Dissertations / Theses on the topic 'Oxides'
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Gillispie, Meagen Anne. "Metal oxide-based transparent conducting oxides." [Ames, Iowa : Iowa State University], 2006.
Find full textField, Marianne Alice Louise. "Transition metal oxides and oxide-halides." Thesis, University of Southampton, 2004. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.401833.
Full textRomano, Esteban Javier. "A surface science approach to understanding emission control catalyst deactivation due to sulfation of ceria-zirconia mixed-metal oxides." Master's thesis, Mississippi State : Mississippi State University, 2004. http://library.msstate.edu/etd/show.asp?etd=etd-03252004-162922.
Full textMcCluskey, Adam. "Carbonyl oxides." Thesis, University of Strathclyde, 1988. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.303277.
Full textLopes, Luis Fernando da Silva. "Síntese e caracterização do WO3-Ag preparado via rota hidrotérmica /." Bauru, 2017. http://hdl.handle.net/11449/152178.
Full textBanca: Adenilson José Chiquito
Banca: Alejandra Hortencia Miranda González
Resumo: As estruturas hierárquicas do WO3-Ag tridimensional (3D) auto-montadas foram sintetizadas através da rota hidrotérmica utilizando como soluções precursoras o ácido túngstico (H2WO4) e peróxido de hidrogênio (H2O2), adicionando diferentes quantidades de Ag. As amostras foram analisadas por difração de raios X (DRX), Microscopia Eletrônica de Varredura de Campo (MEV-FEG), análise termogravimétrica (TGA), espectroscopia micro Raman, espectroscopia no infravermelho por transformada de Fourier (FTIR), espectroscopia no ultravioleta visível UV-VIS e espectroscopia de fotoelétrons excitados por raios X (XPS). Os estudos de DRX e micro Raman mostraram que à medida que a quantidade de Ag variou de 0 a 10% em peso na solução de crescimento hidrotérmico, a fase do cristal mudou gradualmente de WO3•0,33H2O ortorrômbica para WO3 hexagonal. Os estudos de FTIR e TGA revelaram diferentes níveis de hidratação, apoiando os resultados de DRX e micro Raman. Ao controlar a quantidade de Ag na solução precursora, foram obtidos blocos de construção semelhantes a plaquetas e blocos de construção hexagonais, destacando o papel da prata no crescimento hidrotérmico dos microcristais 3D WO3•0.33H2O e WO3. Além disso, as imagens de MEV-FEG de alta magnificação mostraram que as nanopartículas de Ag estão ancoradas na superfície das estruturas hierárquicas WO3-Ag 3D. Medidas no UV-vis demonstraram que as estruturas hierárquicas 3D absorveram gradualmente mais luz quando a quantidade de Ag foi aumentada. Al... (Resumo completo, clicar acesso eletrônico abaixo)
Abstract: The self-assembled three-dimensional (3D) WO3-Ag hierarchical structures were synthesized through the hydrothermal route using tungstic acid (H2WO4) and hydrogen peroxide (H2O2) as precursor solutions, adding different amounts of Ag. The samples were analyzed by diffraction X-ray diffraction (XRD), field scanning electron microscopy (FESEM), thermogravimetric analysis (TGA), micro Raman spectroscopy, Fourier transform infrared spectroscopy (FTIR), visible ultraviolet UVVIS spectroscopy and spectroscopy Photoelectrons (XPS). XRD and micro Raman studies showed that as the amount of Ag ranged from 0 to 10% by weight in the hydrothermal growth solution, the crystal phase gradually changed from orthorhombic WO3•0.33H2O to hexagonal WO3. The FTIR and TGA studies revealed different levels of hydration, supporting the XRD and micro Raman results. By controlling the amount of Ag in the precursor solution, platelet-like building blocks and hexagonal building blocks were obtained, highlighting the role of Ag in the hydrothermal growth of the 3D microcrystals WO3•0.33H2O and WO3. In addition, high magnification FESEM images showed that Ag nanoparticles are anchored on the surface of the WO3-Ag 3D hierarchical structures. UV-vis measurements demonstrated that the 3D hierarchical structures gradually absorbed more light when the amount of Ag was increased. In addition, the energy of the band gap was decreased when the amount of Ag increased from 0% by weight (Eg = 2.65 eV) to 10% by weight... (Complete abstract click electronic access below)
Mestre454
FLORIO, DANIEL Z. de. "Analise de eletrolitos de ZrO sub(2):Y sub(2) O sub(3) + B sub(2) O sub(3) e de eletrodos de La sub(0,8) Sr sub(0,2) Co sub (0,8) Fe sub (0,2) O sub (3-delta) por espectroscopia de impedancia." reponame:Repositório Institucional do IPEN, 2003. http://repositorio.ipen.br:8080/xmlui/handle/123456789/11130.
