Relevant bibliographies by topics / RF Microelectronics

Contents

  1. Journal articles
  2. Dissertations / Theses
  3. Books
  4. Book chapters
  5. Conference papers
  6. Reports

Academic literature on the topic 'RF Microelectronics'

Author: Grafiati
Published: 6 September 2023

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Journal articles on the topic "RF Microelectronics"

1

Krstić, D. "RF microelectronics." Microelectronics Journal 29, no. 12 (December 1998): 1041–42. http://dx.doi.org/10.1016/s0026-2692(98)00059-7.

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2

Frear, D. R., and S. Thomas. "Emerging Materials Challenges in Microelectronics Packaging." MRS Bulletin 28, no. 1 (January 2003): 68–74. http://dx.doi.org/10.1557/mrs2003.20.

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Abstract:
IntroductionThe trend for microelectronic devices has historically been, and will continue to be, toward a smaller feature size, faster speeds, more complexity, higher power, and lower cost. The driving force behind these advances has traditionally been microprocessors. With the tremendous growth of wireless telecommunications, rf applications are beginning to drive many areas of microelectronics that traditionally were led by developments in microprocessors. An increasingly dominant factor in rf microelectronics is electronic packaging, and the materials needed to create the package, because the package materials strongly affect the performance of the electronics. Many challenges remain for the packaging of microprocessors as well. These challenges include increased speed, the number of input/output interconnects, decreased pitch, and decreased cost. This article highlights the key issues facing the packaging of high-performance digital and rf electronics.
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3

Springer, A., and R. Weigel. "RF microelectronics for W-CDMA mobile communication systems." Electronics & Communication Engineering Journal 14, no. 3 (June 1, 2002): 92–100. http://dx.doi.org/10.1049/ecej:20020301.

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4

Putman, Carol, Rachel Cramm Horn, J. Ambrose Wolf, and Daniel Krueger. "Thermodynamic Analysis of Physical Vapor Deposited Inorganic Thin Films on Low Temperature Cofired Ceramic." Journal of Microelectronics and Electronic Packaging 13, no. 3 (July 1, 2016): 95–101. http://dx.doi.org/10.4071/imaps.518.

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Abstract:
Low temperature cofired ceramic (LTCC) has been established as an excellent packaging technology for high-reliability, high-density microelectronics. The functionality and robustness of rework have been increased through the incorporation of a physical vapor deposition (PVD) thin film Ti/Cu/Pt/Au metallization. PVD metallization is suitable for radio frequency (RF) applications as well as digital systems. Adhesion of the Ti “adhesion layer” to the LTCC as-fired surface is not well understood. Although previous work has established extrinsic parameters for delamination mechanisms of thin films on LTCC substrates, there is incomplete information regarding the intrinsic (i.e., thermodynamic) parameters in the literature. This article analyzes the thermodynamic favorability of adhesion between Ti, Cr, and their oxide coatings on LTCC (assumed as amorphous silica glass and Al2O3). Computational molecular calculations are used to determine interface energy as an indication of molecular stability between pair of materials at specific temperature. The end result will expand the understanding of thin film adhesion to LTCC surfaces and assist in increasing the long-term reliability of the interface bonding on RF microelectronic layers.
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Putman, Carol, Rachel Cramm Horn, Ambrose Wolf, and Daniel Krueger. "Thermodynamic Analysis of Physical Vapor Deposition (PVD) Inorganic Thin Films on Low Temperature Cofired Ceramic (LTCC)." Additional Conferences (Device Packaging, HiTEC, HiTEN, and CICMT) 2016, CICMT (May 1, 2016): 000175–82. http://dx.doi.org/10.4071/2016cicmt-tha13.

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Abstract:
Abstract Low temperature cofired ceramic (LTCC) has been established as an excellent packaging technology for high reliability, high density microelectronics. The functionality and robustness of rework has been increased through the incorporation of a Physical Vapor Deposition (PVD) thin film Ti/Cu/Pt/Au metallization. PVD metallization is suitable for RF (Radio Frequency) applications as well as digital systems. Adhesion of the Ti “adhesion layer” to the LTCC as-fired surface is not well understood. While past work has established extrinsic parameters for delamination mechanisms of thin films on LTCC substrates, there is incomplete information regarding the intrinsic (i.e. thermodynamic) parameters in literature. This paper analyzes the thermodynamic favorability of adhesion between Ti, Cr, and their oxides coatings on LTCC (assumed as amorphous silica glass and Al2O3). Computational molecular calculations are used to determine interface energy as an indication of molecular stability over a range of temperatures. The end result will expand the understanding of thin film adhesion to LTCC surfaces and assist in increasing the long-term reliability of the interface bonding on RF microelectronic layers.
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6

Settaouti, Lahouaria, and Abderrahmane Settaouti. "A Monte Carlo Method for Low Pressure Radio Frequency Discharges." Sultan Qaboos University Journal for Science [SQUJS] 8, no. 1 (June 1, 2003): 47. http://dx.doi.org/10.24200/squjs.vol8iss1pp47-54.

