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Academic literature on the topic 'GaN'

Author: Grafiati
Published: 4 June 2021
Last updated: 14 September 2024

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Journal articles on the topic "GaN"

1

Hess, S., R. A. Taylor, J. F. Ryan, B. Beaumont, and P. Gibart. "Optical gain in GaN epilayers." Applied Physics Letters 73, no. 2 (July 13, 1998): 199–201. http://dx.doi.org/10.1063/1.121754.

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2

Juršėnas, S., N. Kurilčik, G. Kurilčik, S. Miasojedovas, A. Žukauskas, T. Suski, P. Perlin, M. Leszczynski, P. Prystawko, and I. Grzegory. "Optical gain in homoepitaxial GaN." Applied Physics Letters 85, no. 6 (August 9, 2004): 952–54. http://dx.doi.org/10.1063/1.1782266.

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3

LI, JAMES C., DAVID M. KEOGH, SOUROBH RAYCHAUDHURI, ADAM CONWAY, DONGJIANG QIAO, and PETER M. ASBECK. "ANALYSIS OF HIGH DC CURRENT GAIN STRUCTURES FOR GaN/InGaN/GaN HBTs." International Journal of High Speed Electronics and Systems 14, no. 03 (September 2004): 825–30. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156404002909.

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Abstract:
AlGaN/GaN HBTs with DC current gains in excess of 10 have been demonstrated; however, Makimoto et al have recently obtained a DC current gain value exceeding 2000 for a GaN/InGaN/GaN triple mesa DHBT.1,2,3 The experimental demonstration of a GaN -based HBT with such extraordinary DC current gain has motivated the search for new device structures conducive to high DC current gain. Simulations in this work indicate that high DC current gain is difficult to achieve with a uniform, defect-free base layer. We also simulate the electrical characteristics of a new class of DHBT where the base layer is non-uniform. By non-uniformly thinning or perforating the base, the majority of the base would remain thick to minimize the negative impact to base resistance. However, small thinned regions achieve extremely high DC current gain, which can be used to significantly increase the overall DC current gain. This device structure could naturally occur when "V" defects form or Indium is non-uniformly distributed during the base layer growth. The sensitivity of DC current gain to the base thickness range, duty cycle, defect geometry, and defect type is also investigated.
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4

Kamboj, Nitin, and Mohrana Choudhary. "Impact of solid waste disposal on ground water quality near Gazipur dumping site, Delhi, India." Journal of Applied and Natural Science 5, no. 2 (December 1, 2013): 306–12. http://dx.doi.org/10.31018/jans.v5i2.322.

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Abstract:
The present study was carried out to study the impact of domestic wastes disposal on ground water quality at Delhi, India. Ground water is one of the major sources of drinking water in arid and semi-arid regions. Ground water quality data and its distributions are important for the purpose of planning and management. The samples of ground water were collected and analyzed for various physico-chemical parameters viz. conductivity, total dissolved solids (TDS), alkalinity, total hardness, calcium, magnesium, chloride, sulphate, nitrate, phosphate,fluoride, sodium and potassium. Among these parameters, TDS were found higher 1400, 1068, 1524, 1656, 840, 1106, 1540, 1330, 1900, 1960, 1914, 2061 mg/l at all the Ga1,Ga2, Ga3, Ga4, Ga5, Ga6, Ga7, Ga8, Ga9, Ga10, Ga11, Ga12, Ga13, Ga14, Ga15, Ga16 sampling sites respectively. TDS were observed beyond the desirable limits of BIS at all the sampling sites. Maximum value of TDS (2061 mg/l) was found at the sampling site Ga12 while the minimum value of TDS (1061 mg/l) was found at the sampling site Ga2. Maximum value of chloride (560 mg/l) wasfound at sampling site Ga4, while the minimum value of chloride (60 mg/l) was found at sampling site Ga5 and rest all other parameters were found within permissible limit. The present study concluded that the chloride and TDS in water samples were above to the desirable limit and below to the permissible limit of BIS and rest all other parameters were within desirable limit.
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5

Zhang, Zi-Hui, Swee Tiam Tan, Wei Liu, Zhengang Ju, Ke Zheng, Zabu Kyaw, Yun Ji, Namig Hasanov, Xiao Wei Sun, and Hilmi Volkan Demir. "Improved InGaN/GaN light-emitting diodes with a p-GaN/n-GaN/p-GaN/n-GaN/p-GaN current-spreading layer." Optics Express 21, no. 4 (February 21, 2013): 4958. http://dx.doi.org/10.1364/oe.21.004958.

