Artículos de revistas sobre el tema "2d-3d tcad"
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IÑIGUEZ, BENJAMIN, ROMAIN RITZENTHALER y FRANÇOIS LIME. "COMPACT MODELING OF DOUBLE AND TRI-GATE MOSFETs". International Journal of High Speed Electronics and Systems 22, n.º 01 (noviembre de 2013): 1350004. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156413500043.
Texto completoRahimo, Munaf T., Iulian Nistor y David Green. "Advanced 1200V SiC MOSFET Concept Based on Singular Point Source MOS (S-MOS) Technology". Materials Science Forum 1062 (31 de mayo de 2022): 539–43. http://dx.doi.org/10.4028/p-u88313.
Texto completoAguirre, P., M. Rau y A. Schenk. "2D and 3D TCAD simulation of III-V channel FETs at the end of scaling". Solid-State Electronics 159 (septiembre de 2019): 123–28. http://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2019.03.043.
Texto completoDash, T. P., S. Dey, S. Das, J. Jena, E. Mahapatra y C. K. Maiti. "Source/Drain Stressor Design for Advanced Devices at 7 nm Technology Node". Nanoscience & Nanotechnology-Asia 10, n.º 4 (26 de agosto de 2020): 447–56. http://dx.doi.org/10.2174/2210681209666190809101307.
Texto completoMo, Fei, Xiaoran Mei, Takuya Saraya, Toshiro Hiramoto y Masaharu Kobayashi. "A simulation study on memory characteristics of InGaZnO-channel ferroelectric FETs with 2D planar and 3D structures". Japanese Journal of Applied Physics 61, SC (9 de febrero de 2022): SC1013. http://dx.doi.org/10.35848/1347-4065/ac3d0e.
Texto completoRahimo, Munaf, Iulian Nistor y David Green. "Suppression of Short Channel Effects for a SiC MOSFET Based on the S-MOS Cell Concept". Key Engineering Materials 945 (19 de mayo de 2023): 83–89. http://dx.doi.org/10.4028/p-g4w5h5.
Texto completoItalia, Markus, Ioannis Deretzis, Alfio Nastasi, Silvia Scalese, Antonino La Magna, Massimo Pirnaci, Daniele Pagano, Dario Tenaglia y Patrizia Vasquez. "Multiscale Simulations of Plasma Etching in Silicon Carbide Structures". Materials Science Forum 1062 (31 de mayo de 2022): 214–18. http://dx.doi.org/10.4028/p-n9v122.
Texto completoTripathi, Suman Lata. "Pocket Vertical Junction-Less U-Shape Tunnel FET and Its Challenges in Nano-Scale Regime". Advanced Science, Engineering and Medicine 11, n.º 12 (1 de diciembre de 2019): 1225–30. http://dx.doi.org/10.1166/asem.2019.2466.
Texto completoAssiouras, P., P. Asenov, A. Kyriakis y D. Loukas. "Fast calculation of capacitances in silicon sensors with 3D and 2D numerical solutions of the Laplace's equation and comparison with experimental data and TCAD simulations". Journal of Instrumentation 15, n.º 11 (24 de noviembre de 2020): P11034. http://dx.doi.org/10.1088/1748-0221/15/11/p11034.
Texto completoSulaiman, Raed, Pradip De, Jennifer C. Aske, Xiaoqian Lin, Adam Dale, Kris Gaster, Luis Rojas Espaillat, David Starks y Nandini Dey. "A CAF-Based Two-Cell Hybrid Co-Culture Model to Test Drug Resistance in Endometrial Cancers". Biomedicines 11, n.º 5 (29 de abril de 2023): 1326. http://dx.doi.org/10.3390/biomedicines11051326.
Texto completoSchwindt, D. y C. Kneisel. "Optimisation of quasi-3D electrical resistivity imaging – application and inversion for investigating heterogeneous mountain permafrost". Cryosphere Discussions 5, n.º 6 (5 de diciembre de 2011): 3383–421. http://dx.doi.org/10.5194/tcd-5-3383-2011.
Texto completoDagorn, Y., A. Leble, J. J. Rousseau y J. C. Fayet. "Precursor-order clusters, critical slowing down and 2D to 3D crossover above Tcand NH4AlF4:Fe3+through EPR". Journal of Physics C: Solid State Physics 18, n.º 2 (20 de enero de 1985): 383–95. http://dx.doi.org/10.1088/0022-3719/18/2/016.
Texto completoChang, Kyungwook, Saurabh Sinha, Brian Cline, Greg Yeric y Sung Kyu Lim. "Design-aware Partitioning-based 3D IC Design Flow with 2D Commercial Tools". IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems, 2021, 1. http://dx.doi.org/10.1109/tcad.2021.3065005.
Texto completoDang, Cong Thinh. "APPLICATIONS OF TCAD SIMULATION SOFTWARE TO THE STUDY OF FLOATING-GATE DEVICE". Journal of Science and Technique 8, n.º 2 (8 de enero de 2021). http://dx.doi.org/10.56651/lqdtu.jst.v8.n02.61.ict.
Texto completoPlummer, J. D. "Defects and Diffusion issues for the Manufacturing of Semiconductors in the 21st Century". MRS Proceedings 469 (1997). http://dx.doi.org/10.1557/proc-469-3.
Texto completoGeißendörfer, Stefan, Karsten von Maydell y Carsten Agert. "Numerical 3D-Simulation of Micromorph Silicon Thin Film Solar Cells". MRS Proceedings 1321 (2011). http://dx.doi.org/10.1557/opl.2011.934.
Texto completoSwe, Khine Thandar Nyunt, Chanvit Pamonchom, Amporn Poyai y Toempong Phetchakul. "Novel MAGFinFET: Operation, Design and Geometry Effect for Modern Sensors". Journal of Mobile Multimedia, 21 de marzo de 2022. http://dx.doi.org/10.13052/jmm1550-4646.18416.
Texto completoMichalak, Tyler J., Chris Borst, Dan Franca, Josh Herman y Martin Rodgers. "Simulation of Millisecond Laser Anneal on SOI: A Study of Dopant Activation and Mobility and its Application to Scaled FinFET Thermal Processing". MRS Proceedings 1562 (2013). http://dx.doi.org/10.1557/opl.2013.825.
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