Artículos de revistas sobre el tema "Beyond CMOS technologie"
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Mohamed, Khaled Salah. "Work around Moore’s Law: Current and next Generation Technologies". Applied Mechanics and Materials 110-116 (octubre de 2011): 3278–83. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amm.110-116.3278.
Texto completoThomas, S. G., P. Tomasini, M. Bauer, B. Vyne, Y. Zhang, M. Givens, J. Devrajan, S. Koester y I. Lauer. "Enabling Moore's Law beyond CMOS technologies through heteroepitaxy". Thin Solid Films 518, n.º 6 (enero de 2010): S53—S56. http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2009.10.054.
Texto completoMa, T. P. "(Plenary) Beyond-Si CMOS Technologies Based on High-Mobility Channels". ECS Transactions 54, n.º 1 (28 de junio de 2013): 15–24. http://dx.doi.org/10.1149/05401.0015ecst.
Texto completoChen, An, Supriyo Datta, X. Sharon Hu, Michael T. Niemier, Tajana Simunic Rosing y J. Joshua Yang. "A Survey on Architecture Advances Enabled by Emerging Beyond-CMOS Technologies". IEEE Design & Test 36, n.º 3 (junio de 2019): 46–68. http://dx.doi.org/10.1109/mdat.2019.2902359.
Texto completoBourianoff, George y Dmitri Nikonov. "(Keynote) Progress, Opportunities and Challenges for Beyond CMOS Information Processing Technologies". ECS Transactions 35, n.º 2 (16 de diciembre de 2019): 43–53. http://dx.doi.org/10.1149/1.3568847.
Texto completoLI, QILIANG. "HYBRID SILICON-MOLECULAR ELECTRONICS". Modern Physics Letters B 22, n.º 12 (20 de mayo de 2008): 1183–202. http://dx.doi.org/10.1142/s0217984908016054.
Texto completoDe Gendt, Stefan. "(Dielectric Science & Technology Thomas Callinan Award) Materials and Processes As Enablers for Moore Moore and Beyond Moore Technologies". ECS Meeting Abstracts MA2022-01, n.º 18 (7 de julio de 2022): 1036. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-01181036mtgabs.
Texto completoPan, Chenyun, Qiuwen Lou, Michael Niemier, Sharon Hu y Azad Naeemi. "Energy-Efficient Convolutional Neural Network Based on Cellular Neural Network Using Beyond-CMOS Technologies". IEEE Journal on Exploratory Solid-State Computational Devices and Circuits 5, n.º 2 (diciembre de 2019): 85–93. http://dx.doi.org/10.1109/jxcdc.2019.2960307.
Texto completoLi, Cheng, Zijin Pan, Xunyu Li, Weiquan Hao, Runyu Miao y Albert Wang. "Selective Overview of 3D Heterogeneity in CMOS". Nanomaterials 12, n.º 14 (8 de julio de 2022): 2340. http://dx.doi.org/10.3390/nano12142340.
Texto completoGrella, K., S. Dreiner, H. Vogt y U. Paschen. "Reliability Investigations up to 350°C of Gate Oxide Capacitors Realized in a Silicon-on-Insulator CMOS Technology". Journal of Microelectronics and Electronic Packaging 10, n.º 4 (1 de octubre de 2013): 150–54. http://dx.doi.org/10.4071/imaps.391.
Texto completoGrella, K., S. Dreiner, H. Vogt y U. Paschen. "High Temperature Reliability Investigations up to 350 °C of Gate Oxide Capacitors realized in a Silicon-on-Insulator CMOS-Technology". Additional Conferences (Device Packaging, HiTEC, HiTEN, and CICMT) 2013, HITEN (1 de enero de 2013): 000116–21. http://dx.doi.org/10.4071/hiten-ta13.
Texto completoShaheen, Saleh, Gady Golan, Moshe Azoulay y Joseph Bernstein. "A comparative study of reliability for finfet". Facta universitatis - series: Electronics and Energetics 31, n.º 3 (2018): 343–66. http://dx.doi.org/10.2298/fuee1803343s.