Full textMade available in DSpace on 2014-10-09T13:59:46Z (GMT). No. of bitstreams: 1 09305.pdf: 5404217 bytes, checksum: 19eda8ad49f8cd247304fef0fb69c1bc (MD5)
Tese (Doutoramento)
IPEN/T
Instituto de Pesquisas Energeticas e Nucleares - IPEN/CNEN-SP
Taujale, Saru. "INTERACTIONS BETWEEN METAL OXIDES AND/OR NATURAL ORGANIC MATTER AND THEIR INFLUENCE ON THE OXIDATIVE REACTIVITY OF MANGANESE DIOXIDE." Diss., Temple University Libraries, 2015. http://cdm16002.contentdm.oclc.org/cdm/ref/collection/p245801coll10/id/347169.
Full textPh.D.
Mn oxides have high redox potentials and are known to be very reactive, rendering many contaminants susceptible to degradation via oxidation. Although Mn oxides typically occur as mixtures with other metal oxides (e.g., Fe, Al, and Si oxides) and natural organic matter (NOM) in soils and aquatic environments, most studies to date have studied the reactivity of Mn oxides as a single oxide system. This study, for the first time, examined the effect of representative metal oxides (Al2O3, SiO2, TiO2, and Fe oxides) and NOM or NOM-model compounds (Aldrich humic acid (AHA), Leonardite humic acid (LHA), pyromellitic acid (PA) and alginate) on the oxidative reactivity of MnO2, as quantified by the oxidation kinetics of triclosan (a widely used phenolic antibacterial agent) as a probe compound. The study also examined the effect of soluble metal ions released from the oxide surfaces on MnO2 reactivity. In binary oxide mixtures, Al2O3 decreased the reactivity of MnO2 as a result of both heteroaggregation and complexation of soluble Al ions with MnO2. At pH 5, the surface charge of MnO2 is negative while that of Al2O3 is positive resulting in intensive heteroaggregation between the two oxides. Up to 3.15 mM of soluble Al ions were detected in the supernatant of 10 g/L of Al2O3 at pH 5.0 whereas the soluble Al concentration was 0.76 mM in the mixed Al2O3 + MnO2 system at the same pH. The lower amount of soluble Al in the latter system is the result of Al ion adsorption by MnO2. The experiments with the addition of 0.001 to 0.1 mM Al3+ to MnO2 suspension indicated the triclosan oxidation rate constant decreased from 0.24 to 0.03 h-1 due to surface complexation. Fe oxides which are also negatively charged at pH 5 inhibited the reactivity of MnO2 through heteroaggregation. The concentration of soluble Fe(III) ions ( 4 mg-TOC/L or [alginate/PA] > 10 mg/L, a lower extent of heteroaggregation was also observed due to the negatively charged surfaces for all oxides. Similar effects on aggregation and MnO2 reactivity as discussed above were observed for ternary MnO2‒Al2O3‒NOM systems. HAs, particularly at high concentrations (2.0 to 12.5 mg-C/L), alleviated the effect of soluble Al ions on MnO2 reactivity as a result of the formation of soluble Al-HA complexes. Alginate and PA, however, did not form soluble complexes with Al ions so they did not affect the effect of Al ions on MnO2 reactivity. Despite the above observations, the amount of Al ions dissolved in MnO2+Al2O3+NOM mixtures was too low, as a result of NOMs adsorption on the surface to passivate oxide dissolution, to have a major impact on MnO2 reactivity. In conclusion, this study provided, for the first time, a systematical understanding of the redox activity of MnO2 in complex model systems. With this new knowledge, the gap between single oxide systems and complex environmental systems is much narrower so that it is possible to have a more accurate prediction of the fate of contaminants in the environment.
Temple University--Theses
Heap, Richard John. "Synthesis and characterisation of K2NiF4-related oxides and oxide fluorides." Thesis, University of Surrey, 2006. http://epubs.surrey.ac.uk/843525/.
Full textARAKAKI, ALEXANDER R. "Obtencao de ceramicas de ceria - samaria - gadolinia para aplicacao como eletrolito em celulas a combustivel de oxido solido (SOFC)." reponame:Repositório Institucional do IPEN, 2010. http://repositorio.ipen.br:8080/xmlui/handle/123456789/9506.
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Dissertacao (Mestrado)
IPEN/D
Instituto de Pesquisas Energeticas e Nucleares - IPEN-CNEN/SP
Romano, Esteban Javier. "In-situ surface science studies of the interaction between sulfur dioxide and two-dimensional palladium loaded-cerium/zirconium mixed metal oxide model catalysts." Diss., Mississippi State : Mississippi State University, 2005. http://library.msstate.edu/etd/show.asp?etd=etd-04062005-093500.
Full textWomiloju, Olusola Olumuyiwa. "(Pentamethylcyclopentadienyl)molybdenum oxides." Thesis, National Library of Canada = Bibliothèque nationale du Canada, 1999. http://www.collectionscanada.ca/obj/s4/f2/dsk1/tape7/PQDD_0017/NQ54601.pdf.
Full textSoutherington, I. Gary. "Organoantimony (V) oxides." Thesis, University of Nottingham, 1991. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.334820.
Full textWyatt, Paul Jeffery. "Homochiral phosphepin oxides." Thesis, University of Cambridge, 1995. https://www.repository.cam.ac.uk/handle/1810/272998.