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6

Liu, Xinke, Jiaying Yang, Jian Li, Feng Lin, Bo Li, Ziyue Zhang, Wei He, and Mark Huang. "GaN-Based GAA Vertical CMOS Inverter." IEEE Journal of the Electron Devices Society 10 (2022): 224–28. http://dx.doi.org/10.1109/jeds.2022.3149932.

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7

Yang, Wei, Thomas Nohava, Subash Krishnankutty, Robert Torreano, Scott McPherson, and Holly Marsh. "High gain GaN/AlGaN heterojunction phototransistor." Applied Physics Letters 73, no. 7 (August 17, 1998): 978–80. http://dx.doi.org/10.1063/1.122058.

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8

Frankowsky, G., F. Steuber, V. Härle, F. Scholz, and A. Hangleiter. "Optical gain in GaInN/GaN heterostructures." Applied Physics Letters 68, no. 26 (June 24, 1996): 3746–48. http://dx.doi.org/10.1063/1.115993.

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9

Ramvall, Peter, Yoshinobu Aoyagi, Akito Kuramata, Peter Hacke, Kay Domen, and Kazuhiko Horino. "Doping-dependent optical gain in GaN." Applied Physics Letters 76, no. 21 (May 22, 2000): 2994–96. http://dx.doi.org/10.1063/1.126556.

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10

Garrido, J. A., E. Monroy, I. Izpura, and E. Muñoz. "Photoconductive gain modelling of GaN photodetectors." Semiconductor Science and Technology 13, no. 6 (June 1, 1998): 563–68. http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/13/6/005.

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Dissertations / Theses on the topic "GaN"

1

Tourret, Julie. "Etude de l'épitaxie sélective de GaN/saphir et GaN/GaN-MOVPE par HVPE." Clermont-Ferrand 2, 2008. http://www.theses.fr/2008CLF21887.

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Abstract:
Le nitrure de gallium (GaN) est un matériau en plein essor depuis le début des années 1990 pour des applications dans le domaine de l'optoélectronique telles que les diodes électroluminescentes (DELs) bleues ou blanches, les diodes lasers (DLs) bleues ou les détecteurs ultra-violets. L'activité épitaxie de GaN par la technique de croissance HVPE (Epitaxie en phase vapeur par la méthode aux hydrures), a vu le jour au LASMEA en 1998. Les premières études expérimentales et de modélisation réalisées sur des échantillons de faibles dimensions (surface d'environ 1 à 3 cm2) ont conduit à la mise en évidence des mécanismes de croissance et à la maîtrise du procédé. Le développement de ce matériau à l'échelle industrielle a nécessité de travailler sur des surfaces de dimension plus grandes de l'ordre de deux pouces. Un nouveau dispositif expérimantal HVPE a été conçu dans ce sens, mis en place au sein du laboratoire et le procédé a été validé. De nouvelles investigations ont été menées sur l'étude de l'épitaxie sélective de GaN pour la réalisation de structures périodiques de faible dimensionnalité à morphologies contrôlées. Des structures de morphologies poutres et pyramidales de GaN de 1 à 2 µm de large ont ainsi pu être épitaxiées par la technique HVPE. Une analyse systématique de la variation des conditions de croissance est effectuée, visant à maîtriser l'ensemble des paramètres qui influent sur les morphologies et les dimensions des structures. Cette étude est couplée à la compréhension des mécanismes de croissance mis en jeu au cours de l'épitaxie sélective de GaN
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Ganz, Philipp Ralph [Verfasser], and H. [Akademischer Betreuer] Kalt. "Wachstum und Charakterisierung von Cu-dotiertem GaN und GaN auf MgF2 / Philipp Ralph Ganz. Betreuer: H. Kalt." Karlsruhe : KIT-Bibliothek, 2012. http://d-nb.info/1034404814/34.

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3

Karlsson, Alexander, and Alexander Vestlund. "Integrated Multiband High Gain and Stable GaN Input Matching Network." Thesis, KTH, Skolan för informations- och kommunikationsteknik (ICT), 2013. http://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:kth:diva-128423.