Texto completoFiorelli, Rafaella, Eduardo Peralías, Roberto Méndez-Romero, Mona Rajabali, Akash Kumar, Mohammad Zahedinejad, Johan Åkerman, Farshad Moradi, Teresa Serrano-Gotarredona y Bernabé Linares-Barranco. "CMOS Front End for Interfacing Spin-Hall Nano-Oscillators for Neuromorphic Computing in the GHz Range". Electronics 12, n.º 1 (3 de enero de 2023): 230. http://dx.doi.org/10.3390/electronics12010230.
Texto completoBanerjee, Writam. "Challenges and Applications of Emerging Nonvolatile Memory Devices". Electronics 9, n.º 6 (22 de junio de 2020): 1029. http://dx.doi.org/10.3390/electronics9061029.
Texto completoChen, An. "(Invited, Digital Presentation) Emerging Materials and Devices for Energy-Efficient Computing". ECS Meeting Abstracts MA2022-01, n.º 19 (7 de julio de 2022): 1073. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-01191073mtgabs.
Texto completoKerber, Andreas. "Reliability of Metal Gate / High-k devices and its impact on CMOS technology scaling". MRS Advances 2, n.º 52 (2017): 2973–82. http://dx.doi.org/10.1557/adv.2017.504.
Texto completoLallas, Efthymios. "Key Roles of Plasmonics in Wireless THz Nanocommunications—A Survey". Applied Sciences 9, n.º 24 (13 de diciembre de 2019): 5488. http://dx.doi.org/10.3390/app9245488.
Texto completoWiehe, Moritz. "Silicon Detectors for the LHC Phase-II Upgrade and Beyond – RD50 Status Report". Journal of Physics: Conference Series 2374, n.º 1 (1 de noviembre de 2022): 012167. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/2374/1/012167.
Texto completoSingh, Inderjit, Balwinder Raj, Mamta Khosla y Brajesh Kumar Kaushik. "Comparative Analysis of Spintronic Memories for Low Power on-chip Caches". SPIN 10, n.º 04 (16 de noviembre de 2020): 2050027. http://dx.doi.org/10.1142/s2010324720500277.
Texto completoKumaresan, Raja Sekar, Marshal Raj y Lakshminarayanan Gopalakrishnan. "Design and implementation of a nano magnetic logic barrel shifter using beyond-CMOS technology". Journal of Electrical Engineering 73, n.º 1 (1 de febrero de 2022): 1–10. http://dx.doi.org/10.2478/jee-2022-0001.
Texto completoWong, H. S. Philip. "(Digital Presentation) Low Dimensional Channel Materials for Logic Transistors". ECS Meeting Abstracts MA2022-02, n.º 32 (9 de octubre de 2022): 1182. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-02321182mtgabs.
Texto completoGuendouz, Djeber, Chhandak Mukherjee, Marina Deng, Magali De Matos, Christophe Caillaud, Hervé Bertin, Antoine Bobin et al. "Multiscale Compact Modelling of UTC-Photodiodes Enabling Monolithic Terahertz Communication Systems Design". Applied Sciences 11, n.º 23 (23 de noviembre de 2021): 11088. http://dx.doi.org/10.3390/app112311088.
Texto completoKim, Heewoo, Aporva Amarnath, Javad Bagherzadeh, Nishil Talati y Ronald G. Dreslinski. "A Survey Describing Beyond Si Transistors and Exploring Their Implications for Future Processors". ACM Journal on Emerging Technologies in Computing Systems 17, n.º 3 (25 de junio de 2021): 1–44. http://dx.doi.org/10.1145/3453143.
Texto completoTakenaka, Mitsuru y Shinichi Takagi. "III-V/Ge Device Engineering for CMOS Photonics". Materials Science Forum 783-786 (mayo de 2014): 2028–33. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.783-786.2028.
Texto completoZhou, Chongwu. "(Invited) Nanoelectronics Based on Assembled High-Density and High-Semiconducting-Purity Carbon Nanotube Films". ECS Meeting Abstracts MA2022-01, n.º 9 (7 de julio de 2022): 751. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-019751mtgabs.