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Abstract:
There is increasing interest in glow discharges because of their importance to a large number of application fields, like the microelectronics industry, flat plasma display panel technology, the laser and light industry and analytical spectrochemistry. To improve the capabilities of rf glow discharges, a good understanding of the discharge physics is highly desirable. The typical calculated results include the radio frequency (rf) voltage, the electrical field distribution, the density of argon ions and electrons, the electron energy distribution function and information about the collision processes of the electrons with the Monte Carlo model. These results are presented throughout the discharge axis and as a function of time in the rf cycle. Moreover, we have investigated how many rf cycles have to be followed before a periodic steady state is reached.
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7

Shorey, Aric, Shelby Nelson, David Levy, and Paul Ballentine. "Thin Glass Handling Solutions for Microelectronics Packaging." International Symposium on Microelectronics 2020, no. 1 (September 1, 2020): 000192–96. http://dx.doi.org/10.4071/2380-4505-2020.1.000192.

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Abstract:
Abstract Glass substrates with fine-pitch through-glass via (TGV) technology gives an attractive approach to wafer level packaging and systems integration. Glass can be made in very thin sheets (<100 um thick) which aids in integration and eliminates the need for back-grinding operations. Electrical and physical properties of glass have many attractive attributes such as low RF loss, the ability to adjust thermal expansion properties, and low roughness with excellent flatness to achieve fine L/S. Furthermore, glass can be fabricated in panel format to reduce manufacturing costs. The biggest challenge to adopting glass as a packaging substrate has been the existence of gaps in the supply chain, caused primarily by the difficulty in handling large, thin glass substrates using standard automation and processing equipment. This paper presents a temporary bonding technology that allows the thin glass substrates to be processed in a semiconductor fab environment without the need to modify existing equipment.
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8

Young, Nathan, Jay Johnson, and Kevin G. Ewsuk. "Microelectronics Package Design Using Experimentally-Validated Modeling and Simulation." Key Engineering Materials 484 (July 2011): 192–203. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/kem.484.192.

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Abstract:
Packaging high power radio frequency integrated circuits (RFICs) in low temperature cofired ceramic (LTCC) presents many challenges. Within the constraints of LTCC fabrication, the design must provide the usual electrical isolation and interconnections required to package the IC, with additional consideration given to RF isolation and thermal management. While iterative design and prototyping is an option for developing RFIC packaging, it would be expensive and most likely unsuccessful due to the complexity of the problem. To facilitate and optimize package design, thermal and mechanical simulations were used to understand and control the critical parameters in LTCC package design. The models were validated through comparisons to experimental results. This paper summarizes an experimentally-validated modeling approach to RFIC package design, and presents some results and key findings.
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9

Tomikawa, Masao, Hitoshi Araki, Yohei Kiuchi, and Akira Shimada. "Photosensitive Polyimide having low loss tangent for RF application." International Symposium on Microelectronics 2018, no. 1 (October 1, 2018): 000476–82. http://dx.doi.org/10.4071/2380-4505-2018.1.000476.

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Abstract:
Abstract Progress of 5G telecommunication and mm radar for autopilot, high frequency operation is required. Insulator materials having low loss at high frequency is desired for the applications. We designed the low dielectric constant, and low dielectric loss materials examined molecular structure of the polyimide and found that permittivity 2.6 at 20GHz, dielectric loss 0.002. Furthermore, in consideration of mechanical properties such as the toughness and adhesion to copper from a point of practical use. Dielectric properties largely turned worse when giving photosensitivity. To overcome the poor dielectric properties, we designed the photosensitive system. After all, we successfully obtained 3.5 of dielectric constant and 0.004 of dielectric loss, and 100% of elongation at break. In addition, we offered a B stage sheet as well as varnish. These materials are applicable to re-distribution layer of FO-WLP, Interposer and other RF applications for microelectronics.
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10

Gropp, S., M. Fischer, A. Frank, C. Schäffel, J. Müller, and M. Hoffmann. "Fabrication of an RF-MEMS-Switch on a hybrid Si-Ceramic substrate." Additional Conferences (Device Packaging, HiTEC, HiTEN, and CICMT) 2016, CICMT (May 1, 2016): 000118–21. http://dx.doi.org/10.4071/2016cicmt-wa24.

