Artículos de revistas sobre el tema "(111) Si"
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Pervan, P., K. Markert y K. Wandelt. "Photoemission of Xe adsorbed on Si(111)7×7, Ag/Si(111), Au/Si(111) and O/Si(111) surfaces". Applied Surface Science 108, n.º 3 (marzo de 1997): 307–17. http://dx.doi.org/10.1016/s0169-4332(96)00684-8.
Texto completoБессолов, В. Н., Е. В. Коненкова, T. А. Орлова y С. Н. Родин. "Начальные стадии роста полуполярного AlN на наноструктурированной Si(100) подложке". Физика и техника полупроводников 55, n.º 10 (2021): 908. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2021.10.51442.41.
Texto completoStesmans, A. "The .Si identical to Si3defect at various (111)Si/SiO2and (111)Si/Si3N4interfaces". Semiconductor Science and Technology 4, n.º 12 (1 de diciembre de 1989): 1000–1011. http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/4/12/005.
Texto completoMichel, E. G., Th Pauly, V. Eteläniemi y G. Materlik. "Adsorption of I on Si(111) and Si(110) surfaces". Surface Science 241, n.º 1-2 (enero de 1991): 111–23. http://dx.doi.org/10.1016/0039-6028(91)90216-f.
Texto completoMichel, E. G., Th Pauly, V. Eteläniemi y G. Materlik. "Adsorption of I on Si(111) and Si(110) surfaces". Surface Science Letters 241, n.º 1-2 (enero de 1991): A5. http://dx.doi.org/10.1016/0167-2584(91)91060-a.
Texto completoInoue, Takahiro, Youya Wagatsuma, Reo Ikegaya, Ayaka Odashima, Masaki Nagao y Kentarou Sawano. "(Digital Presentation) Epitaxially Grown of SiGe on Ge Microbridge and Observation of Strong Resonant Light Emission". ECS Transactions 109, n.º 4 (30 de septiembre de 2022): 297–302. http://dx.doi.org/10.1149/10904.0297ecst.
Texto completoWeilmeier, M. K., W. H. Rippard y R. A. Buhrman. "Ballistic electron transport through Au(111)/Si(111) and Au(111)/Si(100) interfaces". Physical Review B 59, n.º 4 (15 de enero de 1999): R2521—R2524. http://dx.doi.org/10.1103/physrevb.59.r2521.
Texto completoKoryakin, Alexander A., Sergey A. Kukushkin, Andrey V. Osipov, Shukrillo Sh Sharofidinov y Mikhail P. Shcheglov. "Growth Mechanism of Semipolar AlN Layers by HVPE on Hybrid SiC/Si(110) Substrates". Materials 15, n.º 18 (6 de septiembre de 2022): 6202. http://dx.doi.org/10.3390/ma15186202.
Texto completoKochanski, Greg P. y R. F. Bell. "STM measurements of photovoltage on Si(111) and Si(111):Ge". Surface Science 273, n.º 1-2 (junio de 1992): L435—L440. http://dx.doi.org/10.1016/0039-6028(92)90266-9.
Texto completoHartmann, J. M., M. Burdin, G. Rolland y T. Billon. "Growth kinetics of Si and SiGe on Si(100), Si(110) and Si(111) surfaces". Journal of Crystal Growth 294, n.º 2 (septiembre de 2006): 288–95. http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2006.06.043.
Texto completoSilva, Ana, Kjeld Pedersen, Lars Diekhöner, Per Morgen y Zheshen Li. "Ordered Au(111) layers on Si(111)". Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films 25, n.º 4 (julio de 2007): 908–11. http://dx.doi.org/10.1116/1.2715964.
Texto completoGerbig, Y. B., S. J. Stranick, D. J. Morris, M. D. Vaudin y R. F. Cook. "Effect of crystallographic orientation on phase transformations during indentation of silicon". Journal of Materials Research 24, n.º 3 (marzo de 2009): 1172–83. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.2009.0122.
Texto completoYamamoto, Yuji, Wei-Chen Wen, Markus Andreas Schubert, Cedic Corley-Wiciak y Bernd Tillack. "High Quality Ge Growth on Si (111) and Si (110) by Using Reduced Pressure Chemical Vapor Deposition". ECS Meeting Abstracts MA2022-02, n.º 32 (9 de octubre de 2022): 1213. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-02321213mtgabs.
