Literatura académica sobre el tema "B-N-doping"
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Artículos de revistas sobre el tema "B-N-doping"
Zongbao, Li, Li Yong, Wang Ying y Wang xia. "Synergistic effect in B and N co-doped Ib-type diamond single crystal: A density function theory calculation". Canadian Journal of Physics 94, n.º 9 (septiembre de 2016): 929–32. http://dx.doi.org/10.1139/cjp-2016-0073.
Texto completoKunuku, Srinivasu, Mateusz Ficek, Aleksandra Wieloszynska, Magdalena Tamulewicz-Szwajkowska, Krzysztof Gajewski, Miroslaw Sawczak, Aneta Lewkowicz, Jacek Ryl, Tedor Gotszalk y Robert Bogdanowicz. "Influence of B/N co-doping on electrical and photoluminescence properties of CVD grown homoepitaxial diamond films". Nanotechnology 33, n.º 12 (28 de diciembre de 2021): 125603. http://dx.doi.org/10.1088/1361-6528/ac4130.
Texto completoHuang, Yuanchao, Rong Wang, Naifu Zhang, Yiqiang Zhang, Deren Yang y Xiaodong Pi. "Effect of hydrogen on the unintentional doping of 4H silicon carbide". Journal of Applied Physics 132, n.º 15 (21 de octubre de 2022): 155704. http://dx.doi.org/10.1063/5.0108726.
Texto completoAl Ghifari, Alvin Dior, Edi Sanjaya y Isnaeni Isnaeni. "Pengaruh Doping Nitrogen, Sulfur, dan Boron terhadap Spektrum Absorbansi dan Fotoluminesensi Karbon Dot Asam Sitrat". Al-Fiziya: Journal of Materials Science, Geophysics, Instrumentation and Theoretical Physics 2, n.º 2 (31 de diciembre de 2019): 93–101. http://dx.doi.org/10.15408/fiziya.v2i2.11787.
Texto completoKosaka, Hisashi, Yasuyuki Kaneno y Takayuki Takasugi. "Ductilization of a Ni3(Si,Ti) Intermetallic Alloy by Addition of Interstitial Type Elements". Advanced Materials Research 409 (noviembre de 2011): 321–26. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.409.321.
Texto completoDong, Changshuai, Bin Meng, Jun Liu y Lixiang Wang. "B ← N Unit Enables n-Doping of Conjugated Polymers for Thermoelectric Application". ACS Applied Materials & Interfaces 12, n.º 9 (14 de febrero de 2020): 10428–33. http://dx.doi.org/10.1021/acsami.9b21527.
Texto completoHuang, Jing-tao, Yong Liu, Zhong-hong Lai, Jin Hu, Fei Zhou y Jing-chuan Zhu. "Electronic structure and optical properties of non-metallic modified graphene: a first-principles study". Communications in Theoretical Physics 74, n.º 3 (1 de marzo de 2022): 035501. http://dx.doi.org/10.1088/1572-9494/ac539f.
Texto completoTang, Lin, Ruifeng Yue y Yan Wang. "N-type B-S co-doping and S doping in diamond from first principles". Carbon 130 (abril de 2018): 458–65. http://dx.doi.org/10.1016/j.carbon.2018.01.028.
Texto completoTürker, Lemi. "Substitutional doping of B, Al and N in C60 structure". Journal of Molecular Structure: THEOCHEM 593, n.º 1-3 (septiembre de 2002): 149–53. http://dx.doi.org/10.1016/s0166-1280(02)00313-5.
Texto completoRedlich, Ph, J. Loeffler, P. M. Ajayan, J. Bill, F. Aldinger y M. Rühle. "BCN nanotubes and boron doping of carbon nanotubes". Chemical Physics Letters 260, n.º 3-4 (septiembre de 1996): 465–70. http://dx.doi.org/10.1016/0009-2614(96)00817-2.
Texto completoTesis sobre el tema "B-N-doping"
Skipa, Tetyana. "Modification of the electronic properties of carbon nanotubes by bundling, temperature, B- and N-doping a resonance Raman study /". Karlsruhe : Forschungszentrum Karlsruhe, 2006. http://d-nb.info/983613184/34.