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Abstract:
Abstract The integration of MEMS sensors, microelectronics and RF circuits including RF-MEMS is still a challenging task but becomes crucial for the Internet of Things. A wafer-level silicon-ceramic composite substrate (called SiCer, Silicon-on-Ceramics) allows new options in smart system integration. SiCer substrates combine the benefits of two different worlds of materials. The silicon substrate is a suitable material to build active MEMS devices such as switches and resonators. The ceramic substrate, a Low Temperature Cofired Ceramic (LTCC), is well-known for RF circuit integration including resistors, capacitors and coils. Both materials are co-sintered into a monolithically composite substrate. Chemical and physical modification of the silicon interface allows a low-pressure sintering and therefore new techniques for generating buried cavities at the bond interface. A carbon paste is applied on the LTCC via screen printing. After sintering, this results in a defined cavity. To demonstrate the advantages of the buried cavities within SiCer substrates the fabrication process of a RF-MEMS switch is shown. The switch is intended for a switching matrix to select frequency bands in a mobile LTE receiver. A parallel-plate electrostatic actuation with in-plane movement has been selected. This type of switch allows a large displacement range and a low actuation voltage can be achieved.
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Dissertations / Theses on the topic "RF Microelectronics"

1

Maris, Ferreira Pietro. "Méthodologie de conception AMS/RF pour la fiabilité : conception d'un frontal RF fiabilisé." Phd thesis, Télécom ParisTech, 2011. http://pastel.archives-ouvertes.fr/pastel-00628802.

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Abstract:
Le développement des technologies CMOS à l'échelle nanométrique a fait émerger de nombreux défis sur le rendement et la fiabilité des composants. Les prochaines générations de circuits AMS et RF souffriront d'une augmentation du taux de défaillance durant le temps d'opération. Dans ce travail de thèse, nous proposons une nouvelle approche pour la conception d'un frontal RF en CMOS 65 nm. L'objectif principal de ce travail est d'améliorer la conception de circuits du frontal RF basée sur la recherche des nouveaux compromis imposés par la variabilité du transistor et la dégradation par vieillissement. Ce travail de thèse propose un nouveau flot de conception des circuits fiables en s'appuyant sur la conception d'un frontal radio. Le frontal RF utilise une architecture à conversion directe. Il est composé de trois principaux blocs : le BLIXER, regroupant un balun, un amplificateur large bande à faible bruit et un mélangeur I-Q; l'oscillateur contrôlé numériquement (DCO), et l'amplificateur de gain programmable (PGA) avec le filtre passe-bas. Nous avons mis en œuvre des circuits fiabilisés pour le cas d'étude du frontal radio dans une approche bottom-up et top-down. Ainsi, nous avons pu lier les étapes de la conception dans une méthode générale qui est la proposition d'un nouveau flot de conception des circuits fiables. Par la démonstration des compromis imposés par le vieillissement et la variabilité des composants en CMOS 65 nm, nous sommes capables de prédire les tendances dans les technologies à venir et nous mettons en évidence le besoin d'un flot de conception des circuits AMS/RF qui prenne en compte les dégradations des performances par le vieillissement et la variabilité.
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Cao, Guangjun. "Physics and technology of silicon RF power devices." Thesis, De Montfort University, 2000. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.391785.

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3

Ariaudo, Myriam. "Dirty RF pour les Systèmes de Communication." Habilitation à diriger des recherches, Université de Cergy Pontoise, 2010. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00555445.

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Abstract:
Les systèmes de communication sans fil ont eu un très rapide développement au cours de ces dernières décennies. L'évolution des exigences de l'utilisateur nécessite une augmentation des débits, de la flexibilité pour permettre une adaptation à son environnement, tout en bénéficiant de performance, mobilité, basse consommation, et faible coût. Le développement de ces nouveaux systèmes nécessite plus que jamais de considérer le segment Radio-Fréquence (RF) avec ses imperfections, pour proposer des architectures innovantes et efficaces. Mes activités principales de recherche sont consacrées à l'étude de l'influence des circuits du segment RF sur les performances des systèmes de communication et sur les moyens de les corriger. Initialement considérées comme des moyens d'amélioration des performances pour un circuit donné, les méthodes de compensation de défauts développées permettent d'envisager un relâchement des contraintes sur les circuits à concevoir. Ces travaux s'intègrent dans le nouveau concept dit de la « Dirty RF ». Mes contributions dans cette thématique sont groupées par problématiques associées à des objectifs : assurer l'intégrité du signal à transmettre impose une réduction du rendement de l'émetteur; augmenter le débit et permettre la réception de différents standards nécessite une augmentation de la largeur de bande de transmission; favoriser la diversité fréquentielle induit une sensibilité accrue aux défauts du synthétiseur de fréquence. Dans chaque cas, la dégradation des performances associée aux circuits est évaluée et des solutions sont proposées pour y remédier. Les méthodes de correction développées seront des solutions intéressantes pour les nouveaux systèmes de communication, qui devront être « Radio-Cognitifs » et reconfigurables.
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Tirunelveli, Kanthi Saravanan. "Analysis and; design of successive approximation ADC and 3.5 GHz RF transmitter in 90nm CMOS." Thesis, Georgia Institute of Technology, 2010. http://hdl.handle.net/1853/33884.

