Artículos de revistas sobre el tema "AlN/Si (111) Heterojunction"
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Pattada, B., Jiayu Chen, M. O. Manasreh, S. Guo, D. Gotthold, M. Pophristic y B. Peres. "Phonon modes of GaN/AlN heterojunction field-effect transistor structures grown on Si(111) substrates". Journal of Applied Physics 93, n.º 9 (mayo de 2003): 5824–26. http://dx.doi.org/10.1063/1.1561583.
Texto completoШарофидинов, Ш. Ш., С. А. Кукушкин, М. В. Старицын, А. В. Солнышкин, О. Н. Сергеева, Е. Ю. Каптелов y И. П. Пронин. "Структура и свойства композитов на основе нитридов алюминия и галлия, выращенных на кремнии разной ориентации с буферным слоем карбида кремния". Физика твердого тела 64, n.º 5 (2022): 522. http://dx.doi.org/10.21883/ftt.2022.05.52331.250.
Texto completoZainuriah, Hassan, Sha Shiong Ng, G. L. Chew, F. K. Yam, Mat Johar Abdullah, M. Roslan Hashim, Kamarulazizi Ibrahim y M. E. Kordesch. "Growth and Properties of GaN/Si Heterojunction". Materials Science Forum 480-481 (marzo de 2005): 531–36. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.480-481.531.
Texto completoNúñez-Cascajero, Arántzazu, Fernando B. Naranjo, María de la Mata y Sergio I. Molina. "Structural Characterization of Al0.37In0.63N/AlN/p-Si (111) Heterojunctions Grown by RF Sputtering for Solar Cell Applications". Materials 14, n.º 9 (27 de abril de 2021): 2236. http://dx.doi.org/10.3390/ma14092236.
Texto completoSharofidinov Sh. Sh., Kukushkin S. A., Staritsyn M. V., Solnyshkin A. V., Sergeeva O. N., Kaptelov E. Yu. y Pronin I. P. "Structure and properties of composites based on aluminum and gallium nitrides grown on silicon of different orientations with a buffer layer of silicon carbide". Physics of the Solid State 64, n.º 5 (2022): 516. http://dx.doi.org/10.21883/pss.2022.05.53510.250.
Texto completoRiah, Badis, Julien Camus, Abdelhak Ayad, Mohammad Rammal, Raouia Zernadji, Nadjet Rouag y Mohamed Abdou Djouadi. "Hetero-Epitaxial Growth of AlN Deposited by DC Magnetron Sputtering on Si(111) Using a AlN Buffer Layer". Coatings 11, n.º 9 (3 de septiembre de 2021): 1063. http://dx.doi.org/10.3390/coatings11091063.
Texto completoZhao, Qiang, Michael Lukitsch, Jie Xu, Gregory Auner, Ratna Niak y Pao-Kuang Kuo. "Development of Wide Bandgap Semiconductor Photonic Device Structures by Excimer Laser Micromachining". MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research 5, S1 (2000): 852–58. http://dx.doi.org/10.1557/s1092578300005172.
Texto completoShubina, K. Yu, D. V. Mokhov, T. N. Berezovskaya, E. V. Pirogov, A. V. Nashchekin, Sh Sh Sharofidinov y A. M. Mizerov. "Separation of AlN layers from silicon substrates by KOH etching". Journal of Physics: Conference Series 2086, n.º 1 (1 de diciembre de 2021): 012037. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/2086/1/012037.
Texto completoКукушкин, С. А., А. В. Осипов, В. Н. Бессолов, Е. В. Коненкова y В. Н. Пантелеев. "Остановка и разворот дислокаций несоответствия при росте нитрида галлия на подложках SiC/Si". Физика твердого тела 59, n.º 4 (2017): 660. http://dx.doi.org/10.21883/ftt.2017.04.44266.287.
Texto completoIsshiki, Toshiyuki, Koji Nishio, Yoshihisa Abe, Jun Komiyama, Shunichi Suzuki y Hideo Nakanishi. "HRTEM Analysis of AlN Layer Grown on 3C-SiC/Si Heteroepitaxial Substrates with Various Surface Orientations". Materials Science Forum 600-603 (septiembre de 2008): 1317–20. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.600-603.1317.
Texto completoБессолов, В. Н., Е. В. Коненкова, T. А. Орлова y С. Н. Родин. "Начальные стадии роста полуполярного AlN на наноструктурированной Si(100) подложке". Физика и техника полупроводников 55, n.º 10 (2021): 908. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2021.10.51442.41.
Texto completoPortail, Marc, Eric Frayssinet, Adrien Michon, Stéphanie Rennesson, Fabrice Semond, Aimeric Courville, Marcin Zielinski et al. "CVD Elaboration of 3C-SiC on AlN/Si Heterostructures: Structural Trends and Evolution during Growth". Crystals 12, n.º 11 (10 de noviembre de 2022): 1605. http://dx.doi.org/10.3390/cryst12111605.
