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  2. Dissertations / Theses
  3. Conference papers

Academic literature on the topic 'Technologie FDSOI-28nm'

Author: Grafiati
Published: 25 May 2024

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Journal articles on the topic "Technologie FDSOI-28nm"

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Karel, Amit, Florence Azaïs, Mariane Comte, Jean-Marc Gallière, and Michel Renovell. "Analytical Models for the Evaluation of Resistive Short Defect Detectability in Presence of Process Variations: Application to 28nm Bulk and FDSOI Technologies." Journal of Electronic Testing 35, no. 1 (2019): 59–75. http://dx.doi.org/10.1007/s10836-019-05776-1.

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Dissertations / Theses on the topic "Technologie FDSOI-28nm"

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Fonseca, Alexandre. "Conception et réalisation de circuits de génération de fréquence en technologie FDSOI 28nm." Thesis, Nice, 2015. http://www.theses.fr/2015NICE4100/document.

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Abstract:
Le déploiement à grande échelle de l’internet des objets nécessite le développement de systèmes de radiocommunication plus économes en énergie, dont le circuit de génération de fréquences est connu pour être particulièrement énergivore. L’objectif de ce travail de thèse est donc d’une part de développer une synthèse de fréquences très faible consommation et d’autre part de démontrer les performances de la technologie FDSOI pour des applications analogiques et radiofréquences. Dans le premier chapitre sont présentées les spécifications du standard choisi -le BLE-, les spécificités de la technol
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Daubriac, Richard. "Caractérisation de techniques d'implantations ioniques alternatives pour l'optimisation du module source-drain de la technologie FDSOI 28nm." Thesis, Toulouse, INSA, 2018. http://www.theses.fr/2018ISAT0031/document.

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Abstract:
Durant ces dernières années, l’apparition de nouvelles architectures (FDSOI, FinFETs ou NW-FETs) et l’utilisation de nouveaux matériaux (notamment SiGe) ont permis de repousser les limites des performances des dispositifs MOS et de contourner l’effet canal court inhérent à la miniaturisation des composants. Cependant, pour toutes ces nouvelles architectures, la résistance de contact se dégrade au fil des nœuds technologiques. Celle-ci dépend fortement de deux paramètres physiques : la concentration de dopants actifs proches de la surface du semi-conducteur et de la hauteur de barrière Schottky
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Bernard, Sébastien. "Bascules à impulsion robustes en technologie 28nm FDSOI pour circuits numériques basse consommation à très large gamme de tension d'alimentation." Thesis, Grenoble, 2014. http://www.theses.fr/2014GRENT071/document.

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Abstract:
Avec l'explosion du marché des applications portables et le paradigme de l'Internet des objets, la demande pour les circuits à très haute efficacité énergétique ne cesse de croître. Afin de repousser les limites de la loi de Moore, une nouvelle technologie est apparue très récemment dans les procédés industriels afin de remplacer la technologie en substrat massif ; elle est nommée fully-depleted silicon on insulator ou FDSOI. Dans les circuits numériques synchrones modernes, une grande portion de la consommation totale du circuit provient de l'arbre d'horloge, et en particulier son extrémité :
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González, Santos Ángel de Dios. "Circuits de traitement de signal numérique en temps continu ultra-faible consommation en technologie 28nm FDSOI pour applications audio." Thesis, Lille 1, 2020. http://www.theses.fr/2020LIL1I047.

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Abstract:
L’objectif de ce travail c’est l’étude et développement d’un système d’extraction des caractéristiques en utilisant techniques de traitement de signal en temps continu, afin de mitiger les inconvénients des implémentations existants basées en techniques analogiques et numériques conventionnelles, d’un système toujours en veille pour l’Internet des Objets. La cible est l’extraction du contenu spectral d’un signal audio en utilisant une nouvelle architecture basée en une cascade configurable de filtres à réponse impulsionnelle fini en temps continu. Un schéma efficace pour cascader des filtres e
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Sarimin, Nuraishah. "Transmitter design in the 60 GHz frequency band." Thesis, Paris 6, 2017. http://www.theses.fr/2017PA066638.

