Relevant bibliographies by topics / Гетероструктурні транзистори

Academic literature on the topic 'Гетероструктурні транзистори'

Author: Grafiati
Published: 30 May 2022
Last updated: 31 May 2022

Create a spot-on reference in APA, MLA, Chicago, Harvard, and other styles

Select a source type:

Contents

Consult the lists of relevant articles, books, theses, conference reports, and other scholarly sources on the topic 'Гетероструктурні транзистори.'

Next to every source in the list of references, there is an 'Add to bibliography' button. Press on it, and we will generate automatically the bibliographic reference to the chosen work in the citation style you need: APA, MLA, Harvard, Chicago, Vancouver, etc.

You can also download the full text of the academic publication as pdf and read online its abstract whenever available in the metadata.

Journal articles on the topic "Гетероструктурні транзистори"

1

Ерофеев, Е. В., И. В. Федин, В. В. Федина, М. В. Степаненко, and А. В. Юрьева. "Мощные GaN-транзисторы с подзатворной областью на основе МДП-структур." Физика и техника полупроводников 51, no. 9 (2017): 1278. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2017.09.44895.8569.

Full text
Abstract:
Транзисторы с высокой подвижностью электронов на основе эпитаксиальных гетероструктур AlGaN/GaN являются перспективной элементной базой для создания устройств силовой электроники следующего поколения. Это обусловлено как высокой подвижностью носителей заряда в канале транзистора, так и высокой электрической прочностью материала, позволяющей достичь высоких напряжений пробоя. Для применения в силовых коммутационных устройствах требуются нормально закрытые GaN-транзисторы, работающие в режиме обогащения. Для создания нормально закрытых GaN-транзисторов чаще всего используют подзатворную область на основе GaN p-типа, легированного магнием (p-GaN). Однако оптимизация толщины эпитаксиального слоя p-GaN и уровня легирования позволяет добиться порогового напряжения отпирания GaN-транзисторов, близкого к Vth=+2 В. В настоящей работе показано, что использование подзатворной МДП-структуры в составе p-GaN-транзистора приводит к увеличению порогового напряжения отпирания до Vth=+6.8 В, которое в широком диапазоне будет определяться толщиной подзатворного диэлектрика. Кроме того, установлено, что использование МДП-структуры приводит к уменьшению начального тока транзистора, а также затворного тока в открытом состоянии, что позволит уменьшить потери энергии при управлении мощными GaN-транзисторами. DOI: 10.21883/FTP.2017.09.44895.8569
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
2

Журавлев, К. С., Т. В. Малин, В. Г. Мансуров, О. Е. Терещенко, К. К. Абгарян, Д. Л. Ревизников, В. Е. Земляков, et al. "AlN/GaN-гетероструктуры для нормально закрытых транзисторов." Физика и техника полупроводников 51, no. 3 (2017): 395. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2017.03.44215.8287.

Full text
Abstract:
Рассчитана конструкция AlN/GaN гетероструктур со сверхтонким AlN-барьером для нормально закрытых транзисторов. Развита технология молекулярно-лучевой эпитаксии in situ пассивированных гетероструктур SiN/AlN/GaN с двумерным электронным газом. Продемонстрированы нормально закрытые транзисторы с максимальной плотностью тока около 1 А/мм, напряжением насыщения 1 В, крутизной до 350 мС/мм, пробивным напряжением более 60 В. В транзисторах практически отсутствуют эффекты затворного и стокового коллапса тока. DOI: 10.21883/FTP.2017.03.44215.8287
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
3

Ерофеев, Е. В., И. В. Федин, И. В. Кутков, and Ю. Н. Юрьев. "Увеличение порогового напряжения отпирания силовых GaN-транзисторов при использовании низкотемпературной обработки в потоке атомарного водорода." Физика и техника полупроводников 51, no. 2 (2017): 253. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2017.02.44114.8298.

