Dissertations / Theses on the topic 'LPCVD'
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1
Cordier, Céline. "Modélisation des dépôts LPCVD de SIPOS." Toulouse, INPT, 1996. http://www.theses.fr/1996INPT017G.
Full textAbstract:
L'objectif general de ce travail consiste a analyser et a modeliser l'operation industrielle de depot de silicium partiellement oxyde, ou sipos, elabore par un procede de type lpcvd, a partir de melanges de silane sih#4, ou de disilane si#2h#6, et de protoxyde d'azote n#2o. La premiere phase de ce travail correspond a l'analyse detaillee des mecanismes chimiques susceptibles de se produire au cours de l'operation de depot, dans la phase homogene comme sur les surfaces, puis a l'elaboration d'un schema representatif des phenomenes reels et simple d'utilisation. Les constantes cinetiques relatives aux reactions homogenes sont evaluees grace a diverses methodes de calcul previsionnel dont la methode qrrk. La seconde partie comprend le developpement et l'exploitation d'un logiciel de simulation du fonctionnement des reacteurs tubulaires de cvd, qui calcule, dans un espace inter-plaquettes particulier, les champs de vitesse et de concentration en tenant compte des reactions chimiques. Ce modele a tout d'abord permis d'identifier les constantes cinetiques de depot inconnues, puis d'etudier, pour les deux filieres, l'influence systematique de certains parametres operatoires sur les depots, l'evolution des caracteristiques des couches le long de la charge, les problemes d'heterogeneites d'epaisseur et de composition au niveau de chaque substrat. Pour les deux procedes, un accord satisfaisant a ete observe entre les resultats theoriques et les valeurs experimentales, ce qui permet de valider les choix effectues au niveau des schemas chimiques et de leur mise en equation d'une part, et des hypotheses du modele d'autre part. Une derniere partie concerne la modelisation de l'operation de depot de sipos dans le reacteur secteur, modele reduit d'un equipement de conception originale, le reacteur annulaire. L'utilisation de deux logiciels de calcul, adaptes au cas du sipos a l'aide des mecanismes precedemment etablis, a permis de retrouver, sans modification supplementaire, l'ensemble des resultats experimentaux obtenus
2
KRISHT, MUHAMMED HUSSEIN, and MUHAMMED HUSSEIN KRISHT. "LPCVD TUNGSTEN MULTILAYER METALLIZATION FOR VLSI SYSTEMS." Diss., The University of Arizona, 1985. http://hdl.handle.net/10150/187983.
Full textAbstract:
Advances in microlithography, dry etching, scaling of devices, ion-implantation, process control, and computer aid design brought the integrated circuit technology into the era of VLSI circuits. Those circuits are characterized by high packing density, improved performance, complex circuits, and large chip sizes. Interconnects and their spacing dominate the chip area of VLSI circuits and they degrade the circuit performance through the unacceptable high time delays. Multilayer metallization enables shorter interconnects, ease of design and yet higher packing density for VLSI circuits. It was shown in this dissertation that, tungsten films deposited in a cold-wall LPCVD reactor offer viable solution to the problems of VLSI multilayer interconnects. Experiments showed that LPCVD tungsten films have good uniformity, high purity, low resistivity, low stress-good adherence and are readily patterned into high resolution lines. Moreover, a multilayer interconnect system consisting of three layers of tungsten metallization followed by a fourth layer of aluminum metallization has been designed, fabricated and tested. The interlevel dielectric used to separate the metal layers was CVD phosphorus doped silicon dioxide. Low ohmic contacts were achieved for heavily doped silicon. Also, low resistance tungsten-tungsten intermetallic contacts were obtained. In addition to excellent step coverage, high electromigration resistance of interconnects was realized. Finally, CMOS devices and logic gates were successfully fabricated and tested using tungsten multilayer metallization schemes.
3
Rodolpho, Augusto Cesar. "Contribuição a simulação computacional do processo de LPCVD." [s.n.], 1990. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/259953.
Full textAbstract:
Orientador: Vitor BaranauskasDissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica
Made available in DSpace on 2018-07-13T21:52:03Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Rodolpho_AugustoCesar_M.pdf: 3483998 bytes, checksum: c618e7addaa7e71c129db369fed698ce (MD5) Previous issue date: 1990
Resumo: Este trabalho foi dedicado ao estudo e simulação do processo de LPCVD-Deposição Químka à partir da Fase Vapor sob Baixa Pressão. A deposição de silício por decomposição pirolítka de silana foi tomada como reação básica devido à sua importância e simplicidade, sem contudo perder-se a generalidade do tratamento adotado. Inkialmente é apresentado o processo de CVD à pressão atmosférica, como entendido pela teoria da camada limite. A seguir é discutido o processo de LPCVD. A textura do filme depositado e os micromecanismos de reação são analisados, o que leva à uma equação para a taxa de reação. Através de equações apropriadas são identificados os fatores principais que influenciam a uniformidade axial (de lâmina para lâmina) e radial (em uma lâmina) do filme depositado. Assumindo as restrições: (i) não há gradiente radial de temperatura, (ii) o crescimento é limitado por cinética de superfície e (iii) o transporte é realizado por fluxo laminar na região entre as paredes do reator e as lâminas e por difusão gasosa na região entre-lâminas, é sugerido um modelo para simulação de LPCVD, que considera: (a) a região vazia de entrada, (b) a expansão molar do gás e (c) a depleção de reagentes ao longo da direção principal do fluxo. O modelo desenvolvido apresentou resultados satisfatórios, tempo de computação bastante reduzido e um tratamento matemático mais simples que aqueles encontrados na literatura, modelos estes que utilizaram as mesmas restrições e considerações (i}-(iii) e (a)-(c). Finalmente as tendências em CVD são apresentadas e discutidas. Tendências estas que apontam para sistemas do tipo lâmina única, de paredes frias, com monitoração in situ e intenso controle computadorizado
Abstract: This work deals with the study and simulation of LPCVD-Low Pressure Chemical Vapour Deposition- a basic process for thin film deposition. The reaction of silicon deposition by silane pyrolisis is adopted for its simplicity and importance without sacrifieing the quality of treatment. To begin with, we present the atmospheric presure CVD technique in the light of the boudary layer theory. Later we discuss the LPCVD process. The texture of the film deposited and the micromechanisms of the said reaction are analysed, as a function of the inputs. Using the derived equations, we identify the main factors that influence the axial homogeneity (wafer to wafer) as well as the radial homogeneity (within the wafer) df the deposited filmo Assuming the restrictions: i) there is no radtial temperature gradient, ii) the growth is limited by surface kinetics, and iii) transport is due to a laminar flow in the annular region and gaseous diffusion in the space intra-wafers, an interesting model is sugested to the simulation of the batch type, hot wall, LPCVD reactor, taking into account: (a) the empty inlet tube, (b) the molar expansion of the gas, and (c) the depletion of reactants along the main flow direction. The developed method of simulation provides satislactory results with reduced computer processing time and a rather simpler mathematical evaluation when compared with proposed models in literature, using the same restrictions and conditions. Finally, the future trends in CVD processing are in brief presented. They point to single wafer, cold wall, photo- and plasma assisted systems with in situ measurements and intense computerized control
Mestrado
4
Pinto, Emilio Sergio Marins Vieira. "Sintese e caracterização de nanocristais de Ge por LPCVD." [s.n.], 2006. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/259199.
Full textAbstract:
Orientador: Ioshiaki DoiDissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação
Made available in DSpace on 2018-08-08T01:34:23Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Pinto_EmilioSergioMarinsVieira_M.pdf: 2911838 bytes, checksum: d0f5e53a1aaa54372eda0b11016226b6 (MD5) Previous issue date: 2006
Resumo: Nesta dissertação estudamos a obtenção de nanocristais (NCs) de Ge pela técnica de LPCVD (Low Pressure Chemical Vapor Deposition), buscando otimizar as condições de processo que resultassem em NCs com características de tamanho, densidade por unidade de área e uniformidade de tamanhos, que são necessárias para aplicação em dispositivos de memórias de porta flutuante. Os NCs foram fabricados por processo de dois passos: 1) formação de núcleos de Si na superfície do SiO2, a partir de silana (SiH4); 2) crescimento de Ge sobre os núcleos de Si através de deposição de germana (GeH4). Realizamos ciclos de deposição e caracterização das amostras, e os parâmetros de processo: temperatura, pressão total, fluxos de silana e germana e tempo de deposição, foram alterados convenientemente, com base na literatura e nos resultados obtidos a cada ciclo de fabricação. As amostras foram caracterizadas quanto à morfologia, por microscopia de força atômica (AFM) e a estrutura dos NCs foi analisada por microscopia eletrônica de transmissão de alta resolução (HRTEM). Estudamos a influência dos parâmetros de processo nas características dos NCs e observamos tendências de aumento da densidade de NCs com a elevação da temperatura, pressão total e fluxo de SiH4 do passo 1. E, o tamanho dos NCs tendem a diminuir com a redução da temperatura, pressão total e tempo de deposição do passo 2. Os resultados mostram que com os parâmetros: 600 ºC / 5 Torr / 20 sccm de SiH4 / 20 seg. para a nucleação de Si e 550 ºC / 2 Torr / 5 sccm / 30 seg. para a deposição de Ge, é possível obter alta densidade de NCs por unidade área de 4x1010 NCs/cm2 com diâmetro médio de 19 nm e altura média de 4,5 nm
Abstract: In this thesis we studied the synthesis of Ge nanocrystals (NCs) by the LPCVD technique (Low Pressure Chemical Vapor Deposition). We looked for NCs with characteristics of sizes, density and uniformity of sizes that are necessary for applications in floating gate memory devices. To reach those characteristics we have optimized the process conditions. The NCs were fabricated by a process of two steps: 1) formation of Si nuclei on SiO2 surface, through the silane (SiH4) decomposition; 2) Ge growth on Si nuclei through germane (GeH4) deposition. We accomplished deposition cycles and characterization of the samples. The process parameters: temperature, total pressure, silana and germana flow and deposition time, were altered conveniently based on the literature and results obtained at each production cycle. The morphology of the samples was analyzed by atomic force microscopy (AFM) and the NCs structures were analyzed by high resolution transmission electron microscopy (HRTEM). We studied the influence of the process parameters in the NCs characteristics and we have observed tendencies of NCs density increase with rise of the temperature, total pressure and SiH4 flow of step 1. The NCs size tends to decrease with the reduction of temperature, total pressure and deposition time of step 2. The results show that with the parameters: 600 ºC / 5 Torr / 20 sccm de SiH4 / 20 sec. for the Si nucleation and 550 ºC / 2 Torr / 5 sccm / 30 sec. for the Ge deposition, it¿s possible to reach a high density of NCs (4x1010 NCs/cm2) with diameter of 19 nm and average height of 4,5 nm
Mestrado
Eletrônica, Microeletrônica e Optoeletrônica
Mestre em Engenharia Elétrica
5
Boukezzata, Messaoud. "Mecanismes d'oxydation des si-lpcvd fortement dopes au bore." Toulouse 3, 1988. http://www.theses.fr/1988TOU30183.
