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Dissertations / Theses on the topic 'Germanium diffusion'
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Strohm, Andreas. "Diffusion von Gold in Germanium." [S.l. : s.n.], 1999. http://www.bsz-bw.de/cgi-bin/xvms.cgi?SWB8349338.
Full text
2
Paine, Andrew David Nicholas. "Antimony diffusion in silicon-germanium alloys." Thesis, University of Southampton, 1998. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.245004.
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3
Razali, M. A. "Phosphorus activation and diffusion in germanium." Thesis, University of Surrey, 2015. http://epubs.surrey.ac.uk/807317/.
Full textAbstract:
Currently, the International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS) is targeting the 22nm technology node in accordance with Moore’s Law. The low mobility of silicon makes it inherently unsuitable as a channel material for devices at this scale, and therefore a significant amount of research is being focused at re-evaluating germanium as an alternative substrate. Germanium offers a higher mobility than that of silicon and is compatible with existing silicon device manufacturing techniques. P-type ultra shallow junction (USJ) implemented in germanium exhibit low leakage currents and low sheet resistivity, satisfying the ITRS demands. However, N-type USJ formed using phosphorus as the dopant species do not yet satisfy these requirements due to a high diffusivity and low levels of electrical activation. This is due to the fact that at high phosphorus concentrations, the difference between the equilibrium solid solubility limit and the effective solid solubility is related to the formation of phosphorus-vacancy complexes. These evolve into electrically inactive clusters, by capturing the additional phosphorus resulting in an overall reduction of the electrical activity of the phosphorus population. Another problem is phosphorus out-diffusion during annealing process. In order to overcome these problems, novel techniques are currently being research. This thesis investigates the phosphorus activation and diffusion characteristics as a function of implant temperature and co-implantation of low dose germanium. The samples were subsequently subjected to an isochronal annealing before Hall Effect and SIMS analyses were performed to characterize the electrical activation and diffusion respectively. The results from the studies indicate that it is a non trivial process for germanium to replace silicon in order to become the next dominant substrate.
4
Uppal, Suresh. "Diffusion of boron and silicon in germanium." Thesis, University of Southampton, 2003. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.417592.
Full text
5
Almazouzi, Abderrahim. "Diffusion volumique et intergranulaire de l'or, de l'étain et du germanium dans le germanium." Aix-Marseille 3, 1989. http://www.theses.fr/1989AIX30047.
Full textAbstract:
On propose un mecanisme lacunaire pour la diffusion du germanium et de l'etain. La diffusion tres rapide de l'or est expliquee au moyen d'un mecanisme dissociatif faisant intervenir des paires (au#i-l). Dans les joints de grains, les parametres d'autodiffusion peuvent etre expliques par un mecanisme lacunaire a condition d'envisager une tres forte diminution de l'enthalpie de formation de ce defaut. Pour l'etain, les resultats impliquent un mecanisme de diffusion lacunaire. Pour l'or, on doit envisager un mecanisme dissociatif
6
Koffel, Stéphane. "Implantation, diffusion et activation des dopants dans le germanium." Grenoble INPG, 2008. http://www.theses.fr/2008INPG0094.
Full textAbstract:
Le germanium est un candidat pour la réalisation des futurs transistors MOS, du fait de la plus grande mobilité des porteurs par rapport au silicium. Il a été abandonné il y a une quarantaine d'années au profit du silicium et doit donc être redécouvert. Le but de ce travail est de comprendre les mécanismes mis en jeu au cours du dopage du germanium. Nous déterminons d'abord que le modèle de la densité d'énergie critique permet de prédire la formation et l'extension des couches amorphes dans le germanium. La vitesse d'épitaxie en phase solide est ensuite mesurée et pour la première fois dans le germanium, nous observons des défauts end-of-range. Ceux-ci sont de nature interstitielle. Le phosphore enfin permet d'obtenir des jonctions plus fines et de meilleurs niveaux d'activation que l'arsenic. Sa diffusion est simulée, avec un modèle prenant en compte l'excès d'interstitiels généré par implantation. Un phénomène de diffusion accélérée est ainsi mis en évidenceGermanium is a candidate for the realization of MOS transistors, because of its higher carrier mobility compared to silicon. As it was replaced by silicon fourty years ago it must be rediscovered. The aim of this work is to understand the mecanisms of germanium doping. We show that the critical da mage energy density model allows to predict the formation and thickness of amorphous layers in germanium, Then the solid phase epitaxy velocity is mesured and end-of-range defects are observed in germanium for the first time. They are made 01 interstitials. Eventually we determine that phosphorus allows to achive shallower junctions and better activation levels than arsenic Phosphorus diffusion is simulated with a model taking into account the excess of interstitials generated during implantation. This allows to describe an enhanced diffusion phenomenon
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Minke, Mary Ann. "The diffusion and segregation coefficient of germanium in silica." Diss., The University of Arizona, 2002. http://hdl.handle.net/10150/280235.
Full textAbstract:
This research was instigated to study non-equilibrium segregation effects during the crystallization of a glass. The non-equilibrium segregation coefficient has been experimentally measured in a variety of alloys including silicon and it has been observed to increase by orders of magnitude as a function of growth rate. Monte Carlo modeling has successfully simulated this effect and has led to the analytical Jackson equation which describes it. Glass crystallization usually takes place far from equilibrium and glasses have the advantage that the glass-crystal interface does not move during quenching, and so the segregation effects can be evaluated at room temperature. The germanium in silica system was chosen for this study because germanium should substitute for the silicon and the glass matrix, and diffuse slowly enough in silica to permit evaluation of the non-equilibrium segregation. Samples were prepared by implanting silica glass with germanium, and then annealing to permit diffusion and to promote crystallization. The samples were analyzed with RBS before and after annealing to determine the distribution of germanium. Initially, the implanted germanium peak was observed to shift towards the surface which is attributed to ion drift in an electric field. This effect was eliminated with a pre-anneal which incorporated the germanium ions into the glass matrix. Since the non-equilibrium segregation depends on the dopant diffusion rate, the diffusion coefficient of germanium in amorphous and crystalline silica was measured. The diffusion coefficient in the silica glass was found to be DG=47exp(-5.8x 10⁴/T) cm²/s and the diffusion coefficient in the silica crystal was found to be DC=360exp(-(6.9x 10⁴/T)) cm²/s . The non-equilibrium segregation coefficient was evaluated based on the distribution of the dopant after crystallization, including the build-up of dopant at the crystal/glass interface. When fitted to the Jackson equation the equilibrium distribution coefficient was found to be k(eq) = 0.01. The non-equilibrium segregation coefficient increased with crystallization rate.
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Strohm, Andreas. "Selbstdiffusion in Silizium-Germanium-Legierungen." [S.l. : s.n.], 2002. http://www.bsz-bw.de/cgi-bin/xvms.cgi?SWB10316328.
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Janke, Colin. "Density functional theory modelling of intrinsic and dopant-related defects in Ge and Si." Thesis, University of Exeter, 2008. http://hdl.handle.net/10036/46913.
Full textAbstract:
This thesis covers the application of the local density approximation of density functional theory to a variety of related processes in germanium and silicon. Effort has been made to use calculated results to explain experimentally observed phenomena. The behaviour of vacancies and vacancy clusters in germanium has been studied as these are the dominant intrinsic defects in the material. Particular attention was paid to the annealing mechanisms for the divacancy as a precursor to the growth of the larger clusters, for which the electrical properties and formation energies have been studied. Some preliminary work is also presented on the germanium self-interstitial structure and migration paths. Attention was then turned to a selection of dopant-vacancy defects in both silicon and germanium. An effort was made to explain recent experimental observations in silicon through investigating a number of defects related to the arsenic E-centre. Following this, the properties of donor-vacancy clusters in germanium were studied, and comparison with the results calculated for silicon suggest a significant parallel between the behaviour of the defects and dopants in the two materials. Finally, extensive work was performed on the diffusion of phosphorus and boron in germanium. Diffusion of both dopants was studied via interstitial and vacancy mediated paths as well as by a correlated exchange path not involving any intrinsic defects. The results obtained confirmed current theories of the mechanisms involved in the diffusion of the two defects, while also expanding the knowledge of other paths and giving Fermi level dependences for the energy and mechanism for diffusion of the two defects. Boron diffusion was found to exhibit strong Meyer-Neldel rule effects, which are used to explain the unusually high diffusivity prefactors and energy barriers calculated from experimental measurements for this dopant.
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Canneaux, Thomas. "Étude de la diffusion des dopants usuels dans le germanium." Strasbourg, 2009. http://www.theses.fr/2009STRA6191.
Full textAbstract:
La technologie planar silicium doit aujourd’hui faire face à des limites physiques. Pour contourner celles-ci, un des moyens consiste à remplacer le silicium par un autre semi-conducteur dont la mobilité des porteurs est plus élevée. Le germanium est alors un bon candidat. Pour la fabrication de circuits performants, connaître les vitesses de diffusion des dopants dans le matériau est primordial. Dans ce but, ce travail a été consacré à l’étude de la diffusion du gallium, de l’indium, du phosphore, de l’arsenic et de l’antimoine dans le germanium. Nous avons déterminé les coefficients de diffusion de ces dopants à l’aide d’un nouveau modèle permettant de décrire correctement leur déplacement en faisant intervenir la lacune triplement chargée négativement. Les techniques de dopage du germanium différant sensiblement de celles du silicium, nous avons dû adapter les méthodes couramment mises en œuvre au laboratoire. La diffusion dans le germanium s’effectue via les lacunes neutres, doublement et triplement négativement chargées (les deux premières dans un matériau de type P, les deux dernières dans du type N). Ces mécanismes sont assez différents de ceux établis pour le silicium. Nous avons également étudié l’influence des recuits rapides, d’une encapsulation par du SiO2 ou du Si3N4 ainsi que celle des défauts d’implantation. L’encapsulation et les différents types de recuits n’influencent pas la diffusion mais la première permet de limiter la perte de dose durant les traitements thermiquesPresently, silicon planar technology is facing physical limits. To overcome these limits, we can replace silicon by another semiconductor material with higher carriers’ mobility, in this case germanium is a good candidate. To perform efficient electronic devices, knowledge about diffusion coefficient of dopants in the semiconductor material is needed. In this work, we studied diffusion of gallium, indium, phosphorus, arsenic and antimony in germanium and worked out a new model using the triply negatively charged vacancy to describe their diffusion in germanium and their diffusion coefficients. We also investigated influence of rapid anneals, ion-implantation defects and SiO2 or Si3N4 capped layer. Techniques used to introduce dopants in germanium are quite different than for silicon and diffusion mechanisms differ too. In germanium, diffusion of dopants occurs via neutral, doubly and triply negatively charged vacancies. Capped layers and rapid anneals do not influence diffusion but a capped layer allows to protect the sample and partially avoid out diffusion
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Perrin, Toinin Jacques. "Étude du dopage et de la formation des contacts pour les technologies germanium." Thesis, Aix-Marseille, 2016. http://www.theses.fr/2016AIXM4372.