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Abstract:
This bachelor thesis covers the basics of constructing a stable transistor based amplifying circuit. The task was to design an input match in order to increase the gain of a specific transistor. This transistor model, GH60015D is developed by Cree Inc. When this transistor is stabilized much of the original gain is reduced. The main problem is that it fails to deliver high amounts of gain over a wide band while remaining stable. To counter this, an input match with multiband purposes is designed in order to increase the gain over specific frequency bands. The thesis covers the basics to design an input matching network for a transistor and how one can analyze circuits in more detail in order to get as a realistic simulation as possible. In this project ADS software and models of the CH60015D are used in order to simulate circuits intended for implementation that is meant to be built on a glass-substrate. The desired result of the work is to obtain as much large signal gain as possible over the frequency bands 2.11-2.17GHz and 2.62-2.69GHz while maintaining stability. The results of this report show methods for maintaining out of band stability, while decreasing stability margin at specific bands. Decreasing stability can enhance the gain under controlled conditions. The large signal gain obtained at approximately 15W output power for both selected frequency bands are around 15.2dB.
Detta kandidatexamensarbete omfattar grunderna i hur en stabil transistorbaserad förstärkarkrets designas. Uppgiften var att designa en ingångs match för att öka förstärkningen för en specifik transistor. Transistorn CGH60015D är utvecklad av Cree Inc. När den här transistorn stabiliseras förloras mycket av den tillgängliga förstärkningen. Det största problemet är att den inte kan levera hög förstärkning medan den är stabil. För att förbättra förstärkningen används en ingångsmatch som ska klara av två frekvens band och på sådant sätt öka gainet över dessa band. Arbetet täcker grunderna för att designa ett matchningsnätverk till en transistor, och hur man kan analysera kretsar mer ingående för att få en så realistisk simulering som möjligt. I detta projekt har ADS och modeller av GH60015D använts för att göra simuleringar av komponenter tänkta att tillverkas på ett glassubstrat. Det eftersökta resultatet av arbetet är att få ut så mycket storsignalsförstärkning som möjligt vid frekvenserna 2.11-2.17GHz och 2.62-2.69GHz. Resultatet av denna rapport visar metoder att bibehålla ovillkorligt utombandsstabilitet, medan man vid specifika band minskar stabilitetsmarginalen för att öka förstärkningen under kontrollerade villkor. Erhållen storsignalsförstärkning vid ungefär 15W uteffekt för de båda utvalda banden är ungefär 15.2 dB.
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Sam-giao, Diane. "Etude optique de nanofils GaN et de microcavités GaN/AIN." Phd thesis, Université de Grenoble, 2012. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00870498.

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Abstract:
Ce travail de thèse porte sur l'étude optique de nanofils de GaN et de microcavités d'AlN contenant des boîtes quantiques de GaN. La largeur de raie de l'exciton lié au donneur neutre dans le spectre de photoluminescence des nanofils de GaN crûs par épitaxie par jets moléculaires met en evidence l'homogénéité des contraintes dans le matériau. S'ils ne présentent aucun confinement excitonique, la géométrie filaire permet une relaxation efficace des contraintes et permet d'étudier précisément le bord de bande du GaN relaxé en phase cubique. Par ailleurs, nous infirmons l'attribution de la transition à 3.45 eV observée dans le spectre des nanofils de GaN wurtzite à un satellite à deux électrons. En effet, les règles de sélection de son dipôle, ainsi que son évolution sous champ magnétique intense, montrent que cette transition n'a pas les propriétés d'un satellite à deux électrons. Nous avons également étudié la spectroscopie de microdisques d'AlN contenant des boîtes quantiques de GaN. Des facteurs de qualité record pour les cavités en AlN ont été mesurés autour de 3 eV. Des nanocavités d'AlN contenues dans des guides d'onde unidimensionnels ont également été étudiées. L'attribution de chaque mode au guide d'onde ou à la cavité, prédite par des calculs préliminaires, est confirmée expérimentalement par une localisation différente. Ces structures donnent lieu à d'excellents facteurs de qualité, de 2300 à 3.45 eV, jusqu'à 4400 à 3.14 eV. Si le facteur de Purcell attendu est très élevé (autour de 100), nous n'avons pas réussi à observer l'effet Purcell. Ceci s'explique soit par l'instabilité des modes de cavité et de l'émission des boîtes quantiques sous exposition prolongée, soit par l'importance des recombinaisons non radiatives. Enfin, il apparaît que le frein principal à l'obtention de l'effet laser dans ces structures est l'important champ électrique interne, qui ralentit l'émission spontanée des boîtes quantiques.
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Sam-Giao, Diane. "Etude optique de nanofils GaN et de microcavités GaN/AIN." Thesis, Grenoble, 2012. http://www.theses.fr/2012GRENY075/document.