Full textAbstract:
Etude de la cinetique et des mecanismes d'oxydation thermique de films dopes a 210**(20) cm**(-3) b "in situ" et par implantation post-depot. Les resultats prennent en compte les influences du mode de dopage et de la microstructure initiale des films (qui varie d'un etat quasi-amorphe a un etat nettement polycristallin). Leur analyse s'appuie sur a) un logiciel de modelisation de l'oxydation de si et la comparaison avec la cinetique d'oxydation de temoins monocristallins qui permettent de les exprimer en termes de constante de diffusion d et de la vitesse de reaction de surface k::(s) de l'oxydation, b) la comparaison entre depots non dopes, dopes a b par implantation ou "in situ" et c) le suivi des proprietes structurales (rugosite, diagrammes rheed, observations tem) et electroniques des films
6
Trainor, Michael. "Studies of low pressure chemical vapour deposition (LPCVD) of polysilicon." Thesis, University of Strathclyde, 1990. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.291988.
Full text
7
Boukezzata, Messaoud. "Mécanismes d'oxydation des films Si-LPCVD fortement dopés au bore." Grenoble 2 : ANRT, 1988. http://catalogue.bnf.fr/ark:/12148/cb37612180t.
Full text
8
Ren, Yuxing. "Experiments on the elastic size dependence of LPCVD silicon nitride /." View abstract or full-text, 2004. http://library.ust.hk/cgi/db/thesis.pl?MECH%202004%20REN.
Full text
9
Zahi, Ilyes. "Modélisation multi-échelles des mécanismes de nucléation/croissance lors de la synthèse de nanoplots de silicium par LPCVD pour les nouvelles générations de mémoires non volatiles." Thesis, Toulouse, INPT, 2009. http://www.theses.fr/2009INPT017G/document.
Full textAbstract:
L'industrie de la microélectronique est en perpétuelle évolution, surtout concernant la diminution des dimensions des composants. Ainsi, pour les nouvelles générations de mémoires non volatiles Flash, le poly-silicium de la grille flottante pourrait être remplacé par des nanoplots discrets de silicium. L'élaboration de ces nanoplots par LPCVD (Low Pressure Chemical Vapor Deposition) à partir de silane SiH4 sur un substrat amorphe SiO2 demeure l'une des voies privilégiées par l'industrie. Le fonctionnement de ce type de mémoires est fortement dépendant des conditions de synthèse des nanoplots de silicium. Ce travail de cette thèse visait donc à améliorer la compréhension des mécanismes de nucléation et de croissance en jeu. Nous avons étudié les premiers instants de la nucléation en chimie quantique, grâce à l'utilisation de la théorie DFT, en considérant l'oxyde de silicium comme surface de dépôt. Des lois cinétiques intrinsèques ont été tirées de ces résultats DFT et elles ont été implémentées dans un modèle de simulation à l'échelle du procédé industriel, sur la base du code de CFD Fluent. Pour la nucléation, il est apparu que seul le silylène, SiH2, peut se chimisorber à la surface du substrat. De plus, sa faible concentration et la première désorption de H2, qui est très lente, expliquent le temps d'incubation. Pour la croissance, le caractère auto-catalytique des dépôts a été expliqué par la contribution très forte du silane au dépôt dès la seconde chimisorption. L'étape limitant la croissance est clairement la désorption de H2. La réalisation d'essais expérimentaux et la comparaison avec le modèle multi-échelles issu de notre travail a permis d'expliquer pourquoi les cinétiques classiques de la littérature surestiment la vitesse de dépôt des nanoplots. Il est aussi apparu que la vitesse de dépôt du silicium sur des nanoplots en croissance est plus forte que celle d'un film de silicium continu « épais ». La prise en compte des sites de chimisorption lors des premiers instants et la description détaillée de la désorption de H2 sont des paramètres clés pour rendre compte du comportement des dépôts de nanoplots de siliciumThe need of high integrated systems of the everyday life involves a permanent evolution of the microelectronic industry. Integrated circuits involving non volatile Flash memories are good examples of these trends. In this technology, the poly-silicon floating gate could be replaced by a discrete trap floating gate in which discrete traps are made up of silicon nanodots. The synthesis of nanodots by LPCVD (Low Pressure Chemical Vapor Deposition) from silane SiH4 on SiO2 surfaces remains one of the most promising ways of industrial synthesis. Despite a huge experimental effort, fundamental understanding of the key mechanisms of nanodots nucleation and growth remains elusive. Here we find the main objectives of the thesis. For nucleation, our main results reveal that only silylene SiH2 is involved in the very first steps of nucleation. The incubation time experimentally observed can be explained by the low SiH2 concentration and the first slow H2 desorption process. For growth, silane is the main responsible for deposition, which explains the autocatalytic behaviour of silicon deposition. The growth limiting step is clearly the H2 desorption process. Comparisons between experimental and multiscale modelling allow to explain why classical kinetics of the literature overestimate nanodots deposition rate. We have found that the silicon deposition rate is higher on nanometer silicon dots than on a continuous silicon film. Key parameters to conveniently model nanodots deposition are good descriptions of the first chemisorption sites and of the H2 desorption process
10
Fayolle, Francine. "Analyse et modélisation des dépots d'oxyde de silicium par procédé LPCVD." Toulouse, INPT, 1993. http://www.theses.fr/1993INPT029G.
Full textAbstract:
Le depot chimique a partir d'une phase vapeur (cvd) est le procede le plus utilise dans l'industrie micro-electronique pour realiser des couches minces, effectuees le plus souvent dans des reacteurs tubulaires a murs chauds. L'une des applications de la cvd est la fabrication de couches de silicium partiellement oxyde, et semi-isolantes (appele sipos), a partir d'un melange de silane et de protoxyde d'azote. La premiere partie de ce travail correspond a l'etude et l'etablissement d'un systeme chimique comportant deux phases (gazeuse et solide) et representatif du depot. Les constantes cinetiques correspondant aux reactions homogenes sont evaluees a partir de differentes methodes, en particulier la methode qrrk. La seconde partie comprend le developpement et l'utilisation de deux logiciels permettant de modeliser les ecoulements et le transfert de matiere dans un reacteur de depot de sipos en utilisant le systeme chimique decrit precedemment. Le premier logiciel, cvd2 modelise un espace interplaquette. Il a permis d'identifier les constantes de depot en phase heterogene. Le logiciel cwcvd a permis d'etudier la zone d'entree du reacteur. Les resultats de ces simulations sont compares avec des resultats experimentaux obtenus a l'usine motorola de toulouse. Ceux-ci sont detailles ainsi que les methodes d'analyse utilisees. Le bon accord obtenu entre la simulation et les experiences permet de valider les choix effectues au niveau du mecanisme chimique et d'avancer dans la comprehension des phenomenes mis en jeu lors du depot de sipos. Une derniere partie utilise la methode qrrk pour un autre type de depot d'oxyde, cette fois totalement isolant, a partir d'un melange d'oxygene et de silane (lto). Le type de reacteur de depot ne permettant pas l'utilisation directe des logiciels decrits precedemment, seule une premiere analyse du systeme chimique a pu etre effectuee
11
Rey, Jacques. "Depots par lpcvd de carbures de bore sur cermets wc-co." Limoges, 1988. http://www.theses.fr/1988LIMO0008.
Full textAbstract:
Etude de l'interaction entre le systeme b-c-cl-h et les substrats et proposition de mecanismes reactionnels pour le depot de carbures de bore (b::(50)c::(2) et b::(13)c::(2)) sur deux cernets wc-co par l. P. C. V. D. A partir du melange bcl::(3)-ch::(4)-h::(2). Optimisation des parametres operatoires. Examen des caracteristiques mecaniques et du comportement tribologique des depots obtenus
12
Hewitt, Susan B. (Susan Barbara) 1965 Carleton University Dissertation Engineering Electronics. "Silicon carbide emitter diode formed by LPCVD from di-tertiary- butylsilane." Ottawa.:, 1993.
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13
McCann, Michelle Jane, and michelle mccann@uni-konstanz de. "Aspects of Silicon Solar Cells: Thin-Film Cells and LPCVD Silicon Nitride." The Australian National University. Faculty of Engineering and Information Technology, 2002. http://thesis.anu.edu.au./public/adt-ANU20040903.100315.