Texto completoGo, Hyun Young, Naoki Wakiya, Takanori Kiguchi, Tomohiko Yoshioka, Osamu Sakurai, Jeffrey S. Cross, M. Tanaka y Kazuo Shinozaki. "Ferroelectric Properties of Epitaxial BiFe0.97Mn0.03O3 Thin Films with Different Crystal Orientations Deposited on Buffered Si Substrates". Key Engineering Materials 421-422 (diciembre de 2009): 111–14. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/kem.421-422.111.
Texto completoSadoh, Taizoh, Kaoru Toko, Masashi Kurosawa, Takanori Tanaka, Takashi Sakane, Yasuharu Ohta, Naoyuki Kawabata, Hiroyuki Yokoyama y Masanobu Miyao. "SiGe-Mixing-Triggered Rapid-Melting-Growth of High-Mobility Ge-On-Insulator". Key Engineering Materials 470 (febrero de 2011): 8–13. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/kem.470.8.
Texto completoKorobtsov, V. V., V. G. Lifshits y A. V. Zotov. "Formation of Si(111)-B and Si epitaxy on Si(111)-B: LEED-AES study". Surface Science 195, n.º 3 (enero de 1988): 466–74. http://dx.doi.org/10.1016/0039-6028(88)90354-8.
Texto completoAkinci, G., T. R. Ohno y Ellen D. Williams. "NiSi2 on Si(111)". Surface Science 201, n.º 1-2 (enero de 1988): 27–46. http://dx.doi.org/10.1016/0039-6028(88)90595-x.
Texto completoCho, Sung-Pyo, Yoshiaki Nakamura, Jun Yamasaki, Eiji Okunishi, Masakazu Ichikawa y Nobuo Tanaka. "Microstructure and interdiffusion behaviour of β-FeSi2 flat islands grown on Si(111) surfaces". Journal of Applied Crystallography 46, n.º 4 (4 de julio de 2013): 1076–80. http://dx.doi.org/10.1107/s0021889813015355.
Texto completoBecker, R. S., B. S. Swartzentruber y J. S. Vickers. "Tunneling microscopy of silicon and germanium: Si(111)7×7, SnGe(111)7×7, GeSi(111)5×5, Si(111)9×9, Ge(111)2×8, Ge(100)2×1, Si(110)5×1". Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films 6, n.º 2 (marzo de 1988): 472–77. http://dx.doi.org/10.1116/1.575399.
Texto completoKhazaka, Rami, Marc Portail, Philippe Vennéguès, Daniel Alquier y Jean François Michaud. "Structural Study of the Innovative 3C-SiC/Si/3C-SiC/Si Heterostructure for Electro-Mechanical Applications". Materials Science Forum 858 (mayo de 2016): 143–46. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.858.143.
Texto completoLee, Byong-Taek, Byong-Sun Chun y Kenji Hiraga. "Microstructure of gas-atomized Al-20 wt. % Si-1 wt. % Ni powders studied by electron microscopy". Journal of Materials Research 9, n.º 10 (octubre de 1994): 2519–23. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.1994.2519.
Texto completoCho, C. C., W. M. Duncan, T. H. Lin y S. K. Fan. "Photoluminescence from submicron CaF2:Nd films grown epitaxially on Si(111) and Al(111)/Si(111)". Applied Physics Letters 61, n.º 15 (12 de octubre de 1992): 1757–59. http://dx.doi.org/10.1063/1.108417.
Texto completoVoigtländer, Bert, Martin Kästner y Pavel Šmilauer. "Magic Islands in Si/Si(111) Homoepitaxy". Physical Review Letters 81, n.º 4 (27 de julio de 1998): 858–61. http://dx.doi.org/10.1103/physrevlett.81.858.
Texto completoMurayama, Misao, Takashi Nakayama y Akiko Natori. "Au–Si Bonding on Si(111) Surfaces". Japanese Journal of Applied Physics 40, Part 1, No. 12 (15 de diciembre de 2001): 6976–79. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.40.6976.
Texto completoHanda, Hiroyuki, Shun Ito, Hirokazu Fukidome y Maki Suemitsu. "Transmission-Electron-Microscopy Observations on the Growth of Epitaxial Graphene on 3C-SiC(110) and 3C-SiC(100) Virtual Substrates". Materials Science Forum 711 (enero de 2012): 242–45. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.711.242.
