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Academic literature on the topic 'Hétérostructures – Modèles mathématiques'

Author: Grafiati
Published: 4 May 2024
Last updated: 31 July 2025

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Dissertations / Theses on the topic "Hétérostructures – Modèles mathématiques"

1

Saint, Pol Loïc de. "Modélisation de l'effet tunnel résonnant dans des hétérostructures double barrière en vue d'applications analogiques très hautes fréquences." Lille 1, 1990. http://www.theses.fr/1990LIL10022.

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Abstract:
Ce travail traite des techniques de modélisation des caractéristiques de conduction par effet tunnel résonnant et non résonnant dans des hétérostructures de semi-conducteurs de type double barrière. Les programmes de simulation donnent accès aux probabilités de transmission en régime établi et transitoire avec pour chacun des apports de modélisation, dans la mesure du possible, une confrontation théorie-expérience. Tout d'abord, nous décrivons les algorithmes basés sur le formalisme des matrices de transfert. Ce type de modélisation permet une étude des caractéristiques de conduction. Une appr
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2

Roger, Mathieu. "Etude, optimisation et réalisation de composants HIGFET complémentaires à grille submicronique : application à la conception de convertisseurs analogiques numériques ultrarapides." Lille 1, 2001. https://pepite-depot.univ-lille.fr/RESTREINT/Th_Num/2001/50376-2001-99.pdf.

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3

Gratens, Xavier. "Etude des SCSM IV-VI à base de terres rares par modélisation des mesures d'aimantation à 20 mK et de RPE : matériaux massifs et hétérostructures élaborées par EJM." Montpellier 2, 1998. http://www.theses.fr/1998MON20100.

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Abstract:
Ce travail de recherche est centree sur le comportement magnetique des scsm iv-vi contenant des ions de terres rares. Deux techniques experimentales ont ete utilisees, la spectroscopie rpe et la mesure de l'aimantation. La premiere partie de la these s'interessent a la description des interactions magnetiques fondamentales : le champ cristallin agissant sur les ions magnetiques isoles et les interactions d'echange entre ions magnetiques. Les parametres du champ cristallin sont determines principalement par rpe. Les interactions d'echanges sont estimees en utilisant la methode traditionnel de l
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4

Tang, Xiao. "Optimisation théorique et expérimentale de composants hyperfréquences de la filière nitrure de gallium à partir d’études physico-thermiques et électriques." Thesis, Lille 1, 2010. http://www.theses.fr/2010LIL10004/document.

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Abstract:
Le travail de thèse consiste à étudier des composants de la filière nitrure de gallium à partir d’études électriques et d’un modèle physico-thermique. Les dispositifs de cette filière sont très prometteurs pour des applications de puissance en hyperfréquence. Cependant, leurs performances électriques sont limitées par deux causes principales : La première cause est liée à la réalisation des contacts. Dans ce travail, nous avons étudié des contacts Schottky TiN sur hétérostructures AlGaN/GaN sur substrats Si (111) réalisés par pulvérisation magnétron. Une analyse détaillée des paramètres obtenu
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5

Camacho, Mojica Dulce. "Modélisation des propriétés structurales, électroniques et optiques des nanofils de nitrures GaN/AlN." Grenoble, 2010. https://theses.hal.science/tel-00595868.

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Abstract:
We have modeled the structural and electronic properties of nitride GaN/AlN nanowire heterostructures with atomistic simulation methods. We have first derived a Keating-like valence force field model for arbitrary wurtzite materials in order to compute the atomic positions and strain distribution in these heterostructures. With this model, we have been able to suggest the presence or confirm the absence of dislocations in various GaN/AlN nanowire heterostructures characterized by electron microscopy or X-Ray diffraction. We have then studied the electronic and optical properties of these nanos
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6

Planes, Nicolas. "Propriétés physiques de 3C-SiC sur substrats SOI : perspectives d'application." Montpellier 2, 1999. http://www.theses.fr/1999MON20156.

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Abstract:
Cette etude porte sur l'integration du carbure de silicium cubique (3c-sic) a la technologie silicium en general et soi (silicium sur isolant) en particulier. Elle s'inscrit dans le cadre d'un projet europeen brite-euram visant a la realisation d'un capteur de pression, pouvant travailler a haute temperature (jusqu'a 700\c) dans un environnement hostile (liquide de freins, forages petroliers, etc). Dans une premiere partie, apres une courte presentation des caracteristiques physiques de sic, nous nous attardons sur la croissance de 3c-sic sur substrat si. En effectuant des mesures de diffracti
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7

Ahmad-Shawki, Tarek. "Conception d'un modèle hydrodynamique bidimensionnel de transistors à effet de champ à hétérostructure : application à l'analyse physique et à l'optimisation des composants submicroniques." Lille 1, 1990. http://www.theses.fr/1990LIL10109.

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Abstract:
L'auteur présente un nouveau modèle de transistor à effet de champ à hétérostructure et à grille submicronique. Il est basé sur la résolution bidimensionnelle des équations fondamentales des semiconducteurs déduites de l'équation de transport de Boltzmann et incluant les effets de relaxation du moment et de l'énergie. Il décrit les phénomènes physiques essentiels qui conditionnent le transfert électronique dans ces structures et discute la validité des équations qu'il utilise pour les représenter. Il développe largement l'éventail des méthodes numériques nouvelles mises en oeuvre pour leur rés
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Books on the topic "Hétérostructures – Modèles mathématiques"

1

Cressler, John D. Measurement and Modeling of Silicon Heterostructure Devices. Taylor & Francis Group, 2018.

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