Academic literature on the topic 'Métal déposé'

La présence de fêlures amélaires ne doit pas être considérée comme seulement due à la dépose. De nombreux facteurs doivent être considérés en amont. 1. La préexistence de facteurs de risque avant traitement (fêlures, trauma...) sont à signaler au patient et à noter. 2. Le choix de la technique : la technique vestibulaire entraîne moins de fêlures que la technique linguale. 3. Les boîtiers céramiques entraînent des forces de collage beaucoup plus élevées que les boîtiers métalliques; les boîtiers céramiques renforcés métal constitueraient une alternative intéressante. 4. Les CVIMAR constitueraient une alternative intéressante aux colles classiques. 5. Lors de recollages successifs, il est préférable, au moins lors du premier décollement d’un boîtier, de ne pas re-mordancer mais de seulement niveler la colle. 6. Des alternatives à la dépose par pince sont à l’étude concernant les boîtiers céramiques pour contrecarrer le problème de la force élevée : chaleur, laser...

Les besoins de la microélectronique pour les condensateurs de type DRAM sont résumés dans la feuille de route ITRS (International Technology Roadmap for Semiconductors). Pour descendre en dessous du noeud technologique 22 nm, des performances électriques telles qu'une épaisseur d'oxyde équivalent (EOT) < 0.5 nm et un niveau de courant de fuite < 1.10-7 A/cm² à 0.8 V sont nécessaires. Ces performances sont difficiles à atteindre si l'on considère des oxydes standards largement utilisés tels que le SiO2, le Si3N4 ou l'Al2O3. Le dioxyde de Titane constitue un matériau diélectrique de choix pour ce type d'application si l'on considère sa forte constante diélectrique, la plus haute des oxydes binaires. Selon les conditions de croissance de la couche de TiO2, celle-ci peut se présenter sous forme amorphe ou posséder une structure cristalline appelé phase anatase ou phase rutile. Cette dernière présente une très forte constante diélectrique (90 à 170 selon l'orientation de la maille cristalline) et en fait un atout indéniable pour le développement de condensateur DRAM. Toutefois, cette phase rutile est aussi à l'origine d'un fort courant de fuite mesuré à partir des structures Métal - Isolant - Métal (MIM) associées. De ce fait, il est primordial de savoir contrôler ces courants de fuite tout en gardant la forte valeur de constante diélectrique de la phase rutile. Dans ce travail, nous proposons de travailler sur la croissance des couches minces de TiO2 intégrées dans des structures MIM et déposées sur des substrats différents tels que des électrodes de RuO2/Ru ou de Pt. La technique de dépôt employée pour les couches minces de TiO2 est la technique ALD pour son contrôle très précis de l'épaisseur déposée et sa souplesse d'utilisation pour ce type d'applications. Les propriétés physico-chimiques des couches de TiO2 et l'influence du substrat sur ces propriétés sont analysées. Des compositions différentes de diélectriques sont élaborées au moyen de la technique de dépôt par ALD et notamment des couches minces de TiO2 dopés à l'aluminium. Les propriétés électriques de ces couches sont étudiées afin de déterminer les performances électriques des structures MIM associées en termes de courant de fuite et de densité capacitive
The requirements for future dynamic random access memory (DRAM) capacitors are summarized in the International Technology Roadmap for Semiconductors. For sub-22 nm node, performances like equivalent oxide thickness (EOT) < 0.5 nm and leakage current density < 1.10-7 A/cm² at 0.8 V are required but are difficult to meet. Titanium dioxide (TiO2) is an attractive dielectric material for such application regarding its high dielectric constant (k). Depending on its growth conditions, TiO2 can be prepared in amorphous, anatase or rutile phase. From the structural point of view, it is generally preferred that TiO2 remains amorphous throughout a complete technological process to minimize leakage transport along grain boundaries. However, the rutile phase exhibits very high dielectric constant ranging from 90 to 170, depending on the lattice orientation. Due to this high dielectric constant, TiO2 rutile phase is considered as a promising material for capacitors in future generations of Dynamic Random Access Memories (DRAMs). A key issue is how to control the high leakage current of rutile phase while keeping the highest dielectric constant in order to get the best electrical performances. In this work, we investigate the growth of high dielectric constant rutile TiO2 films in Metal - Insulator - Metal (MIM) structures deposited on different substrates such as RuO2/Ru or Pt electrodes using ALD (Atomic Layer Deposition). A study of physico-chemical properties of TiO2 layer and influence of bottom electrodes on TiO2's crystalline structure is proposed. Different compositions of dielectrics are processed using flexibility of ALD deposition technique, including Al-doped TiO2 layers and pure TiO2 layers. Electrical properties in terms of leakage current or capacitance density of MIM structures embedding that kind of dielectrics and comparison between these MIM structures in terms of electrical performances is proposed in order to determine the best dielectric film composition to meet the requirements for next generation of DRAM capacitors