Full text
Abstract:
Транзисторы с высокой подвижностью электронов на основе эпитаксиальных гетероструктур AlGaN/GaN являются перспективной элементной базой для создания устройств силовой электроники следующего поколения. Это обусловлено как высокой подвижностью носителей заряда в канале транзистора, так и высокой электрической прочностью материала, позволяющей достичь высоких напряжений пробоя. Для применения в силовых коммутационных устройствах требуются нормально-закрытые GaN-транзисторы, работающие в режиме обогащения. Для создания нормально-закрытых GaN-транзисторов чаще всего используют подзатворную область на основе GaN p-типа проводимости, легированного магнием (p-GaN). Однако оптимизация толщины эпитаксиального слоя p-GaN и уровня легирования позволяет добиться порогового напряжения отпирания GaN-транзисторов, близкого к Vth=+2 В. В настоящей работе показано, что применение низкотемпературной обработки в потоке атомарного водорода подзатворной области на основе p-GaN перед осаждением слоев затворной металлизации позволяет увеличить пороговое напряжение транзистора до Vth=+3.5 В. Наблюдаемые эффекты могут быть обусловлены формированием дипольного слоя на поверхности p-GaN, индуцированного воздействием атомарного водорода. Термическая обработка GaN-транзисторов, подвергшихся водородной обработке, в среде азота при температуре T=250oC в течение 12 ч не выявила деградации электрических параметров транзистора, что может быть обусловено формированием термически стабильного дипольного слоя на границе раздела металл/p-GaN в результате гидрогенезации. DOI: 10.21883/FTP.2017.02.44114.8298
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
4

Егоркин, В. И., А. А. Зайцев, В. Е. Земляков, В. В. Капаев, and О. Б. Кухтяева. "GAN/ALGAN ГЕТЕРОСТРУКТУРНЫЙ ТРАНЗИСТОР НОРМАЛЬНОЗАКРЫТОГО ТИПА С P-ЗАТВОРОМ ДЛЯ ВЫСОКОВОЛЬТНЫХ ПРИБОРОВ." NANOINDUSTRY Russia 96, no. 3s (June 15, 2020): 133–36. http://dx.doi.org/10.22184/1993-8578.2020.13.3s.133.136.

Full text
Abstract:
Представлено моделирование нормально-закрытого транзистора на основе гетероструктуры p-GaN/AlN/AlGaN/ AlN/GaN, рассматриваются зонные диаграммы и зависимости концентрации носителей заряда в канале от конструкции гетероструктуры. Основной целью является создание нормально-закрытых транзисторов для применения в силовой электронике. Продемонстрирована возможность получения таких транзисторов. The article demonstrates simulation of normally-off transistor based on heterostructure p-GaN/AlN/AlGaN/AlN/GaN. The band diagrams and dependences of channel carrier density on heterostructure parameters have been considered. The key aim is fabrication of a high-voltage normally-off transistor. A possibility of the transistor fabrication has been presented in this paper.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
5

Езубченко, И. С., М. Я. Черных, А. А. Андреев, Ю. В. Грищенко, И. А. Черных, and М. Л. Занавескин. "Гетероструктуры на основе нитрида галлия на подложках кремния для мощных СВЧ-транзисторов." Российские нанотехнологии 14, no. 7-8 (January 18, 2020): 77–80. http://dx.doi.org/10.21517/1992-7223-2019-7-8-77-80.

Full text
Abstract:
Предложен и реализован уникальный метод формирования гетероструктур на основе нитрида галлия на подложках кремния при пониженных температурах роста (менее 950°С). Сформированная гетероструктура обладает атомарно-гладкой поверхностью со средней квадратичной шероховатостью 0.45 нм и высоким кристаллическим качеством. Среднее слоевое сопротивление канала двумерного электронного газа составило 415 Ом/квадрат при концентрации электронов 1.65 · 1013 см–2 и подвижности 920 см2 /В · с. Максимальная величина тока насыщения стока для транзисторов с шириной затвора 1.2 мм составила 930 мА/мм, что соответствует лучшим мировым результатам для нитрид-галлиевых транзисторов на подложках кремния.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
6

Федотов, С. Д., В. В. Лундин, Е. Е. Заварин, А. В. Сахаров, А. Ф. Цацульников, Е. М. Соколов, В. Н. Стаценко, et al. "ИСПОЛЬЗОВАНИЕ СВЕРХВЫСОКООМНЫХ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР КРЕМНИЯ ДИАМЕТРОМ ДО 150 ММ ДЛЯ РОСТА GA(AL)N-СОЕДИНЕНИЙ МЕТОДОМ МОГФЭ." Nanoindustry Russia 14, no. 7s (October 3, 2021): 197–200. http://dx.doi.org/10.22184/1993-8578.2021.14.7s.197.200.