Full textAbstract:
This thesis discusses the growth of thin-film silicon layers suitable for solar cells using
liquid phase epitaxy and the behaviour of oxide LPCVD silicon nitride stacks on silicon
in a high temperature ambient.¶
The work on thin film cells is focussed on the characteristics of layers grown using liquid
phase epitaxy. The morphology resulting from different seeding patterns, the transfer of
dislocations to the epitaxial layer and the lifetime of layers grown using oxide compared
with carbonised photoresist barrier layers are discussed. The second half of this work
discusses boron doping of epitaxial layers. Simultaneous layer growth and boron doping
is demonstrated, and shown to produce a 35um thick layer with a back surface field
approximately 3.5um thick.¶
If an oxide/nitride stack is formed in the early stages of cell processing, then characteristics of the nitride may enable increased processing flexibility and hence the realisation
of novel cell structures. An oxide/nitride stack on silicon also behaves as a good anti-
reflection coating. The effects of a nitride deposited using low pressure chemical vapour
deposition on the underlying wafer are discussed. With a thin oxide layer between the
silicon and the silicon nitride, deposition is shown not to significantly alter effective life-times.¶
Heating an oxide/nitride stack on silicon is shown to result in a large drop in effective
Lifetimes. As long as at least a thin oxide is present, it is shown that a high temperature
nitrogen anneal results in a reduction in surface passivation, but does not significantly
affect bulk lifetime. The reduction in surface passivation is shown to be due to a loss of
hydrogen from the silicon/silicon oxide interface and is characterised by an increase in
Joe. Higher temperatures, thinner oxides, thinner nitrides and longer anneal times are all
shown to result in high Joe values. A hydrogen loss model is introduced to explain the
observations.¶
Various methods of hydrogen re-introduction and hence Joe recovery are then discussed
with an emphasis on high temperature forming gas anneals. The time necessary
for successful Joe recovery is shown to be primarily dependent on the nitride thickness
and on the temperature of the nitrogen anneal. With a high temperature forming gas
anneal, Joe recovery after nitrogen anneals at both 900 and 1000oC and with an optimised
anti-reflection coating is demonstrated for chemically polished wafers.¶
Finally the effects of oxide/nitride stacks and high temperature anneals in both nitrogen
and forming gas are discussed for a variety of wafers. The optimal emitter sheet
resistance is shown to be independent of nitrogen anneal temperature. With textured
wafers, recovery of Joe values after a high temperature nitrogen anneal is demonstrated
for wafers with a thick oxide, but not for wafers with a thin oxide. This is shown to be
due to a lack of surface passivation at the silicon/oxide interface.
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Barathieu, Patrick. "Modélisation cinétique et analyse structurale des dépôts de sipos élaborés par LPCVD." Toulouse, INPT, 1999. http://www.theses.fr/1999INPT047H.
Full textAbstract:
Les dépôts LPCVD de silicium partiellement oxydé (SIPOS) sont utilisés dans l'industrie de la microélectronique pour la fabrication de transistors bipolaires de puissance. L'influence des paramètres d'élaboration sur la microstructure de ce matériau, et donc sur ses propriétés d'usage, et la complexité des mécanismes physico-chimiques intervenant au cours du dépôt rendent sa maîtrise industrielle délicate. Un travail axé à la fois sur la modélisation cinétique du procédé de dépôt et sur la caractérisation structurale du matériau a donc été entrepris. Dans un premier temps, une campagne expérimentale sur site industriel a permis de déterminer, en fonction des paramètres opératoires sélectionnés, les caractéristiques globales des couches de SIPOS, (vitesse de dépôt et concentration en oxygène des couches), et d'évaluer l'uniformité du dépôt aussi bien sur la surface d'une même plaquette, qu'entre les nombreuses plaquettes traitées par opération de dépôt. D'un point de vue pratique, ces résultats expérimentaux ont abouti à une optimisation du procédé et à une augmentation de la productivité des équipements de production. Grâce à cette base de données, un schéma réactionnel regroupant les réactions chimiques impliquées au cours du dépôt a été établi, et les cinétiques associées calculées. Ces mécanismes ont été incorporés dans deux codes de modélisation numérique, CVD2 et ESTET, prenant en compte les phénomènes aérodynamiques et les transferts de matière intervenant dans l'enceinte du réacteur. Les résultats des simulations ont permis de progresser dans la compréhension et la maîtrise du procédé. En parallèle, une étude de la microstructure du SIPOS, menée dans le cadre d'un groupement de travail pluridisciplinaire, impliquant de nombreux laboratoires de recherche, a révélé l'influence capitale des recuits post-dépôts, par l'utilisation conjointe de diverses techniques, telles que la spectroscopies des rayons X et la microscopie électronique en transmission.
15
Israel, Mahmoud. "Croissance et caracterisation de nanofils de Si et Ge." Thesis, Rennes 1, 2015. http://www.theses.fr/2015REN1S062/document.
Full textAbstract:
Nous nous sommes intéressés à la croissance et la caractérisation de nanofils de silicium (Si) et de germanium (Ge). Les nanofils ont été synthétisés par le mécanisme VLS (Vapeur Liquide Solide) dans un réacteur LPCVD (Low Pressure Chemical Vapor Deposition), en utilisant l'or (Au) comme catalyseur et le silane (SiH4) ou le germane (GeH4) comme gaz précurseur. Pour que ce procédé de croissance conduise à l'obtention de nanofils, le catalyseur Au doit être nano-structuré sous la forme de nanoparticules de diamètre si possible contrôlé. Ceci est fait dans cette étude par « démouillage » d'une couche continue déposée initialement par effet Joule sur le substrat choisi. L'épaisseur de cette couche continue initiale est un paramètre essentiel dans l'étude. Une partie préliminaire de ce travail a concerné l'étude de la façon dont se démouillage s'effectue, en fonction des divers paramètres. Nous avons ensuite effectué une étude exhaustive du rôle de tous les paramètres (nature du substrat, température, pression, épaisseur de la couche continue d'or, temps de croissance, durée et température de démouillage) qui contrôlent le procédé de croissance LPCVD sur les caractéristiques des nanofils de Ge notamment. Nous avons fait varier ces paramètres dans de larges fenêtres de valeurs afin de maîtriser et contrôler leur croissance. La caractérisation structurale des nanofils par microscopie électronique en transmission montre leur structure monocristalline avec une direction de croissance <111> pour les nanofils de Si et <110> pour les nanofils de Ge. Enfin, dans le cas des nanofils de Ge coniques isolés et déposés sur différents substrat, l'analyse micro-Raman nous a permis de mettre en évidence un phénomène de résonance optique à l'intérieur du nanofils et qui dépend fortement du diamètre local du nanofil. L'intensité Raman augmente avec la diminution du volume excité. Ces effets sont expliqués par les modes optiques apparaissant selon le diamètre local du nanofil, la longueur d'onde d'excitation et la nature du substrat utilisé. En plus, Le profil de la fréquence obtenu a montré qu'aucune anomalie particulière n'est observée. Ces profils obtenus en fonction du substrat et de la longueur d'onde utilisés sur différents nanofils montrent une faible variation de la fréquence. Le profil de la largeur à mi-hauteur est constant. Ces résultats montrent l'absence des effets de confinement de modes de phonons dans les nanofils individuels caractérisésThis work deals with the growth and characterization of silicon (Si) and germanium (Ge) nanowires. The nanowires were synthesized by the growth mechanism VLS (Vapor Liquid Solid) in a LPCVD reactor (Low Pressure Chemical Vapor Deposition) using gold (Au) as the catalyst and silane (SiH4) and germane (GeH4) as precursor gas. In order to grow nanowires, the Au catalyst must be nano-structured in the form of nano-particles with controlled diameter if possible. This is done in this study by “dewetting” of a continuous layer evaporated on the chosen substrate. The thickness of this initial continuous layer is an essential parameter in the study. A preliminary part of this work deals with the problem of how the “dewetting” occurs, depending on various parameters (type of substrate, temperature, pressure, thickness of the continuous gold layer, growth duration and “dewetting” temperature) that control the LPCVD growth process. We varied these process parameters over wide ranges to determine how the influence the properties of Ge nanowires grown. The structural characterization of nanowires by transmission electron microscopy shows their single crystal structure with growth direction along <111> in the case of Si nanowires and along <110> for Ge nanowires. Finally, in the case of conical Ge nanowires isolated and deposited on different substrates, the micro-Raman analysis allowed us identifies an optical resonance phenomenon inside the nanowires which strongly depends on their local diameter. The Raman intensity increases with the decrease of volume excited. These effects are explained by the optical modes appearing according to the local diameter of the nanowire, the excitation wavelength and the nature of the substrate used. In addition, the Raman lines recorded along the same profiles did not show any spectral shift, reinforcing the idea that the behavior of their intensity has to be related to resonances associated with the development of local optical modes. These effects were observed to be dependent upon the type of substrate on which the isolated nanowires were transferred (dielectric versus metallic substrates). No effect of the confinement of phonon mode in our nanowires was observed
16
Teixeira, Ricardo Cotrin. "Implementação de um sistema LPCVD vertical para obtenção de filmes finos de silicio policristalino." [s.n.], 2001. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/260110.
Full textAbstract:
Orientador : Ioshiaki DoiDissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica
Made available in DSpace on 2018-07-28T11:13:54Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Teixeira_RicardoCotrin_M.pdf: 1275626 bytes, checksum: 2394ace3a137b8589a2a20b2df254d67 (MD5) Previous issue date: 2001
Mestrado
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Lee, Yung-Huei. "Dual-carrier charge transport and damage formation of LPCVD nitride for nonvolatile memory devices /." The Ohio State University, 1986. http://rave.ohiolink.edu/etdc/view?acc_num=osu1487322984316841.
Full text
18
Kis, Sion King. "Études et réalisation de cellules photovoltaïques en silicium polycristallin dépose sur verre par LPCVD." Rennes 1, 1997. http://www.theses.fr/1997REN1S197.
Full textAbstract:
Nous avons essaye de realiser des cellules solaires en silicium polycristallin sur verre. Pour cela, nous avons tout d'abord examine le depot de silicium polycristallin a partir du disilane dans l'espoir de pouvoir accroitre la vitesse de depot. Avec ce gaz, le depot n'est uniforme qu'a basse temperature (450-475 c). Malheureusement, a ces temperatures, la vitesse est cependant du meme ordre de grandeur que celle obtenue avec le silane, ce qui reduit les attraits du disilane. Ensuite, nous avons optimise le depot d'ito par pulverisation cathodique rf magnetron. L'ito nous a servi de contact electrique superieur conducteur et transparent. Des couches peu resistives, d'environ 0,5 m cm ont ete obtenues. Diverses methodes de caracterisation : rayons x, mesures d'effet hall, suivi de la cristallisation par la conductance, photoluminescence, mesures de resonance de spin electronique, ellipsometrie et mesures de photocourant module, ont ete utilisees pour determiner la qualite et la cristallisation de couches epaisses ( 1 m) de silicium polycristallin depose a partir du silane. Ainsi, nous avons mis en evidence la meilleure qualite des couches deposees a une pression de 1000 bar par rapport a celles deposees a des pressions inferieures. La realisation de diodes p#+in#+ en silicium polycristallin a mis en evidence que la gravure d'un mesa permettait d'augmenter le redressement de la diode et qu'un recuit au-dela du temps necessaire a la cristallisation des couches pouvait avoir des consequences benefiques. Nous avons abouti aux parametres suivants : un courant equivalent de court-circuit de 2 ma/cm#2 et une tension de circuit ouvert de 0,2 v.