Full textAbstract:
Les progrès récents concernant la fabrication des substrats de Ge mono- et poly-cristallins, ainsi que des substrats « Ge-sur-isolant », combinés au transfert des technologies des isolants « high-k » et des contacts ohmiques de la technologie Si vers la technologie Ge permettent d’envisager le développement d’une microélectronique à haute performance basée sur une technologie utilisant le Ge en remplacement du Si. Toutefois, afin de respecter les restrictions liées à la fabrication de la prochaine génération de dispositifs microélectroniques miniaturisés (MOSFETs à canal court), il est nécessaire d'améliorer nos connaissances sur le dopage et sur la formation des contacts ohmiques sur Ge, en particulier pour le Ge de type n. Le principal objectif de cette thèse était d'étudier la redistribution atomique ayant lieu pendant certains procédés impliqués dans la fabrication de la structure [métal premier niveau / contact ohmique / Ge-dopé] localisée sur chacune des zones actives (grille, source et drain) des transistors. Notre travail s’est concentré sur le sélénium et le tellure en tant que dopant de type n, ainsi que sur le gallium et l'aluminium comme dopants de type p. Le Palladium a été choisi pour la fabrication des contacts ohmiques. Notre travail comprend l’étude des interactions entre dopants et défauts étendus, de la formation de précipités, et de la diffusion des dopants dans le Ge(001) pendant un recuit post-implantation. La formation et la stabilité des films minces de germaniure de Pd sont également étudiées dans le but d’évaluer et d’optimiser l’utilisation du composé PdGe comme contact ohmique sur GeThe recent progress concerning the fabrication of large Ge mono- and poly-crystalline substrates, as well as the fabrication of Ge-On-Insulator (GOI) substrates, combined with the successful transfer from the Si technology to the Ge technology of the high-k dielectric and of the ohmic contact fabrication technologies support the development of a future high-performance Ge-based microelectronic technology. However, in order to meet the restrictions for the fabrication of the next generation of miniaturized microelectronic devices (short-channel MOSFETs), it is necessary to improve our knowledge concerning Ge doping and contact fabrication, in particular for n-type Ge. The main goal of this PhD was to investigate the atomic redistribution occurring during some of the fabrication processes involved in the fabrication of the structure [first-level metal / ohmic contact / doped-Ge] found on each active zone (gate, source, and drain) of transistors. Our work focused on selenium and tellurium for n-type doping, as well as on gallium and aluminum for p-type doping. Palladium was the metal chosen for the fabrication of ohmic contacts.This work includes the study of extended defect interactions with dopants, dopant clustering, and dopant diffusion in Ge(001) during post-implantation annealing. The formation and stability of Pd germanide thin films are also investigated, in order to evaluate and optimize the use of the PdGe compound as ohmic contact on Ge. Finally, dopant redistribution in PdGe thin films and in the Ge substrate during ohmic contact fabrication is also investigated
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Wündisch, Clemens. "Das Diffusions- und Aktivierungsverhalten von Arsen und Phosphor in Germanium." Doctoral thesis, Saechsische Landesbibliothek- Staats- und Universitaetsbibliothek Dresden, 2016. http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:14-qucosa-194673.
Full textAbstract:
Seit 2002 kam ein neues Interesse an Germanium als Material für CMOS-Bauelemente auf, angetrieben durch die höhere Beweglichkeit der Ladungsträger im Vergleich zu Silizium. Für die Herstellung von Germanium MOSFETs bestehen allerdings noch einige Herausforderungen. Speziell die Problematik der hohen n-Dotierung für die Source- und Draingebiete der PMOS-Transistoren hat sich dabei als potentieller Roadblocker herauskristallisiert. Die geringe Aktivierung und die hohe Diffusivität der Donatoren in Germanium stellen ein Problem für die Herstellung von CMOS-Schaltkreisen aus Germanium dar. Als ursächlich dafür wurden Vakanzen identifiziert (Bracht et.al.).
Um das Diffusions- und das Aktivierungsverhalten von Arsen und Phosphor in Germanium zu untersuchen, wurden p-Typ Germaniumwafer durch Ionenimplantation mit beiden Spezies dotiert und anschließend durch Rapid-Thermal-Annealing und/ oder Flash-Lamp-Annealing ausgeheilt. Zusätzlich wurden Experimente mit kodotierten und P-dotierten Proben mit verringerter Schichtkonzentration durchgeführt.
Untersuchungen mit Rutherford-Backscattering-Spektroskopie und Transmissions-Elektronen-Mikroskopie werden durchgeführt, um die strukturellen Eigenschaften der Proben infolge der Implantation und der Ausheilung festzustellen. Mittels Sekundärionen-Massen-Spektroskopie wird die Dotandenkonzentration bestimmt. Es folgen elektrische Messungen des Schichtwiderstandes bei Raumtemperatur und in geeigneten Fällen bei Temperaturen unterhalb 10K. An ausgewählten Proben werden Hallmessungen durchgeführt. Die Gesamtheit der Analyseverfahren ermöglicht eine Analyse des Rückwachsverhaltens, der Diffusion und der elektrischen Aktivierung der Dotanden unter den verschiedenen Implantations- und Ausheilbedingungen. Die nach verschiedenen Methoden bestimmten Größen wie die Ladungsträgerkonzentration und -mobilität werden betrachtet und im Hinblick auf die Parameter der Probenpräparation analysiert und mit der Literatur verglichen.
Abschließend werden mögliche Mechanismen zur Deaktivierung von Donatoren in Germanium erörtert.
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Pakfar, Ardechir. "Modélisation de la diffusion des dopants dans les alliages SiGe et SiGeC." Lyon, INSA, 2003. http://www.theses.fr/2003ISAL0002.
Full textAbstract:
Nous proposons une modélisation unifiée de la diffusion des dopants dans les alliages SiGe et SiGeC basée sur l'hypothèse que les différents effets physiques induits par les atomes de Germanium et de Carbone perturbent les concentrations à l'équilibre des défauts ponctuels, dont le rôle primordial dans le diffusion est largement admis, par rapport à leur valeur standard dans le silicium pur. L'analyse critique de la bibliographie permet de dégager ces phénomènes : l'effet chimique, l'effet de la contrainte et l'effet de Fermi agissent sur les défauts ponctuels et donc, sur la diffusion des impuretés. Leur formulation est complétée par la mise en équation de l'effet du couplage B-Ge et de l'effet de l'incorporation hors-équilibre du Carbone pour aboutir à un modèle décrivant l'évolution de la diffusivité des dopants dans les alliages SiGe et SiGeC. L'ensemble des données expérimentales fiables de la littérature est alors analysé pour le calibrage des paramètres de ce modèle phénoménologique, puis confronté avec succès à nos résultats expérimentaux sur la diffusion à l'équilibre du Bore, et pour la première fois, de l'Arsenic dans les films minces de SiGe et SiGeCThis work proposes a unified model of dopant diffusion in SiGe and SiGeC alloys, based on the hypothesis that the different effects introduced by Germanium and Carbon incorporation modify the equilibrium concentrations of interstitials and vacancies from their standard value in pure Silicon. Indeed, the primordial role of these point defects on dopant diffusion is well admitted. The critical analysis of bibliographic studies allows the description of these physical phenomena: the chemical effect, the effect of strain and the Fermi effect act on point defects and thus on impurity diffusion. This formulation is completed by the equations expressing the B-Ge coupling and the influence of Carbon supersaturation, to form a unified model valid to describe the diffusivity evolution of usual dopants in these alloys. Then, ali reliable and previously published experimental data are analyzed for the calibration of this phenomenological model parameters. Finally, we measured the equilibrium diffusion of Boron and, for the first time, of Arsenic in shallow layers of SiGe and SiGeC. We successfully confronted these experimental results to the model predictions
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Armand, Pascale. "Caractérisation structurale de matériaux amorphes : application à des verres chalcogénures de germanium." Montpellier 2, 1992. http://www.theses.fr/1992MON20128.
Full textAbstract:
L'etude de la structure des verres chalcogenures de germanium des systemes ge-x (x=s, se) et ge-s-ag a ete realisee a l'aide de trois techniques de caracterisation complementaires utilisant le rayonnement synchrotron (lure-orsay). La spectroscopie d'absorption des rayons x (exafs, xanes) permet de sonder l'environnement atomique local de chacun des elements constitutifs du materiau. L'ordre a plus grande distance (6-8 a) est etudie par la technique de diffusion anomale des rayons x aux grands angles. Enfin, la diffusion centrale des rayons x aux petits angles donne une representation plus macroscopique de la matrice vitreuse (10 a 1000 a). En effet, elle permet de detecter des inhomogeneites de densite electronique pouvant exister dans le materiau etudie. L'interpretation des donnees est basee sur la structure parfaitement definie de composes cristallises de reference proches de nos echantillons
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Hugouvieux, Virginie. "Simulation complète d'une expérience de diffusion de neutrons : des systèmes modèles au germanium liquide." Phd thesis, Université Montpellier II - Sciences et Techniques du Languedoc, 2004. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00140403.
Full textAbstract:
Dans cette thèse, l'étude des liquides est envisagée d'un point de vue théorique et expérimental. La diffusion de neutrons permet l'investigation des propriétés structurales et dynamiques des liquides. Sur le plan théorique, les simulations par dynamique moléculaire sont d'un grand attrait car elles donnent accès aux positions et vitesses des atomes ainsi qu'aux forces qu'ils exercent entre eux. Elles permettent aussi de calculer les corrélations spatiales et temporelles, aussi mesurées par diffusion de neutrons. Par conséquent, les résultats de simulations par dynamique moléculaire et d'expériences de diffusion de neutrons peuvent être comparés afin d'améliorer notre compréhension de la structure et de la dynamique des liquides. Toutefois, l'extraction de données fiables à partir des expériences de diffusion de neutrons étant délicate, nous proposons de simuler l'expérience dans son ensemble, c'est-à-dire l'instrument et l'échantillon, afin de mieux comprendre et évaluer l'impact des différentes contributions parasites (absorption, diffusion multiple associée à la diffusion élastique et inélastique, résolution instrumentale). Cette approche, dans laquelle l'échantillon est décrit par ses caractéristiques structurales et dynamiques calculées par dynamique moléculaire, est présentée et testée dans un premier temps sur des systèmes modèles isotropes.
Par la suite, le germanium liquide est étudié par diffusion inélastique des neutrons ainsi que par dynamique moléculaire classique et ab initio. Ceci permet ensuite de simuler l'expérience réalisée et d'évaluer l'influence sur le signal détecté des contributions de l'instrument et de l'échantillon.
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El, Mubarek Huda Abdel Wahab Abdel Rahim. "Suppression of boron transient enhanced and thermal diffusion in silicon and silicon germanium by fluorine implantation." Thesis, University of Southampton, 2004. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.419196.
Full text
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Doan, Quang-Tri. "Détermination par nano-EBIC et par simulation de Monte-Carlo de la longueur de diffusion des porteurs minoritaires : application à des structures contenant des nanocristaux de germanium." Thesis, Reims, 2011. http://www.theses.fr/2011REIMS027/document.