Etude des modifications des proprietes du nickel sur support d'oxydes de terres rares (lanthane et cerium) en comparant avec d'autres supports. Les caracterisations physicochimiques (reduction chimique, adsorption-desorption a temperature programmee) montrent que les oxydes de terres rares sont des supports facilement reductibles. Toutefois les mesures de chimisorption ne permettent pas de determiner la taille des particules en raison d'interactions electroniques entre le metal et le support. C'est pourquoi, les catalyseurs sont caracterises par des reactions d'hydrogenation. Mise en evidence de centres reactionnels d'adsorption du monoxyde de carbone par spectrometrie infra rouge

Divers composants du circuit primaire des réacteurs à eau pressurisée (REP) intègrent des zones soudées dont certaines utilisent l’alliage base nickel 82 (désigné comme ERNICr-3 dans le code RCC-M) comme métal d’apport. Ces zones soudées subissent une exposition prolongée au milieu primaire, environnement contrôlé d’un point de vue chimique et contenant de l’hydrogène dissout. La littérature rapporte que, dans des conditions particulières d’exposition à l’eau primaire, et à basse température (< 100 °C), un abattement des propriétés mécaniques, et de la résistance à la déchirure ductile notamment, se manifeste pour l’alliage 82. Selon la littérature, l’hydrogène serait responsable de cette fragilisation, mais son rôle n’a pas été encore clairement démontré dans des conditions proches d’un environnement REP. Cette thèse s’inscrit dans le cadre d’un projet de recherche développé par Framatome pour identifier le rôle de l’hydrogène et évaluer les situations de fonctionnement potentiellement à risque. Elle a permis de déterminer les conditions les plus fragilisantes en simulant le milieu primaire en autoclave et de proposer des éléments de compréhension quant à l’effet de l’hydrogène sur l’endommagement observé. Le dépôt soudé en alliage 82 étudié a été fabriqué par Framatome ; sa microstructure a été étudiée à différentes échelles pour décrire les différents éléments microstructuraux susceptibles de jouer un rôle dans le mécanisme de fragilisation. Une forte hétérogénéité de microstructure a été mise en évidence, nécessitant le repérage précis de la direction et de la profondeur de prélèvement des échantillons dans le dépôt. Les propriétés mécaniques en traction du dépôt en environnement primaire simulé ont été déterminées en considérant différentes conditions d’exposition à ce milieu : elles ont été comparées aux propriétés en traction mesurées à l’air. L’endommagement consécutif à ces essais a été caractérisé et un mécanisme de fragilisation assistée par l’hydrogène a été proposé. Pour vérifier les hypothèses émises quant à l’effet de l’hydrogène sur le matériau étudié, d’autres essais de traction ont été réalisés sur des échantillons pré-chargés en hydrogène par polarisation cathodique. Les résultats obtenus ont permis d’apporter des éléments de compréhension supplémentaires quant à l’influence de l’hydrogène sur les propriétés mécaniques du dépôt soudé d’alliage 82 en milieu primaire simulé. Des mesures électrochimiques et des analyses en SKPFM ont également été réalisées sur des échantillons pré-chargés en hydrogène, mais aussi pré-exposés au milieu primaire simulé, pour évaluer l’influence de l’hydrogène sur le comportement électrochimique du dépôt et étudier sa distribution au sein de ce dernier. Des interactions entre l’hydrogène et certains éléments microstructuraux du matériau ont ainsi été mises en évidence
Various components in the primary circuit of pressurised water reactors (PWRs) include welded zones, some of which use nickel-based alloy 82 (designated as ERNICr-3 in the RCC-M code) as filler metal. These welded zones are subjected to prolonged exposure to PWR primary water; i.e., a chemically controlled environment containing dissolved hydrogen. The literature reports that, under specific conditions of exposure to primary water, and at low temperatures (<100 °C), a reduction in mechanical properties and ductile tearing resistance, in particular, occurs for alloy 82. According to the literature, hydrogen is responsible for this embrittlement, but its role has not yet been clearly demonstrated in conditions close to a PWR environment. This thesis is part of a research project developed by Framatome to identify the role of hydrogen and assess the operating situations that are potentially at risk. The aim of this thesis is to evaluate the most detrimental conditions by simulating the primary environment in an autoclave and to propose ways to better understand the effect of hydrogen on damage. The alloy 82 weld deposit studied was prepared by Framatome; its microstructure was studied at different scales to describe the different microstructural parameters likely to be involved in the mechanism of embrittlement. A highly heterogeneous microstructure was revealed, so that the direction and depth at which samples were taken from the weld deposit have to be controlled. Mechanical tensile properties of the deposit were studied in a primary environment simulated in an autoclave considering different testing conditions; they were compared to tensile properties determined in air. The damage resulting from these tests was characterised, and a hydrogen-assisted embrittlement mechanism was proposed. To verify the hypotheses put forward regarding the effect of hydrogen on the material studied, further tensile tests were carried out on cathodically hydrogen-precharged samples. The results obtained provided further insights into the influence of hydrogen on the mechanical properties of the alloy 82 weld deposit in a simulated primary environment. Electrochemical measurements and SKPFM analyses were also carried out on cathodically hydrogen-precharged samples and samples pre-exposed to the simulated PWR environment to investigate the influence of hydrogen on the electrochemical behaviour of the deposit and to study the hydrogen distribution inside the weld deposit. Interactions between hydrogen and some microstructural parameters of the material were thus highlighted

