Artículos de revistas sobre el tema "Β-FeSi2"
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Tsunoda, Tatsuo, Masakazu Mukaida, Akio Watanabe y Yoji Imai. "Composition dependence of morphology, structure, and thermoelectric properties of FeSi2 films prepared by sputtering deposition". Journal of Materials Research 11, n.º 8 (agosto de 1996): 2062–70. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.1996.0259.
Texto completoNanko, Makoto, Se Hun Chang, Koji Matsumaru, Kozo Ishizaki y Masatoshi Takeda. "Isothermal Oxidation of Sintered β-FeSi2 in Air". Materials Science Forum 522-523 (agosto de 2006): 641–48. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.522-523.641.
Texto completoHong, Soon Jik, Chang Kyu Rhee y Byong Sun Chun. "Phase Transition and Thermoelectric Property of Ultra-Fine Structured β-FeSi2 Compounds". Solid State Phenomena 118 (diciembre de 2006): 591–96. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.118.591.
Texto completoMeng, Qing Sen, Wen Hao Fan, L. Q. Wang y L. Z. Ding. "Effect of FAPAS Process on the Thermoelectric Properties of β-FeSi2". Materials Science Forum 650 (mayo de 2010): 137–41. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.650.137.
Texto completoKawabata, Naoki y Kazuhiro Nakamura. "Transformation from ε-FeSi to β- FeSi2 in RF-sputtered FeSix films". Physics Procedia 11 (2011): 87–90. http://dx.doi.org/10.1016/j.phpro.2011.01.036.
Texto completoKloc, Ch, E. Arushanov, M. Wendl, H. Hohl, U. Malang y E. Bucher. "Preparation and properties of FeSi, α-FeSi2 and β-FeSi2 single crystals". Journal of Alloys and Compounds 219, n.º 1-2 (marzo de 1995): 93–96. http://dx.doi.org/10.1016/0925-8388(94)05055-4.
Texto completoKLOC, CH, E. ARUSHANOV, M. WENDL, H. HOHL, U. MALANG y E. BUCHER. "ChemInform Abstract: Preparation and Properties of FeSi, α-FeSi2 and β-FeSi2 Single Crystals." ChemInform 26, n.º 32 (17 de agosto de 2010): no. http://dx.doi.org/10.1002/chin.199532022.
Texto completoLaila, Assayidatul y Makoto Nanko. "Characterization of Cast Iron Scrap Chips toward β-FeSi2 Thermoelectric Materials". Materials Science Forum 804 (octubre de 2014): 3–6. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.804.3.
Texto completoCho, Sung-Pyo, Yoshiaki Nakamura, Jun Yamasaki, Eiji Okunishi, Masakazu Ichikawa y Nobuo Tanaka. "Microstructure and interdiffusion behaviour of β-FeSi2 flat islands grown on Si(111) surfaces". Journal of Applied Crystallography 46, n.º 4 (4 de julio de 2013): 1076–80. http://dx.doi.org/10.1107/s0021889813015355.
Texto completoEguchi, Hajime, Motoki Iinuma, Hirofumi Hoshida, Naoki Murakoso y Yoshikazu Terai. "Growth of Sb-Doped β-FeSi2 Epitaxial Films and Optimization of Donor Activation Conditions". Defect and Diffusion Forum 386 (septiembre de 2018): 38–42. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ddf.386.38.
Texto completoChen, Xiangdong, Lianwei Wang, Qinwo Shen, Rushan Ni y Chenglu Lin. "Characterization of FeSix film by codeposition on β‐FeSi2 template". Applied Physics Letters 68, n.º 20 (13 de mayo de 1996): 2858–60. http://dx.doi.org/10.1063/1.116348.
Texto completoAkiyama, Kensuke, Hiroshi Funakubo y Masaru Itakura. "Epitaxial growth of (010)-oriented β-FeSi2 film on Si(110) substrate". MRS Proceedings 1493 (2013): 189–94. http://dx.doi.org/10.1557/opl.2013.407.
Texto completoSuvorova, Elena I., Natalya A. Arkharova, Anna G. Ivanova, Fedor Yu Solomkin y Philippe A. Buffat. "Phases and Interfaces in the Cr–Fe–Si Ternary System: X-ray Diffraction and Electron Microscopy Study". Inorganics 11, n.º 2 (3 de febrero de 2023): 73. http://dx.doi.org/10.3390/inorganics11020073.