Full textAbstract:
L’objectif de ce travail de thèse est d’étudier certaines propriétés locales de structures contenant des nanocristaux de Ge sur leur surface par utilisation de la technique nano-EBIC(courant induit par bombardement électronique et collecté par un nano-contact). La particularité de cette technique qui utilise le même principe que la technique EBIC classique est l’utilisation d’une pointe conductrice d’un AFM (microscope à force atomique) à la place d’une électrode standard. Nous nous sommes intéressés à la détermination de la longueur de diffusion effective (Leff) et l’étude de sa variation en fonction de paramètres tels que l’énergie primaire et la taille des nanocristaux. Leff augmente pour les faibles énergies primaires, passe par un maximum qui dépend de la taille des nanocristaux, puis diminue pour les énergies élevées. Ce comportement de l’évolution de Leff a été expliqué en chapitre 2. Cependant, ce résultat n’a jamais été observé auparavant. C’est pourquoi, nous avons complété ce travail par une étude basée sur la simulation Monte-Carlo, où l’effet de plusieurs paramètres a été analysé. Parmi les paramètres étudiés, on cite la taille et la forme du nano-contact (ou plus précisément la taille de la nano-zone de déplétion qui se forme sous le contact), la vitesse de recombinaison en surface et l’énergie primaire. La simulation donne le même comportement de variation de Leff que dans le cas expérimentalThe objective of this work is to study certain local properties of structures containing on their surface Ge nanocrystals by using the nano-EBIC (Electron beam induced current collected by a nano-contact). The peculiarity of this technique which uses the same principle as the classical EBIC technique is the use of a conductive AFM (atomic force microscope) tip instead of a standard electrode. We were interested in the determination of the effective diffusion length (Leff) and the study of its variation according to parameters such as the primary energy and the size of nanocrystals. Leff increases for weak energies, reaches a maximum which depends on the nanocrystal size, then decreases for high energies. This behavior of the evolution of Leff was explained in chapter 2. However, this result has never been reported previously. That is why we completed this work by a study based on the Monte-Carlo simulation, where the effect of several parameters was analyzed. Among the parameters studied, we quote the size and the shape of the nano-contact (or more exactly the size of the depletion nano-zone formed under the contact), the surface recombination velocity and the primary energy. The simulation gives the same behavior of Leff variation than the experimental case
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Obiajunwa, Eusebius. "Contribution à l'étude de transition de forme par diffusion inélastique : application aux isotopes de samarium et de germanium." Paris 11, 1987. http://www.theses.fr/1987PA112227.
Full textAbstract:
Les isotopes stables, pairs de samarium et de germanium ont été étudiés par le processus de diffusion inélastique de protons (Ep = 24 MeV) et d’apha (Eα= 36 MeV) 148-154 Sm(p,p’) ; 150-152 Sm(α,α’) ; 70-74 Ge(α,α’). Les cibles métalliques, très minces, enrichies et auto-supportées sont utilisées avec les faisceaux de protons et d'alpha, de haute qualité fournis par l'accélérateur Tandem van de Graaff d'Orsay. Les particules diffusées sont analysées en quantités de mouvement par le spectromètre magnétique, split-pole et sont localisées par un ensemble de détecteurs à haute résolution dans le plan focal du spectromètre. Les divers modèles collectifs nucléaires vibrationnel harmonique (VM) et anharmonique (AVM), rotationnel symétrique (SRM) et asymétrique (ARM), rotation-vibrationnel (RVM) et le modèle des bosons en interaction (IBM), utilisés dans les analyses des données expérimentales sont présentés. Les données expérimentales concernant les premiers niveaux des noyaux 148-150 Sm sont analysées dans le cadre de VM au second ordre. Les états multiphonons (1-,5-,3-) de ces noyaux sont étudiés pour la première fois. Ces analyses révèlent qu'il est nécessaire de tenir compte d'effet d'anharmonicité dans ces noyaux en particulier pour les états multiphonons. Quant aux noyaux 152-154Sm, les données concernant les premiers niveaux de la bande fondamentale (0+,2+,4+,6+) sont analysées dans le cadre de SRM. Ces niveaux et les niveaux (1-,3-,5-) bandes vibrationnelles octupolaires, kπ =0- pour les deux noyaux, sont pour la première fois, analysés simultanément et d'une façon cohérente, dans le cadre de RVM. Dans le cas de la diffusion inélastique 70-74 Ge (α,α'), les données pour les premiers niveaux de ces noyaux sont analysées dans le cadre des modèles VM, AVM et ARM. L'AVM donne une meilleure description globale des premiers niveaux de ces trois noyaux. Une méthode plus rigoureuse et cohérente de traiter l'effet d'anharmonicité dans les noyaux vibrationnels est présentée, en partant de l'Hamiltonien de Brink et Kerman ; les résultats obtenus par cette méthode sont très encourageants. L'application d'IBM aux analyses des données de diffusion inélastique est aussi présentéeThe stable even samarium and germanium isotopes have been studied by means of inelastic proton (Ep = 24 MeV) and aloha (Eα= 36 MeV) scattering: 148-154 Sm(p,p’) 150-152 Sm(α,α’) ; 70-74 Ge(α,α’). Enriched self-supporting, thin metallic targets are used with high quality proton and alpha beams furnished by the Orsay Tandem Van de Graaff accelerator. The scattered particles were momentum analysed by a split-pole magnetic spectrometer and were detected by an ensemble of position-sensitive, high resolution detecter placed at the focal plane of the spectrometer. The various collective nuclear models: vibrations harmonic (VM) and anharmonic (AVM), rotationnal symmetric (SRM)and asymmetric (ARM), rotation-vibration (RVM), and interacting bosons model (IBM), used in the analysis of the experimental data are presented. The data for the low-lying levels of 148-150 Sm are analysed in the frame-work of the second order VM. The multiple-phonon states (1-,5-,3-) are studied for the first time in these nuclei. These analyses revealed that effects of anharmonicity should be considered especially for the multiphonon states. The data for the low-lying members of the ground states band (0+,2+,4+,6+) of 152-154Sm are analysed in the frame-work of SRM. The ground-state band and the octupole-vibrationnal band KIT= 0, (1-,3-,5-), of these two nuclei are for the first time, analysed simultaneous and in a coherent fashion, in the frame-work of the RVM. In the case of the inelastic 70-74 Ge (α,α'), experiments, the data for the low-lying states are analysed in the frame-work of the ARM, VM and AVM. The AVM is found to give a better description of the low-lying states of these three nuclei. A more rigorous and coherent method of treating the anharmonicity in vibrationnal nuclei is presented, starting from the Hamiltonien of Brink and Kerman ; the results obtained by this method is very encouraging. The application of the IBM to the analysis of inelastic scattering data is presented
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Obiajunwa, Eusebius. "Contribution à l'étude de transition de forme par diffusion inélastique application aux isotopes de samarium et de germanium /." Grenoble 2 : ANRT, 1987. http://catalogue.bnf.fr/ark:/12148/cb37608518r.
Full text
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Cockeram, Brian Vern. "The development, growth and oxidation resistance of Boron- and Germanium-Doped Silicide diffusion coatings by Fluoride-Activated pack cementation /." The Ohio State University, 1994. http://rave.ohiolink.edu/etdc/view?acc_num=osu1487859313344332.
Full text
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Zapata, Dominguez Diana. "Etude par des techniques de diffusion des rayons X ex-situ et operando des mécanismes de (de)lithiation dans les batteries Lithium-ion à base de silicium et germanium." Thesis, Université Grenoble Alpes, 2020. http://www.theses.fr/2020GRALY048.
Full textAbstract:
Les batteries Li-ion sont une solution de choix pour le stockage de l’énergie. Augmenter leurs performances requiert le développement de matériaux qui peuvent insérer de plus grandes quantités d’ions lithium (batteries de haute densité d’énergie). De ce point de vue, le silicium et le germanium sont des materiaux actifs prometteurs pour les anodes, grâce à leurs capacités théoriques (1623 et 3576 mAh/g, respectivement) plus élevées que celles de l’état de l’art, c’est-à-dire le graphite (372 mAh/g). Toutefois, les réactions d’alliages au cours de la lithiation provoquent des variations volumiques très importantes dans le Si et le Ge, ce qui induit des déformations mécaniques préjudiciables au fonctionnement à long terme des anodes. Par conséquent, étudier en détail les mécanismes de lithiation pendant le cyclage est essentiel pour comprendre et limiter les processus de dégradation.Un certain nombre de stratégies ont été proposées pour augmenter la cyclabilité et la durabilité de ces matériaux. L’une d’entre elle repose sur l’emploi de nanostructures, qui permettent de réduire la pulvérisation et la dégradation des phases actives. Cependant, l’utilisation de nanoparticules favorise la formation d’une couche interfaciale, appelée SEI (Soldi Electrolyte Interphase), qui induit une diminution de la capacité réversible et, de fait, limite la cyclabilité. Une approche alternative consiste à utiliser des matériaux composites dans lesquels le silicium est mélangé avec d’autres composantes actives ou inactives. Toutefois, la quantité de silicium incorporé (moins que 20% dans l’anode) reste faible et les capacités obtenues limitées.Le germanium a été beaucoup moins étudié que le silicium. Bien que moins abondant que le silicium, il possède des propriétés très intéressantes, en plus de sa capacité théorique élevée : une meilleure conductivité électronique et une meilleur diffusivité des ions lithium que le silicium. Mélanger le Ge au Si est ainsi une possibilité prometteuse, permettant d’augmenter la capacité par rapport au graphite et de bénéficier de la grande stabilité du Ge.Cette thèse porte sur l’étude des mécanismes de (dé)lithiation dans des anodes pour batteries lithium-ion à base de silicium et germanium. Nous avons étudié d’une part des nanoparticules de Si, Ge et d’alliages Si-Ge, et d’autre part un matériau composite commercial. Nous avons utilisé des techniques de diffusion de rayonnement operando pour caractériser les mécanismes de lithiation et la formation des phases Li15(Si100−xGex)4, obtenant des résultats en accord avec les prédictions théoriques sur les propriétés de ces matériaux en cours de cyclage. Nous avons également exploré le potentiel de la spectroscopie Raman au synchrotron, pour étudier la composition de la couche d’interface électrode-électrolyte, permettant de quantifier sa composition en fonction de l’état de charge de l’anodeLithium-ion batteries (LiBs) are one of the best solutions for energy storage. Increasing the performance of LiBs demands the use of materials that can host higher quantities of lithium ions (high energy density). Germanium and silicon are promising active anode materials due to their high theoretical capacities (1623 and 3576 mAh/g, respectively) compared to the commercial graphite (372 mAh/g). However, Si and Ge experience significant volume expansion upon the alloying-dealloying reactions with lithium-ions, provoking mechanical deformation. Understanding the mechanisms during cycling is essential to provide information about the degradation processes.There are different strategies to improve the cyclability and durability of these materials. Using nanostructures is one of them, as it allows mitigating the pulverization and the active compound degradation. Nevertheless, the use of active nanoparticles favors the formation of a solid electrolyte interface layer (SEI), inducing a decrease of the reversible capacity and consequently limiting the cyclability. An alternative approach is to use composite materials in which silicon is mixed with other active or inactive components. However, to date, the silicon amount is limited (less than ~20% of the anode), decreasing the anode capacity.Ge has received less attention than Si. Although it is less accessible than silicon, it has appealing characteristics besides its high theoretical capacity, such as better electronic conductivity and Li diffusivity than Si. Therefore, mixing Ge with Si is interesting with respect to benchmark graphite to provide an increase in capacity while taking advantage of Ge stability.This thesis aims at studying the (de)lithiation mechanisms in silicon and germanium-based negative electrodes, focusing on two types of systems: pure Ge, Si, SiGe-alloys nanoparticles, and a commercial-grade silicon-based composite. The structural evolution occurring upon (de)lithiation was probed mainly by operando X-ray scattering techniques, allowing to propose a detailed description of the lithiation mechanisms, as well as Li15(Si100−xGex)4 formation process, which support theoretical predictions on the physical properties of these materials during cycling. Besides, we explored the potentialities of synchrotron X-ray Raman scattering to gain insight into the Solid Electrolyte Interphase (SEI) composition, providing insights into the SEI evolution and its dependence on the state of charge. Our in-depth multi-techniques characterizations bring knowledge to design better Si-based anodes for high-density long-lasting batteries
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Lyytik�inen, Katja Johanna. "Control of complex structural geometry in optical fibre drawing." University of Sydney. School of Physics and the Optical Fibre Technology Centre, 2004. http://hdl.handle.net/2123/597.