Full textBernuy-Lopez, Carlos. "Novel mixed conducting oxides for sold oxide fuel cells (SOFC's) applications." Thesis, University of Liverpool, 2008. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.501713.
Full textLiu, Dameng. "High-K gate oxides for future complementary metal-oxide-semiconductor transistors." Thesis, University of Cambridge, 2009. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.611517.
Full textOLIVEIRA, OLAVO R. de. "Desenvolvimento de condutores protonicos ceramicos para operacao de celulas a combustivel de oxido solido com combustiveis metano e hidrogenio." reponame:Repositório Institucional do IPEN, 2009. http://repositorio.ipen.br:8080/xmlui/handle/123456789/9439.
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Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)
Dissertacao (Mestrado)
IPEN/D
Instituto de Pesquisas Energeticas e Nucleares - IPEN-CNEN/SP
FAPESP:07/51631-0
GARCIA, RAFAEL H. L. "Síntese e processamento de compósitos de zircônia-alumina para aplicação como eletrólito em células a combustível de óxido sólido." reponame:Repositório Institucional do IPEN, 2007. http://repositorio.ipen.br:8080/xmlui/handle/123456789/11554.
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Dissertação (Mestrado)
IPEN/D
Instituto de Pesquisas Energeticas e Nucleares - IPEN/CNEN-SP
SANTANA, LEONARDO de P. "Estudo de conformacao de ceramicas a base de zirconia para aplicacao em celulas a combustivel do tipo oxido solido." reponame:Repositório Institucional do IPEN, 2008. http://repositorio.ipen.br:8080/xmlui/handle/123456789/11727.
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Dissertação (Mestrado)
IPEN/D
Instituto de Pesquisas Energeticas e Nucleares - IPEN-CNEN/SP
Togo, Atsushi. "Point defects and lattice dynamics of tin oxides and lead oxides." 京都大学 (Kyoto University), 2006. http://hdl.handle.net/2433/136157.
Full textRen, Xiaolin. "Synthesis and characterisation of metal oxides and fluorinated perovskite-related oxides." Thesis, Open University, 2005. http://oro.open.ac.uk/54200/.
Full textRowley, Adrian. "Computer simulation of oxides." Thesis, University of Oxford, 1998. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.298405.
Full textBoltz, Janika [Verfasser]. "Sputtered tin oxide and titanium oxide thin films as alternative transparent conductive oxides / Janika Boltz." Aachen : Hochschulbibliothek der Rheinisch-Westfälischen Technischen Hochschule Aachen, 2012. http://d-nb.info/1019850485/34.
Full textMessi, C. "Nanostructured catalytic metal oxides supported over oxide supports of various nature : the iron oxide system." Doctoral thesis, Università degli Studi di Milano, 2008. http://hdl.handle.net/2434/57081.
Full textGraves-Brook, Melissa Kaye. "Synthesis and characterization methods of palladium-doped ceria-zirconia compounds." Master's thesis, Mississippi State : Mississippi State University, 2005. http://sun.library.msstate.edu/ETD-db/ETD-browse/browse.
Full textIsherwood, Patrick J. M. "Development of transparent conducting oxides for photovoltaic applications." Thesis, Loughborough University, 2015. https://dspace.lboro.ac.uk/2134/18886.
Full textHosokawa, Saburo. "Solvothermal Synthesis of Rare Earth Oxides and Rare-Earth-Based Mixed-Oxides." 京都大学 (Kyoto University), 2007. http://hdl.handle.net/2433/77797.
Full textAlmar, Liante Laura. "Ordered mesoporous metal oxides for solid oxide fuel cells and gas sensors." Doctoral thesis, Universitat de Barcelona, 2014. http://hdl.handle.net/10803/283997.
Full textLos nano-materiales han recibido especial atención durante estas últimas décadas en el campo del estado sólido dado el importante papel que desempeñan como catalizadores y/o soportes catalíticos en diversas aplicaciones, tales como las pilas de combustible o los sensores de gas. Este interés se debe principalmente a su elevada área específica, que da lugar a una mejora del rendimiento y es una solución efectiva para aquellas aplicaciones que requieran materiales de elevado coste. Sin embargo tal y como señalan muchos estudios, el colapso de estas nano-estructuras a elevadas temperaturas es uno de los mayores inconvenientes para su implementación en dispositivos reales, siendo por tanto necesario explorar nuevas rutas que consigan estabilizar estos materiales térmicamente. El objetivo de la presente tesis es desarrollar metodologías cuasi-universales de estabilización térmica, mediante la explotación de las características exclusivas que poseen los materiales mesoporosos ordenados fabricados a partir de un template. Lo cual nos permite implementarlos y evaluarlos en aplicaciones energéticas que operan a elevada temperatura p.ej. pilas de combustible de óxido sólido. El trabajo desarrollado se divide en siete partes. El primer capítulo introduce los fundamentos de los materiales mesoporosos, las pilas de combustible de óxido sólido, la catálisis y los sensores de gas. En el segundo capítulo se detallan los procedimientos experimentales y las técnicas de caracterización empleados. El tercer capítulo presenta una nueva metodología para estabilizar térmicamente los materiales mesoporosos de estructura 3-D abierta. Los siguientes tres capítulos, muestran la fabricación y el comportamiento electroquímico de materiales mesoporosos térmicamente estables trabajando como electrodos de pilas de combustible de óxido sólido. Por último, en el capítulo siete se demuestra la viabilidad de los óxidos cerámicos mesoporosos como materiales funcionales en sensores de humedad.