Texto completoGoswami, Ramasis, Syed Qadri, Neeraj Nepal y Charles Eddy. "Microstructure and Interfaces of Ultra-Thin Epitaxial AlN Films Grown by Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition at Relatively Low Temperatures". Coatings 11, n.º 4 (20 de abril de 2021): 482. http://dx.doi.org/10.3390/coatings11040482.
Texto completoФедотов, С. Д., А. В. Бабаев, В. Н. Стаценко, К. А. Царик y В. К. Неволин. "ФОРМИРОВАНИЕ ПЕРЕХОДНОГО СЛОЯ ALN НА ТЕМПЛЕЙТАХ 3С-SIC/SI(111) МЕТОДОМ АММИАЧНОЙ МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ". NANOINDUSTRY Russia 96, n.º 3s (15 de mayo de 2020): 148–53. http://dx.doi.org/10.22184/1993-8578.2020.13.3s.148.153.
Texto completoCHUAH, L. S., Z. HASSAN y H. ABU HASSAN. "PREFERENTIAL ORIENTATION GROWTH OF AlN THIN FILMS ON Si(111) SUBSTRATES BY PLASMA-ASSISTED MOLECULAR BEAM EPITAXY". Surface Review and Letters 16, n.º 06 (diciembre de 2009): 925–28. http://dx.doi.org/10.1142/s0218625x09013499.
Texto completoMohan, Lokesh, Basanta Roul y S. B. Krupanidhi. "Temperature dependent electrical properties of AlN/Si heterojunction". Journal of Applied Physics 124, n.º 20 (28 de noviembre de 2018): 205111. http://dx.doi.org/10.1063/1.5036932.
Texto completoKoryakin, Alexander A., Sergey A. Kukushkin, Andrey V. Osipov, Shukrillo Sh Sharofidinov y Mikhail P. Shcheglov. "Growth Mechanism of Semipolar AlN Layers by HVPE on Hybrid SiC/Si(110) Substrates". Materials 15, n.º 18 (6 de septiembre de 2022): 6202. http://dx.doi.org/10.3390/ma15186202.
Texto completoZhao, Yong Mei, Guo Sheng Sun, Xing Fang Liu, Jia Ye Li, Wan Shun Zhao, L. Wang, Jin Min Li y Yi Ping Zeng. "Heteroepitaxial Growth of 3C-SiC on Si (111) Substrate Using AlN as a Buffer Layer". Materials Science Forum 600-603 (septiembre de 2008): 251–54. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.600-603.251.
Texto completoFollstaedt, D. M., J. Han, P. Provencio y J. G. Fleming. "Microstructure of GaN Grown on (111) Si by MOCVD". MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research 4, S1 (1999): 397–402. http://dx.doi.org/10.1557/s1092578300002787.
Texto completoLiu, R., F. A. Ponce, A. Dadgar y A. Krost. "Atomic arrangement at the AlN/Si (111) interface". Applied Physics Letters 83, n.º 5 (4 de agosto de 2003): 860–62. http://dx.doi.org/10.1063/1.1597749.
Texto completoPlacidi, M., J. C. Moreno, P. Godignon, N. Mestres, E. Frayssinet, F. Semond y C. Serre. "Highly sensitive strained AlN on Si(111) resonators". Sensors and Actuators A: Physical 150, n.º 1 (marzo de 2009): 64–68. http://dx.doi.org/10.1016/j.sna.2008.12.005.
Texto completoOuisse, Thierry, H. P. D. Schenk, S. Karmann y Ute Kaiser. "Electrical Characterization of the AlN/Si(111) System". Materials Science Forum 264-268 (febrero de 1998): 1389–92. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.264-268.1389.
Texto completoDai, Yiquan, Shuiming Li, Qian Sun, Qing Peng, Chengqun Gui, Yu Zhou y Sheng Liu. "Properties of AlN film grown on Si (111)". Journal of Crystal Growth 435 (febrero de 2016): 76–83. http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2015.11.016.
Texto completoYang, J., X. Q. Jiao, R. Zhang, H. Zhong, Y. Shi y B. Du. "Growth of Highly C-Axis Oriented AlN Films at Water Cooling Condition". Advanced Materials Research 718-720 (julio de 2013): 20–24. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.718-720.20.
Texto completoDagher, Roy, Rami Khazaka, Stephane Vézian, Monique Teissiere, Adrien Michon, Marcin Zielinski, Thierry Chassagne, Yvon Cordier y Marc Portail. "Structural Investigation of Si Quantum Dots Grown by CVD on AlN/Si(111) and 3C-SiC/Si(100) Epilayers". Materials Science Forum 821-823 (junio de 2015): 1003–6. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.821-823.1003.