Full textAbstract:
Drawing of standard telecommunication-type optical fibres has been optimised in terms of optical and physical properties. Specialty fibres, however, typically have more complex dopant profiles. Designs with high dopant concentrations and multidoping are common, making control of the fabrication process particularly important. In photonic crystal fibres (PCF) the inclusion of air-structures imposes a new challenge for the drawing process. The aim of this study is to gain profound insight into the behaviour of complex optical fibre structures during the final fabrication step, fibre drawing. Two types of optical fibre, namely conventional silica fibres and PCFs, were studied. Germanium and fluorine diffusion during drawing was studied experimentally and a numerical analysis was performed of the effects of drawing parameters on diffusion. An experimental study of geometry control of PCFs during drawing was conducted with emphasis given to the control of hole size. The effects of the various drawing parameters and their suitability for controlling the air-structure was studied. The effect of air-structures on heat transfer in PCFs was studied using computational fluid dynamics techniques. Both germanium and fluorine were found to diffuse at high temperature and low draw speed. A diffusion coefficent for germanium was determined and simulations showed that most diffusion occurred in the neck-down region. Draw temperature and preform feed rate had a comparable effect on diffusion. The hole size in PCFs was shown to depend on the draw temperature, preform feed rate and the preform internal pressure. Pressure was shown to be the most promising parameter for on-line control of the hole size. Heat transfer simulations showed that the air-structure had a significant effect on the temperature profile of the structure. It was also shown that the preform heating time was either increased or reduced compared to a solid structure and depended on the air-fraction.
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Lyytikäinen, Katja Johanna. "Control of complex structural geometry in optical fibre drawing." Thesis, The University of Sydney, 2004. http://hdl.handle.net/2123/597.
Full textAbstract:
Drawing of standard telecommunication-type optical fibres has been optimised in terms of optical and physical properties. Specialty fibres, however, typically have more complex dopant profiles. Designs with high dopant concentrations and multidoping are common, making control of the fabrication process particularly important. In photonic crystal fibres (PCF) the inclusion of air-structures imposes a new challenge for the drawing process. The aim of this study is to gain profound insight into the behaviour of complex optical fibre structures during the final fabrication step, fibre drawing. Two types of optical fibre, namely conventional silica fibres and PCFs, were studied. Germanium and fluorine diffusion during drawing was studied experimentally and a numerical analysis was performed of the effects of drawing parameters on diffusion. An experimental study of geometry control of PCFs during drawing was conducted with emphasis given to the control of hole size. The effects of the various drawing parameters and their suitability for controlling the air-structure was studied. The effect of air-structures on heat transfer in PCFs was studied using computational fluid dynamics techniques. Both germanium and fluorine were found to diffuse at high temperature and low draw speed. A diffusion coefficent for germanium was determined and simulations showed that most diffusion occurred in the neck-down region. Draw temperature and preform feed rate had a comparable effect on diffusion. The hole size in PCFs was shown to depend on the draw temperature, preform feed rate and the preform internal pressure. Pressure was shown to be the most promising parameter for on-line control of the hole size. Heat transfer simulations showed that the air-structure had a significant effect on the temperature profile of the structure. It was also shown that the preform heating time was either increased or reduced compared to a solid structure and depended on the air-fraction.
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Caliste, Damien. "Simulations multi-échelles de la diffusion des défauts dans les semi-conducteurs Si et SiGe." Phd thesis, Université Joseph Fourier (Grenoble), 2005. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00011180.
Full textAbstract:
Le sujet abordé dans ce manuscrit traite de l'étude des défauts ponctuels et de leur rôle dans la diffusion au sein des semi-conducteurs Si et SiGe suivant une approche numérique. Le fait que les changements de concentrations observés dans un cristal à son échelle soient induits par des mouvements à l'échelle atomique, a conduit à une approche multi-échelle.Le calcul ab initio est un outil adapté à l'exploration des phénomènes inter-atomiques. Couplées à des algorithmes de minimisation des configurations, cet outil donne accès aux états stables et aux états de transition des phénomènes diffusifs. Le mouvement macroscopique est ensuite reproduit par l'utilisation de simulations de Monte Carlo cinétique.
Nous détaillons, dans le présent travail, les coûts énergétiques et les géométries des principaux défauts répertoriés dans Si et SiGe. Il en ressort que la lacune, l'interstitiel dissocié, l'interstitiel hexagonal et le défaut tétra-coordonné sont tous les quatre des défauts de moindre énergie dans ces systèmes. L'étude des mouvements possibles et leurs utilisations dans des simulations de physique thermodynamique, permet de montrer l'existence de plusieurs régimes de diffusion, selon que les médiateurs du mouvement agissent seuls ou de façon coordonnée. Nous donnons l'exemple de la diffusion lacunaire, dont les variations observées s'expliquent par la présence plus ou moins importante de bi-lacunes et par les phénomènes de dissociation en jeu.
Par cette étude, nous mettons en avant la nécessité de combiner, dans le cas de la diffusion, une analyse de l'échelle atomique avec des simulations à des échelles plus macroscopiques.
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Gacem, Karim. "Contribution à l'étude du transport et du stockage de charges dans des structures contenant des nanocristaux de germanium." Phd thesis, Université de Reims - Champagne Ardenne, 2008. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00354362.
Full textAbstract:
Le travail rapporté dans ce mémoire concerne la caractérisation électrique de nanocristaux de germanium (nc-Ge) élaborés par démouillage sur une couche de dioxyde de silicium. L'étude est réalisée sous deux formes : En premier lieu, des mesures courant – tension (I-V) et capacité (haute fréquence ; 1 MHz) – tension (C-V) ont été effectuées pour caractériser des nanocristaux recouverts par du silicium amorphe. Les résultats ont montré l'apparition du blocage de Coulomb à température ambiante dans des nc-Ge ayant le plus petit (~3.5 nm) diamètre. Les mesures I-V et C-V ont révélé le phénomène de piégeage dans les nanocristaux. Ce dernier est conditionné par leur taille et densité moyennes, dont les effets ont été séparés grâce aux mesures en température. En conséquence, la variation en température du nombre moyen d'électrons piégés par nanocristal a permis d'accéder à une énergie d'activation thermique qui s'est révélée être dépendante de la taille moyenne (ou du gap) du nanocristal.
En deuxième lieu, des caractérisations par microscopie à force atomique en mode conducteur ont été effectuées sur des échantillons contenant des nc-Ge non recouverts. Là aussi, le transport et le piégeage ont été abordés en mettant en évidence l'effet de la taille et la densité moyennes des nc-Ge. Des mesures EBIC (courant induit par faisceau d'électrons) en champ proche (NF-) ont aussi été menées pour cartographier l'activité électrique en surface des échantillons. Elles ont été suivies par des mesures de la longueur effective de diffusion des porteurs minoritaires en excès. Les résultats ont montré que ce paramètre est réduit par la présence de nc-Ge et par l'augmentation de leur densité
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Luong, Minh Anh. "Etude de la diffusion thermique de l'Aluminium dans des nanofils de Germanium et en alliages de SixGe1-x en utilisant la microscopie électronique en transmission in situ." Thesis, Université Grenoble Alpes (ComUE), 2019. http://www.theses.fr/2019GREAY050.
Full textAbstract:
Les nanofils semi-conducteurs suscitent un intérêt croissant en raison de leur potentiel pour de nouvelles applications dans les transistors à effet de champ, les photodétecteurs et les biocapteurs. En particulier, la géométrie des nanofils offre la possibilité de fabriquer des hétérostructures axiales auxquelles il est facile d’accéder électriquement par des contacts pris aux extrémités. Selon les dimensions et la composition des hétérostructures, les porteurs peuvent subir des effets de confinement quantique, permettant de fabriquer des boites ou des disques quantiques connectés électriquement. Ainsi, la formation de contacts en silicide ou en germanide, via une réaction à l'état solide activée thermiquement entre un métal et un nanofil de Si ou de Ge, a suscité beaucoup d'intérêt en raison de son avantage pour la fabrication de dispositifs à canal court à partir de nanofils fait par croissance ‘bottom up’, qui parait plus aisé et moins couteux qu’une approche par lithographie et gravure du style ‘top down’. L'avantage de cette approche est que lors du chauffage, le métal pénètre dans le nanofil semi-conducteur aux deux extrémités, créant une région (inter) métallique. Si le processus est bien contrôlé et arrêté au bon moment, il ne reste qu'une mince section de semi-conducteur entre les contacts métalliques, ce qui permet de fabriquer des boites ou des disques quantiques mis en contact électriquement dans des structures filaires en une seule étape de fabrication. La diffusion à l'état solide induite thermiquement de l’Al dans un nanofil de Ge est un système prometteur car, contrairement à d'autres combinaisons métal-semi-conducteur ou une phase intermétallique est formée, une phase monocristalline d’Al pur est créée dont l’interface avec le nanofil de Ge est nette. De plus, la combinaison du couplage spin-orbite intrinsèquement fort du Ge et les propriétés supraconductrices de l'Al font de ce système une plate-forme prometteuse pour l'étude de dispositifs semi-conducteurs hybrides supraconducteurs qui pourraient être un des éléments constitutifs potentiels des dispositifs d'interférence quantique supraconducteurs (SQUID). Le défi abordé dans cette thèse est d'étudier la réaction d'échange de l'aluminium induit thermiquement à la fois dans les nanofils pur de Ge et d'alliage SixGe1-x en utilisant les techniques de microscopie électronique à transmission (TEM) in situ, afin de permettre une meilleure compréhension et un meilleur contrôle des mécanismes impliqués dans la réactionSemiconductor nanowires are receiving widespread interests for their novel applications in field-effect transistors, photodetectors and biosensors. The nanowire geometry provides an interesting possibility to fabricate axial heterostructures that can be easily accessed electrically by contacting the NW edges. Depending on the size, material and composition of the heterostructure, carriers can experience quantum confinement effects, allowing to fabricate quantum dots or quantum disks inside the NW. Recently, the formation of Silicide or Germanide contacts via a thermally activated solid state reaction between the metal and Si or Ge NW has drawn significant attention because of its great advantages for fabricating short channel devices from bottom up grown NWs rather than complex and high-cost photolithography top-down approaches. The advantage of this approach is that upon heating a metal enters a semiconducting NW at both ends, creating an (inter)metallic region in the NW. If the process is well controlled and stopped at the right moment, only a thin section of semiconductor is left between metallic contacts, allowing to fabricate electrically contacted quantum-dot in a wire structures in a single fabrication step. Al/Ge NW thermal induced solid-state diffusion is a promising system since, in contrast to other metal-semiconductor combinations, no intermetallic phase is formed and a pure monocrystalline Al NW is created with a very sharp interface with the remaining Ge NW. Moreover, the combination of the intrinsically strong spin−orbit coupling in Ge and the superconducting properties of Al, make this system a promising platform to study hybrid superconductor-semiconductor devices that could be potential building blocks for superconducting quantum interference devices (SQUIDs). The challenge addressed in this PhD is to study the thermally induced exchange reaction of Al in both pure Ge as well as SixGe1-x alloy NWs using in-situ observations in a transmission electron microscope (TEM), to allow better understanding and control of the mechanisms involved in the reaction
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Jabbour, Jabbour. "Etude de l'aspect collectif autour de N=40 par diffusion inélastique de protons et d'ions lithium sur les noyaux pairs-pairs de zinc et de germanium." Grenoble 2 : ANRT, 1986. http://catalogue.bnf.fr/ark:/12148/cb37598434d.