Texto completoFuhrer, Michael S., Chun Ning Lau y Allan H. MacDonald. "Graphene: Materially Better Carbon". MRS Bulletin 35, n.º 4 (abril de 2010): 289–95. http://dx.doi.org/10.1557/mrs2010.551.
Texto completoManipatruni, Sasikanth, Dmitri E. Nikonov, Chia-Ching Lin, Bhagwati Prasad, Yen-Lin Huang, Anoop R. Damodaran, Zuhuang Chen, Ramamoorthy Ramesh y Ian A. Young. "Voltage control of unidirectional anisotropy in ferromagnet-multiferroic system". Science Advances 4, n.º 11 (noviembre de 2018): eaat4229. http://dx.doi.org/10.1126/sciadv.aat4229.
Texto completoKotus, Katarzyna A., Mathieu Moalic, Matusz Zelent, Maciej Krawczyk y Pawel Gruszecki. "Scattering of spin waves in a multimode waveguide under the influence of confined magnetic skyrmion". APL Materials 10, n.º 9 (1 de septiembre de 2022): 091101. http://dx.doi.org/10.1063/5.0100594.
Texto completoYadav, Sachin, Pieter Cardinael, Ming Zhao, Komal Vondkar, Uthayasankaran Peralagu, Alireza Alian, Raul Rodriguez et al. "(Digital Presentation) Substrate Effects in GaN-on-Si Hemt Technology for RF FEM Applications". ECS Meeting Abstracts MA2022-02, n.º 32 (9 de octubre de 2022): 1208. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-02321208mtgabs.
Texto completoGupta, Prateek, Dr Avnish Kumar Upadhyay, Dr Chandan Kumar Jha, Anuj Gupta y Lakshay Gupta. "Performance Analysis and Comparison of Different High-K Materials Used as Gate Dielectrics in DH-TMSG MOSFET". International Journal for Research in Applied Science and Engineering Technology 10, n.º 12 (31 de diciembre de 2022): 1870–89. http://dx.doi.org/10.22214/ijraset.2022.48089.
Texto completoBez, Roberto, Emilio Camerlenghi y Agostino Pirovano. "Materials and Processes for Non-Volatile Memories". Materials Science Forum 608 (diciembre de 2008): 111–32. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.608.111.
Texto completoGnoli, Luca y Fabrizio Riente. "A skyrmion content-addressable cell for skyrmion magnetic memories". Nanotechnology 33, n.º 20 (21 de febrero de 2022): 205203. http://dx.doi.org/10.1088/1361-6528/ac4dc2.
Texto completoLinder, Barry, Vamsi Paruchuri, Vijay Narayanan, Eduard Cartier, Nestor Bojarczuk, Supratik Guha, Stephen Brown y Y. Wang. "Recent Advances in Search for Suitable High-k/Metal Gate Solutions to Replace SiON/Poly-Silicon Gate Stacks in CMOS Devices for 45nm and Beyond Technologies". ECS Transactions 6, n.º 1 (19 de diciembre de 2019): 287–94. http://dx.doi.org/10.1149/1.2727412.
Texto completoSatyanarayana, B. V. V. y M. Durga Prakash. "Design and Analysis of Heterojunction Tunneling Transistor (HETT) based Standard 6T SRAM Cell". International Journal of Engineering & Technology 7, n.º 3.29 (24 de agosto de 2018): 8. http://dx.doi.org/10.14419/ijet.v7i3.29.18450.
Texto completoWeikle, Robert M., N. Scott Barker, Arthur W. Lichtenberger, Matthew F. Bauwens y Naser Alijabbari. "Heterogeneous Integration and Micromachining Technologies for Terahertz Devices and Components". Additional Conferences (Device Packaging, HiTEC, HiTEN, and CICMT) 2015, DPC (1 de enero de 2015): 002041–81. http://dx.doi.org/10.4071/2015dpc-tha31.
Texto completoPrewett, Philip D., Cornelis W. Hagen, Claudia Lenk, Steve Lenk, Marcus Kaestner, Tzvetan Ivanov, Ahmad Ahmad et al. "Charged particle single nanometre manufacturing". Beilstein Journal of Nanotechnology 9 (14 de noviembre de 2018): 2855–82. http://dx.doi.org/10.3762/bjnano.9.266.