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Pierre, Fabien. "Etude du remplissage de tranchées profondes par du silicium polycristallin." Rennes 1, 2002. http://www.theses.fr/2002REN10153.
Full textAbstract:
Ce travail est consacré à l'étude du remplissage de tranchées profondes (100 æm et plus) à fort rapport d'aspect par du Silicium polycristallin, et a pour but de définir la capacité de différents procédés CVD : LPCVD (Low Pressure Chemical Vapor Deposition), RTCVD (Rapid Thermal CVD)et épitaxie, vis à vis de la réalisation d'un remplissage conforme sur ce type de gravure. Nous cherchons en outre à mettre en évidence les contraintes technologiques induites par la réalisation et le traitement des dépôts de fortes épaisseurs. Une première partie est donc consacrée à l'analyse du remplissage de tranchées profondes avec différents procédés CVD, en utilisant leurs conditions standards de dépôt, et pour différentes chimies de dopage. Dans une seconde partie, nous nous intéressons aux contraintes (techniques de retrait de la couche en surface, déformations mécaniques induites) liées à l'utilisation de couches de fortes épaisseurs.
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GUILLEMET, JEAN-PAUL, and B. PIERAGGI. "Mecanismes de cristallisation en phase solide de films minces de silicium amorphe deposes par lpcvd." Paris 11, 1994. http://www.theses.fr/1994PA112239.
Full textAbstract:
Les cinetiques de croissance, de germination et de cristallisation des films de silicium amorphe (a-si) deposes par lpcvd (low pressure chemical vapor deposition) ont ete determinees par recuit in situ dans un microscope electronique a transmission. La cinetique du processus de croissance est lineaire, anisotrope et caracterisee par une energie d'activation (e#a) egale a 2,4 ev. La loi de germination est decrite par une loi puissance et l'energie d'activation du processus (e#a#n) depend de la temperature de depot du film et de la nature du gaz reactant (e#a#n = 2,4 ev: 520c-300 mtorr, filiere sih#4 et e#a#n=4,3 ev: 465c-200 mtorr, filiere si#2h#6). La cinetique de cristallisation suit la loi d'avrami d'exposant n variant de 5 a 13, selon les conditions de depot et la temperature de recuit (t#r). La microscopie electronique in situ en haute resolution montre que plusieurs mecanismes regissent la croissance des grains de silicium et que l'evolution du front de croissance s'effectue par incorporation simultanee de plusieurs centaines d'atomes. La spectroscopie de perte d'energie des electrons a permis de determiner la densite des films amorphes et de mettre en evidence l'existence d'un ordre a courte distance. Le nombre d'atomes contenus dans le germe de taille critique est independant des parametres de depot et de recuit. La variation de l'exposant q de la loi de germination s'interprete par une cinetique de mise en amas des atomes de silicium lors du depot, et par une exodiffusion rapide de l'hydrogene pour t#r>600c. Les transistors elabores a partir des films deposes a 465c et 200 mtorr (filiere si#2h#6) et recuits a 600c ou 750c presentent les meilleurs performances electriques et sont correlees au maximum de la taille des grains (d#g). Ce dernier parametre est lie a des vitesses de germination et de croissance respectivement minimale et maximale. Un recuit anisotherme est propose afin d'augmenter la taille des grains, de diminuer la largeur des distributions des tailles et les temps de recuit
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LAGHLA, YAHYA. "Elaboration et caracterisation de couches minces de silicium polycristallin deposees par lpcvd pour application photovoltique." Toulouse 3, 1998. http://www.theses.fr/1998TOU30117.
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Comme l'utilisations de l'energie solaire est nouvelle par rapport aux energies traditionnelles (surtout les combustibles fossiles), sa recherche et son developpement sont guides a la fois par les possibilites physiques et par les aspects economiques, politiques et sociaux. Le developpement est une rencontre d'un produit et d'un marche. Notre travail est ainsi separe en 3 parties : une partie dite de recherche horizontale concernant l'etude physique du materiau telles les caracteristiques optiques, dont nous avons etudie les principales methodes de determination des constantes optiques. Dans cette partie, nous avons detaille les deux methodes d'obtention de l'epaisseur, de l'indice de refraction et du coefficient d'absorption en fonction des longueurs d'ondes a partir du spectre de transmission seul methode de frange d'interference ; ou a partir de la combinaison des spectres de transmission et de reflexion methode dite ocs. Apres la comparaison des avantages et des inconvenients des deux methodes, nous avons abouti a une nouvelle methode qui consiste a combiner les deux methodes en meme temps afin d'augmenter la precision sur les constantes optiques. La deuxieme partie est dediee a l'application de la methode dite de minimisation, afin de calculer les proprietes optiques des couches minces de silicium amorphe obtenu par decomposition en phase vapeur a basse pression (lpcvd), de disilane, deposee dans un nouveau type de reacteur, appele reacteur puis comparees au silicium polycristallin obtenu par recuit de ce premier et au silicium polycristallin depose directement par decomposition du silane par lpcvd. Ces etudes optiques de ces differents materiaux nous ont conduit a opter pour la filiere gazeuse silane et au condition de depot de ce materiau (t = 660 c, p = 0,3torr), pour la realisation des diodes photovoltaique, et d'optimiser les epaisseurs convenable pour que 90% de la lumiere incidente soit absorbee. Dans une deuxieme etape de notre recherche nous avons etudie la cinetique de depot, les proprietes optiques, electriques, et structurales des differentes couches contribuant a la fabrication des diodes photovoltaique, a savoir les couches de silicium polycristallin non dopes, dopee bore ou phosphore. Afin de mieux comprendre les qualites de ces couches, nous avons essaye de faire un lien entre les differentes variations des parametres optiques et electriques observes et leur variation de structure en fonction de leurs epaisseurs. Pour completer ces etudes, en dernier partie, nous sommes passe a la phase dite verticale consistant a la realisation technologique de ces diodes avec un minimum d'etapes technologiques. Nous avons pu obtenir des diodes a base de silicium polycristallin avec un courant de fuite minimal et une tres bonne tenue au courant inverse jusqu'a 100v sans observer le claquage de la jonction.
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Maritan, Cheryl M. (Cheryl Maureen) Carleton University Dissertation Engineering Electrical. "LPCVD deposition of in-situ boron-doped polysilicon and its use in polysilicon emitter transistors." Ottawa, 1987.
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Martin, de Nicolas Silvia. "a-Si : H/c-Si heterojunction solar cells : back side assessment and improvement." Thesis, Paris 11, 2012. http://www.theses.fr/2012PA112253/document.
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Parmi les technologies photovoltaïques à base de silicium, les cellules solaires à hétérojonction a-Si:H/c-Si (HJ) ont montré une attention croissante en ce qui concerne leur fort potentiel d’amélioration du rendement et de la réduction de coûts. Dans cette thèse, des investigations sur les cellules solaires à hétérojonction a-Si:H/c-Si de type (n) développées à l'Institut National de l'Énergie Solaire sont présentées. Les aspects technologiques et physiques du dispositif à HJ ont été revus, en mettant l'accent sur la compréhension du rôle joué par la face arrière. À travers le développement et la mise en œuvre des films de a-Si:H intrinsèques et dopés (n) de haute qualité des cellules solaires à HJ, les conditions requises en face arrière des dispositifs ont été établies. Une comparaison entre plusieurs types de champ surface arrière, avec et sans l’introduction d’une couche buffer, est présentée et les caractéristiques des cellules solaires résultants sont discutées. Une discussion autour du contact arrière de cellules solaires à HJ est aussi présentée. Une nouvelle approche d’oxyde transparent conducteur en face arrière basé sur les couches d’oxyde de zinc dopé au bore (ZnO:B) est étudié. Dans le but de développer des couches de ZnO:B de haute qualité bien adaptées à leur utilisation dans des dispositifs à HJ, différents paramètres de dépôt ainsi que des traitements après dépôt comme le post plasma d’hydrogène ou le recuit laser sont étudiés et leur influence sur des cellules solaires est évaluée. Au cours de ce travail il est montré que la face arrière des cellules solaires à HJ joue un rôle important sur l’accomplissement de hauts rendements. Cependant, l'augmentation de la performance globale du dispositif dû à l’optimisation de la face arrière de la cellule est toujours dépendante des phénomènes ayant lieu en face avant des dispositifs. L'utilisation des films optimisés pour la face arrière des HJs développées dans cette thèse, associée à des couches améliorées pour la face avant et une nouvelle approche de métallisation nous a permis d’atteindre un rendement de conversion record de plus de 22%, démontrant ainsi le grand potentiel de cette technologie à HJ de a-Si:H/c-SiAmongst available silicon-based photovoltaic technologies, a-Si:H/c-Si heterojunctions (HJ) have raised growing attention because of their potential for further efficiency improvement and cost reduction. In this thesis, research on n-type a-Si:H/c-Si heterojunction solar cells developed at the Institute National de l’Énergie Solaire is presented. Technological and physical aspects of HJ devices are reviewed, with the focus on the comprehension of the back side role. Then, an extensive work to optimise amorphous layers used at the rear side of our devices as well as back contact films is addressed. Through the development and implementation of high-quality intrinsic and n-doped a-Si:H films on HJ solar cells, the needed requirements at the back side of devices are established. A comparison between different back surface fields (BSF) with and without the inclusion of a buffer layer is presented and resulting solar cell output characteristics are discussed. A discussion on the back contact of HJ solar cells is also presented. A new back TCO approach based on boron-doped zinc oxide (ZnO:B) layers is studied. With the aim of developing high-quality ZnO:B layers well-adapted to their use in HJ devices, different deposition parameters as well as post-deposition treatments such as post-hydrogen plasma or excimer laser annealing are studied, and their influence on solar cells is assessed. Throughout this work it is evidenced that the back side of HJ solar cells plays an important role on the achievement of high efficiencies. However, the enhancement of the overall device performance due to the back side optimisation is always dependent on phenomena taking place at the front side of devices. The use of the optimised back side layers developed in this thesis, together with improved front side layers and a novel metallisation approach have permitted a record conversion efficiency over 22%, thus demonstrating the great potential of this technology
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Cocheteau, Vanessa. "Synthèse de plots quantiques de silicium par LPCVD pour les nouvelles générations de mémoires non volatiles." Phd thesis, Toulouse, INPT, 2005. http://oatao.univ-toulouse.fr/7113/1/cocheteau.pdf.