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Abstract:
In this work, a 3.5 GHz RF Transmitter and Successive Approximation ADC design has been presented. The transmitter serves as an intermediate block which translates 350 MHz signal into 3.5 GHz signal. This signal is applied to 6-40 GHz wideband transmitter. The emphasis is on the design of Up conversion Mixer with high linearity, low noise and moderate image rejection performance. The successive approximation analog to digital converter was designed as a part of feedback loop control, which consists of a sensor circuit to detect the temperature changes in a power amplifier and the ADC to convert the sensor output to digital data. The data is used to determine the necessary control signals to restore the performance of the power amplifier. The circuits have been designed and implemented in ST Microelectronics CMOS 90nm process.
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Jones, Jason Patrick. "Electro-thermo-mechanical characterization of stress development in AlGaN/GaN HEMTs under RF operating conditions." Thesis, Georgia Institute of Technology, 2015. http://hdl.handle.net/1853/53528.

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Abstract:
Gallium nitride (GaN) based high electron mobility transistors (HEMTs) offer numerous benefits for both direct current (DC) and radio frequency (RF) power technology due to their combination of large band gap, high electrical breakdown field, high peak and saturation carrier velocity, and good stability at high temperatures. In particular, AlGaN/GaN heterostructures are of great interest because of the unique conduction channel that develops as a result of the spontaneous and piezoelectric polarization that occurs in these layers. This channel is a vertically confined plane of free carriers that is often called a 2 dimensional electron gas (or 2DEG). Although these devices have shown an improvement in performance over previous heterostructures, reliability issues are a concern because of the high temperatures and electric fields that develop during operation. Therefore, characterizing electrical and thermal profiles within AlGaN/GaN HEMTs is critical for understanding the various factors that contribute to device failures. Little research has been performed to model and characterize these devices under RF bias conditions, and is therefore of great interest. Under pulsed conditions, a single cycle consists of an “on-state” period where power is supplied to the device and self-heating occurs, followed by an “off-state” period where no power is supplied to the device and the device cools. The percentage of a single cycle in which the device is powered is called the duty cycle. In this work, we present a coupled electro-thermo-mechanical finite-element model for describing the development of temperature, stress, and strain profiles within AlGaN/GaN HEMTs under DC and AC power conditions for various duty cycles. It is found that bias conditions including source-to-drain voltage, source-to-gate voltage, and pulsing frequency directly contribute to the electro-thermo-mechanical response of the device, which is known to effect device performance and reliability. The model is validated by comparing numerical simulations to experimental electrical curves (Ids-Vds) and experimental strain measurements performed using scanning joule expansion microscopy (SJEM). In addition, we show how the operating conditions (bias applied and AC duty cycle) impact the thermal profiles of the device and outline how the stress in the device changes through a pulsed cycle due to the changing thermal and electrical profiles. Qualitatively, the numerical model has good agreement across a broad range of bias conditions, further validating the model as a tool to better understand device performance and reliability.
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Andersson, Stefan. "Multiband LNA Design and RF-Sampling Front-Ends for Flexible Wireless Receivers." Doctoral thesis, Linköping : Electronic Devices, Department of Electrical Engineering, Linköping University, 2006. http://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:liu:diva-7582.

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7

Cesari, Albert. "Implémentation de techniques de linéarisation et d'amélioration du rendement pour les amplificateurs de puissance RF." Phd thesis, Université Paul Sabatier - Toulouse III, 2008. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00538808.