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Abstract:
Ce travail de thèse porte sur l'étude optique de nanofils de GaN et de microcavités d'AlN contenant des boîtes quantiques de GaN. La largeur de raie de l'exciton lié au donneur neutre dans le spectre de photoluminescence des nanofils de GaN crûs par épitaxie par jets moléculaires met en evidence l'homogénéité des contraintes dans le matériau. S'ils ne présentent aucun confinement excitonique, la géométrie filaire permet une relaxation efficace des contraintes et permet d'étudier précisément le bord de bande du GaN relaxé en phase cubique. Par ailleurs, nous infirmons l'attribution de la transition à 3.45 eV observée dans le spectre des nanofils de GaN wurtzite à un satellite à deux électrons. En effet, les règles de sélection de son dipôle, ainsi que son évolution sous champ magnétique intense, montrent que cette transition n'a pas les propriétés d'un satellite à deux électrons. Nous avons également étudié la spectroscopie de microdisques d'AlN contenant des boîtes quantiques de GaN. Des facteurs de qualité record pour les cavités en AlN ont été mesurés autour de 3 eV. Des nanocavités d'AlN contenues dans des guides d'onde unidimensionnels ont également été étudiées. L'attribution de chaque mode au guide d'onde ou à la cavité, prédite par des calculs préliminaires, est confirmée expérimentalement par une localisation différente. Ces structures donnent lieu à d'excellents facteurs de qualité, de 2300 à 3.45 eV, jusqu'à 4400 à 3.14 eV. Si le facteur de Purcell attendu est très élevé (autour de 100), nous n'avons pas réussi à observer l'effet Purcell. Ceci s'explique soit par l'instabilité des modes de cavité et de l'émission des boîtes quantiques sous exposition prolongée, soit par l'importance des recombinaisons non radiatives. Enfin, il apparaît que le frein principal à l'obtention de l'effet laser dans ces structures est l'important champ électrique interne, qui ralentit l'émission spontanée des boîtes quantiques
This work focuses on the optical study of GaN nanowires and AlN microcavities containing GaN quantum dots. The 1-meV linewidth of the neutral donor-bound exciton line in the photoluminescence spectrum of MBE-grown GaN nanowires evidences that the strain is homogeneous in the material. These nanowires do not exhibit any excitonic confinement, but the efficient strain relaxation allows to grow strain-free zinc-blende GaN nanowires and then to conduct fine spectroscopy on cubic GaN near band edge. Beside, we show that the tentative attribution of the recombination line at 3.45 eV in the spectrum of wurtzite GaN nanowires to a surface-enhanced two-electron satellite does not hold. Indeed, its dipole polarization selection rules and its evolution with intense applied magnetic field do not match that of a two-electron satellite. We also performed the spectroscopy of GaN/AlN quantum dot microdisks. Record quality factors for AlN cavities were measured around 3 eV. GaN/AlN quantum dot nanocavities embedded in photonic crystal waveguides were also investigated. The attribution of each mode either to the waveguide or to the cavity, predicted by calculations, is experimentally confirmed by a different light localization. These structures allow excellent quality factors to be reached, from 2300 at 3.45 eV, up to 4400 at 3.14 eV. Although the expected Purcell factor is very high (around 100), we did not manage to observe the Purcell effect. This originates either from an enhancement of non-radiative recombination channels or from an instability of both the cavity modes and the quantum dot emission under intense exposure. Finally, it appears that the main limiting factor to achieve lasing in these structures is the strong built-in electric field, which slows up the spontaneous emission rate of the quantum dots
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6

Frayssinet, Eric. "Elaboration et étude d'hétérojonctions GaN/AlGaN déposées sur GaN massif." Montpellier 2, 2000. http://www.theses.fr/2000MON20064.