Full textAbstract:
Les mémoires, permettant de stocker l'information, sont nécessaires dans beaucoup de dispositifs microélectroniques. Le besoin toujours croissant de miniaturisation passe par une augmentation de l'autonomie et une minimisation de la consommation d'énergie sans oublier une grande fiabilité. L'utilisation de plots quantiques de silicium, dont la taille est de l'ordre du nanomètre, est envisagée pour fabriquer des mémoires à pièges discrets. Le dépôt chimique en phase vapeur à basse pression (LPCVD) est une voie de synthèse prometteuse pour ces nanoplots. Ils ont été élaborés dans deux technologies de réacteurs de dépôt différentes, un tubulaire industriel classique, le réacteur TEL au LETI et un réacteur prototype, le réacteur Secteur au LAAS. Les dépôts sont effectués dans les conditions opératoires conventionnelles de la LPCVD, à partir de silane pur dans le réacteur TEL et de silane dilué dans l'azote et de disilane pur dans le réacteur Secteur. Les durées de dépôt sont très courtes, inférieures à la minute. Une étude de reproductibilité et d'uniformité en densité et en taille des nanoplots sur plaque dans les réacteurs TEL et Secteur et sur charge dans le réacteur TEL a été effectuée pour confirmer la possibilité de produire à grande échelle ces nanoplots. Pour comprendre les phénomènes physico-chimiques en jeu lors de ces dépôts, les influences des paramètres opératoires sur les densités et les tailles sont analysées expérimentalement et par modélisations numériques à l'échelle des réacteurs via le code de calcul Fluent. Des densités très fortes, jusqu'à 1,3.1012 plots/cm2, sont obtenues pour les pressions les plus élevées testées. Le rôle spécifique des espèces insaturées pour la nucléation lors de ces dépôts ultraminces a été mis en évidence. La mise au point de nouvelles gammes opératoires de pression et de température a permis permettant d'accroître les durées de dépôt. De nouvelles lois cinétiques hétérogènes adaptées aux dépôts de nanoplots ont été développées permettant de corréler par modélisation numérique les paramètres d'élaboration aux densités et aux tailles. Ce premier outil de modélisation permettra de tester divers mécanismes d'interaction entre les liaisons de surface et les espèces précurseurs.
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Bhattacharyya, S. "Fabrication of strained and relaxed Si and SiGe by LPCVD for application in novel SOI technology." Thesis, Queen's University Belfast, 2004. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.411061.
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Nowrozi, Mojtaba Faiz. "A systematic study of LPCVD refractory metal/silicide interconnect materials for very large scale integrated circuits." Diss., The University of Arizona, 1988. http://hdl.handle.net/10150/184396.
Full textAbstract:
Recently, refractory materials have been proposed as a strong alternative to poly-silicon and aluminum alloys as metallization systems for Very Large Scale Integrated (VLSI) circuits because of their improved performance at smaller Integrated Circuit (IC) feature size and higher interconnect current densities. However, processing and reliability problems associated with the use of refractory materials have limited their widespread acceptance. The hot-wall low pressure chemical vapor deposition (LPCVD) of Molybdenum and Tungsten from their respective hexacarbonyl sources has been studied as a potential remedy to such problems, in addition to providing the potential for higher throughput and better step coverage. Using deposition chemistries based on carbonyl sources, Mo and W deposits have been characterized with respect to their electrical, mechanical, structural, and chemical properties as well as their compatibility with conventional IC processing. Excellent film step coverage and uniformity were obtained by low temperature (300-350 C) deposition at pressures of 400-600 mTorr. As-deposited films were observed to be amorphous, with a resistivity of 250 and 350 microohm-cm for Mo and W respectively. On annealing at high temperatures in a reducing or inert atmosphere, the films crystallize with attendant reduction in resistivity to 9.3 and 12 microohm-cm for Mo and W, respectively. The average grain size also increases as a function of time and temperature to a maximum of 2500-3000 A. The metals and their silicides that are deposited, using silane as silicon source, are integratable to form desired metal-silicide gate contact structures. Thus, use of the low resistivity of the elemental metal coupled with the oxidation resistance of its silicide manifests the quality and economy of the process. MOS capacitors with Mo and W as the gate material have been fabricated on n-type (100) silicon. A work function of 4.7 +/- 0.1 eV was measured by means of MOS capacitance-voltage techniques. The experimental results further indicate that the characteristics of W-gate MOS devices related to the charges in SiO₂ are comparable to those of poly-silicon; while, the resistivity is about two orders of magnitude lower than poly-silicon. It is therefore concluded that hot-wall low pressure chemical vapor deposition of Mo and W from their respective carbonyl sources is a viable technique for the deposition of reliable, high performance refractory metal/silicide contact and interconnect structures on very large scale integrated circuits.
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Kleimann, Pascal. "Réévaluation des propriétés piézoresistives à haute température de films de silicium polycristallin LPCVD dopé au bore." Lyon, INSA, 1997. http://www.theses.fr/1997ISAL0019.
Full textAbstract:
L'utilisation des propriétés piézorésistives du silicium polycristallin (variation de résistance suite à une contrainte mécanique) pour la réalisation de microcapteurs de pression fonctionnant à haute température, nécessite de modéliser ce· propriétés en température afin de pouvoir prévoir et optimiser les performances du capteur. Nous abordons ce travail par une étude de l' origine physique de la piézorésistivité du silicium monocristallin qui nous a amené à réévaluer ce phénomène de manière à pouvoir expliquer les différences couramment observées entre les facteurs de jauge longitudinal et transversal du polysilicium. Ensuite, en se basant sur le modèle de piégeage des porteurs, nous développons un modèle complet de conduction électrique dans le polysilicium en tenant compte d'une barrière de potentiel aux joints de grains, de l'effet tunnel et permettant de traiter le cas du polysilicium dégénéré. En étudiant l'effet d'une contrainte mécanique sur les différents termes de la résistivité, nous déduisons les propriétés piézorésistives du polysilicium, en tenant compte de l'effet de la barrière de potentiel. La troisième partie est consacrée à la présentation du banc de mesure que nous avons mis au point, afin de déterminer les propriétés électriques et piézorésistives du polysilicium de la température ambiante jusqu'à 200°C. Les modèles de résistivité et piézorésistivité sont validés sur deux lots d'échantillons LPCVD: L'un déposé dans les conditions standards à 620°C et le deuxième déposé à l’état amorphe à 580°C de manière à obtenir une taille de grains supérieure après nn recuit permettant la cristallisation. Un bon accord est obtenu entre théorie et valeurs expérimentales pour les deux séries d'échantillons en faisant essentiellement varier la taille de grains dans la modélisation et les résultats montrent que la barrière de potentiel joue un rôle significatif dans l'explication des propriétés piézorésistives du polysilicium. Enfm, nous appliquons les résultats obtenus pour estimer la dérive thermique de la tension de sortie d'nn microcapteur de pression piézorésistif, utilisant le polysilicium comme transducteur écanoélectriqueThe use of the piezoresistive properties of polycristalline silicon (which are responsible for a change in the resistivity when a mechanical force is applied to the semiconductor) in the framework of high temperature pressure microsensors, requires the investigation of the thermal drifts of these properties in order to improve sensors performances. We have tackled this work by a study of the physical origin of the piezoresistive properties in monocrystalline silicon. This study led us to reassess the piezoresistive properties of monocrystalline silicon, in order to explain the difference frequently observed between the longitudinal gauge factor and the transversal one. Then we have presented a complete mode! Of transport properties in polysilicon based on the well-known carrier tapping model and considering a grain boundary potential barrier, the tunnel effect through the barrier and the case of degenerated polysilicon. Studying the mechanical strain effect on the polysilicon resistivity, we have deduced the piezoresistive properties of this material, taking into account the potential barrier effect. In the third part, we have described the experimental set up that has been developed in order to measure the electrical and piezoresistive properties of polysilicon films between room temperature and 20ooc. The conduction and piezoresistif models have been validated on two series of LPCVD polysilicon films: The first one was deposited at 620°C and the second one at 580°C in order to obtain larger grain size after crystallization. A good agreement between theoretical and experimentally determined resistivities and gauge factors is observed for the two types of polysilicon materials considering different grain sizes. The results clearly show a significant piezoresistive effect of the potential barrier. At last, we have applied the results to estimate the thermal drifts of the sensitivity of a piezoresistive pressure microsensor, using polysilicon as transducing material
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Mercaderre, Lydie. "Proprietes cristallines et electroniques des depots de silicium lpcvd dopes in-situ (dopants bore et phosphore)." Toulouse, INSA, 1988. http://www.theses.fr/1988ISAT0009.
Full textAbstract:
Etude d'echantillons appartenant a trois series de depots (non dopes, dopes bore et dopes phosphore in-situ). Caracterisation de la structure cristalline par les techniques rheed, tem, raman, rugosite de surface. Consideration des proprietes optiques, electriques et physicochimiques. Existence d'une etroite correlation entre la microstructure fine et les proprietes electroniques des couches. Etude de l'aptitude des methodes optiques (reflectometrie, et plus particulierement ellipsometrie bi-angulaire) a la caracterisation des depots. Mise en evidence, vis a vis de ces proprietes, d'une part du comportement specifique des depots dopes bore in situ, et d'autre partm de l'existence de valeurs "seuil" de la temperature de depot, qui different suivant les couches considerees
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Gris, Hervé. "Etude du recouvrement de marché lors de dépôts lpcvd dans des tranchées submicroniques : expériences et modélisation." Toulouse, INPT, 1999. http://www.theses.fr/1999INPT003G.