Full text
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Besson, Claudine. "Effet photoréfractif dans l'oxyde de bismuth germanium (bi12Ge020) : détermination des paramètres du matériau, intensification de l'effet photoréfractif par un champ alternatif et amplification d'ondes optiques." Phd thesis, Université Paris Sud - Paris XI, 1989. http://pastel.archives-ouvertes.fr/pastel-00718040.
Full textAbstract:
Etude des paramètres caractéristiques de l'effet photorefractif dans l'oxyde de bismuth germanium (bi12Ge020) par des expériences de diffraction d'ondes optiques. Ces résultats sont mis a profit pour la réalisation d'un amplificateur d'ondes optiques base sur le couplage dans le matériau. Les principaux paramètres photorefractifs mesures sont: la longueur de diffusion des porteurs de charge; la densité de centres ionises dans le noir; la photoconductivité. L'influence du dopage sur ces paramètres est discutées. Des améliorations des performances du bi12Geo20 sont obtenues en appliquant un champ alternatif créneau au cristal. Nous avons réalise des expériences de couplage d'onde sous champ créneau et en avons développé une description analytique. Cette technique intensifie le transfert d'énergie entre deux ondes
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El, Ghrandi Mohamed Rafik. "Cinétique de la photodissolution de Ag dans les couches minces de verres chacogénures GeSex et caractérisation par SIMS [Secondary Ion Mass Spectroscopy] et RBS [Rutherford Backscattering Spectroscopy]." Montpellier 2, 1991. http://www.theses.fr/1991MON20117.
Full textAbstract:
L'etude de la photodissolution de l'argent dans les verres de chalcogenures amorphes gese#x(3x6) a ete faite a partir des couches minces elaborees par evaporation flash et par pecvd (plasma enhanced chemical vapor deposition). En eclairant une structure ag/chalcogenure/substrat avec une energie proche du gap de chalcogenure, le metal diffuse dans le chalcogenure formant ainsi une region photodopee a forte concentration en ag. La caracterisation de ce systeme multicouche a ete faite selon deux approches: les mesures electriques ont permis d'etudier la cinetique de la photodissolution a partir de la variation de la resistance du metal en fonction du temps d'eclairement de la temperature et des epaisseurs. Des analyses de composition en profondeur ont ete effectuees a partir de la rbs, la sims et le sem. Ces analyses ont permis de determiner la nature du profil ainsi que la forme de distribution d'ag. Ces mesures ont mis en evidence une fixation d'ag sur se, avec une composition de materiau de base (gese#x) inchangee dans le p. R. (produit reactif). Deux modeles theoriques sont proposes. L'un pour determiner les constantes optiques n et k de tout systeme multicouche. L'autre decrit la cinetique de photodissolution de ag avec une vitesse inversement proportionnelle a t#+#0#. #5
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Gurimskaya, Yana. "Comportement de quelques impuretés métalliques dans le germanium : une étude par les techniques capacitives DLTS-MCTS-LAPLACE DLTS." Phd thesis, Université de Strasbourg, 2012. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00734375.
Full textAbstract:
Ce travail consiste en une tentative de ré-examiner les propriétés électroniques du Fe, Cr et Au au sein de Ge, qui ont déjà été étudiées classiquement par DLTS (Deep Level Transient Spectroscopy). L'image générale qui en découle est que les métaux de transition dans Ge forment de manière prépondérante des centres accepteurs multiples, introduisant plusieurs niveaux profonds dans la bande de gap. A partir d'un modèle de liaison de valence simple, cette conclusion est en accord avec une survenue des impuretés sur des sites de substitution. Cependant, plusieurs questions demeurent ouvertes, comme le rôle de l'hydrogène en tant que contaminant dans l'élargissement des spectres DLTS. Notre contribution se base sur l'utilisation d'une approche plus performante nommée Laplace DLTS, en ce sens qu'elle autorise une meilleure résolution du signal. Nous présentons une analyse extensive par DLTS, MCTS et Laplace DLTS, afin d'étudier les propriétés électroniques des états accepteurs multiples, induits par les 4 métaux de transition sus-nommés. On distingue, parmis les paramètres étudiés, les barrières de capture des porteurs, les vraies sections efficaces de capture de sporteurs majoritaires (déterminées directement par la méthode de variation du pulse de remplissage), L'effet Pool-Frenkel (en lien avec la détermination de l'état de charge du niveau concerné). Ceci permet d'indiquer avec précision la position exacte des niveaux dans la bande interdite. Nous confirmons la plupart des résultats mis en évidence précédemment, tout en ajoutant quelques précisions sir le rôle de l'hydrogène dans la formation de nouveaux complexes. Une mise en parallèle avec le silicium. Dans le cas de Au, de nouveaux niveaux attribués aux complexes Au-Hn et Au-Sb sont observés. De manière générale, l'analyse des porteurs majoritaires et minoritaires par MCYS est toujours sujette à étude. En ce qui concerne le cas du Fe, la faible différence d'énergie entre ses deux niveaux soulève la possibilité d'un caractère de type U-négatif. L'ensemble de ses points devraient faire l'objet d'un travail approfondis dans un avenir proche.
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Simon, Eric. "Un multidétecteur pour l'étalonnage de bolomètres en énergie de recul par diffusion de neutrons dans le cadre de l'expérience EDELWEISS." Phd thesis, Université Claude Bernard - Lyon I, 2000. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00001414.
Full textAbstract:
Les WIMPs (Particules Massives Interagissant Faiblement) apparaissent actuellement comme des candidats très sérieux à la masse de l'Univers, leur existence étant prévue par les modèles de supersymétrie. L'interaction produite par ces particules dans les détecteurs dédiés à leur recherche a lieu sous forme d'un recul élastique ou inélastique de noyau. Ces détecteurs, qui peuvent être des scintillateurs, des chambres à ionisation ou des bolomètres, mesurant respectivement la luminescnece, l'ionisation ou la chaleur produites par le recul de noyau nécessitent un étalonnage en énergie de recul. C'est dans le cadre de l'expérience EDELWEISS qui met en oeuvre des bolomètres germanium double composante chaleur-ionisation que nous avons développé un multidétecteur permettant l'étalonnage de bolomètres par diffusion de neutrons. Les différentes étapes de conception du système SICANE nous ont permis de mesurer le facteur de quenching en luminescence pour des ions de a dans un scintillateur NaI(Tl) pour des énergies de recul inférieures à 350 keV. La mise en adéquation de la chaîne cryogénique avec les sytèmes multidétecteur nous a ensuite mené à l'étalonnage en énergie de recul d'un bolomètre Ge chaleur-ionisation à senseur film mince NbSi à 35 mK et mesurer les facteurs de quenching dans la voie ionisation et dans la voie phonon pour les ions Ge à des énergies de recul de 92 keV et 121 keV.
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Ferraton, Mathieu. "Collisions profondément inélastiques entre ions lourds auprès du Tandem d’Orsay & Spectroscopie gamma des noyaux exotiques riches en neutrons de la couche fp avec le multi-détecteur germanium ORGAM." Thesis, Paris 11, 2011. http://www.theses.fr/2011PA112119/document.
Full textAbstract:
Les travaux effectués au cours de cette thèse au sein du groupe de structure nucléaire de l’IPN d’Orsay s’articulent autour de la production, en vue d’une étude par spectroscopie gamma, de noyaux exotiques riches en neutron de la couche fp. Dans ce cadre, nous avons mis en place, auprès de l’accélérateur Tandem d’Orsay, un multi-détecteur au germanium baptisé ORGAM, destiné à la spectroscopie gamma à haute résolution. Au cours de l’année 2008-2009, les détecteurs amenés à composer ORGAM ont été testés individuellement, ainsi que le dispositif annexe de réjection Compton, en coopération avec la division instrumentation du laboratoire. Parallèlement, le système d’alimentation automatique en azote liquide, destiné au maintien des détecteurs à basse température, a été amélioré et fiabilisé. L’ensemble du dispositif a été mis en place sur une ligne de faisceau de l’accélérateur tandem avec le concours du personnel technique de l’accélérateur.La première expérience utilisant le dispositif ORGAM a été réalisée en juillet 2009. Cette expérience, dont les données ont été analysées dans le cadre de ce travail, visait à étudier les collisions profondément inélastiques entre un faisceau de 36S accéléré à 154 MeV, et une cible de 70Zn. Un dispositif permettant la détection des particules chargées émises à grand angle a été utilisé afin d’identifier les fragments de ces collisions. Il n’a pas été possible, du fait du fond important induit par la diffusion élastique du faisceau dans la cible, d’identifier directement ces fragments. L’étude des coïncidences gamma-gamma avec le détecteur ORGAM a cependant permis de mettre en évidence de nombreuses cascades de photons désexcitant des noyaux potentiellement produits par les réactions d’intérêt.Les données recueillies au cours d’une autre expérience, réalisée auprès du tandem d’Orsay en 2005, ont été analysées dans le cadre de ce travail. Cette expérience, visant à produire par fusion évaporation entre un faisceau de 14C à 25 MeV et une cible de 48Ca, les noyaux de 59Mn et de 57Cr, a permis d’établir une partie du spectre en énergie d’excitation de ces noyaux, jusqu'à une énergie d’excitation supérieure à 3 MeV.Une étude théorique des noyaux de chrome impairs de la couche fp a été tentée à l’aide d’un modèle phénoménologique de couplage intermédiaire. Ce modèle a permis une description satisfaisante du 53Cr. Les prédictions du modèle, qui ne prend pas en compte l’interaction entre nucléons de valence, se sont avérées beaucoup moins satisfaisante pour les noyaux de 55Cr et 57CrThis PhD thesis was prepared within the nuclear structure group of IPN Orsay. The work presented aimed to produce neutron rich fp shell nuclei through heavy ion collisions at the tandem accelerator of IPN, and to study them using gamma spectroscopy. For this purpose, a germanium gamma array called ORGAM, and dedicated to high resolution gamma spectroscopy, was set up at the tandem accelerator. During the year 2008/2009, the individual germanium detectors were tested and repaired, as well as their ancillary anti-Compton shielding. At the same time, the liquid nitrogen auto-fill system was improved for better reliability. The array was finally set up on a beam line of the accelerator.The first experiment using the ORGAM array was performed in July 2009. This experiment aimed to study fully damped deep-inelastic collisions between a 36S beam accelerated to 154 MeV, and a 70Zn target. An additional charged particle detection system was used to detect interesting fragments emitted at backward angles. It was not possible to separate these fragments from the background induced by backscattered ions from the beam. Nevertheless, the study of gamma-gamma coincidences detected with the ORGAM array allowed to identify gamma cascades de-exciting nuclei potentially produced through the mechanism of interest. Data accumulated during another experiment performed at the tandem accelerator in 2005 were analyzed. Fusion-evaporation reaction between a 25 MeV, 14C beam focused on a 48Ca target produced the 57Cr and 59Mn nuclei, whose energy spectra were established up to 3 MeV.We attempted to study theoretically odd Chromium isotopes with a simple model based on the intermediate coupling scheme. This model, which doesn’t take into account correlation between valence nucleons, described in satisfactory way the semi-magic + 1 neutron, 53Cr, but failed to do so for mid-shell nuclei 55Cr and 57Cr
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Rossi, Giuseppe Germano. "Etude de la réponse au rayonnement X entre 10KeV-100KeV des détecteurs à micro-pistes de germanium avec résolution spatiale et en énergie." Université Joseph Fourier (Grenoble), 1997. http://www.theses.fr/1997GRE10089.
