Bibliografías temáticas / AgGaGeS4

Índice

  1. Artículos de revistas
  2. Tesis
  3. Capítulos de libros
  4. Actas de conferencias

Literatura académica sobre el tema "AgGaGeS4"

Autor: Grafiati
Publicado: 25 de mayo de 2024

Crea una cita precisa en los estilos APA, MLA, Chicago, Harvard y otros

Elija tipo de fuente:

Consulte las listas temáticas de artículos, libros, tesis, actas de conferencias y otras fuentes académicas sobre el tema "AgGaGeS4".

Junto a cada fuente en la lista de referencias hay un botón "Agregar a la bibliografía". Pulsa este botón, y generaremos automáticamente la referencia bibliográfica para la obra elegida en el estilo de cita que necesites: APA, MLA, Harvard, Vancouver, Chicago, etc.

También puede descargar el texto completo de la publicación académica en formato pdf y leer en línea su resumen siempre que esté disponible en los metadatos.

Artículos de revistas sobre el tema "AgGaGeS4"

1

МИРОНЧУК, Галина, Тарас МЕЛЬНИЧУК, Ярослав ЄНДРИКА y Вайдотас КАЖУКАУСКАС. "ОПТИЧНІ ТА НЕЛІНІЙНО-ОПТИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ КРИСТАЛІВ AgGaGeS4, ЛЕГОВАНИХ Er". Physics and educational technology, n.º 1 (31 de octubre de 2022): 41–47. http://dx.doi.org/10.32782/pet-2022-1-5.

Texto completo
Resumen
У роботі проведено аналіз впливу ширини забороненої зони та середніх розмірів зерен на інтенсивність генерації другої гармоніки кристалів AgGaGeS4 та AgGaGeS4 легованого Er. Для оцінки ширини забороненої зони проведено дослідження спектрального розподілу коефіцієнта поглинання в області краю фундаментального поглинання. Оцінена ширина забороненої зони на рівні α = 350 см-1 при Т=300 К становить 2,83 та 2,91 еВ для AgGaGeS4 та AgGaGeS4:Er відповідно. Встановлено, що введення рідкоземельного елементу (Er) до AgGaGeS4 сприяє збільшенню ширини забороненої зони досліджуваної сполуки. Внаслідок нецентросиметричності кристалічної структури кристали AgGaGeS4, леговані рідкоземельними металами, викликають інтерес внаслідок потенційного їх використання в електрооптичних та нелінійно-оптичних пристроях. З огляду на це нами проведено дослідження генерації другої гармоніки. Встановлено, що інтенсивність генерації другої гармоніки в легованих кристалах є меншою в порівнянні з такою в нелегованих зразках. Важливим є те, що при збільшенні розміру зерен інтенсивність SGH збільшується як у кристалах AgGaGeS4, так і в AgGaGe3Se8:Er Отриманий результат свідчить про те, що багатокомпонентні халькогеніди, а саме AgGaGeS4 та AgGaGeS4:Er, є перспективними нелінійно-оптичними матеріалами, оскільки в них поріг лазерного пошкодження є більшим, а нелінійно-оптичний відгук порівняний із комерційно використовуваним AgGaS2.
Los estilos APA, Harvard, Vancouver, ISO, etc.
2

Мирончук, Г. Л., Г. Є. Давидюк, О. В. Парасюк, М. В. Шевчук, О. В. Якимчук y С. П. Данильчук. "Електричні і оптичні властивості монокристалів AgGaGe2S2Se4". Ukrainian Journal of Physics 57, n.º 10 (5 de diciembre de 2021): 1050. http://dx.doi.org/10.15407/ujpe57.10.1050.

Texto completo
Resumen
Досліджено монокристали твердих розчинів 50 мол.% AgGaGeS4 + 50 мол.% AgGaGe3Se8. Внаслідок статистичного розміщення у вузлах кристалічної ґратки атомів Ga і Ge, а також наявності вузлів не заповнених атомами Ag, тверді розчини проявляють властивості невпорядкованих напівпровідників з максимальною щільністю локалізованих енергетичних станів біля середини забороненої зони. Встановлено оптичну і термічну ширину забороненої зони та їх температурну залежність (Eg ≈ 2,30 еВ при T ≈ 300 К). Монокристали розчину AgGaGe2Se4 виявилися фоточутливиминапівпровідниками p-типу провідності з положенням рівня Фермі біля середини забороненої зони. Досліджено особливості електропровідностіі спектрального розподілу фотопровідності зразків розчину. Запропоновано несуперечливу фізичну модель, яка дозволяє пояснитиекспериментально одержані результати.
Los estilos APA, Harvard, Vancouver, ISO, etc.
3

Мирончук Д.Б., студент., Кот Ю.О., студент, Мирончук Г.Л. к.ф.м.н., доц. y Замуруєва О.В., к.ф.-м.н. "ВПЛИВ РОЗМІРІВ ЗЕРЕН КРИСТАЛІЧНОГО ПОРОШКУ НА ІНТЕНСИВНІСТЬ ГЕНЕРАЦІЇ ДРУГОЇ ГАРМОНІКИ". Перспективні технології та прилади, n.º 14 (4 de diciembre de 2019): 94–97. http://dx.doi.org/10.36910/6775-2313-5352-2019-14-16.