Full textAbstract:
L'elaboration de certains composants microelectroniques necessite notamment une etape de remplissage par depots lpcvd (pour low pressure chemical vapor deposition) de tranchees submicroniques. Les progres spectaculaires enregistres depuis quelques annees dans ce secteur d'activite font que ces gravures sont de plus en plus fines et profondes. Dans ce contexte, l'etude du recouvrement de marche par les depots lpcvd d'usage industriel est aujourd'hui de premiere importance. La premiere partie de ce travail, porte sur la presentation d'experiences de depots lpcvd dans des tranchees submicroniques de differents rapports geometriques. Il s'agit de depots de silicium pur, a partir de silane ou de disilane, de silicium dope in situ, soit au bore soit au phosphore, et de silicium partiellement oxyde (sipos). Les resultats obtenus permettent de correler la qualite du recouvrement de marche en fonction du depot employe. Dans une deuxieme partie, nous decrivons les modeles numeriques et analytiques que nous avons concus et pour lesquels nous precisons les hypotheses, les equations de base et les methodes de resolution. Puis, nous proposons une etude theorique portant sur deux cas simples de depot, l'un du a une espece chimique peu reactive en surface et l'autre du a une espece extremement reactive. Pour terminer, nous comparons quelques simulations, realisees dans des tranchees rectangulaires, a des resultats experimentaux. Enfin, dans le proche futur, les procedes de depots cvd, semblent s'orienter vers des pressions operatoires plus elevees qu'actuellement, ce qui pourrait engendrer l'apparition de poudres, generees in situ par le depot. Une etude experimentale et theorique a ete menee dans ce domaine, qui s'est concretisee par la mise au point de reducteurs de volume, a l'interieur du reacteur tubulaire horizontal, permettant de repousser la pression dite de poudrage.
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Picard, Erwann. "Étude et optimisation d’une étape industrielle de dépôt polysilicium dopé in situ au phosphore par LPCVD." Rennes 1, 2008. http://www.theses.fr/2008REN1S179.
Full textAbstract:
La fabrication de microstructures à forts facteurs d’aspect s’impose pour l’intégration des composants électroniques passifs. Une des étapes clés de ces procédés d’intégration est le remplissage des structures 3D, réalisé par le dépôt d’une couche de polysilicium fortement dopé in situ (ISDP) par LPCVD. Cette thèse a permis l’étude, le développement et l’optimisation d’étapes de dépôt ISDP à travers un procédé d’intégration de structures passives. Les objectifs industriels liés à cette étape de dépôt ISDP sont les suivants : Remplir conformément des structures à fort facteur d’aspect tout en réalisant des résistances de précision. Pour atteindre les objectifs fixés, ces travaux ont été abordés suivant deux axes principaux. Le premier axe concerne les études théoriques et expérimentales visant à qualifier et à quantifier les paramètres influents de l’étape. Le second axe décrit les travaux de développement réalisés ainsi que la mise en place de méthodologies spécifiques d’améliorationThe manufacturing of microstructures with high aspect ratio (A. R. ) is becoming essential for passives components integration. One of the key steps in theses integrating processes is the filling of 3D structures, realized by an highly phosphorous in situ doped polysilicon (ISDP) by LPCVD method. This thesis is related to the study, the development and the optimization of an industrial ISDP stage through a process that integrates passives structures on 5 and 6 inches wafers. Industrials goals linked to this ISDP stage are following: Fill high AR structures with a good step coverage while realizing high precision resistances. In order to reach fixed goals, the work has been divided in two main parts. The first part concerns theoretical and experimental studies made in order to qualify and quantify most influent parameters of the stage. The second part describes the developing work made and specific improvement methodologies implemented on the ISDP stage
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Koukos, Konstantinos. "Vers les sources optiques compatibles CMOS: corrélation entre élaboration et propriétés des nanocristaux de Si pas LPCVD." Phd thesis, Université Paul Sabatier - Toulouse III, 2009. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00494388.
Full textAbstract:
Les systèmes sur puce comportant des fonctions optiques ont un vif intérêt pour les futures générations de systèmes embarqués, les telecommunications, l'instrumentation. La faisabilité d'une source silicium compatible avec la technologie CMOS reste à ce jour un verrou majeur pour ouvrir la voie à des systèmes optoélectroniques intégrés. L'utilisation des nanocristaux de silicium dans une matrice de SiO2 est actuellement une voie prometteuse visant à lever ce verrou. L'objectif de cette thèse est d'étudier la faisabilité de sources émettant dans le visible/proche infrarouge à base de nanocristaux de silicium, en explorant les potentialités de dépôts LPCVD (Low Pressure Chemical Vapor Deposition). En partant de l'étude des propriétés des nanocristaux, une approche bottom-up a été choisie pour la réalisation des composants de test. Un procédé d'élaboration du matériau actif, compatible avec la technologie CMOS, a été mis au point et nous a permis d'obtenir de façon reproductible des nanocristaux avec les propriétés souhaitées. Les mécanismes d'émission lumineuse ont été étudiés et corrélés avec les propriétés structurales et électriques. Une émission lumineuse intense a été obtenue sous excitation optique. L'obtention d'électroluminescence nécessite quant à elle une optimisation spécifique tant au niveau matériau qu'au niveau procédé technologique. A cette fin, plusieurs voies ont été explorées nous conduisant à établir le compromis entre propriétés optiques et électriques. Au terme de cette étude, nous avons évalué les avantages et inconvénients de cette technique d'élaboration et proposons des solutions pour parvenir à fabriquer un dispositif électroluminescent fonctionnel.
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Kropp, Joel Miron [Verfasser]. "Low-Stress LPCVD Silicon Nitride Membranes and Applications for Physical and Biological Sensor Systems / Joel Miron Kropp." München : Verlag Dr. Hut, 2015. http://d-nb.info/1076437435/34.
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Bonar, Janet Marion. "Process development and characterization of silicon and silicon-germanium grown in a novel single-wafer LPCVD system." Thesis, University of Southampton, 1995. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.243179.
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Azzaro-Pantel, Catherine. "Analyse et modélisation du fractionnement des réacteurs de LPCVD : cas du silicium pur ou dopé in situ." Toulouse, INPT, 1991. http://www.theses.fr/1991INPT003G.
Full textAbstract:
Le depot chimique a partir d'une phase vapeur (cvd) est un procede de grande importance pour les industries de la microelectronique. Les buts de ce travail etaient d'analyser et de modeliser le fonctionnement des reacteurs de cvd a basse pression (lpcvd) de type tubulaire horizontal a paroi chaude, l'un des appareils les plus utilises en pratique. Les cas traites sont ceux de depot de silicium pur ou dope in situ, par pyrolyse de silane. Deux logiciels differents ont ainsi ete constitues. Le premier est un modele global, qui permet d'analyser la totalite d'un equipement et qui determine, a la fois, la distribution de temperature sur les plaquettes a recouvrir et la distribution de la vitesse de depot. Ce logiciel est particulierement bien adapte pour le traitement des depots de silicium pur et de silicium dope in situ au bore. Le second logiciel resulte d'une approche locale et bidirectionnelle qui effectue un traitement beaucoup plus detaille mais ne concerne plus qu'une partie representative du reacteur. Ces travaux ont permis de progresser nettement dans la comprehension des phenomenes complexes qui sont mis en jeu lors du depot de silicium dope in situ au phosphore. L'exploitation systematique de ces deux programmes de simulation numerique et la confrontation des resultats de calcul avec des donnees experimentales se sont revelees riches d'enseignement et permettent d'envisager la mise au point de nouveaux procedes industriels tres performants
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Yacoubi, Khalid. "Dépôt LPCVD de nitrure de silicium à partir d'un mélange silane-ammoniac : analyse et modélisation du procédé." Toulouse, INPT, 1996. http://www.theses.fr/1996INPT053G.
Full textAbstract:
Ce travail consiste en l'analyse et la modelisation du depot par lpcvd (low pressure chemical vapor deposition) de nitrure de silicium, couramment utilise dans l'industrie microelectronique comme couche de passivation. Le depot est realise par pyrolyse d'un melange silane-ammoniac dans un reacteur de type tubulaire horizontal a parois chaudes fonctionnant a basse pression. En raison du nombre limite de donnees de la litterature, la premiere partie de ce travail consiste en une etude experimentale, afin de degager les caracteristiques du depot. Nous montrons que le mecanisme chimique en phase gazeuse joue un role important, notamment dans la formation de surepaisseurs a la peripherie des plaquettes. Une analyse approfondie du systeme chimique en phase gazeuse et du role des differentes especes susceptibles de contribuer au depot nous amene a proposer un mecanisme chimique simplifie, mais suffisamment representatif pour rendre compte des observations experimentales. Les constantes cinetiques en phase gazeuse ont ete evaluees a partir d'un modele qrrk. Nous presentons ensuite l'extension au cas du depot de nitrure de silicium du logiciel cvd2, precedemment developpe dans notre laboratoire (modele bidimensionnel d'etude locale qui integre les equations de navier stokes, de transfert de matiere couplees aux lois cinetiques des reactions chimiques mises en jeu). La determination des constantes cinetiques en phase heterogene a ete effectuee par identification avec nos resultats experimentaux (i. E. , epaisseur du depot et rapport molaire si/n). L'etude combinee simulation-experience a permis de valider les choix effectues au niveau des mecanismes chimiques proposes et d'apporter une contribution a l'explication des phenomenes mis en jeu lors du depot
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Koukos, Konstantinos. "Vers les sources optiques compatibles CMOS : corrélation entre élaboration et propriétés des nanocristaux de Si par LPCVD." Toulouse 3, 2009. http://thesesups.ups-tlse.fr/858/.