Jewmaidang, Jirasak. "Homogeneous sulfur tri-oxide formation in gas reburning for nitrogen oxides control." Ohio : Ohio University, 1999. http://www.ohiolink.edu/etd/view.cgi?ohiou1175801641.
Full textYue, Wenbo. "Mesoporous crystalline metal oxides." Thesis, St Andrews, 2009. http://hdl.handle.net/10023/830.
Full textLangley, Tracey Annette. "Studies of mixed oxides." Thesis, University of Oxford, 1998. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.365837.
Full textSu, Zixue. "Porous anodic metal oxides." Thesis, University of St Andrews, 2010. http://hdl.handle.net/10023/1019.
Full textBaxter, J. E. "Acylphosphine oxides as photoinitiators." Thesis, City University London, 1988. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.380699.
Full textDroessler, Laura Melanie. "Lead oxides for photovoltaics." Thesis, University of Oxford, 2014. http://ora.ox.ac.uk/objects/uuid:8a0216a2-3efe-4de4-a853-d5b6ec53eeee.
Full textWeerakkody, D. A. "Engineered high-k oxides." Thesis, University of Liverpool, 2016. http://livrepository.liverpool.ac.uk/3003448/.
Full textHutton, Gordon Eric. "Stereocontrol with phosphine oxides." Thesis, University of Cambridge, 1994. https://www.repository.cam.ac.uk/handle/1810/273009.
Full textTodorov, Neno. "Phonons in complex oxides." Nantes, 2014. http://archive.bu.univ-nantes.fr/pollux/show.action?id=501ad770-9596-41d0-9e83-227ef7a790d9.
Full textThe thesis presents the results of the studies on different oxides with perovskite or perovskite-like structures like orthorhombic YCrO3 and YMnO3 rhombohedral Sc3CrO6, and C-type Sc2O3 . The main experimental method used for the characterization of the samples is Raman spectroscopy. In addition to that, to find their chemical content and crystal structure, other methods like scanning electron microscopy, single-crystal diffractometry, and x-ray powder diffraction were used. Lattice dynamical calculations (empirical shell model and ab initio methods) were used to determine the origin of the observed in the Raman spectra lines. A systematic analysis of the structural and Raman data for R3+B3+03 (R-rare earth,B = Al, Sc, Ti, V, Cr, Mn,Fe,Co,Ni, and Ga) was made to establish dependency between the frequency of the quasi-soft Raman-active modes and the tilt angle(s) of the BO6 octahedra. A general dependency of the frequencies of the Raman lines on the cubic crystal lattice parameter was shown as a result of a comparative study of the rare earth sesquioxides R2O 3
Thorpe, Heidi Ruth. "Chemistry of allene oxides." Thesis, Loughborough University, 1997. https://dspace.lboro.ac.uk/2134/13751.
Full textYOSHITO, WALTER K. "Estudo de rotas de síntese e processamento cerâmico do compósito NiO-YSZ para aplicação como anodo em células a combustível do tipo óxido sólido (SOFC)." reponame:Repositório Institucional do IPEN, 2011. http://repositorio.ipen.br:8080/xmlui/handle/123456789/9966.
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Tese (Doutoramento)
IPEN/T
Instituto de Pesquisas Energeticas e Nucleares - IPEN-CNEN/SP
Gu, Jingjing. "Ternary Oxide Structures for High Temperature Lubrication." Thesis, University of North Texas, 2015. https://digital.library.unt.edu/ark:/67531/metadc804963/.
Full textDrisko, Glenna L. "Template synthesis and surface modification of metal oxides /." Connect to thesis, 2010. http://repository.unimelb.edu.au/10187/7090.
Full textCAMPOS, MAGALI de. "Obtencao da zirconia (ZrO2) estabilizada com itria (Y2O3) via precipitacao simultanea." reponame:Repositório Institucional do IPEN, 1993. http://repositorio.ipen.br:8080/xmlui/handle/123456789/10326.
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Dissertacao (Mestrado)
IPEN/D
Instituto de Pesquisas Energeticas e Nucleares - IPEN/CNEN-SP
Smith, Andrew William John. "An experimental and computer modelling study of ternary rutile oxides and molybdenum oxides." Thesis, University of Reading, 1996. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.318583.
Full textPenner, S., and H. Lorenz. "From Pure Oxides to Mixed Oxides: Model Systems for Structural and Catalytic Studies." Thesis, Sumy State University, 2013. http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/35049.