Nous avons étudié la croissance de films organiques de pérylène tetracarboxylique diimide (PTCDI) et de phthalocyanine de palladium (Pd(Pc)) sur les surfaces métalliques Pt(001), Pt(111) et Au(001). Une étude de l'hétérostructure Au/PTCDI/Pd(Pc)/Au ayant précédemment conclu à un effet redresseur, nous nous sommes plus particulièrement intéressés à la réalisation de cette hétérostructure pour des épaisseurs nanométriques par dépôt en phase vapeur sous ultravide, ainsi qu'à sa caractérisation par différentes techniques d'analyse des surfaces (AES, LEED, REELS, UHV-STM et STS). Il était important de réaliser des couches organiques ordonnées afin d'optimiser le transport de charges dans ces couches.
A l'aide des cinétiques de dépôt réalisées par spectroscopie d'électrons Auger (AES) et de la microscopie à effet tunnel (STM), nous avons identifié les modes de croissance des deux types de molécule en films minces. Nous montrons que PTCDI et Pd(Pc), déposés sur un substrat de platine (Pt(111) et Pt(001)) à différentes températures, croissent suivant le mode Stransky-Krastanov : après la formation d'une première couche désordonnée, les molécules se regroupent dans des îlots cristallins. Les propriétés électroniques de films moléculaires de différentes épaisseurs déposés sur Pt(001) ont pu être déduites par spectroscopie de pertes d'énergie d'électrons lents en mode réflexion (REELS) montrant une lente ouverture du gap. Nous observons la formation de monocouches désordonnées en raison d'une forte interaction molécule-platine comparativement à l'interaction molécule-molécule. Ce résultat étant en opposition avec notre critère initial d'obtention de couches ultraminces ordonnées, nous nous sommes donc intéressés au substrat Au(001). Dans ce cas, il a été démontré que les couches déposées donnent généralement des surstructures organisées.
Nous avons utilisés les vitesses de dépôt précédemment déterminées dans le cadre des dépôt sur platine afin d'étudier par AES et STM les monocouches de PTCDI et Pd(Pc) sur la face (001) de l'or. La monocouche de Pd(Pc) déposée à température ambiante s'ordonne en fonction de la quantité adsorbée en une maille carrée ou rectangulaire, orientée suivant les directions <110> et < 10> du substrat. Le film de PTCDI forme une maille rectangulaire dont les paramètres sont proches de ceux obtenus par diffraction des rayons X sur des monocristaux de PTCDI.
Finalement, le dépôt d'une fraction de monocouche de PTCDI sur la surstructure carrée de Pd(Pc) adsorbée sur Au(001) conduit à la formation d'une maille de PTCDI commensurable avec la maille de Pd(Pc). Les courbes I-V obtenues par STS pour le système W / PTCDI / Pd(Pc) / Au(100) sont semblables à une caractéristique de diode (coefficient redresseur compris entre 13 et 24), mais l'origine de cet effet reste pour le moment à déterminer.