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Abstract:
Avec la prolifération des appareils électroniques portables et mobiles communicants, il est recommandé de pouvoir échanger des données rapidement et commodément entre les appareils. Avec la pénurie de bande passante et la congestion dans le spectre des fréquences faibles, la technologie de communication à ondes millimétriques (Mm-wave) est considérée comme l'une des technologies clés du futur pour permettre des applications sans fil à débit élevé grâce à son large spectre abondant. Les nœuds de technologie CMOS avancés sont dotés de ft et fmax plus élevés qui permettent une utilisation peu coû
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Sourikopoulos, Ilias. "Techniques de traitement numérique en temps continu appliquées à l'égalisation de canal pour communications millimétriques à faible consommation." Thesis, Lille 1, 2015. http://www.theses.fr/2015LIL10189/document.

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Abstract:
Les récepteurs pour les communications sans fil très haut débit à 60 GHz tirent profit des innovations des liens filaires afin de réduire le budget de puissance, ce qui permettra l'intégration de la prochaine génération des terminaux portables sans fil. L’implémentation d’un égaliseur de canal à décision rétroactive, utilisant des signaux mixtes, est proposé pour diminuer la consommation globale du système. Dans ce mémoire, la réduction de consommation est atteinte par l'élimination de l'horloge du chemin de rétroaction de l’égaliseur. Inspiré par des récents développements en traitement des s
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Biswas, Avishek Ph D. Massachusetts Institute of Technology. "Energy-efficient SRAM design in 28nm FDSOI Technology." Thesis, Massachusetts Institute of Technology, 2014. http://hdl.handle.net/1721.1/91095.

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Abstract:
Thesis: S.M., Massachusetts Institute of Technology, Department of Electrical Engineering and Computer Science, 2014.<br>48<br>Cataloged from PDF version of thesis.<br>Includes bibliographical references (pages 75-81).<br>As CMOS scaling continues to sub-32nm regime, the effects of device variations become more prominent. This is very critical in SRAMs, which use very small transistor dimensions to achieve high memory density. The conventional 6T SRAM bit-cell, which provides the smallest cell-area, fails to operate at lower supply voltages (Vdd). This is due to the significant degradation of
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Mahmoud, Doaa. "Convertisseur analogique-numérique de type Sigma-Delta Passe-Bande avec résonateurs à un et deux amplificateurs." Electronic Thesis or Diss., Sorbonne université, 2021. http://www.theses.fr/2021SORUS288.

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Abstract:
Le récepteur radio logicielle (SDR) est une technique prometteuse pour les futurs récepteurs adaptés à une variété de protocoles. Il numérise le signal RF directement en basse fréquence. Nous proposons un récepteur SDR basé sur un modulateur sigma-delta à temps continu passe-bande (CT BP ). Nous nous concentrons sur les résonateurs RC actifs pour diminuer la surface du circuit. Nous ciblons les applications au voisinage de 400 MHz, à savoir Advanced Research and Global Observation Satellite (ARGOS), Medical Implant Communication Service (MICS), Automobile Keyless system et Industrial, Scientif
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Lorrain, Vincent. "Etude et conception de circuits innovants exploitant les caractéristiques des nouvelles technologies mémoires résistives." Thesis, Université Paris-Saclay (ComUE), 2018. http://www.theses.fr/2018SACLS182/document.

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Abstract:
Dans cette thèse, nous étudions les approches calculatoires dédiées des réseaux de neurones profonds et plus particulièrement des réseaux de neurones convolutionnels (CNN). En effet, l'efficacité des réseaux de neurones convolutionnels en font des structures calculatoires intéressantes dans de nombreuses applications. Nous étudions les différentes possibilités d'implémentation de ce type de réseaux pour en déduire leur complexité calculatoire. Nous montrons que la complexité calculatoire de ce type de structure peut rapidement devenir incompatible avec les ressources de l'embarqué. Pour résoud
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Sarimin, Nuraishah. "Transmitter design in the 60 GHz frequency band." Electronic Thesis or Diss., Paris 6, 2017. http://www.theses.fr/2017PA066638.