Full textSILVA, MAVIAEL J. da. "Desenvolvimento de selantes vitrocerâmicos para uso em SOFC pertencentes ao sistema BAS (BaO-Alsub(2)0sub(3)-SiOsub(2)) modificados com Bsub(2)Osub(3)." reponame:Repositório Institucional do IPEN, 2014. http://repositorio.ipen.br:8080/xmlui/handle/123456789/23655.
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Tese (Doutorado em Tecnologia Nuclear)
IPEN/T
Instituto de Pesquisas Energeticas e Nucleares - IPEN-CNEN/SP
Wei, Daming. "Study of high dielectric constant oxides on GaN for metal oxide semiconductor devices." Diss., Kansas State University, 2014. http://hdl.handle.net/2097/17393.
Full textDepartment of Chemical Engineering
James H. Edgar
Gallium nitride is a promising semiconductor for fabricating field effect transistors for power electronics because of its unique physical properties of wide energy band gap, high electron saturation velocity, high breakdown field and high thermal conductivity. However, these devices are extremely sensitive to the gate leakage current which reduces the breakdown voltage and the power-added efficiency and increases the noise figures. To solve this problem, employing a gate dielectric is crucial to the fabrication of metal insulator semiconductor high electron mobility transistors (MISHEMTs), to reduce the leakage current and increase the magnitude of voltage swings possible. For this device to be successful, imperfections at the oxide-semiconductor interface must be suppressed to maintain the high electron mobility of the device. This research explored multiple high dielectric constant gate oxides (Al[subscript]2O[subscript]3, TiO[subscript]2, and Ga[subscript]2O[subscript]3), deposited on different crystalline orientations and polarities of GaN by atomic layer deposition (ALD) to form metal oxide semiconductor capacitors, including effects of pretreatment on N-polar GaN, ALD TiO[subscript]2/Al[subscript]2O[subscript]3 nano-laminate on thermal oxidized Ga-polar GaN and ALD Al[subscript]2O[subscript]3 on [Italic]c- and [Italic]m-plane GaN Surface pretreatments were shown to greatly alter the morphology of reactive N-polar GaN which is detrimental to the electrical properties. 14 nm thick ALD Al[subscript]2O[subscript]3 films were directly deposited on N-polar GaN without thermal or chemical pretreatments which yield a smooth surface (RMS=0.23 nm), low leakage current (2.09 x 10[superscript]-[superscript]8 A/cm[superscript]2) and good Al[subscript]2O[subscript]3/GaN interface quality, as indicated by the low electron trap density (2.47 x 10[superscript]10 cm[superscript]-[superscript]2eV[superscript]-[superscript]1). In the nano-laminate study, a high dielectric constant of 12.5 was achieved by integrating a TiO[subscript]2/Al[subscript]2O[subscript]3/Ga[subscript]2O[subscript]3 oxide stack layer, while maintaining a low interface trap density and low leakage current. There was a strong correlation between the surface morphology and electrical properties of the device discovered from comparing the ALD Al[subscript]2O[subscript]3 on [Italic]c- and [Italic]m-plane GaN, namely smooth surface lead to small hysteresis. These results indicate the promising potential of incorporation gate dielectric for future GaN devices.
Boratto, Miguel Henrique. "Semiconducting and insulating oxides applied to electronic devices." Universidade Estadual Paulista (UNESP), 2018. http://hdl.handle.net/11449/153215.
Full textApproved for entry into archive by Maria Marlene Zaniboni null (zaniboni@bauru.unesp.br) on 2018-03-26T16:38:12Z (GMT) No. of bitstreams: 1 boratto_mh_dr_bauru.pdf: 5163282 bytes, checksum: 63d587fd9642d9da4a7eb0173248c3e9 (MD5)
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Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq)
Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)
Este trabalho compreende o estudo de óxidos semicondutores (Sb:SnO2 e TiO2) e isolantes (ZrO2) obtidos via sol-gel, e a investigação de suas propriedades, de modo a avaliar estes materiais como alternativa para aplicação em dispositivos eletrônicos, tais como Capacitor Metal-Isolante-Metal (MIM), transistores de filmes finos (TFT) e memristores. Os filmes finos de SnO2 foram obtidos através de duas soluções com diferentes tempos de envelhecimento. Os filmes finos de ZrO2 também foram obtidos a partir de duas soluções, produzidas por dois métodos distintos, não-alcoóxido e polimérico. A deposição dos filmes finos foi realizada por dip- e spin-coating, e as caracterizações foram realizadas através das técnicas de DRX, AFM, MEV, Microscopia Confocal, EDX, RBS, TG/DSC, Espectroscopia no espectro UV-Vis, Voltametria Cíclica e Espectroscopia de Impedância, afim de melhor compreender as relações entre propriedades morfológicas e estruturais dos filmes e suas propriedades elétricas. As características de filmes finos de Sb:SnO2 e ZrO2 foram analisadas em dispositivos TFT e MIM, respectivamente. Alternativamente, TiO2 foi acoplado ao Sb:SnO2 e juntos foram aplicados em memristores devido às propriedades elétricas da junção destes semicondutores. Os resultados das análises dos diferentes tipos de dispositivos eletrônicos investigados neste trabalho são discutidos considerando suas diversas características, e são também propostas opções de possíveis melhorias para tais dispositivos tornarem-se comparáveis aos estados-da-arte já existentes.