Texto completoSkipa, Tetyana [Verfasser]. "Modification of the electronic properties of carbon nanotubes by bundling, temperature, B- and N-doping : a resonance Raman study / Tetyana Skipa". Karlsruhe : Forschungszentrum Karlsruhe, 2006. http://d-nb.info/983613184/34.
Texto completoŚledziewski, Tomasz [Verfasser], Heiko B. [Akademischer Betreuer] Weber y Martin [Gutachter] Hundhausen. "Electrical characterization of n-type 4H silicon carbide with improved material and interface properties using advanced doping techniques / Tomasz Śledziewski ; Gutachter: Martin Hundhausen ; Betreuer: Heiko B. Weber". Erlangen : Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg (FAU), 2018. http://d-nb.info/1170959156/34.
Texto completoCapítulos de libros sobre el tema "B-N-doping"
Zhou, Delun, Lin Tang, Jinyu Zhang, Ruifeng Yue y Yan Wang. "n-type B-N Co-doping and N Doping in Diamond from First Principles". En Computational Science – ICCS 2022, 530–40. Cham: Springer International Publishing, 2022. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-031-08751-6_38.
Texto completoRubio, Angel. "Electronic and Doping Properties of B x C y N z Nanotubes". En Nanowires, 133–42. Dordrecht: Springer Netherlands, 1997. http://dx.doi.org/10.1007/978-94-015-8837-9_9.
Texto completoGrätzel, Michael. "Photovoltaic and photoelectrochemical conversion of solar energy". En Energy... beyond oil. Oxford University Press, 2007. http://dx.doi.org/10.1093/oso/9780199209965.003.0010.
Texto completoActas de conferencias sobre el tema "B-N-doping"
Ma, HaoHao, XianBin Zhang, XuYan Wei y JiaoMeng Cao. "Effect of B/N Doping on the Electronic Properties of Bilayer Graphene". En Information Storage System and Technology. Washington, D.C.: OSA, 2019. http://dx.doi.org/10.1364/isst.2019.jw4a.92.
Texto completoSkipa, T. "Modification of the Electronic Properties of Carbon Nanotubes: Bundling and B - and N - doping". En ELECTRONIC PROPERTIES OF NOVEL NANOSTRUCTURES: XIX International Winterschool/Euroconference on Electronic Properties of Novel Materials. AIP, 2005. http://dx.doi.org/10.1063/1.2103851.
Texto completoGedam, Nandkishor Husen y Bikash Rout. "Modeling of electronic structure and band gap formation in graphene by B/N doping: First principle study". En 2015 International Conference on Futuristic Trends on Computational Analysis and Knowledge Management (ABLAZE). IEEE, 2015. http://dx.doi.org/10.1109/ablaze.2015.7155025.
Texto completoLee, Byeonghee, Kyeongtae Kim, Seungkoo Lee, Ohmyoung Kwon, Jong Hoon Kim, Dae Soon Lim, Woo Il Lee y Joon Sik Lee. "Design and Batch-Fabrication of Diamond Thermocouple Probes for the Quantitative Thermopower Profiling of Silicon IC Devices". En 2010 14th International Heat Transfer Conference. ASMEDC, 2010. http://dx.doi.org/10.1115/ihtc14-23347.
Texto completoLin, C. P., P. S. Liu, L. S. Lyu, M. Y. Li, C. C. Cheng, T. H. Lee, W. H. Chang, L. J. Li y T. H. Hou. "N-type Doping Effect of Transferred MoS2 and WSe2 Monolayer". En 2015 International Conference on Solid State Devices and Materials. The Japan Society of Applied Physics, 2015. http://dx.doi.org/10.7567/ssdm.2015.b-4-4.
Texto completoKoike, M. y K. Tatsumura. "Diffusion control of n-type impurities in Ge using co-doping technique for ultra-shallow and highly doped n+/p junction in Ge nMOSFETs". En 2009 International Conference on Solid State Devices and Materials. The Japan Society of Applied Physics, 2009. http://dx.doi.org/10.7567/ssdm.2009.b-7-3.
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