Shuaifeng Chen, Qing Chen, Lijie Luo, Jianbao Li, Yongjun Chen y Changjiu Li. "Temperature-Dependent Morphology Evolution of Boron Nitride and Boron Carbonitride Nanostructures". Journal of Nanomaterials 2019 (6 de marzo de 2019): 1–11. http://dx.doi.org/10.1155/2019/3572317.
Texto completoArmand, Jimmy, Cyril Oliver, F. Martinez, B. Semmache, M. Gauthier, Alain Foucaran y Yvan Cuminal. "Modeling of the Boron Emitter Formation Process from BCl3 Diffusion for N-Type Silicon Solar Cells Processing". Advanced Materials Research 324 (agosto de 2011): 261–64. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.324.261.
Texto completoBolotnikov, A. V., Peter G. Muzykov, Anant K. Agarwal, Qing Chun Jon Zhang y Tangali S. Sudarshan. "Two-Branch Boron Diffusion from Gas Phase in n-Type 4H-SiC". Materials Science Forum 615-617 (marzo de 2009): 453–56. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.615-617.453.
Texto completoCampos-Silva, Ivan, M. Ortíz-Domínguez, C. VillaVelázquez, R. Escobar y N. López. "Growth Kinetics of Boride Layers: A Modified Approach". Defect and Diffusion Forum 272 (marzo de 2008): 79–86. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ddf.272.79.
Texto completoMochizuki, Kazuhiro, Haruka Shimizu y Natsuki Yokoyama. "Modeling of Boron Diffusion and Segregation in Poly-Si/4H-SiC Structures". Materials Science Forum 645-648 (abril de 2010): 243–46. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.645-648.243.
Texto completoAgarwal, Aditya, H. J. Gossmann, D. J. Eaglesham, S. B. Herner, A. T. Fiory y T. E. Haynes. "Boron-enhanced diffusion of boron from ultralow-energy ion implantation". Applied Physics Letters 74, n.º 17 (26 de abril de 1999): 2435–37. http://dx.doi.org/10.1063/1.123872.
Texto completoShevchuk, E. P., V. A. Plotnikov y G. S. Bektasova. "Boron Diffusion During Carbon Steel Boriding". Izvestiya of Altai State University, n.º 1(117) (17 de marzo de 2021): 64–67. http://dx.doi.org/10.14258/izvasu(2021)1-10.
Texto completoKurachi, Ikuo y Kentaro Yoshioka. "Investigation of Boron Thermal Diffusion from Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposited Boron Silicate Glass for N-Type Solar Cell Process Application". International Journal of Photoenergy 2016 (2016): 1–8. http://dx.doi.org/10.1155/2016/8183673.
Texto completoWu, Ji Jun, Wen Hui Ma, Bin Yang, Da Chun Liu y Yong Nian Dai. "Phase Equilibria of Boron in Metallurgical Grade Silicon at 1300°C". Materials Science Forum 675-677 (febrero de 2011): 85–88. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.675-677.85.
Texto completoBockstedte, M., Alexander Mattausch y Oleg Pankratov. "Kinetic Aspects of the Interstitial-Mediated Boron Diffusion in SiC". Materials Science Forum 483-485 (mayo de 2005): 527–30. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.483-485.527.
Texto completoAn, Dao Khac, Phan Ahn Tuan, Vu Ba Dung y Nguyen Van Truong. "On the Atomistic Dynamic Modelling of Simultaneous Diffusion of Dopant and Point Defect (B, V, I) in Silicon Material". Defect and Diffusion Forum 258-260 (octubre de 2006): 32–38. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ddf.258-260.32.
Texto completoRüschenschmidt, K., H. Bracht, M. Laube, N. A. Stolwijk y G. Pensl. "Diffusion of boron in silicon carbide". Physica B: Condensed Matter 308-310 (diciembre de 2001): 734–37. http://dx.doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00889-4.
Texto completoMoriya, N., L. C. Feldman, H. S. Luftman, C. A. King, J. Bevk y B. Freer. "Boron diffusion in strainedSi1−xGexepitaxial layers". Physical Review Letters 71, n.º 6 (9 de agosto de 1993): 883–86. http://dx.doi.org/10.1103/physrevlett.71.883.
