Academic literature on the topic 'Iodure de cuivre argenté'

Dans cette thèse, nous avons étudié la formation de couches minces d'iodure de cuivre (CuI) et d'iodure de cuivre argent (Ag,Cu)I à partir d'une procédure en deux étapes : dépôt d'un film métallique par pulvérisation magnétron et ioduration dans de la vapeur d'iode. De nombreuses techniques ont été utilisées pour déterminer les propriétés des films telles que : diffraction des rayons X, microscopie électronique à transmission, effet Hall, spectroscopie UV-visible… Pour les films CuI, nous avons obtenu des films semi- conducteurs transparents de type p cristallisant dans une structure type γ-CuI avec une large bande interdite (≈ 3,05 eV). Les films d'iodure de cuivre croissent avec une forte orientation préférentielle le long de la direction [111]. La microscopie électronique à transmission (MET) et la diffraction électronique à zone sélectionnée (SAED) ont révélé des mâcles dans les cristaux CuI, révélant leur géométrie et leur orientation. Les films sont hautement conducteurs, optiquement transparents et présentent une valeur élevée de facteur de mérite. Les propriétés des couches minces (Ag,Cu)I ont été étudiées selon les mêmes méthodes en fonction de la teneur en argent. Ces films peuvent être de type p ou de type n, en fonction de la concentration en Ag. Néanmoins, aucun changement structural n'a été mis en évidence par XRD. La morphologie de la surface du film dépend également fortement de la teneur en argent. Le gap optique peut être contrôlé par l'ajout progressif d'argent. Il en est de même pour l'énergie d'activation des phénomènes de conduction électrique. La photoluminescence a montré l’évolution entre les films pauvres en argent et les riches. Une corrélation entre les résultats optiques et électriques a été établie et a mis en évidence l'origine du comportement électrique. Il est proposé que la présence d'Ag dans les films minces (Ag,Cu)I favorise la formation des lacunes d’iode, qui agissent comme un défaut de type donneur, et qui éventuellement, conduisent à la changement de la nature des porteurs
In this thesis, we study the formation of copper iodide (CuI) and silver copper iodide (Ag,Cu)I thin films from a two-step procedure: deposition of a metallic film by magnetron sputtering and iodination in iodine vapor. Numerous techniques have been used to determine the films properties such as: X-ray diffraction, transmission electron microscopy, Hall effect, UV-visible spectroscopy… For CuI films, we obtained transparent p-type semiconductors films crystallizing in the γ-phase with wide bandgap (Eg ≈ 3.05 eV). Copper iodide films grow with a strong preferred orientation along the [111] direction. SEM analysis of thin film morphology demonstrates that iodination conditions can affect crystal size. Transmission electron microscopy (TEM) and selected area electron diffraction (SAED) have revealed crystallographic twin domains in CuI crystals, revealing their geometry and orientation. The films are highly conductive, optically transparent and exhibit high value of figure of merit. The properties of (Ag,Cu)I thin films have been studied using the same methods as a function of the silver content. (Ag,Cu)I films can be either p-type or n-type, depending on Ag concentration. Nevertheless, no structural change has been evidenced by XRD. The optical band gap can be monitor by the progressive addition of silver. The same is true for the electrical activation energy. In addition, the PL results showed a tendency of the PL spectral features of CuI to be changed to those of AgI with the increase of the silver content. A correlation between the optical and electrical results was established and evidenced the origin of the electrical behaviour. It is proposed that presence of Ag in (Ag,Cu)I thin films promotes the formation of the I-vacancies, which act as donor type defect, and eventually, with increasing the Ag content, crossover the carriers from p-type to n-type occurs