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Abstract:
L'antagonisme entre la capacité d'émission d'informations haut débit (linéarité) et le rendement énergétique, dans le contexte des émetteurs radio, est l'axe des travaux de cette thèse. Nous proposons une architecture matérielle basé sur circuits FPGA1 pour l'implémentation de fonctionnalités de prédistorsion numérique (DPD) pour la linéarisation d'amplificateurs RF. Nous articulons nos approches à partir de la séparation entre les processus de prédistorsion et d'adaptation. Ainsi, nous pouvons proposer une structure matérielle -le BPC2 ou Cellule Basique de Predistorsion- bien adaptée pour l'implémentation du module de prédistorsion. Le module de prédistorsion basé sur BPC peut être reconfigurable au besoin, et, en plus, il reste indépendant de la méthodologie particulière de dérivation de la fonction de prédistorsion. Afin d'effectuer des validations, deux prototypes permettant de tester des stratégies de prédistorsion performantes et novatrices ont été mis en oeuvre. Dans un premier temps, nous avons implémenté un système DPD basé sur la théorie des systèmes hyperstables sur une plateforme mixte FPGA/DSP3. En complément des résultats expérimentaux, nous rentrons dans le détail des fonc- tions complémentaires à la prédistorsion et l'adaptation nécessaires pour produire la prédistorsion. Le deuxième prototype adresse la linéarisation et la compensation des e®ets mémoire de l'amplificateur RF. Nous présentons et validons expérimentalement une structure de prédistorsion du type NARMA4, implémentée au moyen d'un réseau de cellules BPC. Au passage, nous étudions la consommation de la prédistorsion et son impact sur le rendement. Si l'utilisation de la prédistorsion s'avére inévitable pour contrer les effets mémoire, nous proposons de dégrader la Classe de l'am- plificateur, dans le but d'obtenir un émetteur aussi linéaire mais plus performant énergétiquement. Finalement, au delà de la prédistorsion seule, nous proposons, analysons et va- lidons expérimentalement un sys tème de prédistorsion + commande dynamique de l'alimentation de l'amplificateur RF. La structure de traitement du signal numérique développée, permet de : 1/prédistordre le signal et 2/commander des modulateurs d'amplitude lents (par rapport à la largeur de bande de l'application cible, mais ayant de forts rendements de conversion). L'inclusion de capacités de pilotage de l'alimentation autour de la prédistorsion s'avère peu coûteuse et permet d'atteindre des rendements améliorés sans perte de linéarité.
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8

Pennec, Fabienne. "Modélisationdu contact métal-métal: application aux micro-commutateurs MEMS RF." Phd thesis, Université Paul Sabatier - Toulouse III, 2009. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00420496.

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Abstract:
L'insertion des microcommutateurs MEMS RF nécessite une tension d'actionnement et des dimensions toujours plus petites, ce qui confère davantage d'importance aux effets de surfaces, si bien qu'une des principales limitations des performances des microcommutateurs est la qualité du contact et sa fiabilité. Dans ce contexte, nous avons développé un outil de calcul de la résistance de contact électrique de microcommutateurs MEMS RF à contact ohmique. La finalité de l'outil sera l'étude de l'impact des matériaux, de l'état de surface, de la topologie de contact pour augmenter les performances de contact. Un tour d'horizon des différentes méthodes existantes (analytique, numérique, expérimentale) pour analyser le contact mécanique puis électrique de surfaces rugueuses a tout d'abord été réalisé. Puis nous avons conçu et fabriqué deux types de véhicules de test, à actionnement mécanique et à actionnement électrostatique afin de pouvoir tester la méthodologie de modélisation du contact mise en oeuvre. L'originalité de cette méthodologie repose sur une nouvelle approche utilisant la méthode d'ingénierie inverse pour générer la forme réelle de la surface. Les progrès apportés sur les logiciels de calcul rendent possible l'implantation de profils réels de surface issus de la caractérisation. L'analyse du contact mécanique est ensuite réalisée à travers des simulations numériques de contact avec le logiciel multiphysique éléments finis ANSYS 11. Cette analyse mécanique est suivie d'une analyse électrique, basée sur des formulations analytiques issues de la théorie du contact électrique et utilisant les résultats de l'analyse précédente. Les surfaces de contact des structures de test sont acquises à l'AFM afin de tester l'outil de calcul. Les résultats obtenus avec la nouvelle méthodologie restent éloignés des mesures expérimentales de résistance de contact. Ces écarts étaient prévisibles tant il est difficile d'une part de prendre en compte tous les paramètres affectant la val eur de la résistance (effet thermique, présence d'un film isolant sur l'interface de contact, phénomène de fluage) dans le modèle, et tant il est difficile d'autre part d'évaluer avec précision les propriétés des matériaux de contact.
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9

Busquere, Jean-Pierre. "Développement et intégration de MEMS RF dans les architectures d'amplificateur faible bruit reconfigurables." Phd thesis, INSA de Toulouse, 2005. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00446353.