Texto completoKawagishi, Kyoko, Masahiro Susa, Toshio Maruyama y Kazuhiro Nagata. "Boron Diffusion in Amorphous Silica Films". Journal of The Electrochemical Society 144, n.º 9 (1 de septiembre de 1997): 3270–75. http://dx.doi.org/10.1149/1.1837996.
Texto completoHopkins, L. C., T. E. Seidel, J. S. Williams y J. C. Bean. "Enhanced Diffusion in Boron Implanted Silicon". Journal of The Electrochemical Society 132, n.º 8 (1 de agosto de 1985): 2035–36. http://dx.doi.org/10.1149/1.2114279.
Texto completoMarmelstein, R., M. Sinder y J. Pelleg. "Boron Diffusion in TaSi2 Thin Films". physica status solidi (a) 168, n.º 1 (julio de 1998): 223–29. http://dx.doi.org/10.1002/(sici)1521-396x(199807)168:1<223::aid-pssa223>3.0.co;2-4.
Texto completoStelmakh, V. F., Yu R. Suprun-Belevich, V. D. Tkachev y A. R. Chelyadinskii. "Diffusion of Boron Implanted into Silicon". physica status solidi (a) 89, n.º 1 (16 de mayo de 1985): K45—K49. http://dx.doi.org/10.1002/pssa.2210890155.
Texto completoSchnabel, Manuel, Charlotte Weiss, Mariaconcetta Canino, Thomas Rachow, Philipp Löper, Caterina Summonte, Salvo Mirabella, Stefan Janz y Peter R. Wilshaw. "Boron diffusion in nanocrystalline 3C-SiC". Applied Physics Letters 104, n.º 21 (26 de mayo de 2014): 213108. http://dx.doi.org/10.1063/1.4880722.
Texto completoLiu, T. y M. K. Orlowski. "Arsenic diffusion in boron‐doped germanium". Electronics Letters 49, n.º 2 (enero de 2013): 154–56. http://dx.doi.org/10.1049/el.2012.3444.
Texto completoSchmidt, H., G. Borchardt, C. Schmalzried, R. Telle, S. Weber y H. Scherrer. "Self-diffusion of boron in TiB2". Journal of Applied Physics 93, n.º 2 (15 de enero de 2003): 907–11. http://dx.doi.org/10.1063/1.1530715.
Texto completoMcLellan, R. B. "The diffusion of boron in nickel". Scripta Metallurgica et Materialia 33, n.º 8 (octubre de 1995): 1265–67. http://dx.doi.org/10.1016/0956-716x(95)00365-3.
Texto completoKim, Jeong-Gyoo y Choong-Ki Kim. "Two-step rapid thermal diffusion of boron into silicon using a boron nitride solid diffusion source". Journal of Electronic Materials 18, n.º 5 (septiembre de 1989): 573–77. http://dx.doi.org/10.1007/bf02657468.
Texto completoGüleryüz, Hasan, Erdem Atar, Fared Seahjani y Hüseyin Çimenoğlu. "An Overview on Surface Hardening of Titanium Alloys by Diffusion of Interstitial Atoms". Diffusion Foundations 4 (julio de 2015): 103–16. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/df.4.103.
Texto completoCampos-Silva, Ivan, M. Ortíz-Domínguez, N. López-Perrusquia, R. Escobar Galindo, O. A. Gómez-Vargas y E. Hernández-Sánchez. "Determination of Boron Diffusion Coefficients in Borided Tool Steels". Defect and Diffusion Forum 283-286 (marzo de 2009): 681–86. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ddf.283-286.681.
Texto completoVuong, H. H., Y. H. Xie, M. R. Frei, G. Hobler, L. Pelaz y C. S. Rafferty. "Use of transient enhanced diffusion to tailor boron out-diffusion". IEEE Transactions on Electron Devices 47, n.º 7 (julio de 2000): 1401–5. http://dx.doi.org/10.1109/16.848283.