Texto completoHe, Xiao-Min, Zhi-Ming Chen, Lei Huang y Lian-Bi Li. "First-principles calculations on atomic and electronic properties of Si(111)/6H-SiC(0001) heterojunction". Modern Physics Letters B 29, n.º 29 (25 de octubre de 2015): 1550182. http://dx.doi.org/10.1142/s0217984915501821.
Texto completoCHUAH, L. S., Z. HASSAN y H. ABU HASSAN. "INFLUENCE OF Al MONOLAYERS ON THE PROPERTIES OF AlN LAYERS ON Si (111)". Surface Review and Letters 16, n.º 01 (febrero de 2009): 99–103. http://dx.doi.org/10.1142/s0218625x09012354.
Texto completoYamabe, N., H. Shimomura, T. Shimamura y T. Ohachi. "Nitridation of Si(111) for growth of 2H-AlN(0001)/β-Si3N4 /Si(111) structure". Journal of Crystal Growth 311, n.º 10 (mayo de 2009): 3049–53. http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2009.01.076.
Texto completoTiwari, Ashutosh, M. Park, C. Jin, H. Wang, D. Kumar y J. Narayan. "Epitaxial growth of ZnO films on Si(111)". Journal of Materials Research 17, n.º 10 (octubre de 2002): 2480–83. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.2002.0361.
Texto completoHuang, Yingnan, Jianxun Liu, Xiujian Sun, Xiaoning Zhan, Qian Sun, Hongwei Gao, Meixin Feng, Yu Zhou y Hui Yang. "High-Quality AlN Grown on Si(111) Substrate by Epitaxial Lateral Overgrowth". Crystals 13, n.º 3 (5 de marzo de 2023): 454. http://dx.doi.org/10.3390/cryst13030454.
Texto completoLi, Yuan, Wenliang Wang, Xiaochan Li, Liegen Huang, Yulin Zheng, Xiwu Chen y Guoqiang Li. "Nucleation layer design for growth of a high-quality AlN epitaxial film on a Si(111) substrate". CrystEngComm 20, n.º 11 (2018): 1483–90. http://dx.doi.org/10.1039/c7ce02126g.
Texto completoYang, Yibin, Lingxia Zhang y Yu Zhao. "Light Output Enhancement of GaN-Based Light-Emitting Diodes Based on AlN/GaN Distributed Bragg Reflectors Grown on Si (111) Substrates". Crystals 10, n.º 9 (1 de septiembre de 2020): 772. http://dx.doi.org/10.3390/cryst10090772.
Texto completoRehder, Eric, M. Zhou, L. Zhang, N. R. Perkins, S. E. Babcock y T. F. Kuech. "Structure of AlN on Si (111) Deposited with Metal Organic Vapor Phase Epitaxy". MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research 4, S1 (1999): 322–26. http://dx.doi.org/10.1557/s1092578300002660.
Texto completoMohd Yusoff, M. Z., A. Mahyuddin, Z. Hassan, Y. Yusof, M. A. Ahmad, C. W. Chin, H. Abu Hassan y M. J. Abdullah. "Plasma-assisted MBE growth of AlN/GaN/AlN heterostructures on Si (111) substrate". Superlattices and Microstructures 60 (agosto de 2013): 500–507. http://dx.doi.org/10.1016/j.spmi.2013.05.034.
Texto completoSánchez, A. M., F. J. Pacheco, S. I. Molina, P. Ruterana, F. Calle, T. A. Palacios, M. A. Sánchez-Garcı́a, E. Calleja y R. Garcı́a. "AlN buffer layer thickness influence on inversion domains in GaN/AlN/Si(111)". Materials Science and Engineering: B 93, n.º 1-3 (mayo de 2002): 181–84. http://dx.doi.org/10.1016/s0921-5107(02)00030-2.
Texto completoRadtke, G., M. Couillard, G. A. Botton, D. Zhu y C. J. Humphreys. "Structure and chemistry of the Si(111)/AlN interface". Applied Physics Letters 100, n.º 1 (2 de enero de 2012): 011910. http://dx.doi.org/10.1063/1.3674984.
Texto completoKing, Sean W., Robert J. Nemanich y Robert F. Davis. "Band alignment at AlN/Si (111) and (001) interfaces". Journal of Applied Physics 118, n.º 4 (28 de julio de 2015): 045304. http://dx.doi.org/10.1063/1.4927515.
Texto completoLebedev, Vadim, Bernd Schröter, Gela Kipshidze y Wolfgang Richter. "The polarity of AlN films grown on Si(111)". Journal of Crystal Growth 207, n.º 4 (diciembre de 1999): 266–72. http://dx.doi.org/10.1016/s0022-0248(99)00375-9.