Texto completoAkiyama, Kensuke, Yuu Motoizumi, Tetsuya Okuda, Hiroshi Funakubo, Hiroshi Irie y Yoshihisa Matsumoto. "Synthesis and Photocatalytic Properties of Iron Disilicide/SiC Composite Powder". MRS Advances 2, n.º 8 (2017): 471–76. http://dx.doi.org/10.1557/adv.2017.221.
Texto completoGotoh, Kouhei, Hirokazu Suzuki, Haruhiko Udono, Isao Kikuma, Fumitaka Esaka, Masahito Uchikoshi y Minoru Isshiki. "Single crystalline β-FeSi2 grown using high-purity FeSi2 source". Thin Solid Films 515, n.º 22 (agosto de 2007): 8263–67. http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2007.02.066.
Texto completoLi, Xiao Na, Bing Hu, Chuang Dong y Xin Jiang. "Structural Evolution Upon Annealing of Multi-Layer Si/Fe Thin Films Prepared by Magnetron Sputtering". Materials Science Forum 561-565 (octubre de 2007): 1161–64. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.561-565.1161.
Texto completoArushanov, Ernest y Konstantin G. Lisunov. "Transport properties of β-FeSi2". Japanese Journal of Applied Physics 54, n.º 7S2 (27 de abril de 2015): 07JA02. http://dx.doi.org/10.7567/jjap.54.07ja02.
Texto completoPandey, Tribhuwan, David J. Singh, David Parker y Abhishek K. Singh. "Thermoelectric properties of β-FeSi2". Journal of Applied Physics 114, n.º 15 (21 de octubre de 2013): 153704. http://dx.doi.org/10.1063/1.4825217.
Texto completoChristensen, N. E. "Electronic structure of β-FeSi2". Physical Review B 42, n.º 11 (15 de octubre de 1990): 7148–53. http://dx.doi.org/10.1103/physrevb.42.7148.
Texto completoOotsuka, Teruhisa, Yasunori Fudamoto, Masato Osamura, Takashi Suemasu, Yunosuke Makita, Yasuhiro Fukuzawa y Yasuhiko Nakayama. "Photoresponse properties of Al∕n-β-FeSi2 Schottky diodes using β-FeSi2 single crystals". Applied Physics Letters 91, n.º 14 (octubre de 2007): 142114. http://dx.doi.org/10.1063/1.2789706.
Texto completoHeinrich, A., H. Griessmann, G. Behr, K. Ivanenko, J. Schumann y H. Vinzelberg. "Thermoelectric properties of β-FeSi2 single crystals and polycrystalline β-FeSi2+x thin films". Thin Solid Films 381, n.º 2 (enero de 2001): 287–95. http://dx.doi.org/10.1016/s0040-6090(00)01758-2.
Texto completoCharoenyuenyao, Peerasil, Nathaporn Promros, Rawiwan Chaleawpong, Nattakorn Borwornpornmetee, Pattarapol Sittisart, Yūki Tanaka y Tsuyoshi Yoshitake. "Wettability, Surface Morphology and Structural Properties of β-FeSi2 Films Manufactured Through Usage of Radio-Frequency Magnetron Sputtering". Journal of Nanoscience and Nanotechnology 20, n.º 8 (1 de agosto de 2020): 5075–81. http://dx.doi.org/10.1166/jnn.2020.17839.
Texto completoCosta, Benilde F. O., Gerard Le Caër y M. Ramos Silva. "Ball Milling of the β-FeSi2 Phase". Materials Science Forum 587-588 (junio de 2008): 410–14. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.587-588.410.
Texto completoLin, X. W., Z. Liliental-Weber, J. Washburn, J. Desimoni y H. Bernas. "Formation of β-FeSi2, by thermal annealing of Fe-implanted (001) Si". Proceedings, annual meeting, Electron Microscopy Society of America 51 (1 de agosto de 1993): 808–9. http://dx.doi.org/10.1017/s0424820100149878.
Texto completoBosholm, O., H. Oppermann y S. Däbritz. "Chemischer Transport intermetallischer Phasen, II: Das System Fe-Si/Chemical Vapour Transport of Intermetallic Phases, II: The System Fe-Si". Zeitschrift für Naturforschung B 55, n.º 7 (1 de julio de 2000): 614–26. http://dx.doi.org/10.1515/znb-2000-0709.