Texto completoBjörketun, L.-O., L. Hultman, O. Kordina y J.-E. Sundgren. "Texture Evolution in Si/SiC Layered Structures Deposited on Si(001) by Chemical Vapor Deposition". Journal of Materials Research 13, n.º 9 (septiembre de 1998): 2632–42. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.1998.0367.
Texto completoMeade, Robert D. y David Vanderbilt. "Adatoms on Si(111) and Ge(111) surfaces". Physical Review B 40, n.º 6 (15 de agosto de 1989): 3905–13. http://dx.doi.org/10.1103/physrevb.40.3905.
Texto completoRobinson, I. K., W. K. Waskiewicz, R. T. Tung y J. Bohr. "Ordering atSi(111)a−Siand Si(111)/SiO2Interfaces". Physical Review Letters 57, n.º 21 (24 de noviembre de 1986): 2714–17. http://dx.doi.org/10.1103/physrevlett.57.2714.
Texto completoStadler, R., D. Vogtenhuber y R. Podloucky. "Ab initiostudy of theCoSi2(111)/Si(111)interface". Physical Review B 60, n.º 24 (15 de diciembre de 1999): 17112–22. http://dx.doi.org/10.1103/physrevb.60.17112.
Texto completoKitabatake, M., T. Kawasaki y T. Korechika. "Heteroepitaxial growth of InSb(111) on Si(111)". Thin Solid Films 281-282 (agosto de 1996): 17–19. http://dx.doi.org/10.1016/0040-6090(96)08565-3.
Texto completoMårtensson, P., G. V. Hansson y P. Chiaradia. "Similarity of Si(110)5×1 and Si(111)2×1 surfaces". Physical Review B 31, n.º 4 (15 de febrero de 1985): 2581–83. http://dx.doi.org/10.1103/physrevb.31.2581.
Texto completoZhang, L., E. Deckardt, A. Weber, C. Schönenberger y D. Grützmacher. "Directional scrolling of hetero-films on Si(110) and Si(111) surfaces". Microelectronic Engineering 83, n.º 4-9 (abril de 2006): 1233–36. http://dx.doi.org/10.1016/j.mee.2006.01.128.
Texto completoMolinàs i Mata, P., M. I. Alonso y M. Cardona. "Space groups of Ge/Si superlattices grown along the [110], [111], [112], [120], and [114] directions". Solid State Communications 74, n.º 5 (mayo de 1990): 347–51. http://dx.doi.org/10.1016/0038-1098(90)90500-b.
Texto completoOrtega, J., F. Flores, R. Pérez y A. Levy Yeyati. "Electron correlation effects at semiconductor surfaces and interfaces: Si(111)-5x5, Si(111)-7x7 and SnGe(111)". Progress in Surface Science 59, n.º 1-4 (septiembre de 1998): 233–43. http://dx.doi.org/10.1016/s0079-6816(98)00049-5.
Texto completoMoraru, Daniel, Hiroshi Kato, Seiji Horiguchi, Yasuhiko Ishikawa, Hiroya Ikeda y Michiharu Tabe. "Fowler-Nordheim Current Oscillations in Si(111)/SiO2/Twisted-Si(111) Tunneling Structures". Japanese Journal of Applied Physics 45, No. 11 (10 de marzo de 2006): L316—L318. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.45.l316.
Texto completoMarkert, K., P. Pervan, W. Heichler y K. Wandelt. "Structural and electronic properties of Ag/Si(111) and Au/Si(111) surfaces". Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films 7, n.º 4 (julio de 1989): 2873–78. http://dx.doi.org/10.1116/1.576161.
Texto completoKuzmin, M., R. L. Vaara, P. Laukkanen, R. E. Perälä y I. J. Väyrynen. "Structural and statistical analysis of Yb/Si(111) and Eu/Si(111) reconstructions". Surface Science 549, n.º 3 (febrero de 2004): 183–95. http://dx.doi.org/10.1016/j.susc.2003.12.005.
Texto completoDitzinger, U. A., Ch Lunau, B. Schieweck, St Tosch, H. Neddermeyer y M. Hanbücken. "Photoemission from K/Si(111)7 × 7 and Cs/Si(111)7 × 7". Surface Science 211-212 (abril de 1989): 707–15. http://dx.doi.org/10.1016/0039-6028(89)90832-7.
