Artículos de revistas sobre el tema "Atomic Layer Etching"
Crea una cita precisa en los estilos APA, MLA, Chicago, Harvard y otros
Consulte los 50 mejores artículos de revistas para su investigación sobre el tema "Atomic Layer Etching".
Junto a cada fuente en la lista de referencias hay un botón "Agregar a la bibliografía". Pulsa este botón, y generaremos automáticamente la referencia bibliográfica para la obra elegida en el estilo de cita que necesites: APA, MLA, Harvard, Vancouver, Chicago, etc.
También puede descargar el texto completo de la publicación académica en formato pdf y leer en línea su resumen siempre que esté disponible en los metadatos.
Explore artículos de revistas sobre una amplia variedad de disciplinas y organice su bibliografía correctamente.
AOYAGI, Yoshinobu y Takashi MEGURO. "Atomic Layer Etching." Nihon Kessho Gakkaishi 33, n.º 3 (1991): 169–74. http://dx.doi.org/10.5940/jcrsj.33.169.
Texto completoEliceiri, Matthew, Yoonsoo Rho, Runxuan Li y Costas P. Grigoropoulos. "Pulsed laser induced atomic layer etching of silicon". Journal of Vacuum Science & Technology A 41, n.º 2 (marzo de 2023): 022602. http://dx.doi.org/10.1116/6.0002399.
Texto completoHatch, Kevin A., Daniel C. Messina y Robert J. Nemanich. "Plasma enhanced atomic layer deposition and atomic layer etching of gallium oxide using trimethylgallium". Journal of Vacuum Science & Technology A 40, n.º 4 (julio de 2022): 042603. http://dx.doi.org/10.1116/6.0001871.
Texto completoOh, Chang-Kwon, Sang-Duk Park y Geun-Young Yeom. "Atomic Layer Etching of Silicon Using a Ar Neutral Beam of Low Energy". Korean Journal of Materials Research 16, n.º 4 (27 de abril de 2006): 213–17. http://dx.doi.org/10.3740/mrsk.2006.16.4.213.
Texto completoGeorge, Steven M. "(Tutorial) Thermal Atomic Layer Etching". ECS Meeting Abstracts MA2021-02, n.º 29 (19 de octubre de 2021): 847. http://dx.doi.org/10.1149/ma2021-0229847mtgabs.
Texto completoIkeda, Keiji, Shigeru Imai y Masakiyo Matsumura. "Atomic layer etching of germanium". Applied Surface Science 112 (marzo de 1997): 87–91. http://dx.doi.org/10.1016/s0169-4332(96)00995-6.
Texto completoNieminen, Heta-Elisa, Mykhailo Chundak, Mikko J. Heikkilä, Paloma Ruiz Kärkkäinen, Marko Vehkamäki, Matti Putkonen y Mikko Ritala. "In vacuo cluster tool for studying reaction mechanisms in atomic layer deposition and atomic layer etching processes". Journal of Vacuum Science & Technology A 41, n.º 2 (marzo de 2023): 022401. http://dx.doi.org/10.1116/6.0002312.
Texto completoYao, Yong Zhao, Yukari Ishikawa, Yoshihiro Sugawara y Koji Sato. "Removal of Mechanical-Polishing-Induced Surface Damages on 4H-SiC Wafers by Using Chemical Etching with Molten KCl+KOH". Materials Science Forum 778-780 (febrero de 2014): 746–49. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.778-780.746.
Texto completoReif, Johanna, Martin Knaut, Sebastian Killge, Matthias Albert, Thomas Mikolajick y Johann W. Bartha. "In situ studies on atomic layer etching of aluminum oxide using sequential reactions with trimethylaluminum and hydrogen fluoride". Journal of Vacuum Science & Technology A 40, n.º 3 (mayo de 2022): 032602. http://dx.doi.org/10.1116/6.0001630.
Texto completoHirano, Tomoki, Kenya Nishio, Takashi Fukatani, Suguru Saito, Yoshiya Hagimoto y Hayato Iwamoto. "Characterization of Wet Chemical Atomic Layer Etching of InGaAs". Solid State Phenomena 314 (febrero de 2021): 95–98. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.314.95.
Texto completoFischer, Andreas, Aaron Routzahn, Steven M. George y Thorsten Lill. "Thermal atomic layer etching: A review". Journal of Vacuum Science & Technology A 39, n.º 3 (mayo de 2021): 030801. http://dx.doi.org/10.1116/6.0000894.