This work comprises the study of oxide semiconductors (Sb-doped SnO2 and TiO2) and insulating materials (ZrO2) obtained by sol-gel, and the investigation of their properties, aiming to evaluate these materials as alternative for application in electronic devices, such as Metal-Insulator-Metal (MIM) capacitors, Thin Film Transistors (TFT), and Memristors. The SnO2 thin films were obtained by two solutions with different aging times. The ZrO2 thin films were also obtained by two solutions, synthesized from two distinct methods, non-alkoxide and polymeric. The thin film deposition occurred mainly by dip- and spin-coating techniques, and the characterizations were performed through the techniques of XRD, AFM, SEM, Confocal Microscopy, EDX, RBS, TG/DSC, UV-Vis Spectroscopy, cyclic voltammetry and Impedance spectroscopy, in order to better understand the relations between the morphological and structural properties of these films and their electrical properties. The properties of Sb:SnO2 and ZrO2 thin films were analyzed in TFT and MIM devices, respectively. Alternatively TiO2 was coupled with Sb:SnO2 and applied to Memristors due to the electrical properties of this semiconductor junction. The analysis and results of the different devices investigated in this work are discussed considering their several characteristics, and it is also suggested options for possible enhancements for these devices become comparable to existent state-of-the-art devices.
Reeder, Askia Enrico. "STUDY OF THE STRUCTURE AND THE ELECTRONIC PROPERTIES OF THE OXIDE/OXIDE INTERFACES IN MIXED METAL OXIDES." Doctoral thesis, Università degli studi di Padova, 2014. http://hdl.handle.net/11577/3423844.
Full textUn ruolo molto importante è svolto dagli ossidi metallici in molti settori della chimica, fisica e scienza dei materiali. I metalli di transizione e le terre rare sono in grado di formare una grande diversità di composti ossidici che possono adottare un'ampia gamma di strutture atomiche ed proprieta’ elettroniche che possono esibire caratteristiche metalliche, semiconduttrici o isolanti. In applicazioni tecnologiche, gli ossidi metallici sono impiegati nella fabbricazione di componenti microelettronici, sensori, celle a combustibile, rivestimenti per proteggere le superfici dalla corrosione, e come catalizzatori. In questa tesi abbiamo deciso di studiare due noti materiali catalitici: gli ossidi misti di Zirconia-Titania Ceria-Titania. Per entrambi i materiali la bibliografia riguarda principalmente le polveri quindi, al fine di studiare meglio le loro interfacce, di cui uno studio più approfondito e’ tuttora neccessario, abbiamo deciso di depositare film sottili di ossido di zirconio e ossido di cerio su rutilo TiO2(110). Abbiamo prima studiato il sistema zirconia-titania depositando un film ultra-sottile di ossido di zirconio mediante un precursore metallo-organico: Zirconio Tetra tert-butossido. La deposizione è stata effettuata a tre diverse temperature del substrato 677. K, 738 K, 773 K in cinque fasi di un minuto ciascuno. La caratterizzazione mediante XPS ha mostrato una chimica interessante sulla superficie del substrato e abbiamo osservato la formazione di specie carboniose all'interfaccia. Lo zirconio sembrava essere nel suo piu’ alto stato di ossidazione mentre il titanio è stato visto gradualmente ridursi con ogni successive strato di deposito. Il rapporto dei segnali Zr/Ti ha mostrato che la zirconia non ha completamente coperto la superficie. Inoltre,tramite LEED non si e’ osservato nessun ordine a lungo raggio. Misure XPD ha mostrato che la zirconia non forma un ossido di sostituzione con la titania. Tuttavia, con l'ausilio di simulazione al computer abbiamo dedotto che la zirconia forma, molto probabilmente nanocatene sulla superficie di TiO2(110). Questa superficie è stato esposta a 100 L di pyridinina per testarne la acidita’. Nel caso di ceria, abbiamo depositato l'ossido su un substrato riscaldato di TiO2 (110) tramite evaporazione del metallo da un crogiolo Mo poiché il processo è piuttosto facile e fornisce depositi puliti. Durante la deposizione il substrato è stata mantenuto a 677 K in un ambiente di 5,2 • 10 -6 mbar di O2, e, al fine di ottenere una superficie omogenea e ordinata il campione è stato ulteriormente sottoposto a trattamento termico nello stesso ambiente a 900 K. Tramite la tecnica LEED sono state osservate differenti fasi dipendenti dalla storia del campione e dallo spessore del film. Tramite simulazione al computer queste fasi