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Abstract:
De nos jours, les modules hyperfréquences doivent de plus en plus présenter non seulement des performances électriques sans cesse améliorées mais aussi des fonctionnalités nouvelles ainsi que de fortes compacités, et des coûts de fabrication les plus réduits possibles. Les perspectives attractives apportées par l'utilisation des technologies SiGe permettent aujourd'hui d'envisager la réalisation de circuits intégrés jusqu'aux fréquences millimétriques tandis que, dans le même temps, le développement rapide des technologies MEMS RF permet de réaliser de nouvelles fonctionnalités au niveau des circuits radiofréquences. Dans la première partie de ce mémoire, nous proposons un concept d'amplificateur faible bruit reconfigurable en fréquence (HIPERLAN et BLUETOOTH), basé sur l'association des technologies SiGe et MEMS RF. Conception et performances simulées des amplificateurs élaborés à la fois pour une intégration monolithique et une autre par fil de souduresont alors présentées. La deuxième partie est entièrement consacrée à la conception et la réalisation des MEMS RF suivant les spécifications que nous avons établi lors de la première partie. Conception, réalisation et caractérisation des structures MEMS RF sont présentés, pour aboutir à l'obtention de performances situées à l'état de l'art pour des capacités autant séries que parallèles. La dernière partie, traite de l'assemblage entre les deux technologies MEMS et SiGe, avec trois études réalisées sur une intégration monolithique dite « Above IC », un assemblage par fils de soudure et un assemblage Flip Chip. Au final, des modules de test assemblés sont présentés et caractérisés
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10

Jeangeorges, Mickaël. "Conception d'antennes miniatures intégrées pour solutions RF SiP." Phd thesis, Université de Nice Sophia-Antipolis, 2010. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00544576.

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Abstract:
Ce mémoire présente la conception et l'optimisation d'antennes miniatures intégrées en modules de type System in Package. L'objectif est de répondre à un besoin croissant en modules intégrés complets, comprenant tous les composants nécessaires pour apporter des fonctionnalités sans-fil aux objets communicants. Afin de remplir cet objectif, les antennes doivent satisfaire de nombreux critères, autant au niveau des performances (adaptation, bande passante, efficacité, diagramme de rayonnement) qu'au niveau des méthodes de conception (robustesse, coût, adaptation au processus de fabrication SiP, possibilité de production industrielle). L'extrême miniaturisation rend d'autant plus délicate leur mise en oeuvre qu'elle entraîne des phénomènes physiques limitant les performances. Nos travaux étudient la possibilité d'utiliser certaines techniques d'amélioration par l'ajout d'éléments structurels (éléments capacitifs, éléments parasites, fentes) et l'utilisation de circuits d'adaptation spécifiques. Diverses modifications géométriques innovantes appliquées aux structures antennaires ont également été utilisées pour obtenir des résultats satisfaisant tous les critères. Les antennes élaborées permettent à des objets communicants de dimensions variées d'opérer dans la bande de fréquences 2,4 GHz pour des applications de type WiFi ou Bluetooth. Plusieurs séries de réalisations de prototypes ont permis de valider les résultats et confirmer les phénomènes électromagnétiques mis en jeu.
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Books on the topic "RF Microelectronics"

1

Razavi, Behzad. RF microelectronics. 2nd ed. Upper Saddle River, NJ: Prentice Hall, 2012.

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2

RF microelectronics. Upper Saddle River, NJ: Prentice Hall, 1998.

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3

Kuang, Ken, Franklin Kim, and Sean S. Cahill, eds. RF and Microwave Microelectronics Packaging. Boston, MA: Springer US, 2010. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4419-0984-8.

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4

Kuang, Ken. RF and microwave microelectronics packaging. New York: Springer, 2010.

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5

Kuang, Ken, and Rick Sturdivant, eds. RF and Microwave Microelectronics Packaging II. Cham: Springer International Publishing, 2017. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-319-51697-4.

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6

RF microelectronics: She pin wei dian zi. Beijing: Tsinghua University Press, 2003.

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7

V, Lyashenko Alexander, ed. Heteromagnetic microelectronics: Microsystems of active type. New York: Springer, 2010.

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8

Joodaki, Mojtaba. Selected Advances in Nanoelectronic Devices: Logic, Memory and RF. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 2013.

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9

Sakian, Pooyan. RF-Frontend Design for Process-Variation-Tolerant Receivers. Boston, MA: Springer US, 2012.

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10

Electromagnetics explained: A handbook for wireless/RF, EMC, and high-speed electronics. Amsterdam: Newnes, 2002.