Des films minces de fer (50-120 nm) ont ete deposes par pulverisation sur des substrats monocristallins de gaas orientes (100) ou (111) ; l'interface du systeme resultant a ensuite ete analyse. Immediatement apres le depot realise a la temperature ambiante, on observe au niveau de l'interface une couche melangee fe-ga-as d'epaisseur 7-9 nm. Celle-ci est responsable d'un abaissement du champ hyperfin et de l'aimantation ; de plus, elle cree une anisotropie magnetique uniaxiale dans le plan du film. Ces phenomenes sont surtout notables sur les couches de faible epaisseur. En outre, la technique de depot employee (pulverisation par faisceau d'ions) conduit a des films de fer en compression ; toutefois, les contraintes internes residuelles ne nuisent pas a l'adherence des films sur leur support. Les effets d'un recuit thermique ulterieur ont ete analyses dans la gamme de temperature 350-550c. La reaction entre le film et le support commence des 400c. On observe une structure en couches de sequence: fe/fe#3ga/fe#xas (x = 1,2)/gaas. La bande de fer non allie disparait apres 1h de recuit a 550c. De plus, on observe une relation d'epitaxie entre fe#xas et gaas a 500c. On note egalement des rugosites a l'interface fe#xas/gaas dans le domaine de temperature 450-500c. Les phenomenes observes sont controles par la diffusion thermique du fer et du gallium a travers l'interface initiale. L'energie d'activation des interdiffusions est de 1,5ev. Le melange ionique a l'interface fe/gaas a egalement ete realise par implantation a temperature ambiante d'ions kr#2#+ d'energie 320 kev, le flux etant compris entre 10#1#6 et 10#1#7 ions/cm#2. Aux plus faibles doses, on observe une zone melangee entre fe et gaas, tandis qu'aux plus fortes doses le melange s'avere etre total dans les films de plus faible epaisseur

La réalisation de revêtements métalliques en surface de matériaux composites à matrice organique est possible par le procédé cold spray. La construction de tels revêtements à partir de particules de cuivre sur un substrat contenant des fibres de carbone n'a pu aboutir que grâce à l'ajout d'une poudre polymère. Malgré son rôle dans la construction des dépôts, le polymère présente le désavantage d'être un très bon isolant électrique ayant, de ce fait, une influence très néfaste sur la conductivité des dépôts cold spray. Ces travaux ont donc été concentrés sur l'étude de l'influence de la microstructure de ces dépôts sur leur conductivité électrique. Plusieurs poudres de cuivre ont été mélangées dans diverses proportions avec du PEEK, un polymère thermoplastique. La projection cold spray de ces mélanges a abouti à la formation de dépôts homogènes sur les substrats composites. L'influence des caractéristiques des poudres et des paramètres de projection sur les caractéristiques des dépôts a été étudiée. De même, la déformation du PEEK lors de la projection a été analysée car elle joue un rôle important dans la construction du dépôt. L'étude des propriétés mécaniques du PEEK et des conditions de projection ont permis de simuler sa déformation. Dans la microstructure du dépôt, la présence du PEEK limite les contacts entre les particules de cuivre, abaissant fortement la conductivité électrique des dépôts. Un modèle morphologique de la microstructure a été développé afin d'étudier l'influence de la morphologie de la phase de cuivre sur la conductivité des dépôts. Ce modèle a permis de simuler des microstructures présentant diverses morphologies en 3 dimensions. Il ouvre ainsi la possibilité d'étudier numériquement l'influence de la morphologie de la microstructure des dépôts sur leur conductivité électrique. La conductivité a été mesurées expérimentalement sur des échantillons de dépôt. Un mélange de poudre et des paramètres optimaux ont alors pu être identifiés pour obtenir un dépôt cold spray sur un substrat composite à matrice organique avec une conductivité satisfaisante mais encore inférieure à celle du cuivre massif
The Cold Spray process allows to manufacture metallic coatings onto Carbon Fiber-Reinforced Composite (CFRP). This process relies on the spraying of high-velocity powder particles to result in high deformation and build up to form a dense coating. However, forming a coating made of copper particles onto a substrate containing carbon fibers was achieved out only by mixing metallic powder with a polymer powder. Although the polymer allow to build up the coating onto CFRP, it is highly electrically insulating. It would therefore decrease the electrical conductivity of the coating drastically. Investigations were carried out on the influence of the coatings microstructure on electrical conductivity. Various copper powders, with different morphologies, granulometry and oxygen contents were mixed with PEEK powder, i.e. a thermoplastic polymer. Cold spray of these powders leads to homogeneous coatings onto CFRP. The characteristics of these coatings were studied as a function of the influence of powder characteristics and spraying parameters. The deformation of the PEEK was also investigated as it governed the build up of the coating. Mechanical testing of PEEK samples and in-situ spraying measurements were performed to feed impact simulations. Then, simulated and experimental impact morphologies of copper particles onto PEEK were compared. The PEEK behavior under impact also prevented sound contacts between copper particles, which decreased the coatings electrical conductivity significantly. A morphological model of the microstructure of the coating was developed to reproduce microstructures in 3D numerically. It allows to investigate numerically the influence of the copper phase morphology on coating conductivity. This conductivity was measured experimentally for various starting copper powders. A carefully selected blend of copper and PEEK powders and optimized spraying parameters lead to homogeneous coatings onto CFRP with an acceptable electrical conductivity but still below bulk copper conductivity