Texto completoT. Carver, Colin, John J. Plombon, Patricio E. Romero, Satyarth Suri, Tristan A. Tronic y Robert B. Turkot. "Atomic Layer Etching: An Industry Perspective". ECS Journal of Solid State Science and Technology 4, n.º 6 (2015): N5005—N5009. http://dx.doi.org/10.1149/2.0021506jss.
Texto completoTAKAKUWA, Yuji. "Surface Reactions in Atomic Layer Etching." Hyomen Kagaku 16, n.º 6 (1995): 373–77. http://dx.doi.org/10.1380/jsssj.16.373.
Texto completoKanarik, Keren J., Samantha Tan, Wenbing Yang, Taeseung Kim, Thorsten Lill, Alexander Kabansky, Eric A. Hudson et al. "Predicting synergy in atomic layer etching". Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films 35, n.º 5 (septiembre de 2017): 05C302. http://dx.doi.org/10.1116/1.4979019.
Texto completoGong, Yukun y Rohan Akolkar. "Electrochemical Atomic Layer Etching of Ruthenium". Journal of The Electrochemical Society 167, n.º 6 (14 de abril de 2020): 062510. http://dx.doi.org/10.1149/1945-7111/ab864b.
Texto completoChalker, P. R. "Photochemical atomic layer deposition and etching". Surface and Coatings Technology 291 (abril de 2016): 258–63. http://dx.doi.org/10.1016/j.surfcoat.2016.02.046.
Texto completoGeorge, Steven M. "Mechanisms of Thermal Atomic Layer Etching". Accounts of Chemical Research 53, n.º 6 (1 de junio de 2020): 1151–60. http://dx.doi.org/10.1021/acs.accounts.0c00084.
Texto completoKuzmenko, V., A. Miakonkikh y K. Rudenko. "Atomic layer etching of Silicon Oxide". Journal of Physics: Conference Series 1410 (diciembre de 2019): 012023. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/1410/1/012023.
Texto completoFaraz, T., F. Roozeboom, H. C. M. Knoops y W. M. M. Kessels. "Atomic Layer Etching: What Can We Learn from Atomic Layer Deposition?" ECS Journal of Solid State Science and Technology 4, n.º 6 (2015): N5023—N5032. http://dx.doi.org/10.1149/2.0051506jss.
Texto completoCrawford, Kevin G., James Grant, Dilini Tania Hemakumara, Xu Li, Iain Thayne y David A. J. Moran. "High synergy atomic layer etching of AlGaN/GaN with HBr and Ar". Journal of Vacuum Science & Technology A 40, n.º 4 (julio de 2022): 042601. http://dx.doi.org/10.1116/6.0001862.
Texto completode Marneffe, J. F., D. Marinov, A. Goodyear, P. J. Wyndaele, N. St. J. Braithwaite, S. Kundu, I. Asselberghs, M. Cooke y S. De Gendt. "Plasma enhanced atomic layer etching of high-k layers on WS2". Journal of Vacuum Science & Technology A 40, n.º 4 (julio de 2022): 042602. http://dx.doi.org/10.1116/6.0001726.
Texto completoAroulanda, Sébastien, Olivier Patard, Philippe Altuntas, Nicolas Michel, Jorge Pereira, Cédric Lacam, Piero Gamarra et al. "Cl2/Ar based atomic layer etching of AlGaN layers". Journal of Vacuum Science & Technology A 37, n.º 4 (julio de 2019): 041001. http://dx.doi.org/10.1116/1.5090106.
Texto completoKim, Y. Y., W. S. Lim, J. B. Park y G. Y. Yeom. "Layer by Layer Etching of the Highly Oriented Pyrolythic Graphite by Using Atomic Layer Etching". Journal of The Electrochemical Society 158, n.º 12 (2011): D710. http://dx.doi.org/10.1149/2.061112jes.
Texto completoYao, Yikun, Xinjia Zhao, Xiangqian Tang, Jianmei Li, Xinyan Shan y Xinghua Lu. "Laser etching of 2D materials with single-layer precision up to ten layers". Journal of Laser Applications 34, n.º 4 (noviembre de 2022): 042051. http://dx.doi.org/10.2351/7.0000848.