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Book chapters on the topic "RF Microelectronics"

1

Palankovski, Vassil, and Rüdiger Quay. "RF Parameter Extraction for HEMTs and HBTs." In Computational Microelectronics, 141–53. Vienna: Springer Vienna, 2004. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-7091-0560-3_4.

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2

Palankovski, Vassil, and Rüdiger Quay. "State-of-the-Art of Materials, Device Modeling, and RF Devices." In Computational Microelectronics, 4–25. Vienna: Springer Vienna, 2004. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-7091-0560-3_2.

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3

Guosheng, Jiang, Ken Kuang, and Danny Zhu. "High Performance Microelectronics Packaging Heat Sink Materials." In RF and Microwave Microelectronics Packaging, 233–65. Boston, MA: Springer US, 2009. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4419-0984-8_11.

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4

Sturdivant, Rick. "Fundamentals of Packaging at Microwave and Millimeter-Wave Frequencies." In RF and Microwave Microelectronics Packaging, 1–23. Boston, MA: Springer US, 2009. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4419-0984-8_1.

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5

Sepulveda, Juan L., and Lee J. Vandermark. "High Thermal Dissipation Ceramics and Composite Materials for Microelectronic Packaging." In RF and Microwave Microelectronics Packaging, 207–32. Boston, MA: Springer US, 2009. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4419-0984-8_10.

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6

Hao, Zhang, Cui Song, and Liu Junyong. "Technology Research on AlN 3D MCM." In RF and Microwave Microelectronics Packaging, 267–79. Boston, MA: Springer US, 2009. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4419-0984-8_12.

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7

Sanjuan, Eric A., and Sean S. Cahill. "Low-Cost High-Bandwidth Millimeter Wave Leadframe Packages." In RF and Microwave Microelectronics Packaging, 25–42. Boston, MA: Springer US, 2009. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4419-0984-8_2.

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8

Fuh, Yiin-Kuen, Firas Sammoura, Yingqi Jiang, and Liwei Lin. "Polymeric Microelectromechanical Millimeter Wave Systems." In RF and Microwave Microelectronics Packaging, 43–68. Boston, MA: Springer US, 2009. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4419-0984-8_3.

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9

Stoneham, Edward B. "Millimeter-Wave Chip-on-Board Integration and Packaging." In RF and Microwave Microelectronics Packaging, 69–90. Boston, MA: Springer US, 2009. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4419-0984-8_4.

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10

McGrath, Mark P., Kunia Aihara, Morgan J. Chen, Cheng Chen, and Anh-Vu Pham. "Liquid Crystal Polymer for RF and Millimeter-Wave Multi-Layer Hermetic Packages and Modules." In RF and Microwave Microelectronics Packaging, 91–113. Boston, MA: Springer US, 2009. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4419-0984-8_5.

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Conference papers on the topic "RF Microelectronics"

1

Deen, M. Jamal, Chih-hung Chen, S. Naseh, Yuhua Cheng, and M. Matloubian. "RF modeling of MOSFETs." In International Symposium on Microelectronics and Assembly, edited by Bernard Courtois, Serge N. Demidenko, and Lee Y. Lau. SPIE, 2000. http://dx.doi.org/10.1117/12.405405.

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2

Iwai, Hiroshi, Tatsuya Ohguro, Eiji Morifuji, Takashi Yoshitomi, Hideki Kimijima, Hisayo S. Momose, Kazumi Inoh, Hideaki Nii, and Yasuhiro Katsumata. "Advanced rf CMOS technology." In Asia Pacific Symposium on Microelectronics and MEMS, edited by Neil W. Bergmann, Olaf Reinhold, and Norman C. Tien. SPIE, 1999. http://dx.doi.org/10.1117/12.364461.

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3

Loke, Yee C., Kim M. Liew, Q. Zou, and Ai Q. Liu. "Frequency tunable micromachined rf oscillators." In International Symposium on Microelectronics and Assembly, edited by Kevin H. Chau, M. Parameswaran, and Francis E. Tay. SPIE, 2000. http://dx.doi.org/10.1117/12.404898.

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4

Park, Heung-Woo, Yun-Kwon Park, Duck-Jung Lee, and Byeong-Kwon Ju. "Packaging of the rf MEMS switch." In International Symposium on Microelectronics and MEMS, edited by Paul D. Franzon, Ajay P. Malshe, and Francis E. Tay. SPIE, 2001. http://dx.doi.org/10.1117/12.448864.