Full textAbstract:
Les systèmes sur puce comportant des fonctions optiques ont un vif intérêt pour les futures générations de systèmes embarqués, les telecommunications, l'instrumentation. La faisabilité d'une source silicium compatible avec la technologie CMOS reste à ce jour un verrou majeur pour ouvrir la voie à des systèmes optoélectroniques intégrés. L'utilisation des nanocristaux de silicium dans une matrice de SiO2 est actuellement une voie prometteuse visant à lever ce verrou. L'objectif de cette thèse est d'étudier la faisabilité de sources émettant dans le visible/proche infrarouge à base de nanocristaux de silicium, en explorant les potentialités de dépôts LPCVD (Low Pressure Chemical Vapor Deposition). En partant de l'étude des propriétés des nanocristaux, une approche bottom-up a été choisie pour la réalisation des composants de test. Un procédé d'élaboration du matériau actif, compatible avec la technologie CMOS, a été mis au point et nous a permis d'obtenir de façon reproductible des nanocristaux avec les propriétés souhaitées. Les mécanismes d'émission lumineuse ont été étudiés et corrélés avec les propriétés structurales et électriques. Une émission lumineuse intense a été obtenue sous excitation optique. L'obtention d'électroluminescence nécessite quant à elle une optimisation spécifique tant au niveau matériau qu'au niveau procédé technologique. A cette fin, plusieurs voies ont été explorées nous conduisant à établir le compromis entre propriétés optiques et électriques. Au terme de cette étude, nous avons évalué les avantages et inconvénients de cette technique d'élaboration et proposons des solutions pour parvenir à fabriquer un dispositif électroluminescent fonctionnelIntegrated systems comprising on-chip optical functions are of great interest for future generations of embedded, telecommunications sensing and instrumentation applications. The feasibility of a Silicon light source, compatible with CMOS technology remains a major hurdle in the development of systems combining optical and electronic functions on the same chip. The use of silicon nanocrystals embedded in a SiO2 matrix seems to be a promising solution. The objective of this work is to study the feasibility of visible/near infrared light sources using silicon nanocrystals obtained by LPCVD (Low Pressure Chemical Vapor Deposition). Starting with a study of the material properties, we chose a bottom-up approach to fabricate several test devices. A reproducible, CMOS compatible technological process has been established to obtain the active material with the desired properties. The mechanisms of light emission have been studied by different characterization techniques and correlated with the structural and electrical properties. We have obtained intense emission under optical excitation in the visible/near infrared domain. Electroluminescence, however, requires a specific optimization of the active layer. We have explored several different implementations and have identified the tradeoffs between optical and electrical properties. At the end of this study, we have evaluated the advantages and disadvantages of LPCVD as a fabrication method for Si nanocrystals and propose solutions for the implementation of a functional electroluminescent device
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IDRISSI-BENZOHRA, MALIKA. "Etude des jonctions verticales p+n a emetteur en silicium lpcvd fortement dope in-situ au bore." Rennes 1, 1996. http://www.theses.fr/1996REN10171.
Full textAbstract:
La caracterisation electrique de diodes a jonction en polysilicium/monosilicium est mise en uvre afin de mettre en relief l'importance et l'influence des parametres technologiques sur leurs performances. Cette caracterisation est aussi exploitee pour identifier le mecanisme dominant le transport dans de telles structures. Les diodes etudies sont a jonction p+n. La region p#+ est un film en polysilicium fortement dope (2. 10#2#1 cm#-#3) in-situ au bore. Les parametres qui definissent le procede sont la temperature de depot, le type de nettoyage de la surface du substrat et l'epaisseur de la couche de polysilicium. Les depots sont realises a trois temperatures: 520c, 555c et 605c, par le procede lpcvd (low pressure chemical vapor deposition). Les films ont une epaisseur de 550 a ou 3000 a et le recuit est realise sous differentes atmospheres (o#2, a#r ou n#2). La distribution du bore, avant et apres recuit, est determinee par des mesures sims (secondary ion mass spectrometer). Les caracteristiques courant-tension et capacite-tension sont analysees. Les principaux resultats sont: (i) la temperature de depot de 555c accroit les performances electriques des composants. (ii) le nettoyage de la surface du substrat est un element determinant dans le mecanisme de transport. (iii) les echantillons natifs sont caracterises par une faible valeur de la tension de seuil. (iv) le phenomene dominant le transport a travers la jonction est l'effet tunnel par sauts pour les diodes dont le film est depose a 520c et 605c et la generation-recombinaison pour les autres. (v) le recuit thermique elimine simultanement les effets du nettoyage et de l'epaisseur et deplace la jonction electrique profondement dans le substrat. (vi) dans les composants recuits, le mecanisme de transport identifie est l'emission thermoionique et il est regi par la nature heterogene de la region dopee au bore
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Guendouz, Mohammed. "Cristallisation thermique en phase solide du silicium amorphe, depose par lpcvd : effet de la nature du substrat." Rennes 1, 1990. http://www.theses.fr/1990REN10128.
Full textAbstract:
L'etude porte principalement sur l'analyse des mecanismes de cristallisation en phase solide, a 600#oc, du silicium amorphe non dope et depose par lpcvd et les effets du substrat sur cette cristallisation. Apres un rappel de la theorie classique de la germination et la modelisation des differents modes de croissance des grains, la cinetique de cristallisation sur un substrat de verre, determinee par d. R. X. Et m. E. T. , est presentee. Le mode de cristallisation (germination a l'interface, croissance tri-dimensionnelle des grains,. . . ) ainsi que les parametres de cette cristallisation (taux de germination, vitesse de cristallisation,. . . ) en sont deduits. D'autre part, ce travail montre que la cristallisation n'est pas independante de la nature chimique du substrat. Si l'effet sur le silicium depose par lpcvd reste limite a un rapport de taux de germination de 2,5 entre les deux substrats (ito et verre) qui donnent les resultats les plus differents, il n'en est pas de meme pour les couches deposees par pecvd ou la germination est tres rapide sur ito et tres lente sur verre, entrainant des modes de croissance bi-dimensionnelle. Enfin, une etude comparative des resultats electriques sur des transistors en couches minces realises soit avec du silicium depose sous forme cristalline, soit avec du silicium amorphe cristallise thermiquement, est presentee
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Semmache, Mohamed-el-Bachir. "Etude du dépôt et des propriétés physiques de couches minces de silicium polycristallin détenu par RT-LPCVD." Lyon, INSA, 1994. http://www.theses.fr/1994ISAL0068.
Full textAbstract:
Dans ce travail, on s'est intéressé au dépôt en phase vapeur cl sous basse pression de silicium polycristallin (polysilicium) par la technique RT-LPCVD (Rapid thermal Low Pressure Chemical Vapor Deposition) dans un réacteur à lampes halogène et à parois froides. Les dépôts ont été effectués par décomposition de silane dilué (SiH4/ Ar: 10%) à pression ( 1 à 5 mbar) et températures (600-850 °C) variables. Ces conditions ont été choisies pour répondre aux impératifs de rendement de production imposés par le procédé de traitement par plaque (SW: Single Wafer). L'étude des cinétiques de dépôt sur échantillons de différentes dimensions a révélé un phénomène de déplétion radiale du gaz réactif inhérent à la géométrie d'injection et d'extraction des gaz du réacteur utilisé. L'analyse SIMS a révélé la présence de contaminants (0. C) dans les couches que nous attribuons au dégazage de parois internes du réacteur en cours de dépôt. Néanmoins, l'abaissement de la pression et l'introduction préalable d'un cycle thermique de dégazage permet de réduire sensiblement celle contamination. Les analyses par diffraction aux rayons-X rasants et de microscopie électronique, ainsi que les mesures de résistance carrée ont montré que les propriétés structurales (rugosité, texture, taille des grains), mécaniques (contraintes résiduelles). Et électriques des couches dépendent des paramètres de dépôt et sont fortement corrélées au niveau de contamination. Par ailleurs le dopage ex-situ au phosphore (POCl3), montre que les couches obtenues ont une résistivité électrique comparable aux couches de polysilicium LPCVD (1mΩ. Cm). Enfin, on note le rôle bénéfique du traitement de recuit RTA qui favorise la croissance de la taille des grains et améliore nettement la résistivité électrique des couches de polysilicimn RT-1 PCVDThis work was devoted to the study of the deposition of polycristalline silicon films (polysilicon) obtained by low-pressure chemical vapor deposition in a coldwall RTP reactor (RT-LPCVD). Ths films were synthesized by premixed-silane decomposition (SiH4 /Ar : 10%) at variable pressures (l-5 mbar) and temperatures (600-800 C°). These conditions were choosen as a function of the single-wafer (SW) throughout requirements in the production scale. The deposition kinetics were performed on specimen of different sizes and revealed a radial reactive gas depletion inherent to the injection and extraction system geometry used in this study. SIMS analysis revealed the presence of contaminants (0,C) in the films. This contamination was attributed to the chamber thermal desorption during the deposition step. This phenomenon can be strongly reduced by lowering the process pressure and/or introducing a thermal desoprtion cycle before deposition. Grazing X-ray Diffraction, Transmission Electron Microscopy, and sheet resistance measurements all showed that the structural properties (Roughness, texture, grain size), mechanical (residual stresses) and the electrical properties of polysilicon films mainly depend on the deposition parameters and are well correlated to the 0-contamination level. Ex-situ phosphorus-doping (POC13) of the RTCVD polysilicon films showed electrical resistivity values comparable with conventional LPCVD ol silicon films (1mΩ. Cm)
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Winkler, Olaf. "Silizium-Nanodots für nichtflüchtige Speicherbauelemente /." Aachen : Shaker, 2006. http://bvbr.bib-bvb.de:8991/F?func=service&doc_library=BVB01&doc_number=014901185&line_number=0001&func_code=DB_RECORDS&service_type=MEDIA.
Full text
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Chen, Lin. "SiC Thin-Films on Insulating Substrates for Robust MEMS-Applications." University of Cincinnati / OhioLINK, 2003. http://rave.ohiolink.edu/etdc/view?acc_num=ucin1053095076.
Full text
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O'Hern, Sean C. (Sean Carson). "Development of process to transfer large areas of LPCVD graphene from copper foil to a porous support substrate." Thesis, Massachusetts Institute of Technology, 2011. http://hdl.handle.net/1721.1/68952.