Texto completoDung, Vu Ba. "Uphill diffusion of Si-interstitial during boron diffusion in silicon". Indian Journal of Physics 91, n.º 10 (24 de mayo de 2017): 1233–36. http://dx.doi.org/10.1007/s12648-017-1024-0.
Texto completoYeckel, Andrew y Stanley Middleman. "Mathematical modeling of boron diffusion from boron oxide glass film sources". AIChE Journal 34, n.º 9 (septiembre de 1988): 1455–67. http://dx.doi.org/10.1002/aic.690340907.
Texto completoVELICHKO, O. I. "SIMULATION OF BORON DIFFUSION IN THE NEAR-SURFACE REGION OF SILICON SUBSTRATE". Surface Review and Letters 27, n.º 11 (18 de agosto de 2020): 2050010. http://dx.doi.org/10.1142/s0218625x20500109.
Texto completoLinnarsson, Margareta K., J. Isberg, Adolf Schöner y Anders Hallén. "A Comparison of Transient Boron Diffusion in Silicon, Silicon Carbide and Diamond". Materials Science Forum 600-603 (septiembre de 2008): 453–56. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.600-603.453.
Texto completoLin, Bing-Hong, Yung-Shin Tseng, Jong-Rong Wang, Liang-Che Dai y Chunkuan Shih. "ICONE19-43157 Boron Evaluation of Diffusion Phenomenon and Distribution in the Core Using Fluent". Proceedings of the International Conference on Nuclear Engineering (ICONE) 2011.19 (2011): _ICONE1943. http://dx.doi.org/10.1299/jsmeicone.2011.19._icone1943_54.
Texto completoWang, Ling Yun, Ru Hai Zhou, Yi Fang Liu, Cheng Zheng, Jian Fa Cai y Yong He. "Simulation and Typical Application of Multi-Step Diffusion Method for MEMS Device Layers". Key Engineering Materials 645-646 (mayo de 2015): 341–46. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/kem.645-646.341.
Texto completoHong, Phan Thi Thanh, Vu Van Hung, Nguyen Van Nghia y Ho Khac Hieu. "Pressure effects on the diffusion of boron and phosphorus in silicon". International Journal of Modern Physics B 33, n.º 23 (20 de septiembre de 2019): 1950267. http://dx.doi.org/10.1142/s0217979219502679.
Texto completoOEHME, M. y E. KASPER. "ABRUPT BORON PROFILES BY SILICON-MBE". International Journal of Modern Physics B 16, n.º 28n29 (20 de noviembre de 2002): 4285–88. http://dx.doi.org/10.1142/s0217979202015273.
Texto completoKara, Gökhan, Gencaga Purcek y Harun Yanar. "Improvement of wear behaviour of titanium by boriding". Industrial Lubrication and Tribology 69, n.º 1 (9 de enero de 2017): 65–70. http://dx.doi.org/10.1108/ilt-11-2015-0174.
Texto completoMakuch, Natalia, Piotr Dziarski y Michał Kulka. "Gas Technique of Simultaneous Borocarburizing of Armco Iron Using Trimethyl Borate". Coatings 10, n.º 6 (14 de junio de 2020): 564. http://dx.doi.org/10.3390/coatings10060564.
Texto completoLebow, Patricia K., Stan T. Lebow y Steven A. Halverson. "Boron Diffusion in Surface-Treated Framing Lumber". Forest Products Journal 63, n.º 7-8 (diciembre de 2013): 275–82. http://dx.doi.org/10.13073/fpj-d-12-00098.
Texto completo"Diffusion of: Boron". Defect and Diffusion Forum 47 (enero de 1986): 26–53. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ddf.47.26.
Texto completoSchreutelkamp, R. J., W. X. Lu, F. W. Saris, K. T. F. Janssen, J. J. M. Ottenheim, R. E. Kaim y J. F. M. Westendorp. "Avoiding Transient Diffusion of Boron in Si(100)". MRS Proceedings 157 (1989). http://dx.doi.org/10.1557/proc-157-691.
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