Log in

Relevant bibliographies by topics / Mémoires non volatiles émergentes

Contents

Dissertations / Theses

Academic literature on the topic 'Mémoires non volatiles émergentes'

Author: Grafiati

Published: 25 May 2024

Create a spot-on reference in APA, MLA, Chicago, Harvard, and other styles

Select a source type:

Consult the lists of relevant articles, books, theses, conference reports, and other scholarly sources on the topic 'Mémoires non volatiles émergentes.'

Next to every source in the list of references, there is an 'Add to bibliography' button. Press on it, and we will generate automatically the bibliographic reference to the chosen work in the citation style you need: APA, MLA, Harvard, Chicago, Vancouver, etc.

You can also download the full text of the academic publication as pdf and read online its abstract whenever available in the metadata.

Dissertations / Theses on the topic "Mémoires non volatiles émergentes"

1

Gasquez, Julien. "Conception de véhicules de tests pour l’étude de mémoires non-volatiles émergentes embarquées." Electronic Thesis or Diss., Aix-Marseille, 2022. http://www.theses.fr/2022AIXM0419.

Full text

Abstract:

La mémoire à changement de phase (PCM) s’inscrit dans la stratégie de développement de mémoires non-volatiles embarquées sur les nœuds technologiques avancés (sub 28nm). En effet, la mémoire Flash-NOR devient de plus en plus onéreuse à intégrer dans les technologies avec des diélectriques à forte permittivité et des grilles métalliques. Cette thèse a donc pour objectif principal de réaliser des véhicules de tests afin d’étudier un point mémoire novateur PCM + OTS et de proposer des solutions afin de combler ses lacunes et ses limites suivant les applications envisagées. L’étude a pour support

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

2

Péneau, Pierre-Yves. "Intégration de technologies de mémoires non volatiles émergentes dans la hiérarchie de caches pour améliorer l'efficacité énergétique." Thesis, Montpellier, 2018. http://www.theses.fr/2018MONTS108/document.

Full text

Abstract:

De nos jours, des efforts majeurs pour la conception de systèmes sur puces performants et efficaces énergétiquement sont en cours. Le déclin de la loi de Moore au début du XX e siècle a poussé les concepteurs à augmenter le nombre de cœurs par processeur pour continuer d’améliorer les performances. En conséquence, la surface de silicium occupée par les mémoires caches a augmentée. La finesse de gravure toujours plus petite a également fait augmenter le courant de fuite des transistors CMOS. Ainsi, la consommation énergétique des mémoires occupe une part de plus en plus importante dans la conso

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

3

Bazzi, Hussein. "Resistive memory co-design in CMOS technologies." Electronic Thesis or Diss., Aix-Marseille, 2020. http://www.theses.fr/2020AIXM0567.

Full text

Abstract:

De nombreuses applications (internet des objets, systèmes embarqués automobiles et médicales, intelligence artificielle) ont besoin d’un circuit intégré (ou SoC pour System on Chip) avec des mémoires non volatiles embarquées performantes pour fonctionner de manière optimale. Bien que la mémoire Flash soit largement utilisée aujourd'hui, cette technologie nécessite une tension élevée pour les opérations de programmation et présente des problèmes de fiabilité difficiles à gérer au-delà du nœud technologique 18 nm, augmentant les coûts de conception et de fabrication des circuits. Dans ce context

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

4

Raguet, Jean-René. "Développement de nouvelles architectures mémoires non-volatiles robustes." Aix-Marseille 1, 2009. http://www.theses.fr/2009AIX11057.

Full text

Abstract:

Les mémoires non-volatiles à grille flottante connaissent depuis une vingtaine d’années, un succès commercial sans précédent. On retrouve ces mémoires dans quasiment tout les produits électroniques du quotidien à travers le téléphone portable, la carte à puce, les étiquettes sans contact que l’on trouve sur des produits alimentaires, ou bien tout simplement les clés de stockage mémoire USB. Ces dispositifs mémoires sont omniprésents et ne cessent d’évoluer afin de stocker de plus en plus d’information sur une surface de silicium réduite. Cependant, des obstacles technologiques majeurs à la réd

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

5

Jacob, Stéphanie. "Intégration, caractérisation et modélisation des mémoires non volatiles à nano volatiles à nanocristaux de silicium." Aix-Marseille 1, 2008. http://www.theses.fr/2008AIX11030.