Texto completoMochizuki, Shogo, Juntao Li, Erin Stuckert, Huimei Zhou y Nicolas Loubet. "Compressive Strained Si1-XGex Channel for High Performance Gate-All-Around Nanosheet Transistors". ECS Meeting Abstracts MA2022-02, n.º 32 (9 de octubre de 2022): 1192. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-02321192mtgabs.
Texto completoGilewski, Marian. "The ripple-curry amplifier in photonic applications". Photonics Letters of Poland 14, n.º 4 (31 de diciembre de 2022): 86–88. http://dx.doi.org/10.4302/plp.v14i4.1187.
Texto completoVeloso, Anabela, Geert Eneman, Eddy Simoen, Bogdan Cretu, An De Keersgieter, Anne Jourdain y Naoto Horiguchi. "(Invited, Digital Presentation) Innovations in Transistor Architecture and Device Connectivity Options for Advanced Logic Scaling". ECS Meeting Abstracts MA2022-01, n.º 19 (7 de julio de 2022): 1059. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-01191059mtgabs.
Texto completoKikkawa, Takamaro y Isami Sakai. "0.35 μm Technologies in Japan". MRS Proceedings 402 (1995). http://dx.doi.org/10.1557/proc-402-199.
Texto completoChen, An. "Beyond-CMOS roadmap - from Boolean logic to neuro-inspired computing". Japanese Journal of Applied Physics, 14 de marzo de 2022. http://dx.doi.org/10.35848/1347-4065/ac5d86.
Texto completo"Progress, Opportunities and Challenges for beyond CMOS Information Processing Technologies". ECS Meeting Abstracts, 2011. http://dx.doi.org/10.1149/ma2011-01/16/1123.
Texto completoBorland, John O. "Applications of MeV Ion Implantation in Semiconductor Device Manufacturing". MRS Proceedings 354 (1994). http://dx.doi.org/10.1557/proc-354-123.
Texto completoMoslehi, Mehrdad M. "Rapid Thermal Processing Requirements for 0.35-µm IC Technologies and Beyond". MRS Proceedings 342 (1994). http://dx.doi.org/10.1557/proc-342-273.
Texto completoKaul, Anupama B. "Carbon Nanomaterials for Energy Efficient Green Electronics". MRS Proceedings 1478 (2012). http://dx.doi.org/10.1557/opl.2013.195.
Texto completoLiu, Jing, Hongxiang Mo y Mehmet C. Ötürk. "A Study on Solid Phase Reactions of Ni and Pt on Si-Ge Alloys as Contacts to Ultra-Shallow P+N Junctions for CMOS Technology Nodes Beyond 70nm". MRS Proceedings 670 (2001). http://dx.doi.org/10.1557/proc-670-k7.2.
Texto completoKittl, J. A., Q. Z. Hong, H. Yang, N. Yu, M. Rodder, P. P. Apte, W. T. Shiau, C. P. Chao, T. Breedijk y M. F. Pas. "Optimization of Ti and Co Self-Aligned Silicide RTP for 0.10 μm Cmos". MRS Proceedings 525 (1998). http://dx.doi.org/10.1557/proc-525-331.
Texto completoKittl, J. A., Q. Z. Hong, H. Yang, N. Yu, M. Rodder, P. P. Apte, W. T. Shiau, C. P. Chao, T. Breedijk y M. F. Pas. "Optimization of Ti and Co Self-Aligned Silicide RTP for 0.10 μm CMOS". MRS Proceedings 514 (1998). http://dx.doi.org/10.1557/proc-514-255.
Texto completoZhang, Yihan, Prashant Muthuraman, Victoria Andino-Pavlovsky, Ilke Uguz, Jeffrey Elloian y Kenneth L. Shepard. "Augmented ultrasonography with implanted CMOS electronic motes". Nature Communications 13, n.º 1 (20 de junio de 2022). http://dx.doi.org/10.1038/s41467-022-31166-x.
Texto completoBhat, Navakanta. "Nanotechnology and the Future of Computation, Storage and Perception". Advanced Computing and Communications, 30 de junio de 2019. http://dx.doi.org/10.34048/2019.2.f1.
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