Full text
Abstract:
В докладе показаны актуальные результаты разработки отечественной технологии выращивания гетероструктур на основе нитрида галлия (GaN) на сверхвысокоомных эпитаксиальных структурах кремния диаметром 150 мм. Получены структуры Ga(Al)N/Si диаметром до 150 мм с подвижностью электронов в 2DEG более 1500 см2В-1с-1, изготовлены тестовые транзисторы GaN HEMT с напряжением отсечки порядка -6,5 В, максимальным током стока насыщения 570 мА/мм, крутизной транзисторов не менее 100 мСм/мм и пробивным напряжением более 200 В.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
7

Суханов, М. А., А. К. Бакаров, and К. С. Журавлёв. "AlSb/InAs-гетероструктуры для СВЧ-транзисторов." Письма в журнал технической физики 47, no. 3 (2021): 37. http://dx.doi.org/10.21883/pjtf.2021.03.50574.18588.

Full text
Abstract:
The paper describes the features of the MBE growth process of AlSb / InAs heterostructures with a high-mobility two-dimensional electron gas for UHF transistors with ultra-low power consumption. The main stages of manufacturing transistors based on AlSb / InAs heterostructures are outlined. The drain and transfer characteristics of transistors are presented and discussed.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
8

Москалюк, Владимир, Владимир Тимофеев, and Константин Куликов. "ЭЛЕКТРОННЫЙ ТРАНСПОРТ В ГЕТЕРОТРАНЗИСТОРАХ КВАНТОВОЙ ЯМОЙ." SWorldJournal, no. 06-06 (December 30, 2018): 16–25. http://dx.doi.org/10.30888/2663-5712.2020-06-06-137.

Full text
Abstract:
У роботі наведено аналіз процесів електронного транспорту у квантових ямах субмікронних гетероструктурних транзисторів. Розроблено методики моделювання процесів у наногетероструктурах з урахуванням деяких квантових ефектів та специфічних для потрійних сп
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
9

Москалюк, Владимир, Владимир Тимофеев, and Константин Куликов. "ЭЛЕКТРОННЫЙ ТРАНСПОРТ В ГЕТЕРОТРАНЗИСТОРАХ КВАНТОВОЙ ЯМОЙ." SWorldJournal, no. 06-06 (December 30, 2018): 16–25. http://dx.doi.org/10.30888/2410-6615.2020-06-06-137.

Full text
Abstract:
У роботі наведено аналіз процесів електронного транспорту у квантових ямах субмікронних гетероструктурних транзисторів. Розроблено методики моделювання процесів у наногетероструктурах з урахуванням деяких квантових ефектів та специфічних для потрійних сп
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
10

Миннебаев, С. М., А. В. Черных, В. М. Миннебаев, and А. В. Редька. "МЕТОДЫ ПРОВЕДЕНИЯ ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЙ ОПЕРАЦИИ СОВМЕЩЕНИЯ СЛОЕВ ПРИ ИЗГОТОВЛЕНИИ СВЧ-ТРАНЗИСТОРОВ НА ОСНОВЕ ГЕТЕРОСТРУКТУР ALGAN/GAN ПРИ КОНТАКТНОЙ ФОТОЛИТОГРАФИИ." NANOINDUSTRY Russia 13, no. 4s (August 11, 2020): 462–64. http://dx.doi.org/10.22184/1993-8578.2020.13.4s.462.464.

Full text
Abstract:
Развитие микроэлектроники стало возможным благодаря совершенствованию техники и разработанной для этой техники технологии. В работе в ходе подготовки комплекта фотошаблонов для изготовления СВЧ-транзисторов на основе гетероструктур AlGaN/GaN разработана метка совмещения с точностью ±0,2 мкм.
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
More sources

Dissertations / Theses on the topic "Гетероструктурні транзистори"

1

Семеновская, Елена Владимировна. "Моделирование электротепловых процессов в субмикронных гетероструктурах." Doctoral thesis, 2011. https://ela.kpi.ua/handle/123456789/955.

Full text
APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles
You might also be interested in the extended bibliographies on the topic 'Гетероструктурні транзистори' for particular source types:
Journal articles
We offer discounts on all premium plans for authors whose works are included in thematic literature selections. Contact us to get a unique promo code!

To the bibliography