Texto completo
Resumen
У даній роботі проведено аналіз впливу ширини забороненої зони та середніх розмірів зерен на інтенсивність генерації другої гармоніки кристалів AgGaGeS4 та AgGaGe3Se8. Отриманий результат свідчить про те, що багатокомпонентні халькогеніди, а саме AgGaGeS4 та AgGaGe3Se8, є перспективними нелінійно-оптичними матеріалами, оскільки в них поріг лазерного пошкодження є більшим, а нелінійно-оптичний відгук порівняний із комерційно використовуваними AgGaS2 та AgGaSe2.
Los estilos APA, Harvard, Vancouver, ISO, etc.
4

Valakh, Mykhailo, Alexander P. Litvinchuk, Yevhenii Havryliuk, Volodymyr Yukhymchuk, Volodymyr Dzhagan, Dmytro Solonenko, Sergei A. Kulinich et al. "Raman- and Infrared-Active Phonons in Nonlinear Semiconductor AgGaGeS4". Crystals 13, n.º 1 (14 de enero de 2023): 148. http://dx.doi.org/10.3390/cryst13010148.

Texto completo
Resumen
AgGaGeS4 is an emerging material with promising nonlinear properties in the near- and mid-infrared spectral ranges. Here, the experimental phonon spectra of AgGaGeS4 single crystals synthesized by a modified Bridgman method are presented. The infrared absorption spectra are reported. They are obtained from the fitting of reflectivity to a model dielectric function comprising a series of harmonic phonon oscillators. In the Raman spectra, several modes are registered, which were not detected in previous works. The analysis of the experimental vibrational bands is performed on the basis of a comparison with reported data on structurally related binary, ternary, and quaternary metal chalcogenides. The temperature dependence of the Raman spectra between room temperature and 15 K is also investigated.
Los estilos APA, Harvard, Vancouver, ISO, etc.
5

Vu, Tuan V., Vo D. Dat, A. A. Lavrentyev, B. V. Gabrelian, Nguyen N. Hieu, G. L. Myronchuk y O. Y. Khyzhun. "Electronic and optical properties of thiogermanate AgGaGeS4: theory and experiment". RSC Advances 13, n.º 2 (2023): 881–87. http://dx.doi.org/10.1039/d2ra07639j.

Texto completo
Resumen
The electronic and optical properties of a AgGaGeS4 crystal were studied by first-principles calculations, and experimental X-ray photoelectron and emission spectra were measured to verify the theoretical data.
Los estilos APA, Harvard, Vancouver, ISO, etc.
6

Vasil’eva, I. G. y R. E. Nikolaev. "Saturated vapor pressure over AgGaGeS4 crystals". Inorganic Materials 42, n.º 12 (diciembre de 2006): 1299–301. http://dx.doi.org/10.1134/s002016850612003x.

Texto completo
Los estilos APA, Harvard, Vancouver, ISO, etc.
7

Vasilyeva, Inga G. y Ruslan E. Nikolaev. "Non-stoichiometry and point native defects in non-oxide non-linear optical large single crystals: advantages and problems". CrystEngComm 24, n.º 8 (2022): 1495–506. http://dx.doi.org/10.1039/d1ce01423d.

Texto completo
Resumen
Advances and limitations in the field of growing large, high optical quality single crystals of AgGaS2 (AGS), AgGaGeS4 (AGGS), ZnGeP2 (ZGP), LiInS2 (LIS), LiGaS2 (LGS), LiInSe2 (LISe), LiGaSe2 (LGSe) and LiGaTe2 (LGT) are considered in this article.
Los estilos APA, Harvard, Vancouver, ISO, etc.
8

Davydyuk, G. Ye, G. L. Myronchuk, G. Lakshminarayana, O. V. Yakymchuk, A. H. Reshak, A. Wojciechowski, P. Rakus et al. "IR-induced features of AgGaGeS4 crystalline semiconductors". Journal of Physics and Chemistry of Solids 73, n.º 3 (marzo de 2012): 439–43. http://dx.doi.org/10.1016/j.jpcs.2011.11.026.