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Abstract:
Avec la prolifération des appareils électroniques portables et mobiles communicants, il est recommandé de pouvoir échanger des données rapidement et commodément entre les appareils. Avec la pénurie de bande passante et la congestion dans le spectre des fréquences faibles, la technologie de communication à ondes millimétriques (Mm-wave) est considérée comme l'une des technologies clés du futur pour permettre des applications sans fil à débit élevé grâce à son large spectre abondant. Les nœuds de technologie CMOS avancés sont dotés de ft et fmax plus élevés qui permettent une utilisation peu coû
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Conference papers on the topic "Technologie FDSOI-28nm"

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Kheirallah, Rida, Nadine Azemard, and Gilles Ducharme. "Energy study for 28nm FDSOI technology." In 2015 International Workshop on CMOS Variability (VARI). IEEE, 2015. http://dx.doi.org/10.1109/vari.2015.7456558.

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Hutin, Louis, Olivier Rozeau, Veronique Carron, et al. "Junction technology outlook for sub-28nm FDSOI CMOS." In 2014 14th International Workshop on Junction Technology (IWJT). IEEE, 2014. http://dx.doi.org/10.1109/iwjt.2014.6842050.

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de Albuquerque, T. Chaves, F. Calmon, R. Clerc, et al. "Integration of SPAD in 28nm FDSOI CMOS technology." In 48th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2018). IEEE, 2018. http://dx.doi.org/10.1109/essderc.2018.8486852.

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Lee, K., W. J. Kim, J. H. Lee, et al. "1Gbit High Density Embedded STT-MRAM in 28nm FDSOI Technology." In 2019 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM). IEEE, 2019. http://dx.doi.org/10.1109/iedm19573.2019.8993551.

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Ji, Y., H. J. Goo, J. Lim, et al. "Reliability of 8Mbit Embedded-STT-MRAM in 28nm FDSOI Technology." In 2019 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS). IEEE, 2019. http://dx.doi.org/10.1109/irps.2019.8720429.

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Kadura, L., O. Rozeau, L. Grenouillet, et al. "1T Linear-Log Response Pixel Sensor in 28nm FDSOI Technology." In 2018 International Conference on Solid State Devices and Materials. The Japan Society of Applied Physics, 2018. http://dx.doi.org/10.7567/ssdm.2018.j-6-03.

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Planes, N., O. Weber, V. Barral, et al. "28nm FDSOI technology platform for high-speed low-voltage digital applications." In 2012 IEEE Symposium on VLSI Technology. IEEE, 2012. http://dx.doi.org/10.1109/vlsit.2012.6242497.

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Aragones, Xavier, Alex Alvarez, Juan Pablo Rovayo, Josep Altet, and Diego Mateo. "Design of ULV ULP LNAs Exploiting FBB in FDSOI 28nm Technology." In 2019 XXXIV Conference on Design of Circuits and Integrated Systems (DCIS). IEEE, 2019. http://dx.doi.org/10.1109/dcis201949030.2019.8959894.

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Amara, Amara, Navneet Gupta, Khaja Ahmad Shaik, Costin Anghel, and Kiyoo Itoh. "Energy efficiency optimization for digital applications in 28nm UTBB FDSOI technology." In 2015 MIXDES - 22nd International Conference "Mixed Design of Integrated Circuits & Systems". IEEE, 2015. http://dx.doi.org/10.1109/mixdes.2015.7208472.

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Arnaud, F. "Enhanced low voltage digital & analog mixed-signal with 28nm FDSOI technology." In 2015 IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S). IEEE, 2015. http://dx.doi.org/10.1109/s3s.2015.7333503.

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