Texto completoMuroga, M., H. Suzuki, H. Udono, I. Kikuma, A. Zhuravlev, K. Yamaguchi, H. Yamamoto y T. Terai. "Growth of β-FeSi2 thin films on β-FeSi2 (110) substrates by molecular beam epitaxy". Thin Solid Films 515, n.º 22 (agosto de 2007): 8197–200. http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2007.02.040.
Texto completoVisotin, Maxim A., I. A. Tarasov, A. S. Fedorov, S. N. Varnakov y S. G. Ovchinnikov. "Prediction of orientation relationships and interface structures between α-, β-, γ-FeSi2 and Si phases". Acta Crystallographica Section B Structural Science, Crystal Engineering and Materials 76, n.º 3 (22 de mayo de 2020): 469–82. http://dx.doi.org/10.1107/s2052520620005727.
Texto completoTheis, Jens, Robert Bywalez, Sebastian Küpper, Axel Lorke y Hartmut Wiggers. "Charge storage in β-FeSi2 nanoparticles". Journal of Applied Physics 117, n.º 5 (7 de febrero de 2015): 054303. http://dx.doi.org/10.1063/1.4906500.
Texto completoArushanov, E., Ch Kloc y E. Bucher. "Impurity band inp-type β-FeSi2". Physical Review B 50, n.º 4 (15 de julio de 1994): 2653–56. http://dx.doi.org/10.1103/physrevb.50.2653.
Texto completoHigashi, T., T. Nagase y I. Yamauchi. "Long period structure of β-FeSi2". Journal of Alloys and Compounds 339, n.º 1-2 (junio de 2002): 96–99. http://dx.doi.org/10.1016/s0925-8388(01)01975-2.
Texto completoDaraktchieva, V., M. Baleva, E. Goranova y Ch Angelov. "Ion beam synthesis of β-FeSi2". Vacuum 58, n.º 2-3 (agosto de 2000): 415–19. http://dx.doi.org/10.1016/s0042-207x(00)00199-8.
Texto completoHe, J. Y., X. Wang, X. L. Wu y Paul K. Chu. "Anisotropic etching of microscale β-FeSi2 particles: Formation, mechanism, and quantum confinement of β-FeSi2 nanowhiskers". RSC Advances 2, n.º 8 (2012): 3254. http://dx.doi.org/10.1039/c2ra00893a.
Texto completoSuzuno, Mitsushi, Keiichi Akutsu, Hideki Kawakami, Kensuke Akiyama y Takashi Suemasu. "Metalorganic chemical vapor deposition of β-FeSi2 on β-FeSi2 seed crystals formed on Si substrates". Thin Solid Films 519, n.º 24 (octubre de 2011): 8473–76. http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2011.05.029.
Texto completoFedorov, A. S., A. A. Kuzubov, T. A. Kozhevnikova, N. S. Eliseeva, N. G. Galkin, S. G. Ovchinnikov, A. A. Saranin y A. V. Latyshev. "Features of the structure and properties of β-FeSi2 nanofilms and a β-FeSi2/Si interface". JETP Letters 95, n.º 1 (marzo de 2012): 20–24. http://dx.doi.org/10.1134/s0021364012010055.
Texto completoEsaka, F., H. Yamamoto, H. Udono, N. Matsubayashi, K. Yamaguchi, S. Shamoto, M. Magara y T. Kimura. "Spectroscopic characterization of β-FeSi2 single crystals and homoepitaxial β-FeSi2 films by XPS and XAS". Applied Surface Science 257, n.º 7 (enero de 2011): 2950–54. http://dx.doi.org/10.1016/j.apsusc.2010.10.097.
Texto completoGrimaldi, M. G., G. Franzò, S. Ravesi, A. Terrasi, C. Spinella y A. La Mantia. "Formation of epitaxial γ-FeSi2 and β-FeSi2 layers on (111) Si". Applied Surface Science 74, n.º 1 (enero de 1994): 19–26. http://dx.doi.org/10.1016/0169-4332(94)90095-7.
