Academic literature on the topic 'Ohmic and injection barrier transitions'
Create a spot-on reference in APA, MLA, Chicago, Harvard, and other styles
Consult the lists of relevant articles, books, theses, conference reports, and other scholarly sources on the topic 'Ohmic and injection barrier transitions.'
Next to every source in the list of references, there is an 'Add to bibliography' button. Press on it, and we will generate automatically the bibliographic reference to the chosen work in the citation style you need: APA, MLA, Harvard, Chicago, Vancouver, etc.
You can also download the full text of the academic publication as pdf and read online its abstract whenever available in the metadata.
Journal articles on the topic "Ohmic and injection barrier transitions"
Bae, Geun Yeol, Jinsung Kim, Junyoung Kim, Siyoung Lee, and Eunho Lee. "MoTe2 Field-Effect Transistors with Low Contact Resistance through Phase Tuning by Laser Irradiation." Nanomaterials 11, no. 11 (October 22, 2021): 2805. http://dx.doi.org/10.3390/nano11112805.
Full textHamui, Leon, Maria Elena Sánchez-Vergara, Ricardo Corona-Sánchez, Omar Jiménez-Sandoval, and Cecilio Álvarez-Toledano. "Innovative Incorporation of Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)-poly(styrenesulfonate) as Hole Carrier Transport Layer and as Anode for Organic Solar Cells Performance Improvement." Polymers 12, no. 12 (November 27, 2020): 2808. http://dx.doi.org/10.3390/polym12122808.
Full textHuang, Yaren, Jonas Buettner, Benedikt Lechner, and Gerhard Wachutka. "The Impact of Non-Ideal Ohmic Contacts on the Performance of High-Voltage SiC MPS Diodes." Materials Science Forum 963 (July 2019): 553–57. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.963.553.
Full textXu, Hongyi, Na Ren, Jiupeng Wu, Zhengyun Zhu, Qing Guo, and Kuang Sheng. "The Impact of Process Conditions on Surge Current Capability of 1.2 kV SiC JBS and MPS Diodes." Materials 14, no. 3 (January 31, 2021): 663. http://dx.doi.org/10.3390/ma14030663.
Full textLópez-Galán, Oscar A., Manuel Ramos, John Nogan, Alejandro Ávila-García, Torben Boll, and Martin Heilmaier. "The electronic states of ITO–MoS2: Experiment and theory." MRS Communications 12, no. 2 (December 16, 2021): 137–44. http://dx.doi.org/10.1557/s43579-021-00126-9.
Full textPérez, R., Narcis Mestres, Dominique Tournier, Xavier Jordá, Phillippe Godignon, and Miquel Vellvehi. "Temperature Dependence of 4H-SiC JBS and Schottky Diodes after High Temperature Treatment of Contact Metal." Materials Science Forum 483-485 (May 2005): 945–48. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.483-485.945.
Full textCha, Jung-Suk, Da-hoon Lee, Kee-Baek Sim, Tae-Ju Lee, Tae-Yeon Seong, and Hiroshi Amano. "Inhomogeneous Barrier Height Characteristics of n-Type AlInP for Red AlGaInP-Based Light-Emitting Diodes." ECS Journal of Solid State Science and Technology 11, no. 3 (March 1, 2022): 035007. http://dx.doi.org/10.1149/2162-8777/ac5d66.
Full textSqueo, Benedetta Maria, Wojciech Mróz, Umberto Giovanella, and Mariacecilia Pasini. "Anionic Low Band Gap-Conjugated Polyelectrolytes as Hole-Transporting Layer in Optoelectronics Devices." Chemistry Proceedings 3, no. 1 (November 14, 2020): 18. http://dx.doi.org/10.3390/ecsoc-24-08406.
Full textFatahi, Negin, Arash Boochani, Shahram Solaymani, Elmira Sartipi, and Farzad Ahmadian. "The band offset barrier and optical properties calculation of Co2VGa/GaAs(001) interfaces: A DFT study." International Journal of Modern Physics B 32, no. 01 (January 8, 2018): 1750270. http://dx.doi.org/10.1142/s0217979217502708.
Full textVermare, L., P. Hennequin, C. Honoré, M. Peret, G. Dif-Pradalier, X. Garbet, J. Gunn, et al. "Formation of the radial electric field profile in the WEST tokamak." Nuclear Fusion 62, no. 2 (December 16, 2021): 026002. http://dx.doi.org/10.1088/1741-4326/ac3c85.
Full textDissertations / Theses on the topic "Ohmic and injection barrier transitions"
Дмитрієв, Вадим Сергійович. "Омічні та інжектуючі бар’єрні переходи до арсеніду галію." Doctoral thesis, Київ, 2019. https://ela.kpi.ua/handle/123456789/29304.
Full textДисертація на здобуття наукового ступеня кандидата технічних наук за спеціальністю 05.27.06 - Технологія, обладнання та виробництво електронної техніки. – Інженерний інститут Запорізького національного університету, Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського», 2019. Дисертаційну роботу присвячено розробці технології відтворюваного отримання омічних та інжектуючих бар’єрних переходів на основі срібла до арсеніду галію n-типу провідності. Розроблено технологію відтворюваного отримання омічних контактів Ag-Ge-In/n-n+GaAs, яка забезпечує лінійну ВАХ, коефіцієнт інжекції γ=0,07…0,00, контактний опір (5…7)∙10-5 Ом∙см2. Розроблено технологію відтворюваного отримання інжектуючих бар`єрних переходів Ag/n-n+GaAs з висотою потенційного бар’єру 0,98 В, коефіцієнтом інжекції γ =10-8, коефіцієнтом неідеальності η=1,087. Розроблені технології нанесення контактного матеріалу та режимів термообробки при створенні омічних та інжектуючих бар’єрних переходів рекомендуються до використання при виготовленні багатоелектродного МЕП-приладу з розширеними функціональними можливостями, до складу якого входять керуючі електроди, розташовані над областю розповсюдження біжучої хвилі.
Satter, Md Mahbub. "Design and theoretical study of Wurtzite III-N deep ultraviolet edge emitting laser diodes." Diss., Georgia Institute of Technology, 2014. http://hdl.handle.net/1853/53042.
Full textConference papers on the topic "Ohmic and injection barrier transitions"
Wroblewski, Donald, Onomitra Ghosh, Annie Lum, David Willoughby, Michael VanHout, Kristina Hogstrom, Soumendra N. Basu, and Michael Gevelber. "Modeling and Parametric Analysis of Plasma Spray Particle State Distribution for Deposition Rate Control." In ASME 2008 International Mechanical Engineering Congress and Exposition. ASMEDC, 2008. http://dx.doi.org/10.1115/imece2008-68752.
Full text