Full textAbstract:
Thesis (S.M.)--Massachusetts Institute of Technology, Dept. of Mechanical Engineering, 2011.Cataloged from PDF version of thesis.
Includes bibliographical references (p. 57-62).
In this thesis, I present a procedure by which to transfer greater than 25 mm² areas of high-quality graphene synthesized via low-pressure chemical vapor deposition from copper foil to porous support substrates. Large-area, high quality graphene on a porous support would serve as a platform by which to create high efficiency porous graphene membranes for use in liquid and gas-phase separation technologies. In this procedure, we transfer greater than 25 mm² areas of graphene with few holes and tears to both gold Quantifoil Holey Carbon transmission electron microscope grids with 1.2 [mu]m diameter pores and to Sterlitech polycarbonate track etch membranes with 200 nm diameter pores by bonding the substrates to the graphene then wet-etching the copper. The resulting membrane quality is characterized via Raman spectroscopy, scanning electron microscopy, diffraction patterning, and aberration-corrected scanning transmission electron microscopy.
by Sean C. O'Hern.
S.M.
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Dutron, Anne-Marie. "Dépots LPCVD de siliciures ternaires Me-Si-N (Me= Re, W, Ti, Ta) pour des applications en microélectronique." Grenoble INPG, 1996. http://www.theses.fr/1996INPG0092.
Full textAbstract:
Dans la metallisation avancee des circuits integres, le cuivre est envisage comme futur metal d'interconnexion et de contact. Cependant, son utilisation reste conditionnee par l'usage d'une barriere de diffusion tres performante susceptible de bloquer sa migration lors de traitements thermiques dans les materiaux voisins constitutifs des circuits integres. Cette etude a concerne l'elaboration par lpcvd de siliciures ternaires de type me-si-n (me= re, w, ti, ta) sur substrat de sio#2, et plus particulierement elle s'est orientee vers le choix d'une barriere de diffusion adequate repondant aux criteres requis pour une possible application industrielle. Une etude thermodynamique au prealable a notamment permis de classer les quatre materiaux en differentes categories. L'etude experimentale a montre que les systemes a base de metaux depourvus de nitrures men (cas du rhenium) ou depourvus de nitrures men stables (cas du tungstene) etaient obtenus a l'etat amorphe ou nanocristallise. En revanche les materiaux tisin et tasin dont les nitrures metalliques sont stables ont ete deposes a l'etat cristallise. Les caracterisations physico-chimiques des films ternaires ont ete realisees par diffraction rx, rutherford backscattering spectrometry, microscopies electroniques a balayage et a transmission, resistivite electrique, spectrometrie photoelectronique. Nous avons montre que le procede lpcvd utilise permettait un excellent recouvrement des marches et semblait donc plus interessant qu'un procede pvd. Les performances des quatre systemes me-si-n (me= re, w, ti, ta) en presence de cuivre et sous traitements thermiques ont ete evaluees de maniere exploratoire par analyse auger ainsi que par une caracterisation electrique c (v). Les proprietes du materiau ternaire wsin, en particulier sa morphologie amorphe, sa faible temperature de depot, sa resistivite electrique voisine de 1milliohm. Cm et ses performances, correspondent aux principaux criteres de selection d'une barriere de diffusion adequate
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GUILLET, DENIS. "Fabrication et caracterisation de couches minces de silicium-germanium polycristallin deposees par lpcvd application aux transistors films minces." Rennes 1, 2000. http://www.theses.fr/2000REN10053.
Full textAbstract:
Ce travail est consacre a la fabrication de couches de silicium-germanium non dope deposees par lpcvd (low pressure chemical vapor deposition). L'objectif final est de savoir si de telles couches peuvent servir dans le monde de la microelectronique (c'est-a-dire s'integrer dans des dispositifs electroniques en tant que couches actives) dans le but par exemple de diminuer le budget thermique. Une premiere partie est donc consacree a la fabrication des couches en utilisant comme gaz du silane et du germane dilue dans l'hydrogene. Nous avons alors etudie l'influence sur les vitesses de croissance ainsi que sur leur energie d'activation des flux de gaz, de la pression totale dans le four de depot, de la temperature et de l'incorporation de germanium dans les couches. Il s'avere que la presence de germanium modifie les cinetiques de depot et il s'ensuit, dans notre gamme d'etude, que la vitesse est multipliee par un facteur allant jusqu'a 5 par rapport a des depots de silicium. Dans une seconde partie, nous nous interessons aux caracteristiques electriques de ces couches. La cristallisation des couches deposees amorphes est d'abord etudiee. Ensuite, l'etude electrique nous montre que, selon les conditions de realisation des films, des resistivites sur une gamme de quelques 10. Cm a 10 5. Cm sont obtenues. On a conclu a la presence d'une distribution d'etats accepteurs dans la bande interdite. Cette distribution, certainement due au germanium, provoque une dispersion sur les caracteristiques des films deposes amorphes puis recuites. L'ultime partie consiste a fabriquer des transistors en couches minces avec du silicium-germanium comme couche active. Il s'avere que les resultats restent insuffisants par rapport a ceux que l'on
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Levesque, Alexandra. "Elaboration de couches minces de tantale par dépôt chimique à partir de la phase vapeur TaCl5-H2 et caractérisations structurales et anti-corrosionbTexte imprimé." Paris, ENSAM, 2002. http://www.theses.fr/2002ENAM0011.
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Tian, Fang. "Studies of LPCVD and anodised TiOâ†2 thin films and their photoelectrocatalytic photochemical properties for destruction of organic effluents." Thesis, University of Strathclyde, 2001. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.366874.
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Denoyelle, Elise. "Développement d’une microbatterie Li-ion 3D & Étude d’une anode de silicium amorphe déposée par LPCVD sur substrat 3D." Caen, 2010. http://www.theses.fr/2010CAEN2005.
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Depuis l’avènement des premiers circuits intégrés, l’industrie du semiconducteur s’efforce sans cesse de miniaturiser la taille des composants électroniques. La société NXP conçoît depuis plusieurs années des systèmes "sb-SiP" (silicon-based System in Package) qui permettent d’intégrer les composants passifs sur une puce passive sur laquelle est montée une ou plusieurs puces actives. Ce concept repose principalement sur la technologie PICS (Passive Integration Connective Substrate) qui permet d’intégrer sur silicium des condensateurs de valeurs élevées. Devant le succès et le potentiel de ce procédé, NXP entrevoit de nouvelles applications comme les microbatteries 3D lithium-ion. Dans un premier temps, nous avons effectué une recherche de partenariat afin d’acquérir l’expertise nécessaire dans la technologie lithium-ion. Les différentes démarches investies nous ont permis de définir plus précisément les briques technologique intervenant dans le développement d’une microbatterie 3D sur substrat silicium et d’aborder le second axe de ces travaux: l’étude d’une anode de silicium amorphe déposée par LPCVD (Low Pressure Chemical Vapor Deposition). L’objectif de l’étude est d’évaluer les performances d’une anode en silicium amorphe en configuration planaire (2D) et tridimensionnelle (3D)Since the first Integrated Circuits, the Semiconductors industry has innovated in the field of miniaturization at the device level. For several years, NXP company has designed sb-SiP systems (silicon-based System in Package) which allow the insertion of passive components into passive devices on which an active device is mounted. The concept depends upon the PICS technology (Passive Integration Connective Substrate) which allows the integration of capacitors of high values. Considering the achievement of this process, NXP wishes to develop new products as 3D Li-ion microbatteries. At first, we developed a partnership approach in order to acquire competences in lithium-ion technology. The different contacts allow us to define more precisely the technological components needed in order to create a 3D-microbattery on silicon substrate. In a second part, we adress the study of an amorphous silicon thin film anode deposited by LPCVD (Low Pressure Chemical Vapor Deposition). The objective of the study is to measure the electrochemical performances of the amorphous silicon anode on 2D and 3D silicon substrate
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BAHLOUL, MANSOUR FARIDA. "Effets de la temperature de depot sur la microstructure et les proprietes technologiques des couches si-lpcvd dopees bore." Toulouse 3, 1986. http://www.theses.fr/1986TOU30088.
Full textAbstract:
Variations de la microstructure, de la gravure chimique, de la texturation et de l'oxydation de couches deposees dans le domaine thermique 520-620**(o)c. Les resultats obtenus par tem,rheed, raman/reflectance uv, sont utilises pour mettre en relief les effets respectifs du support, de l'epaisseur et de la temperature de depot sur la microstructure des couches. Ces resultats sont ensuite exploites pour montrer les influences respectives des parties cristallines et zones de joints de grains (macles et/ou reseaux de dislocations) sur les mecanismes mis en jeu dans la gravure chimique (melanges hno3-hf) puis lors de l'oxydation thermique et enfin sur la qualite electrique des couches d'oxydes realisees sur ces depots
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Mansour-Bahloul, Farida. "Effets de la température de dépôt sur la microstructure et les propriétés technologiques des couches Si-LPCVD dopées bore." Grenoble 2 : ANRT, 1986. http://catalogue.bnf.fr/ark:/12148/cb37599425p.
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Chen, Te Yuan, and 陳德原. "Modeling LPCVD for Improved Operation." Thesis, 2006. http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/06774978675081899832.
Full textAbstract:
碩士國立臺灣大學
化學工程學研究所
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This work presents a physical model to simulate the film deposition in a batch LPCVD (Low Pressure Chemical Vapor Deposition) reactor for DRAM processing. The objective is to use this model to set proper reacting temperatures for lower defective rate and the higher yield of the process. The reaction kinetics model is based on the literature result, and the parameters are modify by regression to fit experimental data. Two TEOS feed flow rates are considered: 380 sccm and 230 sccm. The process is simulated with different quantity of wafers, 100 pieces and 125 pieces. The simulation results are compared with the experimental date and we find that this model works well. Based on this model, suitable reacting temperature aimed to uniform deposition of films can be predicted individually under the operating conditions aforementioned. In proof of the applicability of this model, the simulation result is also applied to real operating data from different machine platform. The results show that this proposed model is suitable for simulating the film deposition in LPCVD reactor under various TEOS feed flow rate, wafer production rate and machine platform.