Texto completoDitzinger, U. A., Ch Lunau, B. Schieweck, St Tosch, H. Neddermeyer y M. Hanbücken. "Photoemission from K/Si(111)7×7 and Cs/Si(111)7×7". Surface Science Letters 211-212 (abril de 1989): A142. http://dx.doi.org/10.1016/0167-2584(89)90380-0.
Texto completoMagaud-Martinage, L., D. Mayou, A. Pasturel y F. Cyrot-Lackmann. "Schottky barriers calculations at the CoSi2/Si(111) and NiSi2/Si(111) interfaces". Surface Science Letters 256, n.º 3 (octubre de 1991): A543. http://dx.doi.org/10.1016/0167-2584(91)91193-z.
Texto completoTimoshnev, S. N., A. M. Mizerov, M. N. Lapushkin, S. A. Kukushkin y A. D. Bouravleuv. "Electronic Structure of SiN Layers on Si(111) and SiC/Si(111) Substrates". Semiconductors 53, n.º 14 (diciembre de 2019): 1935–38. http://dx.doi.org/10.1134/s1063782619140239.
Texto completoYamamoto, Yuji, Wei-Chen Wen, Markus Andreas Schubert, Cedic Corley-Wiciak y Bernd Tillack. "High Quality Ge Growth on Si (111) and Si (110) by Using Reduced Pressure Chemical Vapor Deposition". ECS Transactions 109, n.º 4 (30 de septiembre de 2022): 205–15. http://dx.doi.org/10.1149/10904.0205ecst.
Texto completoChiang, Yi-Ting, Yi Chou, Chang-Hsun Huang, Wei-Ting Lin y Yi-Chia Chou. "Dependence of the structure and orientation of VSS grown Si nanowires on an epitaxy process". CrystEngComm 21, n.º 29 (2019): 4298–304. http://dx.doi.org/10.1039/c9ce00539k.
Texto completoJacob, J., A. Gomes Silva, K. Fleischer y J. F. McGilp. "Optical second-harmonic generation studies of Si(111)-√3×√3-Ag and Si(111)-3×1-Ag grown on vicinal Si(111)". physica status solidi (c) 5, n.º 8 (junio de 2008): 2649–52. http://dx.doi.org/10.1002/pssc.200779103.
Texto completoLee, Dong Nyung. "Directed Crystallization of Amorphous Silicon Deposits on Glass Substrates". Advanced Materials Research 26-28 (octubre de 2007): 623–28. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.26-28.623.
Texto completoTwigg, M. E. y E. D. Richmond. "Microtwin morphology for silicon on sapphire". Proceedings, annual meeting, Electron Microscopy Society of America 45 (agosto de 1987): 256–57. http://dx.doi.org/10.1017/s0424820100126184.
Texto completoTsai, Chin-Yi, Jyong-Di Lai, Shih-Wei Feng, Chien-Jung Huang, Chien-Hsun Chen, Fann-Wei Yang, Hsiang-Chen Wang y Li-Wei Tu. "Growth and characterization of textured well-faceted ZnO on planar Si(100), planar Si(111), and textured Si(100) substrates for solar cell applications". Beilstein Journal of Nanotechnology 8 (15 de septiembre de 2017): 1939–45. http://dx.doi.org/10.3762/bjnano.8.194.
Texto completoSeverino, Andrea, Ruggero Anzalone, Corrado Bongiorno, M. Italia, Giuseppe Abbondanza, Massimo Camarda, L. M. S. Perdicaro, Giuseppe Condorelli, Marco Mauceri y Francesco La Via. "Towards Large Area (111)3C-SiC Films Grown on Off-Oriented (111)Si". Materials Science Forum 615-617 (marzo de 2009): 149–52. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.615-617.149.
Texto completoStesmans, A. y G. Van Gorp. "⋅Si≡Si3defect at thermally grown (111)Si/Si3N4interfaces". Physical Review B 52, n.º 12 (15 de septiembre de 1995): 8904–20. http://dx.doi.org/10.1103/physrevb.52.8904.
Texto completoLanczycki, C. J., R. Kotlyar, E. Fu, Y. N. Yang, E. D. Williams y S. Das Sarma. "Growth of Si on the Si(111) surface". Physical Review B 57, n.º 20 (15 de mayo de 1998): 13132–48. http://dx.doi.org/10.1103/physrevb.57.13132.
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