Texto completoHirata, Akiko, Masanaga Fukasawa, Katsuhisa Kugimiya, Kojiro Nagaoka, Kazuhiro Karahashi, Satoshi Hamaguchi y Hayato Iwamoto. "Mechanism of SiN etching rate fluctuation in atomic layer etching". Journal of Vacuum Science & Technology A 38, n.º 6 (diciembre de 2020): 062601. http://dx.doi.org/10.1116/6.0000257.
Texto completoGuan, Lulu, Xingyu Li, Dongchen Che, Kaidong Xu y Shiwei Zhuang. "Plasma atomic layer etching of GaN/AlGaN materials and application: An overview". Journal of Semiconductors 43, n.º 11 (1 de noviembre de 2022): 113101. http://dx.doi.org/10.1088/1674-4926/43/11/113101.
Texto completoHoffmann, M., J. A. Murdzek, S. M. George, S. Slesazeck, U. Schroeder y T. Mikolajick. "Atomic layer etching of ferroelectric hafnium zirconium oxide thin films enables giant tunneling electroresistance". Applied Physics Letters 120, n.º 12 (21 de marzo de 2022): 122901. http://dx.doi.org/10.1063/5.0084636.
Texto completoLee, Y., J. W. DuMont y S. M. George. "(Invited) Atomic Layer Etching Using Thermal Reactions: Atomic Layer Deposition in Reverse". ECS Transactions 69, n.º 7 (2 de octubre de 2015): 233–41. http://dx.doi.org/10.1149/06907.0233ecst.
Texto completoJung, Junho y Kyongnam Kim. "Atomic Layer Etching Using a Novel Radical Generation Module". Materials 16, n.º 10 (9 de mayo de 2023): 3611. http://dx.doi.org/10.3390/ma16103611.
Texto completoKim, Seon Yong, In-Sung Park y Jinho Ahn. "Atomic layer etching of SiO2 using trifluoroiodomethane". Applied Surface Science 589 (julio de 2022): 153045. http://dx.doi.org/10.1016/j.apsusc.2022.153045.
Texto completoKim, Doo San, Ju Eun Kim, You Jung Gill, Yun Jong Jang, Ye Eun Kim, Kyong Nam Kim, Geun Young Yeom y Dong Woo Kim. "Anisotropic/Isotropic Atomic Layer Etching of Metals". Applied Science and Convergence Technology 29, n.º 3 (31 de mayo de 2020): 41–49. http://dx.doi.org/10.5757/asct.2020.29.3.041.
Texto completoSakaue, Hiroyuki, Seiji Iseda, Kazushi Asami, Jirou Yamamoto, Masataka Hirose y Yasuhiro Horiike. "Atomic Layer Controlled Digital Etching of Silicon". Japanese Journal of Applied Physics 29, Part 1, No. 11 (20 de noviembre de 1990): 2648–52. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.29.2648.
Texto completoSherpa, Sonam D. y Alok Ranjan. "Quasi-atomic layer etching of silicon nitride". Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films 35, n.º 1 (enero de 2017): 01A102. http://dx.doi.org/10.1116/1.4967236.
Texto completoKauppinen, Christoffer, Sabbir Ahmed Khan, Jonas Sundqvist, Dmitry B. Suyatin, Sami Suihkonen, Esko I. Kauppinen y Markku Sopanen. "Atomic layer etching of gallium nitride (0001)". Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films 35, n.º 6 (noviembre de 2017): 060603. http://dx.doi.org/10.1116/1.4993996.
Texto completoGong, Yukun, Kailash Venkatraman y Rohan Akolkar. "Communication—Electrochemical Atomic Layer Etching of Copper". Journal of The Electrochemical Society 165, n.º 7 (2018): D282—D284. http://dx.doi.org/10.1149/2.0901807jes.
Texto completoAthavale, Satish D. "Realization of atomic layer etching of silicon". Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures 14, n.º 6 (noviembre de 1996): 3702. http://dx.doi.org/10.1116/1.588651.
Texto completoKanarik, Keren J., Samantha Tan, Wenbing Yang, Ivan L. Berry, Yang Pan y Richard A. Gottscho. "Universal scaling relationship for atomic layer etching". Journal of Vacuum Science & Technology A 39, n.º 1 (enero de 2021): 010401. http://dx.doi.org/10.1116/6.0000762.
Texto completoFischer, Andreas, Aaron Routzahn, Younghee Lee, Thorsten Lill y Steven M. George. "Thermal etching of AlF3 and thermal atomic layer etching of Al2O3". Journal of Vacuum Science & Technology A 38, n.º 2 (marzo de 2020): 022603. http://dx.doi.org/10.1116/1.5135911.