Les travaux de recherche présentés dans ce manuscrit concernent l'étude du rôle des déformations (épitaxiale et d'origine thermique) sur les transitions structurales et électriques du dioxyde de vanadium. A cet effet, nous avons synthétisé des films minces de VO₂ par évaporation à faisceau d'électrons et par ablation laser. La géométrie des déformations est contrôlée en modifiant, d'une part, la nature des substrats et, d'autre part, l'épaisseur des dépôts. Dans le cas de la croissance sur des substrats de saphir (Al₂ O₃ ) orientés (001), le fort désaccord de réseau entraîne une croissance par coïncidence de domaine, de sorte que les déformations résiduelles résultent exclusivement du désaccord de coefficient de dilatation entre la couche et le substrat. L'étude de la transition structurale par diffraction des rayons X et l'étude de la résistivité électrique via un dispositif 4 pointes ont montré que la déformation en tension selon l'axe cᵣ conduit à une augmentation de la température de transition (> 68◦ C). L'apparition d'une phase intermédiaire a été mise en évidence au cours de l'étude structurale en température. La croissance sur des substrats de TiO₂ orientés (001) et (111) est caractérisée par un désaccord de réseau de plus faible (∼ 1%) avec une épaisseur critique de 4 nm, à partir de laquelle des dislocations sont créées en vue de relaxer l'énergie élastique. L'étude des transitions électriques et structurales a mis en évidence que l'évolution des transitions résulte d'une compétition entre les déformations épitaxiales, les déformations d'origine thermique et la présence de lacunes d'oxygène à l'interface
The research presented in this manuscript deals the study of the effect of strain (epitaxial or thermal) on the structural and the electrical transitions of vanadium dioxide. VO₂ thin films have been synthesized by e-beam deposition and Pulsed Laser Deposition methods. The strain geometry is controlled by modifying, on the one hand, the nature of the substrates and, on the other hand, the thickness of thin films. In the case of (001) sapphire substrates (Al₂ O₃ ), the important lattice mismatch leads to a domain matching epitaxial growth mechanism, so that the residual strain solely result from the film/substrate thermal expansion mismatch. The study of the structural phase transition, using X-ray diffraction, and the study of the metal-insulator transition, using a 4-probes device, showed that the tensile strain along the cᵣ axis leads to an increase of the transition temperature (> 68◦ C). The appearance of an intermediate phase was demonstrated during the study of the structural phase transition. Growth on (001)- and (111)-TiO₂ substrates is characterized by a weaker lattice mismatch (∼ 1%), with a critical thickness of 4 nm, from which dislocations are created to relax the elastic energy. The study of electrical and structural transitions has shown that the evolution of transitions results from a competition between epitaxial distorsion, thermal distorsions and the presence of oxygen vacancies at the interface

Ce chapitre traite des produits et additifs ajoutés ou déposés sur les matériaux d’emballage classiques comme le métal, le verre ou encore les plastiques. Cela concerne les vernis sur les boites métalliques, les traitements pour durcir la surface ou encore les colles et adhésifs. Les risques pour le consommateur ou pour l’aliment, et la réglementation afférente sont également discutés.