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Abstract:
Ce travail de recherche porte sur les cristaux de gan massifs et sur les heterostructures gan/algan. Dans le premier chapitre, nous exposons les principales techniques experimentales qui nous serviront a caracteriser les cristaux massifs de gan et les couches homoepitaxiees, a savoir la spectroscopie infrarouge et -raman, la photoluminescence et la double diffraction de rayons x. Dans le second chapitre, nous etudions deux types de cristaux massifs de gan : pour les cristaux non intentionnellement dopes, nous etablissons que la face polarisee (000 $$1)n possede toujours plus de porteurs libres que la face (0001)ga et mettons en evidence la presence d'un gradient de concentration en electrons libres le long de l'axe polaire c (0001). En outre, nous revelons que les defauts natifs de lacunes de gallium sont plus nombreux sur la face (0001)ga. Les cristaux dopes magnesium, a caractere semi-isolant, permettent l'etude des phonons au centre de la zone de brillouin ainsi que les processus a deux phonons. Dans le troisieme chapitre, nous etudions les couches de gan deposees par epvom sur les deux types de cristaux de gan. Nous montrons que la meilleure face des substrats de gan pour l'homoepitaxie est la face (0001)ga. En effet, les couches deposees sur cette face incorporent beaucoup moins d'impuretes donatrices (o et si) et possedent donc moins de porteurs libres que les couches deposees sur la face (000 $$1)n. Dans le dernier chapitre, nous etudions les proprietes du gaz d'electrons 2d dans les heterostructures gan/algan deposees sur gan massif par ejm. Nous obtenons la meilleure mobilite electronique a basse temperature jamais atteinte dans un systeme a base de gan. En outre, nous determinons le facteur de lande en etudiant la dependance angulaire de l'amplitude des oscillations de shubnikov de haas. Enfin, nous concluons par la presentation du premier transistor a effet de champ (hfet) developpe sur cristaux massifs de gan.
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7

Qiao, Dongjiang. "GaN processing technologies /." Diss., Connect to a 24 p. preview or request complete full text in PDF format. Access restricted to UC campuses, 2002. http://wwwlib.umi.com/cr/ucsd/fullcit?p3071033.

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8

Wang, Ke, and 王科. "Some experimental studies of n-type GaN and Au/GaN contacts." Thesis, The University of Hong Kong (Pokfulam, Hong Kong), 2002. http://hub.hku.hk/bib/B26663612.

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9

Pecharromán-Gallego, Raúl. "Investigations of the luminescence of GaN and InGaN/GaN quantum wells." Thesis, University of Strathclyde, 2004. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.400328.

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10

Nakazawa, Satoshi. "Interface Charge Engineering in AlGaN/GaN Heterostructures for GaN Power Devices." Kyoto University, 2019. http://hdl.handle.net/2433/244553.

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Books on the topic "GaN"

1

Cai, Li Min. Gan ai gan meng. Hong Kong: Liuxingyu, 2003.

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2

Feng, Liang Nu. Gan zuo gan wei. Hong Kong: Ming Chuang, 1991.

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3

Wen, Xin. Du ni gan bu gan. Xianggang: Xiao xiao shu fang, 2005.

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4

Jianxin, Wang, ed. Gan bu guan li gai lun. Shenyang Shi: Liaoning da xue chu ban she, 1986.

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5

Nagahama, Minoru. Gan Kokunen-kun shōden: Gan Kokunen. Tōkyō: Yumani Shobō, 2009.

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6

), Yūseikai (1911, ed. Gan Unnen-ō shōden: Gan Unnen. Tōkyō: Yumani Shobō, 2008.

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7

Cai, Ming. Gan dong. 8th ed. Beijing: Zuo jia chu ban she, 1998.

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8

xuan, Cao wen. Gan dong. Nan jing: Jiang su shao nian er tong chu ban she, 2006.

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9

Ru̇stămkhanly, Sabir. Gan i̐addashy. Baky: I̐azychy, 1986.

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10

Xiao, Yi. Gan Shijiumei. Beijing: Zhong guo you yi chu ban gong si, 1986.

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Book chapters on the topic "GaN"

1

Di, Li. "Gan De." In Biographical Encyclopedia of Astronomers, 780–81. New York, NY: Springer New York, 2014. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4419-9917-7_497.