Texto completoМизеров, А. М., С. А. Кукушкин, Ш. Ш. Шарофидинов, А. В. Осипов, С. Н. Тимошнев, К. Ю. Шубина, Т. Н. Березовская, Д. В. Мохов y А. Д. Буравлев. "Метод управления полярностью слоев GaN при эпитаксиальном синтезе GaN/AlN гетероструктур на гибридных подложках SiC/Si". Физика твердого тела 61, n.º 12 (2019): 2289. http://dx.doi.org/10.21883/ftt.2019.12.48535.06ks.
Texto completoGupta, Chandra Prakash, Amit Kumar Singh, Shilpi Birla y Sandeep Sancheti. "Ultraviolet Light Detection Properties of ZnO/AlN/Si Heterojunction Diodes". Journal of Electronic Materials 51, n.º 3 (3 de enero de 2022): 1097–105. http://dx.doi.org/10.1007/s11664-021-09374-w.
Texto completoKondo, Hiroyuki, Norikatsu Koide, Yoshio Honda, Masahito Yamaguchi y Nobuhiko Sawaki. "Series Resistance in n-GaN/AlN/n-Si Heterojunction Structure". Japanese Journal of Applied Physics 45, n.º 5A (9 de mayo de 2006): 4015–17. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.45.4015.
Texto completoFan, Shu, Le Yu, Xiao Long He, Ping Han, Cai Chuan Wu, Jing Ping Dai, Xue Fei Li et al. "Surface Morphology of AlN Nucleation Layer Grown on Si by MOCVD". Advanced Materials Research 1120-1121 (julio de 2015): 391–95. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.1120-1121.391.
Texto completoБессолов, В. Н., Е. В. Гущина, Е. В. Коненкова, С. Д. Коненков, Т. В. Львова, В. Н. Пантелеев y М. П. Щеглов. "Синтез гексагональных слоев AlN и GaN на Si(100)-подложке методом хлоридной газофазной эпитаксии". Журнал технической физики 89, n.º 4 (2019): 574. http://dx.doi.org/10.21883/jtf.2019.04.47315.152-18.
Texto completoБессолов, В. Н., Е. В. Коненкова y В. Н. Пантелеев. "Пластическая релаксация напряженного полуполярного AlN(10(1)1) слоя, синтезированного на наноструктурированной Si(100) подложке". Журнал технической физики 90, n.º 12 (2020): 2123. http://dx.doi.org/10.21883/jtf.2020.12.50130.98-20.
Texto completoZHAO, YONGMEI, GUOSHENG SUN, XINGFANG LIU, JIAYE LI, WANSHUN ZHAO, LEI WANG, MUCHANG LUO y JINMIN LI. "PREFERENTIAL ORIENTATION GROWTH OF AlN THIN FILMS ON Si (111) SUBSTRATES BY LP-MOCVD". Modern Physics Letters B 21, n.º 22 (20 de septiembre de 2007): 1437–45. http://dx.doi.org/10.1142/s0217984907013791.
Texto completoWANG, HONG-HAI. "PROPERTIES AND PREPARATION OF AlN THIN FILMS BY REACTIVE LASER ABLATION WITH NITROGEN DISCHARGE". Modern Physics Letters B 14, n.º 14 (20 de junio de 2000): 523–30. http://dx.doi.org/10.1142/s0217984900000689.
Texto completoLiu, Sanjie, Yangfeng Li, Jiayou Tao, Ruifan Tang y Xinhe Zheng. "Structural, Surface, and Optical Properties of AlN Thin Films Grown on Different Substrates by PEALD". Crystals 13, n.º 6 (3 de junio de 2023): 910. http://dx.doi.org/10.3390/cryst13060910.
Texto completoБессолов, В. Н., Н. Д. Грузинов, М. Е. Компан, Е. В. Коненкова, В. Н. Пантелеев, С. Н. Родин y М. П. Щеглов. "Газофазная эпитаксия слоев AlN на темплейте AlN/Si(111), синтезированном методом реактивного магнетронного распыления". Письма в журнал технической физики 46, n.º 8 (2020): 29. http://dx.doi.org/10.21883/pjtf.2020.08.49305.18215.
Texto completoCheng, Yana y Roderic Beresford. "Growth of AlN/SiC/AlN quantum wells on Si(111) by molecular beam epitaxy". Applied Physics Letters 100, n.º 23 (4 de junio de 2012): 232112. http://dx.doi.org/10.1063/1.4728119.
Texto completoChaaben, N., J. Yahyaoui, M. Christophersen, T. Boufaden y B. El Jani. "Morphological properties of AlN and GaN grown by MOVPE on porous Si(111) and Si(111) substrates". Superlattices and Microstructures 40, n.º 4-6 (octubre de 2006): 483–89. http://dx.doi.org/10.1016/j.spmi.2006.09.022.
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