Texto completo
Los estilos APA, Harvard, Vancouver, ISO, etc.
9

Yurchenko, O. M., I. D. Olekseyuk, O. V. Parasyuk y V. Z. Pankevich. "Single crystal growth and properties of AgGaGeS4". Journal of Crystal Growth 275, n.º 1-2 (febrero de 2005): e1983-e1985. http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2004.11.319.

Texto completo
Los estilos APA, Harvard, Vancouver, ISO, etc.
10

Adamenko, D., A. Say, O. Parasyuk, I. Martynyuk-Lototska y R. Vlokh. "Magnetooptic rotation and thermal expansion of AgGaGeS4 crystals". Ukrainian Journal of Physical Optics 17, n.º 3 (2016): 105. http://dx.doi.org/10.3116/16091833/17/3/105/2016.

Texto completo
Los estilos APA, Harvard, Vancouver, ISO, etc.
Más fuentes

Tesis sobre el tema "AgGaGeS4"

1

Кримусь, А. С., Г. Л. Мирончук, О. М. Кльоц y К. В. Каплявка. "Дослідження коефіцієнта поглинання світла у монокристалах сполук Ag[0.95]Cu[0.05]GaGe[3]Se[8], AgGa[0.95]In[0.05]Ge[3]Se[8] та AgGaGe[2.85]Sn[0.15]Se[8]". Thesis, Сумський державний університет, 2016. http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/45786.

Texto completo
Resumen
Розраховано значення сили електрон-фононної взаємодії (g), яке дорівнює 1.04, 1.06 та 1.08 для кристалів легованих Сu, In та Sn відповідно, що є типовим для кристалів, що мають дефекти стехіометрії у катіонних підрешітках.
Los estilos APA, Harvard, Vancouver, ISO, etc.

Capítulos de libros sobre el tema "AgGaGeS4"

1

Eckardt, R. C. "Infrared Frequency Generation in Chalcopyrite Crystals AgGaS2 and AgGaGe2". En Tunable Solid State Lasers for Remote Sensing, 138–40. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 1985. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-540-39765-6_37.

Texto completo
Los estilos APA, Harvard, Vancouver, ISO, etc.

Actas de conferencias sobre el tema "AgGaGeS4"

1

Rame, J., J. Petit, Q. Clement, J. M. Melkonian y B. Viana. "Chemical synthesis and crystal growth of AgGaGeS4, a material for mid-IR nonlinear laser applications". En SPIE LASE, editado por Konstantin L. Vodopyanov. SPIE, 2015. http://dx.doi.org/10.1117/12.2075582.

Texto completo
Los estilos APA, Harvard, Vancouver, ISO, etc.
2

Rame, Jérémy, Johan Petit y Bruno Viana. "Synthesis and growth of AgGaGeS4, a promising material for the frequency conversion in the mid-IR range". En Advanced Solid State Lasers. Washington, D.C.: OSA, 2013. http://dx.doi.org/10.1364/assl.2013.am4a.32.

Texto completo
Los estilos APA, Harvard, Vancouver, ISO, etc.
3

Miyata, K., V. Petrov, N. Umemura, K. Kato, N. Saito y S. Wada. "New experimental results for SHG and DFG in AgGaGeS 4". En Lasers and Applications in Science and Engineering, editado por Peter E. Powers. SPIE, 2007. http://dx.doi.org/10.1117/12.698079.

Texto completo
Los estilos APA, Harvard, Vancouver, ISO, etc.
4

Andreev, Yuri M., Pavel P. Geiko, Valery V. Badikov, Vladimir L. Panyutin, Galina S. Shevyrdayeva, Maxim V. Ivaschenko, Alexander I. Karapuzikov y Igor V. Sherstov. "Parametric frequency converters with LiInSe 2 , AgGaGeS 4 , HgGa 2 S 4 and Hg 0.65 Cd 0.35 Ga 2 S 4 crystals". En Ninth Joint International Symposium on Atmospheric and Ocean Optics/Atmospheric Physics, editado por Gennadii G. Matvienko y Vladimir P. Lukin. SPIE, 2003. http://dx.doi.org/10.1117/12.497306.

Texto completo
Los estilos APA, Harvard, Vancouver, ISO, etc.
También puede estar interesado en las bibliografías ampliadas sobre el tema "AgGaGeS4" para tipos de fuentes particulares:
Artículos de revistas
Ofrecemos descuentos en todos los planes premium para autores cuyas obras están incluidas en selecciones literarias temáticas. ¡Contáctenos para obtener un código promocional único!

Pasar a la bibliografía