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5

Varadan, Vijay K., Vasundara V. Varadan, and K. A. Jose. "Semiconductor-polymer-based rf MEMS." In Asia Pacific Symposium on Microelectronics and MEMS, edited by Neil W. Bergmann, Olaf Reinhold, and Norman C. Tien. SPIE, 1999. http://dx.doi.org/10.1117/12.364448.

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6

Rahman, Hamood Ur, Jafar Babaei, and Rodica Ramer. "RF MEMS switches: design and performance in wireless applications." In Microelectronics, MEMS, and Nanotechnology, edited by Hark Hoe Tan, Jung-Chih Chiao, Lorenzo Faraone, Chennupati Jagadish, Jim Williams, and Alan R. Wilson. SPIE, 2007. http://dx.doi.org/10.1117/12.769359.

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7

Zheng, Rong, Kamal Alameh, and Zhenglin Wang. "Reconfigurable photonic RF filter based on opto-VLSI processing." In Microelectronics, MEMS, and Nanotechnology, edited by Derek Abbott, Yuri S. Kivshar, Halina H. Rubinsztein-Dunlop, and Shanhui Fan. SPIE, 2005. http://dx.doi.org/10.1117/12.638210.

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8

Chetibi, M., M. Gares, M. Masmoudi, H. Maanane, J. Marcon, K. Mourgues, and Ph Eudeline. "RF power LDMOSFET characterization and modeling for reliability issues: DC and RF performances." In 2008 26th International Conference on Microelectronics (MIEL 2008). IEEE, 2008. http://dx.doi.org/10.1109/icmel.2008.4559250.

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9

Dittmer, Jan, Rolf Judaschke, and Stephanus Büttgenbach. "Specialized hybrid batch fabrication process for MEMS RF voltage sensors." In Microelectronics, MEMS, and Nanotechnology, edited by Hark Hoe Tan, Jung-Chih Chiao, Lorenzo Faraone, Chennupati Jagadish, Jim Williams, and Alan R. Wilson. SPIE, 2007. http://dx.doi.org/10.1117/12.759425.

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10

McCarthy, Aaron J., David V. Thiel, and Peter Lisner. "Integrated CMOS RF building blocks for 433-MHz sensor systems." In Microelectronics, MEMS, and Nanotechnology, edited by Derek Abbott, Kamran Eshraghian, Charles A. Musca, Dimitris Pavlidis, and Neil Weste. SPIE, 2004. http://dx.doi.org/10.1117/12.522760.

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Reports on the topic "RF Microelectronics"

1

RAYTHEON CO LEXINGTON MA RESEARCH DIV. RF Vacuum Microelectronics. Fort Belvoir, VA: Defense Technical Information Center, April 1994. http://dx.doi.org/10.21236/ada278734.

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2

Palevsky, Alan. RF Vacuum Microelectronics. Fort Belvoir, VA: Defense Technical Information Center, July 1994. http://dx.doi.org/10.21236/ada283123.

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3

Arch, D. K. RF Vacuum Microelectronics. Fort Belvoir, VA: Defense Technical Information Center, July 1992. http://dx.doi.org/10.21236/ada253488.

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4

Akinwande, A. I., P. Bauhahn, T. Ohnstein, J. Holmen, and B. Speldrich. RF Vacuum Microelectronics. Fort Belvoir, VA: Defense Technical Information Center, July 1992. http://dx.doi.org/10.21236/ada253527.

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5

RAYTHEON CO LEXINGTON MA. RF Vacuum Microelectronics. Fort Belvoir, VA: Defense Technical Information Center, July 1992. http://dx.doi.org/10.21236/ada253910.

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6

Arch, David K. RF Vacuum Microelectronics. Fort Belvoir, VA: Defense Technical Information Center, February 1993. http://dx.doi.org/10.21236/ada260192.

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7

Akinwande, A. I., and D. K. Arch. RF Vacuum Microelectronics. Fort Belvoir, VA: Defense Technical Information Center, May 1993. http://dx.doi.org/10.21236/ada264528.

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8

RAYTHEON CO LEXINGTON MA RESEARCH DIV. RF Vacuum Microelectronics. Fort Belvoir, VA: Defense Technical Information Center, July 1993. http://dx.doi.org/10.21236/ada266569.

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9

Akinwande, A. I., and D. K. Arch. RF Vacuum Microelectronics. Fort Belvoir, VA: Defense Technical Information Center, August 1993. http://dx.doi.org/10.21236/ada268317.

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10

Komm, David S. RF Vacuum Microelectronics. Fort Belvoir, VA: Defense Technical Information Center, June 1993. http://dx.doi.org/10.21236/ada269454.

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