sono stati poi riferite rispetto al biossido di cerio per meglio comprendere le differenze rispetto alla fase massiva. Tutti i film hanno mostrato cerio presenti come Ce(III). La Spettroscopia Fotoelettronica a Ultravioletti ha mostrato le proprietà elettroniche del film che mostra uno spostamento in energia di legame e un popolamento degli stati Ce4f. Questo e’ dovuto alla stabilizzazione di Ce (III) da parte di TiO2 (110). Si e’ volute osservare la reattività del sistema ceria-titania nei confronti di metanolo ed etanolo. I risultati hanno mostrato che l'aggiunta di ceria ha aperto il percorso della deidrogenazione degli alcoli ad aldeidi. Abbiamo osservato che la pre-ossidazione con ossigeno del sistema CeOx-TiO2(110) ha avuto un impatto sulla sua selettività aprendo anche un percorso di disidratazione di metanolo ed etanolo rispettivamente a metano ed etilene. Questa via alternativa era valida solo per basse coperture di ossido di cerio avendo osservato che l’interazione con il substrato è stato necessario perche’ avvenga la disidratazione. La formazione di aldeidi fu osservata avvenire a temperature piuttosto (330 K) ed essere indipendente dallo spessore del film. Successivamente sono state caratterizzate tramite XPS delle polveri di ossidi misti di ceria e titania. Abbiamo osservato che per quantità crescenti di cerio l'elemento diventa gradualmente sempre piu’ presente al suo stato di ossidazione più alto Ce (IV). Con XPS abbiamo anche determinato la formazione di un composito molto intimo tra i due ossidi osservando l'aumento della larghezza a metà altezza del picco Ti2p per quantità crescenti di cerio. Inoltre, la determinazione della composizione ha mostrato che il cerio ha la tendenza di disperdersi all'interno delle particelle di titania. Questi dati hanno contribuito a scoprire una possibile buona ricetta per la formazione di cerio titanato; un composito con buona capacità di stoccaggio di ossigeno.
NOBREGA, SHAYENNE D. da. "Fabricação e testes de células a combustível de óxido sólido a etanol direto usando camada catalítica." reponame:Repositório Institucional do IPEN, 2013. http://repositorio.ipen.br:8080/xmlui/handle/123456789/10184.
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Tese (Doutoramento)
IPEN/T
Instituto de Pesquisas Energeticas e Nucleares - IPEN-CNEN/SP
Azevedo, Neto Nilton Francelosi [UNESP]. "Deposição e caracterização de filmes de óxido de cobalto por sputtering reativo." Universidade Estadual Paulista (UNESP), 2014. http://hdl.handle.net/11449/115988.
Full textCoordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)
Filmes de óxido de cobalto apresentam interesses para aplicações em catálise, sensores de gás e para estudos do efeito de exchange bias em multicamadas de CoO/Co/CoO. Neste trabalho, filmes de óxido de cobalto foram depositados usando a técnica de DC sputtering, nas potências 80,120 e 240W. A superfície dos filmes preparados a potências menores não apresentaram trincas. Medidas de difração de raios X indicaram a presença da fase Co3O4 nas deposições de 80 e 120 W. Para deposição com 240 W, observa-se apenas a presença da fase CoO. Os espectros de espalhamento Raman dos filmes apresentaram bandas referentes aos modos do Co3O4 para todas as amostras crescidas, já a análise de transmitância no infravermelho apresentou bandas de absorção relacionadas à fase CO3O4 nos filmes depositados com baixa potência, e uma mistura de bandas do CoO e Co3O4 na deposição a 240 W. O espectro de transmitância no UV/VIS/NIR apresentou absorções relacionadas a transições eletrônicas do óxido de cobalto em em 0,8,0,9,1,7 e 3eV na amostra crescida em 80 W. Com o objetivo de criar camadas nanométricas de cobalto puro, intercaladas com filmes de óxido de cobalto, foram depositados filmes nos quais o fluxo de oxigênio foi interrompido. A potência utilizada foi 120 W e os tempos de interrupção foram 120 e 12s. Imagens de microscopia eletrônica de varredura indicaram que não houve rachaduras na superfície dos filmes e medidas na seção transversal das amostras indicaram formaram das camadas metálicas no interior do filme depositado com interrupção de oxigênio por 120s. Análise de difração de raios X das multicamadas mostrou um favorecimento da fase CoO em relaçãoao tetraóxido, porém o espectro Raman dos filmes apresentaram picos claros da fase Co3O4. Utilizando uma simulação computacional baseada no método de Monte Carlo (Stopping and Range of lons in Matter-SRIM) estimou-se a energia com que os átomos e íons...