Texto completoPark, Sang-Duk, Kyung-Suk Min, Byoung-Young Yoon, Do-Haing Lee y Geun-Young Yeom. "Precise Depth Control of Silicon Etching Using Chlorine Atomic Layer Etching". Japanese Journal of Applied Physics 44, n.º 1A (11 de enero de 2005): 389–93. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.44.389.
Texto completoTsutsumi, Takayoshi, Masaru Zaitsu, Akiko Kobayashi, Nobuyoshi Kobayashi y Masaru Hori. "(Invited) Advanced Plasma Etching Processing: Atomic Layer Etching for Nanoscale Devices". ECS Transactions 77, n.º 3 (21 de abril de 2017): 25–28. http://dx.doi.org/10.1149/07703.0025ecst.
Texto completoKhan, M. B., Sh Shakeel, K. Richter, S. Ghosh, A. Erbe y Yo M. Georgiev. "Atomic layer etching of nanowires using conventional reactive ion etching tool". Journal of Physics: Conference Series 2443, n.º 1 (1 de febrero de 2023): 012004. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/2443/1/012004.
Texto completoPollet, Olivier, Nicolas Possémé, Vincent Ah-Leung y Maxime Garcia Barros. "Thin Layer Etching of Silicon Nitride: Comparison of Downstream Plasma, Liquid HF and Gaseous HF Processes for Selective Removal after Light Ion Implantation". Solid State Phenomena 255 (septiembre de 2016): 69–74. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.255.69.
Texto completoAbromavičius, Giedrius, Martynas Skapas y Remigijus Juškėnas. "Enhancing Laser Damage Resistance of Co2+:MgAl2O4 Crystal by Plasma Etching". Applied Sciences 13, n.º 2 (14 de enero de 2023): 1150. http://dx.doi.org/10.3390/app13021150.
Texto completoChittock, Nicholas John, Wilhelmus M. M. (Erwin) Kessels, Harm Knoops y Adrie Mackus. "(Invited) The Use of Plasmas for Isotropic Atomic Layer Etching". ECS Meeting Abstracts MA2023-02, n.º 29 (22 de diciembre de 2023): 1464. http://dx.doi.org/10.1149/ma2023-02291464mtgabs.
Texto completoMOCHIJI, KOZO. "Atomic Layer Etching by Using Multiply-Charged Ions." Hyomen Kagaku 16, n.º 6 (1995): 367–72. http://dx.doi.org/10.1380/jsssj.16.367.
Texto completoTan, Samantha, Wenbing Yang, Keren J. Kanarik, Thorsten Lill, Vahid Vahedi, Jeff Marks y Richard A. Gottscho. "Highly Selective Directional Atomic Layer Etching of Silicon". ECS Journal of Solid State Science and Technology 4, n.º 6 (2015): N5010—N5012. http://dx.doi.org/10.1149/2.0031506jss.
Texto completoKim, Woo-Hee, Dougyong Sung, Sejin Oh, Jehun Woo, Seungkyu Lim, Hyunju Lee y Stacey F. Bent. "Thermal adsorption-enhanced atomic layer etching of Si3N4". Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films 36, n.º 1 (enero de 2018): 01B104. http://dx.doi.org/10.1116/1.5003271.
Texto completoBerry, Ivan L., Keren J. Kanarik, Thorsten Lill, Samantha Tan, Vahid Vahedi y Richard A. Gottscho. "Applying sputtering theory to directional atomic layer etching". Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films 36, n.º 1 (enero de 2018): 01B105. http://dx.doi.org/10.1116/1.5003393.
Texto completoLee, Kang-Il, Dong Chan Seok, Soo Ouk Jang y Yong Sup Choi. "Development of Silicon Carbide Atomic Layer Etching Technology". Thin Solid Films 707 (agosto de 2020): 138084. http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2020.138084.
Texto completoKim, Ki Seok, Ki Hyun Kim, Yeonsig Nam, Jaeho Jeon, Soonmin Yim, Eric Singh, Jin Yong Lee et al. "Atomic Layer Etching Mechanism of MoS2 for Nanodevices". ACS Applied Materials & Interfaces 9, n.º 13 (27 de marzo de 2017): 11967–76. http://dx.doi.org/10.1021/acsami.6b15886.
Texto completo