Full text

Abstract:

Depuis une vingtaine d’années, l’industrie de la microélectronique et en particulier le marché des mémoires non-volatiles connaît une évolution considérable, en termes d’augmentation de la capacité d’intégration et de diminution du prix de revient. Ceci a permis au grand public d’accéder aux produits électroniques (téléphones portables, baladeurs MP3, clés USB, appareils photos numériques…) qui connaissent actuellement un énorme succès. Cependant, la miniaturisation des mémoires Flash risque de rencontrer des limitations. C’est pourquoi les industriels et les laboratoires recherchent actuellem

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

6

Le, Roux Claire. "Etude de la fiabilité des mémoires non volatiles à grille flottante." Aix-Marseille 1, 2008. http://theses.univ-amu.fr.lama.univ-amu.fr/2008AIX11046.pdf.

Full text

Abstract:

La miniaturisation croissante des mémoires non volatiles entraine l’apparition de nouveaux problèmes de fiabilité. Certaines applications de ces mémoires, notamment les applications automobiles, requièrent des critères de fiabilité très sévères devant garantir le fonctionnement du produit à 150°C. Dans ce contexte, une bonne compréhension des mécanismes de défaillance des mémoires non volatiles à grille flottante est nécessaire. Dans ce mémoire, nous avons étudié de façon approfondie la perte de charges intrinsèque sur une technologie Flash, ce qui nous a permis une meilleure compréhension et

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

7

Palma, Giorgio. "Nouvelles Architectures Hybrides : Logique / Mémoires Non-Volatiles et technologies associées." Phd thesis, Université de Grenoble, 2013. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00951384.

Full text

Abstract:

Les nouvelles approches de technologies mémoires permettront une intégration dite back-end, où les cellules élémentaires de stockage seront fabriquées lors des dernières étapes de réalisation à grande échelle du circuit. Ces approches innovantes sont souvent basées sur l'utilisation de matériaux actifs présentant deux états de résistance distincts. Le passage d'un état à l'autre est contrôlé en courant ou en tension donnant lieu à une caractéristique I-V hystérétique. Nos mémoires résistives sont composées d'argent en métal électrochimiquement actif et de sulfure amorphe agissant comme électro

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

8

Schulman, Alejandro Raúl. "Mémoires résistives non volatiles à base de jonctions métal-oxyde complexe." Thesis, Université Grenoble Alpes (ComUE), 2015. http://www.theses.fr/2015GREAI031/document.

Full text

Abstract:

Les mémoires vives à changement de résistance (ReRAM de l'anglais Resistive Random Access Memories) attirent fortement l'attention car elles sont considérées comme unes des plus prometteuses pour la prochaine génération de composants. Ceci est du à leurs basse consommation de puissance, leurs vitesse de commutation élevée et leurs potentiel pour devenir une mémoire à haute densité compatible avec la technologie CMOS. Ces mémoires se basent sur l'effet de commutation résistive (RS de l'anglais resistive switching) qui est un changement réversible de la résistivité contrôlé par un champ électriq

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

9

Chiquet, Philippe. "Etude et modélisation des courants tunnels : application aux mémoires non volatiles." Thesis, Aix-Marseille, 2012. http://www.theses.fr/2012AIXM4736/document.

Full text

Abstract:

Les mémoires non-volatiles à grille flottante sont utilisées pour le stockage d'information sous la forme d'une charge électrique contenue dans la grille flottante d'un transistor. Le comportement de ces dispositifs mémoire est fortement lié aux propriétés de leur oxyde tunnel, qui permet à la fois le passage de cette charge lors d'opérations de programmation ainsi que sa rétention en l'absence d'alimentation électrique. Au cours de ce travail, des mesures de courant tunnel ont été réalisées sur des capacités semiconducteur-oxyde-semiconducteur de grande surface représentatives de la zone d'in

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

10

Plantier, Jérémy. "Méthodes de tests et de diagnostics appliquées aux mémoires non-volatiles." Thesis, Aix-Marseille, 2012. http://www.theses.fr/2012AIXM4822.

Full text

Abstract:

"L’industrie nano repousse constamment les limites de la miniaturisation. Pour les systèmes CMOS à mémoires non-volatiles, des phénomènes qui étaient négligeables autrefois sont à présent incontournables et nécessitent des modèles de plus en plus complexes pour décrire, analyser et prédire le comportement électrique de ces dispositifs.Le but de cette thèse est de répondre aux besoins de l’industriel, afin d’optimiser au mieux les performances des produits avant et après les étapes de production. Cette étude propose des solutions, comme des méthodes de test innovantes pour des technologies tell

APA, Harvard, Vancouver, ISO, and other styles

More sources

We offer discounts on all premium plans for authors whose works are included in thematic literature selections. Contact us to get a unique promo code!