Full textAbstract:
Dans le cadre d'un developpement d'un detecteur avec resolution spatiale et en energie pour comptage de photons dans des experiences de diffusion compton, nous avons etudie, au sein de l'esrf-grenoble, les performances de deux capteurs de germanium a micro-pistes. Ces deux detecteurs, issus de deux differentes technologies de fabrication, ont une resolution en energie associee a une resolution spatiale correspondante a leur pas de pistes de 200m. Nous avons valide l'utilisation d'une nouvelle plaquette multicouches connectante a tres haute densite les pistes du capteur meme, refroidi a l'azote liquide dans son cryostat, a l'electronique de lecture situee au plus proche a temperature ambiante. La resolution en position ainsi que la reponse en energie ont ete experimentalement caracterisees en balayant le detecteur avec un faisceau ponctuel monochromatique de lumiere de synchrotron de largeur 15m. Le systeme d'acquisition des donnees est base sur la mesure en coincidence de la reponse des pistes du capteur. A des energies plus basses que 15kev, nous trouvons que la region d'isolation entre deux pistes voisines est une source de piegeage de charge. Nous observons le phenomene de division de charge entre deux pistes a partir de 30kev. Cet effet, que nous lions au processus de diffusion des porteurs dans le volume du semi-conducteur, reduit considerablement la qualite des spectres d'energie ainsi que la resolution spatiale du capteur. Toutefois, apres traitement par un algorithme qui corrige la division de charge des donnees brutes tout en utilisant l'information des signaux mesures en coincidence, le phenomene de division dans les spectres est completement supprime. Nous avons mis au point a partir du code egs4, un programme de simulation de la reponse en energie comprenant le processus de diffusion des charges dans le volume du capteur. Les spectres en energie ainsi calcules reproduisent remarquablement les donnees experimentales et confirment le role critique de la diffusion de la charge dans la reponse des capteurs a micro-pistes. La conclusion de ce travail est que les detecteurs a micro-pistes de germanium fonctionnent dans la region d'energie 30-100kev avec une resolution en energie et position proche des limites physiques imposes par le processus d'absorption des photons et la diffusion des charges mobiles.
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Abbes, Omar. "Etude de la diffusion réactive entre Mn et Ge à l'échelle nanométrique pour des applications en spintronique." Thesis, Aix-Marseille, 2013. http://www.theses.fr/2013AIXM4325.
Full textAbstract:
Le couplage des propriétés ferromagnétiques et semiconductrices représente une perspective prometteuse, afin de réaliser des technologies qui exploitent le spin des électrons. Ceci permettra de stocker et traiter des bits informatiques de façon instantanée dans le même dispositif, plutôt que dans des dispositifs séparés (mémoire et processeur). La Spintronique pourrait alors révolutionner la technologie de l'information. Un candidat potentiel pour la fabrication d'hétérostructures métal ferromagnétique/semiconducteur pour des applications en Spintronique, est le système Mn-Ge. Ce système qui est compatible avec la technologie CMOS, présente une phase intéressante pour la Spintronique qui est Mn5Ge3, avec une possibilité d'épitaxie sur le Ge(111). Afin d'intégrer cette phase dans des procédés de fabrication, nous étudions la diffusion réactive à l'état solide entre un film de Mn et un substrat de Ge (comme dans le cas de la formation des siliciures dans la technologie CMOS). L'accent a été mis sur la séquence de formation de phases lors de la réaction entre un film nanométrique de Mn et le Ge, l'influence de l'interface sur cette réaction, et sur la diffusion du Mn dans le Ge. L'incorporation du carbone dans des films minces de Mn5Ge3 a montré une augmentation notable de la température de Curie : nous présentons alors l'effet du carbone sur la réaction Mn-Ge, et sa redistribution dans les couches minces MnxGeyCoupling ferromagnetic and semi-conducting properties represents a pathway toward producing technologies that exploit the spin of electrons. That would allow store and process computer bits instantly in a same device, rather than separate devices (memory and CPU). The Spintronics could then revolutionize the information technology. A potential candidate for the fabrication of heterostructures ferromagnetic metal / semiconductor for Spintronics applications is the Mn-Ge system. This system is compatible with CMOS technology, and presents an interesting phase for Spintronics which is Mn5Ge3 phase, which is able to be grown epitaxially on Ge(111). To integrate this phase in the manufacturing process, we study the solid state reactive diffusion between a thin Mn film and Ge substrate, to form a germanide upon the Ge substrate (as in the case of the formation of silicides in CMOS technology). Emphasis was placed on the sequence of phase formation during the reaction between a 50 nm thick Mn film and Ge, the influence of the interface on the reaction, and the diffusion of Mn in Ge. Incorporation of carbon in thin Mn5Ge3 films showed a significant increase in the Curie temperature, we then present the effect of carbon on the reaction Mn-Ge and its redistribution in thin MnxGey films
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Sonneville, Camille. "Étude des propriétés élastiques des verres d’oxydes sous haute pression : implications structurales." Thesis, Lyon 1, 2013. http://www.theses.fr/2013LYO10114/document.
Full textAbstract:
Le comportement des verres sous pression, lié à leurs structures topologiques, est un enjeu majeur à la fois fondamental et appliqué. L’anomalie élastique de la silice à 2,5GPa est un phénomène connu et son existence est plus que probable dans le verre de GeO2. Il semblait alors légitime de questionner son existence dans des verres plus répandus de compositions chimiques complexes comme les verres alumino sodo silicatés. L’anomalie élastique a été étudiée in situ par Diffusion Brillouin et Raman pour le verre de GeO2 et trois verres alumino sodo silicaté de compositions chimiques : (Al2O3)X(Na2O)25−X(SiO2)75 où X=0, 6 et 12%. Il a été montré que l’existence de l’anomalie de compressibilité dans le domaine élastique n’était pas réduite qu’à la silice uniquement mais au contraire persistait sur un vaste domaine de compositions chimiques et semblait être liée à la présence d’anneaux à 6 tétraèdres. Au delà de la limite élastique, les modifications structurales à l’origine du phénomène de densification permanente ont été étudiées pour la silice, le verre de GeO2 et six verres d’alumino sodo silicatés (contenant X=0, 2, 6, 9, 12 et 16% d’Al2O3). Tout d’abord nous avons observé par diffusion Brillouin la disparition progressive de l’anomalie élastique de la silice avec la densification. Ce phénomène a été interprété en termes de transformations induites par la pression d’une forme amorphe basse densité (LDA) en une forme amorphe haute densité (HDA) : LDA → HDA. Des études in situ et ex situ par Diffusion Brillouin et Raman, Résonance Magnétique Nucléaire (RMN) et aussi de Spectroscopie d’Absorption des Rayons X proche du seuil (XANES) ont montré que les modifications structurales à l’origine de la densification permanente dépendaient grandement de la composition chimique. En particulier la présence de cation sodique semble favoriser les modifications à courte portée comme la formation d’espèces hautement coordonnées d’aluminium ou encore de silicium ainsi que la dépolymérisation du réseau. Au contraire les verres les plus riches en aluminium semblent montrer une densification plus proche structurellement de celle de la silice pure c’est à dire modifiant principalement l’ordre à moyenne distance avec diminution de l’angle inter-tétraèdre et de la taille des anneauxThe structural study of glasses under pressure is of fundamental interest in Physics, Earth Science and is technologically important for the comprehension of industrial material properties. The elastic anomaly at 2.5GPa in pure silica glass is a well known phenomenon and its existence is more than likely in GeO2 glass. In this work the persistence of the elastic anomaly in more complex and more widely glass compositions as sodium alumino silicate glasses was studied. The elastic anomaly was studied in situ in GeO2 and three sodium alumino silicate glasses by Brillouin and Raman scattering. The studied sodium alumino silicate glasses had the following compositions : (Al2O3)X(Na2O)25−X(SiO2)75 where X=0, 6 et 12% and is the molar percentage of Al2O3. The elastic anomaly was shown to persist in a broad domain of chemical compositions thus its existence is not reduced to pure silica glass. Its existence seems to be linked to the presence of 6 membered rings. Beyond the elastic limit, the structural modifications was studied in pure silica, GeO2 glass and sodium alumino silica glasses (with X=0, 2, 6, 9, 12 et 16% of Al2O3) in order to structurally better understand the densification phenomenon. Firstly the elastic anomaly was studied by Brillouin scattering experiments, was shown to progressively disappear with the densification. This progressive disappearance was interpreted in terms of a progressive structure induced transformation from a Low Density Amorphous form (LDA) into a High Density Amorphous form (HDA) : LDA → HDA. In situ and ex situ studies by Brillouin and Raman scattering, Nuclear Magnetic Resonance (NMR) and X-ray Absorption Near Edge Structure (XANES) showed that the pressure induced structural transformation was highly dependent of the glass chemical composition. For instance the presence of sodium cations promotes short range order modifications, such as formation of highly coordinated species (Al, Si) and network depolymerization. On the other hand, glasses with a high aluminum concentration show a densification process closer to that of pure silica glass, with mainly middle range order structural modifications such as a decrease of the inter-tetrahedral angle or ring size decrease
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Kernavanois, Nolwenn. "Blocage du moment orbital et hybridation des électrons f : étude par absorption et diffusion de rayons-X et diffraction de neutrons de composés à base d'uranium et de cérium." Université Joseph Fourier (Grenoble), 2000. http://www.theses.fr/2000GRE10114.