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2

Nakamura, Shuji, Stephen Pearton, and Gerhard Fasol. "GaN Growth." In The Blue Laser Diode, 47–88. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 2000. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-662-04156-7_4.

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3

Grillot, Solange, Maurice A. Finocchiaro, Mihkel Joeveer, Davide Neri, Douglas Scott, Li Di, Kim Plofker, et al. "Gan De." In The Biographical Encyclopedia of Astronomers, 404. New York, NY: Springer New York, 2007. http://dx.doi.org/10.1007/978-0-387-30400-7_497.

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Bera, Subhash Chandra. "GaN Semiconductor." In Microwave High Power High Efficiency GaN Amplifiers for Communication, 15–21. Singapore: Springer Nature Singapore, 2022. http://dx.doi.org/10.1007/978-981-19-6266-0_2.

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5

Yi-Long, Huang. "Gan De." In Encyclopaedia of the History of Science, Technology, and Medicine in Non-Western Cultures, 1944. Dordrecht: Springer Netherlands, 2016. http://dx.doi.org/10.1007/978-94-007-7747-7_8606.

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6

Singh, Purushottam, Prashant Pranav, and Sandip Dutta. "GAN Cryptography." In Machine Learning in Healthcare and Security, 184–94. Boca Raton: CRC Press, 2023. http://dx.doi.org/10.1201/9781003388845-16.

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7

Nakamura, Shuji, and Gerhard Fasol. "GaN Growth." In The Blue Laser Diode, 35–77. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 1997. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-662-03462-0_4.

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8

Aggarwal, Neha, Shibin Krishna, and Govind Gupta. "GaN Nanoflowers." In 21st Century Nanoscience – A Handbook, 8–1. Boca Raton, Florida : CRC Press, [2020]: CRC Press, 2020. http://dx.doi.org/10.1201/9780429351617-8.

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9

Jin, Chong, and Dimitris Pavlidis. "GaN Multipliers." In Fundamentals of Terahertz Devices and Applications, 383–446. Chichester, UK: John Wiley & Sons, Ltd, 2021. http://dx.doi.org/10.1002/9781119460749.ch10.

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10

Di Paolo Emilio, Maurizio. "GaN Applications." In GaN and SiC Power Devices, 93–119. Cham: Springer Nature Switzerland, 2024. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-031-50654-3_6.

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Conference papers on the topic "GaN"

1

Shoshan, Alon, Nadav Bhonker, Igor Kviatkovsky, and Gerard Medioni. "GAN-Control: Explicitly Controllable GANs." In 2021 IEEE/CVF International Conference on Computer Vision (ICCV). IEEE, 2021. http://dx.doi.org/10.1109/iccv48922.2021.01382.

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2

LI, JAMES C., DAVID M. KEOGH, SOUROBH RAYCHAUDHURI, ADAM CONWAY, DONGJIANG QIAO, and PETER M. ASBECK. "ANALYSIS OF HIGH DC CURRENT GAIN STRUCTURES FOR GaN/InGaN/GaN HBTs." In High Performance Devices - 2004 IEEE Lester Eastman Conference. Singapore: World Scientific Publishing Co. Pte. Ltd., 2005. http://dx.doi.org/10.1142/9789812702036_0033.

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3

Witzigmann, Bernd, Valerio Laino, Mathieu Luisier, Friedhard Roemer, Georg Feicht, and Ulrich T. Schwarz. "Simulation and design of optical gain in In(Al)GaN/GaN short wavelength lasers." In Photonics Europe, edited by Daan Lenstra, Markus Pessa, and Ian H. White. SPIE, 2006. http://dx.doi.org/10.1117/12.662048.

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4

Hiroki, Masanobu, Kazuhide Kumakura, Toshiki Makimato, Naoki Kobayashi, and Takashi Kobayashi. "Fabrication of GaN/Alumina/GaN Structure to Reduce Dislocations in GaN." In 2003 International Conference on Solid State Devices and Materials. The Japan Society of Applied Physics, 2003. http://dx.doi.org/10.7567/ssdm.2003.f-3-3.

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5

Gupta, Richa, and Vanshika Gupta. "Performance Analysis of Different GAN Models: DC-GAN and LS-GAN." In 2021 7th International Conference on Signal Processing and Communication (ICSC). IEEE, 2021. http://dx.doi.org/10.1109/icsc53193.2021.9673478.