Cobalt oxide films have interest for application in catalysis, gas sensors, and for studies of the exchange bias effect in CoO/Co/CoO multilayers. In this work, cobalt oxide films were deposited using DC sputtering technique. The deposition powers tested were 80,120 and 240 W. The surfaces of the films prepared at 240 W have cracked, while films prepared at lower powers showed no cracks. X-ray diffraction measurements indicated that films prepared at lower powers are deminated by the Co3O4 with spinel strucuture while at higher powers the CoO rocksalt phase is favored. Raman scattering measurements of the films showed bands related to Co3O4 spinel modes for all samples, while the infrared transmittance analysis showed absorption bands related to the Co3O4 phase on films deposited at low power and a mixture of CoO and Co3O4 bands deposition to 240 W. In the UV/VIS/NIR spectrum, absorption bands related to electronic transitions of cobalt oxide at 0.8, 0.9, 1.7 and 3 eV were observed in the sample grown at 80 W. Aiming to create nanometric layers of pure cobalt interspersed cobalt oxide films, depositions in which the oxygen flow was periodically stopped were made. In these experiments, the power was kept at 120W and interrupetion periods of 120 and 12 s were used. Scanning electron microscopy image indicated that there were no cracks on the surfaces of the films and cross section measurements idicated the formation of metal layers inside the film deposited with interruption of oxygen for 120 s. Analysis of X-ray diffraction of multilayers showed a favoring of the CoO phase, but the Raman spectra of the films showed clear peaks of Co3O4 phase. Using a computer simulation based on the Monte Carlo method (Stopping and Range of Ions in Matter, SRIM) the energies of the atoms and ions that reach the substrate were estimated. The estimations were performed when deposition is taken with outputs of 120 and 240 W. An increase of the average...
Azevedo, Neto Nilton Francelosi. "Deposição e caracterização de filmes de óxido de cobalto por sputtering reativo /." Bauru, 2014. http://hdl.handle.net/11449/115988.
Full textBanca: Paulo Noronha Lisboa Filho
Banca: Fernando Rogerio de Paula
Resumo: Filmes de óxido de cobalto apresentam interesses para aplicações em catálise, sensores de gás e para estudos do efeito de exchange bias em multicamadas de CoO/Co/CoO. Neste trabalho, filmes de óxido de cobalto foram depositados usando a técnica de DC sputtering, nas potências 80,120 e 240W. A superfície dos filmes preparados a potências menores não apresentaram trincas. Medidas de difração de raios X indicaram a presença da fase Co3O4 nas deposições de 80 e 120 W. Para deposição com 240 W, observa-se apenas a presença da fase CoO. Os espectros de espalhamento Raman dos filmes apresentaram bandas referentes aos modos do Co3O4 para todas as amostras crescidas, já a análise de transmitância no infravermelho apresentou bandas de absorção relacionadas à fase CO3O4 nos filmes depositados com baixa potência, e uma mistura de bandas do CoO e Co3O4 na deposição a 240 W. O espectro de transmitância no UV/VIS/NIR apresentou absorções relacionadas a transições eletrônicas do óxido de cobalto em em 0,8,0,9,1,7 e 3eV na amostra crescida em 80 W. Com o objetivo de criar camadas nanométricas de cobalto puro, intercaladas com filmes de óxido de cobalto, foram depositados filmes nos quais o fluxo de oxigênio foi interrompido. A potência utilizada foi 120 W e os tempos de interrupção foram 120 e 12s. Imagens de microscopia eletrônica de varredura indicaram que não houve rachaduras na superfície dos filmes e medidas na seção transversal das amostras indicaram formaram das camadas metálicas no interior do filme depositado com interrupção de oxigênio por 120s. Análise de difração de raios X das multicamadas mostrou um favorecimento da fase CoO em relaçãoao tetraóxido, porém o espectro Raman dos filmes apresentaram picos claros da fase Co3O4. Utilizando uma simulação computacional baseada no método de Monte Carlo (Stopping and Range of lons in Matter-SRIM) estimou-se a energia com que os átomos e íons...
Abstract: Cobalt oxide films have interest for application in catalysis, gas sensors, and for studies of the exchange bias effect in CoO/Co/CoO multilayers. In this work, cobalt oxide films were deposited using DC sputtering technique. The deposition powers tested were 80,120 and 240 W. The surfaces of the films prepared at 240 W have cracked, while films prepared at lower powers showed no cracks. X-ray diffraction measurements indicated that films prepared at lower powers are deminated by the Co3O4 with spinel strucuture while at higher powers the CoO rocksalt phase is favored. Raman scattering measurements of the films showed bands related to Co3O4 spinel modes for all samples, while the infrared transmittance analysis showed absorption bands related to the Co3O4 phase on films deposited at low power and a mixture of CoO and Co3O4 bands deposition to 240 W. In the UV/VIS/NIR spectrum, absorption bands related to electronic transitions of cobalt oxide at 0.8, 0.9, 1.7 and 3 eV were observed in the sample grown at 80 W. Aiming to create nanometric layers of pure cobalt interspersed cobalt oxide films, depositions in which the oxygen flow was periodically stopped were made. In these experiments, the power was kept at 120W and interrupetion periods of 120 and 12 s were used. Scanning electron microscopy image indicated that there were no cracks on the surfaces of the films and cross section measurements idicated the formation of metal layers inside the film deposited with interruption of oxygen for 120 s. Analysis of X-ray diffraction of multilayers showed a favoring of the CoO phase, but the Raman spectra of the films showed clear peaks of Co3O4 phase. Using a computer simulation based on the Monte Carlo method (Stopping and Range of Ions in Matter, SRIM) the energies of the atoms and ions that reach the substrate were estimated. The estimations were performed when deposition is taken with outputs of 120 and 240 W. An increase of the average...
Mestre