Full textAbstract:
Au cours de ce travail, nous avons utilise le dichroisme magnetique circulaire de rayons-x (xmcd), la diffusion magnetique compton de rayons-x de haute energie (mcs) et la diffraction de neutrons pour l'etude des proprietes magnetiques de plusieurs composes a base d'uranium et de cerium : us, uni 2al 3, uge 2, cefe 2 et les multicouches u-as/co. Des experiences de mcs et de xmcd aux seuils m 4 , 5 de l'uranium ont ete realisees sur us. L'association de ces resultats avec ceux precedemment obtenus par diffraction de neutrons polarises permet la separation des contributions d'orbite et de spin des moments localises et diffus. Nous comparons nos resultats avec ceux publies pour use et ute. Une etude du fermion-lourd supraconducteur antiferromagnetique uni 2al 3 dans sa phase paramagnetique a ete effectuee par diffraction de neutrons polarises et par xmcd aux seuils u-m 4 , 5. Les analyses des donnees mesurees par diffraction de neutrons, indiquent la presence d'un moment induit sur les sites de ni. Nos resultats sont compares a ceux publies sur upd 2al 3. La structure magnetique de uge 2 a ete etudiee par diffraction de neutrons non-polarises. Des mesures de diffraction de neutrons polarises et de xmcd ont egalement ete effectuees et ont permis de determiner les valeurs des moments magnetiques d'orbite et de spin sur u. Les profils magnetiques compton de cefe 2 et lufe 2 ont ete mesures. La comparaison de tous les resultats disponibles sur cefe 2 traduit des problemes qu'il semble raisonnable d'attribuer a la qualite des echantillons etudies. Pour finir, des mesures xmcd aux seuils u-m 4 , 5 dans les multicouches u-as/co, ont mis en evidence un moment sur u a temperature ambiante, induit par couplage d'echange avec co. Ce travail souligne l'importance d'associer differentes techniques et de comparer les resultats de composes parents pour la comprehension des processus d'hybridation.
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Buttard, Denis. "Étude structurale du silicium poreux de type p par diffraction haute résolution des rayons X." Université Joseph Fourier (Grenoble ; 1971-2015), 1997. http://www.theses.fr/1997GRE10141.
Full textAbstract:
La premiere partie de ce travail a ete consacree a l'etude, par diffraction des rayons x, des deformations engendrees par des effets de surface. Nous avons notamment mis en evidence, grace a des mesures in situ sous ultra vide, que la dilatation qui existe pour un echantillon fraichement prepare est due aux liaisons si-h#x presentes a la surface des cristallites de silicium. Nous avons d'autre part etudie la passivation du silicium poreux par oxydation des cristallites de silicium qui se traduit par une dilatation supplementaire a la dilatation originelle du parametre de maille cristallin. Le remplissage des pores par un depot de germanium a enfin ete etudie, montrant une epitaxie du germanium jusqu'au fond des pores. La deuxieme partie de ce travail de these presente les mesures de diffusion diffuse aux pieds des pics de bragg, et les informations structurales qui en resultent, pour des echantillons fraichement prepares. Pourles couches de type p#-, les cristallites sont isotropes avec un diametre de l'ordre de 3 nm. Les couches de type p#+ se presentent de maniere differente avec des cristallites anisotropes de 10 nm diametre. Une contribution isotrope peu intense analogue au p#- est aussi presente, ce qui suggere la presence de petits objets egalement dans le p#+. La derniere partie de ce travail regroupe l'etude des couches minces et des super-reseaux de silicium poreux, par diffraction et reflectivite des rayons x. Une analyse quantitative des donnees a ete realisee systematiquement par simulation numerique. Les couches minces sont de bonne qualite bien cristallines et la rugosite des interfaces reste faible. Un resultat important est l'existence d'une couche de transition de 10-20 nm a l'interface poreux/massif, ainsi que la presence d'un film de surface de faible porosite dans le cas du materiau de type p#+. L'analyse des super-reseaux demontre leur bonne qualite, qui se manifeste par la presence de pics satellites tres fins associe a la super-structure. Le changement de porosite entre les couches s'etale ici encore sur une zone de transition de l'ordre de 14 nm.
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Dentel, Didier. "Croissances d'hétérostructures à base de Si et de Ge épitaxiées par jets moléculaires : rôle de la contrainte sur les diffusions de surface et les morphologies." Mulhouse, 1999. http://www.theses.fr/1999MULH0553.
Full text
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Dubler, Corinne. "Commerce et diffusion de l’huile de Bétique dans les provinces des Gaules et des Germanies (Ier-IIIe s. ap. J.-C.)." Thesis, Montpellier 3, 2019. http://www.theses.fr/2019MON30051.
Full textAbstract:
Cette thèse concerne la diffusion et les circuits commerciaux de l’huile produite dans la province de la Bétique, exportée dans les amphores globulaires Dressel 20 vers les parties nord-occidentales de l’Empire Romain. La chronologie pris en compte s’étale sur les trois premiers siècles de notre ère. Il s'agit de créer un catalogue électronique des timbres le plus exhaustive possible et d'illustrer la diffusion de ces amphores par des cartes de répartition. L’objectif définitif est de déterminer et de qualifier l’existence de réseaux marchands organisés reliant les conventus et à l’intérieur de ceux-ci, des zones de production distinctes, et les zones de consommation de ces provinces de la partie nord-occidentale de l’EmpireThis thesis talks about the distribution and the commercial circuits of the oil produced in the province of the Baetic (Spain), exported in the spherical amphoras Dressel 20 towards the north-western parts of the Roman Empire. The chronology of this study concerns the 1st to the 3th century AC. The objective of this thesis is to create an electronic catalog of amphorastamps and to illustrate their distribution using geographical maps. The definitive objective is to determine and to consider the existence of trade organized networks connecting conventus and inside these, different zones of production, and the zones of consumption of these provinces of the north-western part of the Empire
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Wündisch, Clemens [Verfasser], Manfred [Akademischer Betreuer] Helm, and Hartmut [Akademischer Betreuer] Bracht. "Das Diffusions- und Aktivierungsverhalten von Arsen und Phosphor in Germanium / Clemens Wündisch. Betreuer: Manfred Helm. Gutachter: Manfred Helm ; Hartmut Bracht." Dresden : Saechsische Landesbibliothek- Staats- und Universitaetsbibliothek Dresden, 2016. http://d-nb.info/1088185592/34.
Full text
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Blaxter, Tam Tristram. "Speech in space and time : contact, change and diffusion in medieval Norway." Thesis, University of Cambridge, 2017. https://www.repository.cam.ac.uk/handle/1810/269365.
Full textAbstract:
This project uses corpus linguistics and geostatistics to test the sociolinguistic typological theory put forward by Peter Trudgill on the history of Norwegian. The theory includes several effects of societal factors on language change. Most discussed is the proposal that ‘intensive’ language contact causes simplification of language grammar. In the Norwegian case, the claim is that simplificatory changes which affected all of the Continental North Germanic languages (Danish, Swedish, Norwegian) but not the Insular North Germanic Languages were the result of contact with Middle Low German through the Hanseatic League. This suggests that those simplificatory changes arose in the centres of contact with the Hanseatic League: cities with Hansa trading posts and kontors. The size of the dataset required would have made it impossible for previous scholars to test this prediction, but digital approaches render the problem tractable. I have designed a 3.5m word corpus containing nearly all extant Middle Norwegian, and developed statistical methods for examining the spread of language phenomena in time and space. The project is made up of a series of case studies of changes. Three examine simplifying phonological changes: the rise of svarabhakti (epenthetic) vowels, the change of /hv/ > /kv/ and the loss of the voiceless dental fricative. A further three look at simplifying morphological changes: the loss of 1.sg. verbal agreement, the loss of lexical genitives and the loss of 1.pl. verbal agreement. In each case study a large dataset from many documents is collected and used to map the progression of the change in space and time. The social background of document signatories is also used to map the progression of the change through different social groups. A variety of different patterns emerge for the different changes examined. Some changes spread by contagious diffusion, but many spread by hierarchical diffusion, jumping first between cities before spreading to the country at large. One common theme which runs through much of the findings is that dialect contact within the North Germanic language area seems to have played a major role: many of the different simplificatory changes may first have spread into Norwegian from Swedish or Danish. Although these findings do not exactly match the simple predictions originally proposed from the sociolinguistic typological theory, they are potentially consistent with a more nuanced account in which the major centres of contact and so simplifying change were in Sweden and Denmark rather than Norway.
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Lahiouel, Rachid. "Evolution du réseau Kondo en fonction de l'hybridation : les systèmes CeIn(Ag,Cu)2 et Ce(Ge,Si)2." Grenoble 1, 1987. http://www.theses.fr/1987GRE10054.
Full textAbstract:
Observation du passage d'un regime kondo mixte a un regime kondo pur ou a un regime de valence intermediaire sous l'effet de la pression chimique. Etude du diagramme de phases magnetiques. Determination du coefficient de couplage entre electrons 4 f et la bande de conduction jn(e::(f)). Coefficient de la chaleur specifique, temperature de kondo et coefficient de grueneisen electronique de ceincu::(2)
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Ngameni, Herman Blaise. "La diffusion du droit international pénal dans les ordres juridiques africains." Thesis, Clermont-Ferrand 1, 2014. http://www.theses.fr/2014CLF10457.
Full textAbstract:
Aujourd’hui, l’Afrique est sans aucun doute la partie du monde la plus affectée par la commission des crimes internationaux les plus graves. Pourtant, depuis des décennies, il existe des mécanismes juridiques visant à sanctionner les responsables des crimes qui heurtent la conscience humaine. Seulement, l’échec relatif de ces mécanismes peut pousser l’observateur à se demander s’il est possible de garantir la diffusion du droit international pénal sur le continent africain. Cette interrogation est loin d’être incongrue, car même si un nombre important d’états africains ont ratifié le Statut de Rome qui organise la répression du génocide, des crimes contre l’humanité, des crimes de guerre et même du crime d’agression, il n’en demeure pas moins que l’application de ce Statut dans les différents ordres juridiques concernés est très souvent compromise. La principale raison à cela c'est que, le droit international pénal ne tient pas forcément compte des particularismes juridiques des états qui ont pourtant la primauté de compétence, en vertu du principe de subsidiarité, pour sanctionner la commission des crimes internationaux selon les règles classiques de dévolution des compétences. De plus, il faut préciser que l’Afrique est le terrain de prédilection du pluralisme juridique qui favorise la juxtaposition de l’ordre juridique moderne et de l’ordre juridique traditionnel. Si le premier est en principe réceptif aux normes internationales pénales, le second qu’il soit musulman ou coutumier avec l’exemple des Gacaca rwandais, repose sur une philosophie juridique différente de celle du droit international pénal. Dans tous les cas, l’articulation du droit international pénal avec les ordres juridiques africains est une des conditions de sa diffusion. Cette articulation pourrait d’ailleurs être favorisée par le dialogue entre les juges nationaux et internationaux qui doivent travailler en bonne intelligence pour édifier un système international pénal ; d’où l’intérêt pour les états africains de favoriser une coopération effective avec les juridictions pénales internationales. Il va sans dire que, tout ceci ne sera possible qu’au sein des régimes politiques démocratiques capables de renoncer aux règles et pratiques juridiques anachroniques pour s’appuyer sur une politique criminelle pouvant favoriser, dans un avenir plus ou moins lointain, un véritable universalisme du droit international pénalToday, Africa is undoubtedly part of the world most affected by the commission of the most serious international crimes. Yet for decades, there are legal mechanisms to punish those responsible for crimes that shock the conscience of humanity. But the relative failure of these mechanisms can push the viewer to wonder if it is possible to ensure the dissemination of international criminal law on the African continent. This question is far from being incongruous, because even if a significant number of African states have ratified the Rome Statute that governs the fight against genocide, crimes against humanity, war crimes and the crime of aggression even, the fact remains that the application of the Statute in the different legal systems involved is often compromised. The main reason for this is that international criminal law does not necessarily take into account the legal peculiarities of the states that have yet the primacy of jurisdiction under the subsidiarity principle, to sanction the commission of international crimes by the conventional rules devolution of powers. In addition, it should be noted that Africa is the stomping ground of legal pluralism that promotes juxtaposition of the modern legal system and traditional law. If the first is normally receptive to criminal international standards, the second whether Muslim or customary with the example of the Rwandan Gacaca is based on a different legal philosophy from that of international criminal law. In all cases, the articulation of international criminal law with African legal systems is one of the conditions of release. This link could also be encouraged by the dialogue between national and international judges who must work in harmony to build an international criminal system; hence the need for African states to promote effective cooperation with international criminal courts. It goes without saying that all this will be possible only in democratic political systems which can waive the rules and legal practices anachronistic to press a criminal policy that can promote in a more or less distant future, a true universalism of international criminal law
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Boutoux, Guillaume. "Sections efficaces neutroniques via la méthode de substitution." Phd thesis, Bordeaux 1, 2011. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00654677.