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6

Lin, Song, and Murat Eron. "Ultra wideband high gain GaN power amplifier." In 2010 IEEE Radio and Wireless Symposium (RWS). IEEE, 2010. http://dx.doi.org/10.1109/rws.2010.5434244.

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7

Padmanabhan, Balaji, Dragica Vasileska, and Stephen M. Goodnick. "Reliability of GaN HEMTs: Current degradation in GaN/AlGaN/AlN/GaN HEMT." In 2012 15th International Workshop on Computational Electronics (IWCE). IEEE, 2012. http://dx.doi.org/10.1109/iwce.2012.6242851.

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8

Shen, Licheng, and Yan Yang. "SE-GAN: A Swap Ensemble GAN Framework." In 2019 International Joint Conference on Neural Networks (IJCNN). IEEE, 2019. http://dx.doi.org/10.1109/ijcnn.2019.8851684.

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9

Suh, C., A. Chini, Y. Fu, C. Poblenz, J. Speck, and U. Mishra. "p-GaN/AlGaN/GaN Enhancement-Mode HEMTs." In 2006 64th Device Research Conference. IEEE, 2006. http://dx.doi.org/10.1109/drc.2006.305167.

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10

Sochacki, Tomasz, Mikolaj Amilusik, Boleslaw Lucznik, Michal Boćkowski, Janusz L. Weyher, Grzegorz Nowak, Bogdan Sadovyi, et al. "HVPE-GaN growth on ammonothermal GaN crystals." In SPIE OPTO, edited by Jen-Inn Chyi, Yasushi Nanishi, Hadis Morkoç, Joachim Piprek, Euijoon Yoon, and Hiroshi Fujioka. SPIE, 2013. http://dx.doi.org/10.1117/12.2003699.

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Reports on the topic "GaN"

1

Pavlidis, Dimitris. GaN MISFETs. Fort Belvoir, VA: Defense Technical Information Center, June 2000. http://dx.doi.org/10.21236/ada391089.

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2

CBL CORP REDWOOD CITY CA. Engineered GaN Substrates. Fort Belvoir, VA: Defense Technical Information Center, September 1996. http://dx.doi.org/10.21236/ada324733.

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3

Long, CL, A. Del Genio, M. Deng, X. Fu, W. Gustafson, R. Houze, C. Jakob, et al. ARM MJO Investigation Experiment on Gan Island (AMIE-Gan) Science Plan. Office of Scientific and Technical Information (OSTI), April 2011. http://dx.doi.org/10.2172/1010958.

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4

Jones, Kenneth A., Timothy A. Walsh, Randy P. Tompkins, Iskander G. Batyrev, Michael A. Derenge, Kevin W. Kirchner, and Cuong B. Nguyen. GaN High Power Electronics. Fort Belvoir, VA: Defense Technical Information Center, February 2011. http://dx.doi.org/10.21236/ada538030.

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5

Mishra, Umesh. AlGaN/GaN HEMTs on Semi-Insulating GaN Substrates by MOCVD and MBE. Fort Belvoir, VA: Defense Technical Information Center, January 2007. http://dx.doi.org/10.21236/ada511161.

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6

Shul, R. J., J. C. Zolper, and M. H. Crawford. Plasma-induced-damage of GaN. Office of Scientific and Technical Information (OSTI), September 1996. http://dx.doi.org/10.2172/373894.

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7

Trew, Robert J. mm-Wave AlGaN/GaN HFET's. Fort Belvoir, VA: Defense Technical Information Center, May 2003. http://dx.doi.org/10.21236/ada416119.

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8

Wong, Raechelle Kimberly. P-type doping of GaN. Office of Scientific and Technical Information (OSTI), April 2000. http://dx.doi.org/10.2172/764386.

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9

Duxstad, Kristin Joy. Metal contacts on ZnSe and GaN. Office of Scientific and Technical Information (OSTI), May 1997. http://dx.doi.org/10.2172/491565.

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10

Shul, R. J., R. D. Briggs, S. J. Pearton, C. B. Vartuli, C. R. Abernathy, J. W. Lee, C. Constantine, and C. Baratt. Chlorine-based plasma etching of GaN. Office of Scientific and Technical Information (OSTI), February 1997. http://dx.doi.org/10.2172/432987.

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