Le transfert à l'homme de l'iode radioactif libéré dans l'environnement présente un risque majeur pour la santé. Les composés du cuivre possèdent une affinité suffisante envers cet élément pour le "piéger" au sein d'une phase solide. Ces recherches sont utiles dans (1) l'obtention d'un matériau tampon empêchant l'iode-129, libéré par des déchets nucléaires, d'atteindre la biosphère, (2) le développement de procédés de décontamination, (3) la prévision du devenir de l'iode dans l'environnement et (4) la conception de méthodes d'analyse basées sur une préconcentration de l'iode sur un solide. Trois systèmes du cuivre ont été utilisés : Cu2O , les sulfures de cuivre (Cu2S, CuFeS2 et CuS) et le mélange cuivre métallique 1 carbonate de cuivre (II). Cul se forme sur Cu2O dans des solutions acides. L'adsorption des iodures a lieu dans des solutions basiques, par échange avec les hydroxyles de surface de Cu2O, qui perd ses propriétés de fixation si un potentiel réducteur le transforme en cuivre métallique. Une méthode d'analyse électrochimique de l'iodure par préconcentration sur Cu2O en solution acide a été développée ; sa limite de détection est de 5. 10-7 M. Les trois sulfure de cuivre utilisés (Cu2S, CuFeS2 et CuS) adsorbent les iodures. La similitude de leur réactivité est liée à la présence du cuivre (I). La stabilité de Cu2S et de CuFeS2 permettrait à ces composés de garder leur efficacité aux potentiels réducteurs du milieu souterrain. Enfin, au contact d'un mélange cuivre métallique/azurite, les iodures précipitent à la surface du cuivre. Cette étude est donc une synthèse des propriétés des systèmes du cuivre (I) envers les iodures en concentration élevée (>10-4 M).

L’ion fluorure est beaucoup plus réactif dans l'acétonitrile que dans l'eau, à cause de sa faible solvatation. Des différences profondes se manifestent entre l'échelle pF- et les diagrammes E-pF-, établis dans les deux milieux. La réaction des fluorures sur l'iode dépend de la nature du sel utilisé

Notre travail consiste en l’utilisation de couches tampons anodiques pour l’amélioration des perfor-mances des cellules photovoltaïques organiques à base de petites molécules telles que les phtalocya-nine, Oligothiophene et triphénylamine. L’utilisation d’une couche de 3 nm d’oxyde de molybdène à l’interface entre l’oxyde d’indium dopé étain ITO, utilisé comme anode, et les différents donneurs d’électrons, permet l’augmentation de l’efficacité de collection des charges, et par conséquent, l’amélioration des performances des cellules. Lorsqu’une couche de 3 nm de CuI est utilisée comme couche tampon, celle-ci permet l’augmentation de la conductivité des couches organiques, ce qui permet d’améliorer la densité de courant de court-circuit Jsc. Lorsqu’une double couche tampon MoO3/CuI est utilisée pour optimiser l’interface ITO/donneurs d’électrons, de meilleurs résultats sont obtenus quel que soit le donneur d’électrons utilisé, ce qui peut être expliqué par la double fonction de cette couche, le MoO3 assure une collection des charges efficace, et le CuI améliore la Jsc grâce à son effet sur le mode de croissance des couches organiques. Après avoir validé l’applicabilité de ces couches tampons avec l’ITO, d’autres électrodes conductrices et transparentes tel que l’oxyde de Zinc dopé aluminium, AZO, déposé par pulvérisation et l’oxyde d’indium dopé étain FTO commercial, ainsi que les anodes multicouches de structures MoO3/Ag/ MoO3 déposées sur le verre et le PET (polyéthy-lène téréphtalate) ont été utilisées comme anode des cellules photovoltaïques organiques. Nous avons montré que ces électrodes peuvent être une bonne alternative permettant de remplacer l’ITO, surtout, après optimisation de leurs interface avec le CuPc, utilisé comme donneur d’électron, par les couches tampons MoO3, CuI et MoO3/CuI
The aim of our work was the use of anode buffer layers to improve the performances of organic solar cells based on small molecules such as phtalocyanine, Oligothiophene and triphenylamine. However, the introduction of 3 nm of molybdenum oxide at the interface between the ITO (tin-doped indium ox-ide), used as anode, and the different donors of electron leads to an improvement of charge collection efficiency, therefore, the efficiency of the solar cells. Meanwhile, the replacement of MoO3 by 3 nm of CuI increases the carrier mobility of the conductivity of the organic layers, which consequently improves the density of the short circuit current Jsc. When the hybrid buffer layer MoO3 /CuI is used at the interface ITO/electron donors, best results were obtained irrespective of the electron donor, which can be explained by the double role: MoO3 provides a very good charge collection, and CuI which im-proves Jsc by affecting the growth mode of the organic layers. After validating the applicability of these buffer layers when the ITO was used as anode of the solar cells, other conductive and transparent electrodes such as sputtered aluminum-doped zinc oxide (AZO), tin doped indium oxide (FTO), as well as multi layer structures MoO3/Ag/MoO3 were used as anode. We have shown that these electrodes are considered as an alternative to replace ITO, especially after optimizing their interface with the CuPc used as electron donor using MoO3 , CuI and MoO3 /CuI buffer layers