Full textAbstract:
Les sections efficaces neutroniques des noyaux de courte durée de vie sont des données cruciales pour la physique fondamentale et appliquée dans des domaines tels que la physique des réacteurs ou l'astrophysique nucléaire. En général, l'extrême radioactivité de ces noyaux ne nous permet pas de procéder à des mesures induites par neutrons. Cependant, il existe une méthode de substitution (" surrogate " dans la littérature) qui permet de déterminer ces sections efficaces neutroniques par l'intermédiaire de réactions de transfert ou de réactions de diffusion inélastique. Son intérêt principal est de pouvoir utiliser des cibles moins radioactives et ainsi d'accéder à des sections efficaces neutroniques qui ne pourraient pas être mesurées directement. La méthode est basée sur l'hypothèse de formation d'un noyau composé et sur le fait que la désexcitation ne dépend essentiellement que de l'énergie d'excitation et du spin et parité de l'état composé peuplé. Toutefois, les distributions de moments angulaires et parités peuplés dans des réactions de transfert et celles induites par neutrons sont susceptibles d'être différentes. Ce travail fait l'état de l'art sur la méthode substitution et sa validité. En général, la méthode de substitution fonctionne très bien pour extraire des sections efficaces de fission. Par contre, la méthode de substitution dédiée à la capture radiative est mise à mal par la comparaison aux réactions induites par neutrons. Nous avons réalisé une expérience afin de déterminer les probabilités de désexcitation gamma du 176Lu et du 173Yb à partir des réactions de substitution 174Yb(3He,p)176Lu* et 174Yb(3He,alpha)173Yb*, respectivement, et nous les avons comparées avec les probabilités de capture radiative correspondantes aux réactions 175Lu(n,gamma) et 172Yb(n,gamma) qui sont bien connues. Cette expérience a permis de comprendre pourquoi, dans le cas de la désexcitation gamma, la méthode de substitution donne des écarts importants par rapport à la réaction neutronique correspondante. Ce travail dans la région de terres rares a permis d'évaluer dans quelle mesure la méthode de substitution peut s'appliquer pour extraire des probabilités de capture dans la région des actinides. Des expériences précédentes sur la fission ont aussi pu être réinterprétées. Ce travail apporte donc un éclairage nouveau sur la méthode de substitution.
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Haung, Sz Kai, and 黃思凱. "Analysis of Phosphorus Diffusion and Activation in Germanium." Thesis, 2017. http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/38467648457054140627.
Full text
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Chew, Han Guan, Wee Kiong Choi, Y. L. Foo, Wai Kin Chim, Eugene A. Fitzgerald, F. Zheng, S. K. Samanta, Z. J. Voon, and K. C. Seow. "TEM Study on the Evolution of Ge Nanocrystals in Si Oxide Matrix as a Function of Ge Concentration and the Si Reduction Process." 2005. http://hdl.handle.net/1721.1/29824.
Full textAbstract:
Growth and evolution of germanium (Ge) nanocrystals embedded into a silicon oxide (SiO₂) system have been studied based on the Ge content of co-sputtered Ge-SiO₂ films using transmission electron microscopy (TEM) and X-ray photoelectron spectroscopy. It was found that when the proportion of Ge relative to Ge oxide is 20%, TEM showed that annealing the samples at 800°C for 60 min resulted in the formation of a denuded region between the silicon/silicon oxide (Si/SiO₂) interface and a band of Ge nanocrystals towards the surface of the film. By introducing a 20nm thick thermal oxide barrier on top of the silicon (Si) substrate on which the film is deposited, no denuded region in the bulk of this sample is observed. It is proposed that this barrier is effective in reducing both Ge diffusion into the Si substrate and Si diffusion from the substrate into the film. Si diffusing from the Si substrate reduces the Ge oxide into Ge which can subsequently diffuse into the Si substrate. However, the oxide barrier is able to confine the Ge within the oxide matrix so that the denuded region in the bulk of the film cannot form. However the reduction in diffusion should be more significant for Ge as its diffusion coefficient is lower than Si due to its larger size. It is suggested that the denuded region consists of amorphous Ge diffusing towards the Si/SiO₂ interface. When the Ge content is increased to slightly more than 70%, TEM showed that Ge nanocrysyals formed after annealing at 800°C for only 30 min for samples with and without the oxide barrier. There is no denuded region between the Ge nanocrystals band and the Si/SiO₂ interface for both samples but it was observed that coarsening effects were more prominent in the film deposited on top of the oxide barrier. The reduction effect of Si on Ge oxide should not play a significant role in these samples as the Ge content is high.Singapore-MIT Alliance (SMA)
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Armour, Neil Alexander. "Transport phenomena in liquid phase diffusion growth of silicon germanium." Thesis, 2012. http://hdl.handle.net/1828/4003.
Full textAbstract:
Silicon Germanium, SiGe, is an important emerging semiconductor material. In
order to optimize growth techniques for SiGe production, such as Liquid Phase Diffusion,
LPD, or Melt Replenishment Czochralski, a good understanding of the transport
phenomena in the melt is required. In the context of the Liquid Phase Diffusion
growth technique, the transport phenomena of silicon in a silicon-germanium melt has
been explored. Experiments isolating the dissolution and transport of silicon into a
germanium melt have been conducted under a variety of flow conditions. Preliminary
modeling of these experiments has also been conducted and agreement with experiments
has been shown. In addition, full LPD experiments have also been conducted
under varying flow conditions. Altered flow conditions were achieved through the application
of a variety of magnetic fields. Through the experimental and modeling work
better understanding of the transport mechanisms at work in a silicon-germanium
melt has been achieved.Graduate
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Jiang, Yan-Yu, and 江晏瑜. "Interfacial compound formation between silicon germanium alloy and chromium during diffusion bonding." Thesis, 2008. http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/36899380480595630568.
Full textAbstract:
碩士國立中興大學
材料科學與工程學系
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The silicon germanium is well known as one of the best thermoelectric materials under the high-temperature environment. However, whether a thermoelectric device performs well or not is strongly related to the property of its electrode. In this research, chromium metal, used as the electrode, is jointed with silicon germanium alloy. The research goal is to understand the interfacial compound formation during joining silicon germanium and chromium, such as the composition, structure of compound, and activation energy of compound growth. In this study, the bulk of silicon germanium alloy was processed by vacuum arc melting, and then joined with chromium by hot pressing. The microstructure, composition and crystalline structure were determined by means of scanning electron microscopy, electron probe microanalysis and X-ray diffraction, respectively. Finally, the average thickness was measured and activation energy of formation was computed. The results showed that the intermetallic compounds formed are Cr3Ge, Cr(Six Ge1-x)3 and CrSi2, and the activation energy of growth were calculated. The possible reasons for the defect formation and the growing sequence are also conjectured.
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黃亮毓. "Study of Germanium Diffusion in GaAs/AlxGa1-xAs Heterostructures from Vapor Phase." Thesis, 2013. http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/42124658702681511863.
Full text
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Wündisch, Clemens. "Das Diffusions- und Aktivierungsverhalten von Arsen und Phosphor in Germanium." Doctoral thesis, 2015. https://tud.qucosa.de/id/qucosa%3A29186.
Full textAbstract:
Seit 2002 kam ein neues Interesse an Germanium als Material für CMOS-Bauelemente auf, angetrieben durch die höhere Beweglichkeit der Ladungsträger im Vergleich zu Silizium. Für die Herstellung von Germanium MOSFETs bestehen allerdings noch einige Herausforderungen. Speziell die Problematik der hohen n-Dotierung für die Source- und Draingebiete der PMOS-Transistoren hat sich dabei als potentieller Roadblocker herauskristallisiert. Die geringe Aktivierung und die hohe Diffusivität der Donatoren in Germanium stellen ein Problem für die Herstellung von CMOS-Schaltkreisen aus Germanium dar. Als ursächlich dafür wurden Vakanzen identifiziert (Bracht et.al.).
Um das Diffusions- und das Aktivierungsverhalten von Arsen und Phosphor in Germanium zu untersuchen, wurden p-Typ Germaniumwafer durch Ionenimplantation mit beiden Spezies dotiert und anschließend durch Rapid-Thermal-Annealing und/ oder Flash-Lamp-Annealing ausgeheilt. Zusätzlich wurden Experimente mit kodotierten und P-dotierten Proben mit verringerter Schichtkonzentration durchgeführt.
Untersuchungen mit Rutherford-Backscattering-Spektroskopie und Transmissions-Elektronen-Mikroskopie werden durchgeführt, um die strukturellen Eigenschaften der Proben infolge der Implantation und der Ausheilung festzustellen. Mittels Sekundärionen-Massen-Spektroskopie wird die Dotandenkonzentration bestimmt. Es folgen elektrische Messungen des Schichtwiderstandes bei Raumtemperatur und in geeigneten Fällen bei Temperaturen unterhalb 10K. An ausgewählten Proben werden Hallmessungen durchgeführt. Die Gesamtheit der Analyseverfahren ermöglicht eine Analyse des Rückwachsverhaltens, der Diffusion und der elektrischen Aktivierung der Dotanden unter den verschiedenen Implantations- und Ausheilbedingungen. Die nach verschiedenen Methoden bestimmten Größen wie die Ladungsträgerkonzentration und -mobilität werden betrachtet und im Hinblick auf die Parameter der Probenpräparation analysiert und mit der Literatur verglichen.
Abschließend werden mögliche Mechanismen zur Deaktivierung von Donatoren in Germanium erörtert.