Texto completoPolyakova, E. G. "DEVICE STRUCTURES BASED ON β-FeSi2 (OVERVIEW)". Electronic engineering. Series 2. Semiconductor device 249, n.º 2 (2018): 4–18. http://dx.doi.org/10.36845/2073-8250-2018-249-2-4-18.
Texto completoOkajima, Keiichi, Ching-ju Wen, Manabu Ihara, Isao Sakata y Koichi Yamada. "Optical and Electrical Properties of β-FeSi2/Si, β-FeSi2/InP Heterojunction Prepared by RF-Sputtering Deposition". Japanese Journal of Applied Physics 38, Part 1, No. 2A (15 de febrero de 1999): 781–86. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.38.781.
Texto completoOlk, C. H., O. P. Karpenko, S. M. Yalisove, G. L. Doll y J. F. Mansfield. "Growth of epitaxial β-FeSi2 thin films by pulsed laser deposition on silicon (111)". Journal of Materials Research 9, n.º 11 (noviembre de 1994): 2733–36. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.1994.2733.
Texto completoKimura, Yoshisato, Hiroaki Otani, Ayaka Mori y Yaw-Wang Chai. "Evaluation of Microstructure Formation and Phase Equilibria for Thermoelectric β-FeSi2 Composite Alloys". MRS Advances 2, n.º 26 (2017): 1369–74. http://dx.doi.org/10.1557/adv.2017.115.
Texto completoZhang, Chi, Zhi Hao Zhang, Zhi Peng Jiang, Wei Li Wang y Jian Xin Xie. "Effects of Melt Cyclical Superheating Conditions on the Microstructure of FeSi2 Alloy". Materials Science Forum 789 (abril de 2014): 320–27. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.789.320.
Texto completoGalkin, Nikolay G., Konstantin Nickolaevich Galkin, Evgeniy Y. Subbotin, Evgeniy Anatoljevich Chusovotin y Dmitrii L. Goroshko. "Multilayer Heterostructures with Embedded CrSi2 and β-FeSi2 Nanocrystals on Si(111) Substrate: From the Formation to Photoelectric Properties". Solid State Phenomena 312 (noviembre de 2020): 45–53. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.312.45.
Texto completoInaba, T., Y. Saito, H. Kominami, Y. Nakanishi, K. Murakami, T. Matsuyama y H. Tatsuoka. "Growth of SiOx nanofibers using FeSi and β-FeSi2 substrates with Ga droplets". Thin Solid Films 515, n.º 22 (agosto de 2007): 8158–61. http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2007.02.031.
Texto completoOhishi, T., A. Mishina, I. Yamauchi, T. Matsuyama y H. Tatsuoka. "Structural property of β-FeSi2 layers deposited on FeSi from a molten salt". Thin Solid Films 515, n.º 22 (agosto de 2007): 8201–4. http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2007.02.039.
Texto completoTani, Jun-ichi y Hiroyasu Kido. "Electrical Properties of Cr-Doped β-FeSi2". Japanese Journal of Applied Physics 38, Part 1, No. 5A (15 de mayo de 1999): 2717–20. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.38.2717.
Texto completoRebien, M., W. Henrion, U. Müller y S. Gramlich. "Exciton absorption in β-FeSi2 epitaxial films". Applied Physics Letters 74, n.º 7 (15 de febrero de 1999): 970–72. http://dx.doi.org/10.1063/1.123426.
Texto completoDimitriadis, C. A. "Electrical properties of β‐FeSi2/Si heterojunctions". Journal of Applied Physics 70, n.º 10 (15 de noviembre de 1991): 5423–26. http://dx.doi.org/10.1063/1.350372.
Texto completoTerrasi, A., S. Ravesi, M. G. Grimaldi y C. Spinella. "Ion beam assisted growth of β‐FeSi2*". Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films 12, n.º 2 (marzo de 1994): 289–94. http://dx.doi.org/10.1116/1.578870.
Texto completoArushanov, E., J. H. Schön y H. Lange. "Transport properties of Cr-doped β-FeSi2". Thin Solid Films 381, n.º 2 (enero de 2001): 282–86. http://dx.doi.org/10.1016/s0040-6090(00)01757-0.
Texto completoMaeda, Yoshihito. "Semiconducting β-FeSi2 towards optoelectronics and photonics". Thin Solid Films 515, n.º 22 (agosto de 2007): 8118–21. http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2007.02.023.
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